CN106206887A - 一种发光二极管外延片及其生产方法 - Google Patents
一种发光二极管外延片及其生产方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106206887A CN106206887A CN201610739860.6A CN201610739860A CN106206887A CN 106206887 A CN106206887 A CN 106206887A CN 201610739860 A CN201610739860 A CN 201610739860A CN 106206887 A CN106206887 A CN 106206887A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- growth
- thickness
- quantum well
- thin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000032696 parturition Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000005701 quantum confined stark effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 206010041954 Starvation Diseases 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000010900 secondary nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种发光二极管外延片及其生产方法，本发明涉及半导体光电子器件制造领域，在生长多量子阱有源区时，本发明在生长多量子阱有源区时，对其中的每一组结构层的生长的生长材料进行控制，循环进行2～12组结构层的生长，在生长每一组结构层时，依次生长AlxInyGa1‑x‑yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1‑xN量子阱层和AlxGa1‑xN薄层。本发明工艺合理，制成的产品稳定性好，正品率高，避免了多量子阱生长遇到的In组分分散不均问题及QCSE现象的发生。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电子器件制造领域，尤其一种外延片的生长技术。
背景技术
发光二极管（LED）具有长寿、节能、环保、可靠性高等优点，近年来，LED在大屏幕彩色显示、交通信号灯和照明等领域发挥了越来越重要的作用。但要在全彩屏显示和照明领域上能得到更加广泛的应用，则需要进一步提升LED外延产出的均一性。
多量子阱有源区作为LED的核心区域，通常由多组InGaN量子阱和GaN垒层交替重叠构成。此结构因材料之间的晶格失配导致材料之间形成应力，此应力一方面积累对材料形成翘曲，导致In组分分散不均，不利于产品的波长均一性，另一方面导致极化电场产生，进而导致量子阱有源区能带倾斜，形成量子限制斯塔克效应（QCSE）现象。
发明内容
本发明目的是提出一种发光二极管外延片，以解决上述多量子阱生长遇到的In组分分散不均问题及QCSE现象。
本发明包括依次外延设置在衬底同一侧的AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、多量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层和AlGaN空穴注入层；其特点是：所述多量子阱有源区由呈周期设置的2～12组结构层组成，每一组结构层由依次设置的AlxInyGa1-x-yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1-xN量子阱层和AlxGa1-xN薄层组成。
本发明采用特殊的多量子阱有源区结构层，借助低温下Al迁移率偏低特性，形成AlN晶核层，通过在AlN晶核上覆盖SiN薄层，因SiN连续薄膜的形成需要较厚的堆积，故通过控制SiN薄层的厚度可使其薄膜不连续，形成网状结构覆盖于AlN晶核上，使部分AlN晶核暴露于SiN薄层外，利用Si-N键能远大于（In）Ga-N键能，在Si-N面上较难形成InGaN的二次成核的特点，而InGaN量子阱层可达到择优沉积在暴露的AlN晶核上，进而形成类量子点结构，避免In富积效应，改善外延片发光的均一性。本发明还通过在InGaN量子阱层上设置AlxGa1-xN薄膜，达到了对电子形成的限制作用，改善电子-空虚复合几率。
总之，本发明可避免In富积而产生的量子限制斯塔克效应（QCSE）的发生，有效改善外延片发光的均一性，提高发光效率。
进一步地，本发明每一组结构层中所述AlxInyGa1-x-yN量子垒层的厚度为6～15nm；AlN晶核层的厚度为1～10nm；网状结构SiN薄层的厚度为0.5～1nm；InxGa1-xN量子阱层的厚度为3～5nm；AlxGa1-xN薄层的厚度为1～2nm。
量子垒层设计厚度为6～15nm能更好的对电子起到限制作用，同时保证材料的晶体质量。AlN晶核层厚度设计厚度为1～10nm便于形成三维岛状结构，同时避免过厚形成致密的连续薄膜。SiN设计厚度为0.5～1nm主要目的实现SiN的网络结构，避免过厚形成连续薄膜，InxGa1-xN设计厚度为3～5nm有利于匹配量子垒层厚度，尽可能降低垒层与阱层的极化强度，同时得到较适宜的带隙宽度。AlxGa1-xN薄层的厚度设计为1～2nm，一方面提供对电子的限制作用，同时减少因材料过厚导致的极化效应。
本发明的另一目的是提出以上产品的生产方法。
本发明生产方法包括在衬底的同一侧依次生长AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、多量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层和AlGaN空穴注入层；特点是：在生长多量子阱有源区时，循环进行2～12组结构层的生长，在生长每一组结构层时，依次生长AlxInyGa1-x-yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1-xN量子阱层和AlxGa1-xN薄层。
