CN106206610A - 可分离的衬底结构及其制备方法、显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种可分离的衬底结构及其制备方法、显示装置的制造方法。上述可分离的衬底结构的制备方法包括以下步骤:提供支撑基底;在支撑基底上形成第一离型层,用以保护支撑基底;在第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层;向第一填充部内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层;在填充有磁性粒子的第二离型层上形成第三离型层;以及,在第三离型层上形成柔性基底,得到可分离的衬底结构。上述可分离的衬底结构的制备方法中,由于第二离型层的第一填充部内填充有磁性粒子,当对第二离型层施加磁场时,磁性粒子之间相对移动,能够疏松第二离型层,便于将柔性基底与支撑基底分开。

Description

可分离的衬底结构及其制备方法、显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置领域,特别是涉及一种可分离的衬底结构及其制备方法、显示装置的制造方法。
背景技术
近年来,具有柔性基底的显示装置因其可弯曲的特性,在移动或者手持显示装置中具有广泛的应用前景。塑料基底(例如具有优异的耐热性和强度的聚酰亚胺基底、聚醚砜基底等)常被用作柔性基底。
当利用柔性基底制造显示装置时,为了确保柔性基底的表面平整性,可以使用刚性基板(诸如玻璃基板)作为支撑基底来形成柔性基底。传统的柔性基底的制造方法为:在支撑基底上设置柔性基底,之后在柔性基底上形成像素,最后,将其上形成有像素的柔性基底与支撑基底分开。然而,在形成像素的同时柔性基底会变得强有力地附着在支撑基底上,导致将柔性基底与支撑基底分开很困难。
发明内容
基于此,有必要针对传统的柔性基底的制造方法中将柔性基底与支撑基底分开很困难的问题,提供一种便于将柔性基底与支撑基底分开的可分离的衬底结构的制备方法。
一种可分离的衬底结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供支撑基底;
在所述支撑基底上形成第一离型层,用以保护所述支撑基底;
在所述第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层;
向所述第一填充部内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层;
在所述填充有磁性粒子的第二离型层上形成第三离型层;
以及,在所述第三离型层上形成柔性基底,得到可分离的衬底结构。
上述可分离的衬底结构的制备方法中,由于第二离型层的第一填充部内填充有磁性粒子,当对第二离型层施加磁场时,磁性粒子之间相对移动,能够疏松第二离型层,便于将柔