本发明在生长多量子阱有源区时，对其中的每一组结构层的生长的生长材料进行控制，特别是采用低温生长AlN，借助低温下Al迁移率偏低特性，形成AlN晶核层，之后通过在AlN晶核层上覆盖一层SiN薄层，因SiN连续薄膜的形成需要较厚的堆积，故通过控制SiN薄层的厚度使其薄膜不连续，形成网状结构覆盖于AlN晶核上，使部分AlN晶核暴露于SiN薄层外，然后，再利用Si-N键能远大于（In）Ga-N键能，在Si-N面上较难形成InGaN的二次成核的特点，使InGaN量子阱层择优沉积在暴露的AlN晶核上，进而形成类量子点结构，避免In富积效应，改善外延片发光的均一性，后通过在InGaN量子阱层上生长AlGaN薄膜，对电子形成限制作用，改善电子-空虚复合几率，提高发光效率。
本发明工艺合理，制成的产品稳定性好，正品率高。
另外，本发明所述AlxInyGa1-x-yN量子垒层中，x为0.01～0.1，y为0.05～0.2；生长所述AlxInyGa1-x-yN量子垒层的环境温度为900～1000℃，生长形成的每一层AlxInyGa1-x-yN量子垒层厚度为6～15nm。该厚度的量子垒能更好的对电子起到限制作用，同时保证材料的晶体质量。AlxInyGa1-x-yN量子垒中x为0.01～0.1，y为 0.05～0.2，此组分设计一方面有利于四元合金材料的生长，保证材料质量，同时起到相应的电子限制作用。
在生长所述AlN晶核层时，生长时的环境温度为550～650℃，生长形成的每一层AlN晶核层厚度为1～10nm。此温度条件有利于实现Al的迁移率低的性能，促进三维结构的生长，同时1～10nm的厚度避免晶核过厚堆积形成致密的连续薄膜。
在生长所述网状结构SiN薄层时，生长时的环境温度为800～900℃，生长形成的每一层网状结构SiN薄层厚度为0.5～1nm。该厚度的设计主要目的实现SiN的网络结构，避免过厚形成连续薄膜。800～900℃的生长环境一方面有利于Si进一步在平面的扩散延伸，同时对Si-N形成部分刻蚀作用，便于网格材料的形成。
在生长所述InxGa1-xN量子阱层时，生长时的环境温度为800～900℃，生长形成的每一层InxGa1-xN量子阱层厚度为3～5nm。InxGa1-xN设计的厚度为3～5nm有利于匹配量子垒层厚度，尽可能降低垒层与阱层的极化强度，同时得到较适宜的带隙宽度。生活环境设定为800～900℃一方面有利于形成较高的晶体质量，同时避免对In组分的析出作用。
在生长所述AlxGa1-xN薄层时，生长时的环境温度为900～1000℃，生长形成的每一层AlxGa1-xN薄层厚度为1～2nm。该薄层厚度的设计一方面提供对电子的限制作用，同时减少因材料过厚导致的极化效应。900～1000℃环境温度的生长设计有利于该薄层二维平面生长，形成较高晶体质量的薄膜。
附图说明
图1为本发明产品的一种结构示意图。
图2为本发明产品中多量子阱有源区中一组结构层的形貌示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种紫光发光二极管外延结构及其生长方法，采用MOCVD设备进行外延生长，使用NH3作为N源，使用TMGa（三甲基镓）或TEGa（三乙基镓）作为Ga源，使用TMIn（三甲基铟）作为In源。
一、生产工艺步骤如图1、2所示：
1、在蓝宝石衬底L1上生长一层AlN成核层L2：
生长温度550℃，压力为65000Pa，厚度为30nm，NH3流量为15000sccm，TMAl流量100sccm，生长气氛为H2 。
2、在AlN成核层L2上生长AlGaN非掺杂层L3：
生长温度1050℃，压力为40000Pa，NH3流量为10000sccm，TMAl流量30sccm，TMGa流量为300sccm，生长气氛为H2，厚度约3μm。
3、在AlGaN非掺杂层L3上生长一层n型AlGaN电子注入层L4：
生长温度1100℃，压力20000Pa，厚度约为3μm，掺杂浓度为1×1019cm-3，NH3流量为10000sccm，TMAl流量20sccm，TMGa流量为200sccm，生长气氛为H2。
4、在n型AlGaN电子注入层L4上生长循环生长由8组结构层组成的多量子阱有源区L5：
在生长每一组结构层时压力分别为30000Pa，并注意以下各参数的控制：
Al0.1In0.03Ga0.87N量子垒层L51的生长温度为900～1000℃，厚度为6～15nm，NH3流量为10000sccm，TEGa流量设定为900sccm，TMAl流量设定为100sccm，TMIn流量设定为300sccm。
量子垒层生长结束后降温至550～650℃，保持NH3流量不变，生长AlN晶核层L52，该层厚度为1～10nm。
AlN晶核层生长结束后升温至800～900℃，生长网状结构SiN薄层L53，该层厚度控制在0.5～1nm。
网状结构SiN薄层生长结束后保持温度不变，生长In0.1Ga0.9N 量子阱层L54，TEGa流量设定为400sccm，TMIn流量设定为600sccm。
多量子阱有源区InGaN阱层生长结束后，升温至900～1000℃，生长Al0.2Ga0.8N薄层L55。
5、在多量子阱有源区L5上生长6对p型Al0.3Ga0.7N/Al0.5Ga0.5N电子阻挡层L6：
生长温度1000℃，生长压力10000Pa，Al0.3Ga0.7N/Al0.5Ga0.5N生长厚度分别为10nm/2nm，Mg原子掺杂浓度为2×1019cm-3，NH3流量为10000sccm, Al0.3Ga0.7N/Al0.5Ga0.5N周期中Al源流量分别为60sccm及100sccm，生长气氛为N2。
6、在p型Al0.3Ga0.7N/Al0.5Ga0.5N电子阻挡层L6上生长p型Al0.2Ga0.8N空穴注入层L7：
生长温度1050℃，压力为20000Pa， Mg掺杂浓度1×1020cm-3，厚度为50nm。
二、产品结构特点：
如图1所示，在衬底L1同一侧依次外延设置有AlN成核层L2、AlGaN非掺杂层L3、n型AlGaN电子注入层L4、多量子阱有源区L5、AlGaN电子阻挡层L6和AlGaN空穴注入层L7。多量子阱有源区L5由呈周期设置的2～12组结构层组成。
如图2所示，多量子阱有源区L5中每一组结构层由依次设置的AlxInyGa1-x-yN量子垒层L51、AlN晶核层L52、网状结构SiN薄层L53、InxGa1-xN量子阱层L54和AlxGa1-xN薄层组成L55。
其中，AlxInyGa1-x-yN量子垒层L51的厚度为6～15nm；AlN晶核层L52的厚度为1～10nm；网状结构SiN薄层L53的厚度为0.5～1nm；InxGa1-xN量子阱层L54的厚度为3～5nm；AlxGa1-xN薄层L55的厚度为1～2nm。
Claims (8)
1.一种发光二极管外延片，包括依次外延设置在衬底同一侧的AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、多量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层和AlGaN空穴注入层；其特征在于：所述多量子阱有源区由呈周期设置的2～12组结构层组成，每一组结构层由依次设置的AlxInyGa1-x-yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1-xN量子阱层和AlxGa1-xN薄层组成。
2.根据要求1所述发光二极管外延片，其特征在于：每一组结构层中所述AlxInyGa1-x-yN量子垒层的厚度为6～15nm；AlN晶核层的厚度为1～10nm；网状结构SiN薄层的厚度为0.5～1nm；InxGa1-xN量子阱层的厚度为3～5nm；AlxGa1-xN薄层的厚度为1～2nm。
3.如权利要求1所述发光二极管外延片的生产方法，包括在衬底的同一侧依次生长AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、多量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层和AlGaN空穴注入层；其特征在于：在生长多量子阱有源区时，循环进行2～12组结构层的生长，在生长每一组结构层时，依次生长AlxInyGa1-x-yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1-xN量子阱层和AlxGa1-xN薄层。
4.根据权利要求2所述发光二极管外延片的生产方法，其特征在于所述AlxInyGa1-x-yN量子垒层中，x为0.01～0.1，y为0.05～0.2；生长所述AlxInyGa1-x-yN量子垒层的环境温度为900～1000℃，生长形成的每一层AlxInyGa1-x-yN量子垒层厚度为6～15nm。
5.根据权利要求2所述发光二极管外延片的生产方法，其特征在于在生长所述AlN晶核层时，生长时的环境温度为550～650℃，生长形成的每一层AlN晶核层厚度为1～10nm。
6.根据权利要求2所述发光二极管外延片的生产方法，其特征在于在生长所述网状结构SiN薄层时，生长时的环境温度为800～900℃，生长形成的每一层网状结构SiN薄层厚度为0.5～1nm。
7.根据权利要求2所述发光二极管外延片的生产方法，其特征在于在生长所述InxGa1-xN量子阱层时，生长时的环境温度为800～900℃，生长形成的每一层InxGa1-xN量子阱层厚度为3～5nm。
8.根据权利要求2所述发光二极管外延片的生产方法，其特征在于在生长所述AlxGa1-xN薄层时，生长时的环境温度为900～1000℃，生长形成的每一层AlxGa1-xN薄层厚度为1～2nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610739860.6A CN106206887B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种发光二极管外延片及其生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610739860.6A CN106206887B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种发光二极管外延片及其生产方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106206887A true CN106206887A (zh) | 2016-12-07 |
| CN106206887B CN106206887B (zh) | 2018-08-03 |
Family
ID=57526206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610739860.6A Active CN106206887B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种发光二极管外延片及其生产方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106206887B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116454179A (zh) * | 2023-06-14 | 2023-07-18 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723250B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| KR101020498B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2011-03-09 | 우리엘에스티 주식회사 | 에피택셜 성장 방법 |
| CN102969416A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-13 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种氮化物led外延片及其生长方法 |
| CN104112799A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-10-22 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 一种晶格匹配的led外延结构及其制备方法 |
| CN104409587A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-03-11 | 太原理工大学 | 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法 |
| CN104966768A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-07 | 东南大学 | 一种具有量子点结构的紫外发光二极管 |
-
2016
- 2016-08-29 CN CN201610739860.6A patent/CN106206887B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723250B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| KR101020498B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2011-03-09 | 우리엘에스티 주식회사 | 에피택셜 성장 방법 |
| CN102969416A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-13 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种氮化物led外延片及其生长方法 |
| CN104112799A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-10-22 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 一种晶格匹配的led外延结构及其制备方法 |
| CN104409587A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-03-11 | 太原理工大学 | 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法 |
| CN104966768A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-07 | 东南大学 | 一种具有量子点结构的紫外发光二极管 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116454179A (zh) * | 2023-06-14 | 2023-07-18 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| CN116454179B (zh) * | 2023-06-14 | 2023-08-25 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106206887B (zh) | 2018-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102368519B (zh) | 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 | |
| CN101488548B (zh) | 一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED | |
| CN102956769B (zh) | 氮化物半导体发光器件以及制造其的方法 | |
| CN101488550B (zh) | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 | |
| CN105070805B (zh) | 一种硅基氮化物紫外led外延结构及其实现方法 | |
| CN103730552B (zh) | 一种提高led发光效率的外延生长方法 | |
| CN101681813A (zh) | 氮化物纳米线及其制造方法 | |
| CN104638074B (zh) | 高亮度GaN 基LED 外延结构及其制作方法 | |
| CN107170862B (zh) | 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN105552188A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
| CN103219438A (zh) | 改善应力释放和载流子存储的发光二极管浅阱生长方法 | |
| CN104051586A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 | |
| CN101355127A (zh) | 提高ⅲ族氮化物发光效率的led量子阱结构及其生长方法 | |
| CN110364606A (zh) | 一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法 | |
| CN103456852B (zh) | 一种led外延片及制备方法 | |
| CN104993027B (zh) | 发光二极管外延片及其制作方法 | |
| CN204741026U (zh) | 具有发光层多量子阱过渡层的led外延结构 | |
| CN102208500A (zh) | 一种led外延生长方法和led外延结构 | |
| CN115986018A (zh) | 一种外延片、外延片制备方法及发光二极管 | |
| CN110459652A (zh) | AlGaN基紫外LED器件及其制备方法与应用 | |
| TW201310701A (zh) | 三族氮化物半導體發光元件之製造方法 | |
| CN106206887B (zh) | 一种发光二极管外延片及其生产方法 | |
| US20110133158A1 (en) | Method for fabricating ingan-based multi-quantum well layers | |
| CN106920866B (zh) | 一种调控紫外发光二极管外延片波长的外延方法 | |
| CN116344697A (zh) | 具有复合超晶格电子阻挡层的led芯片及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |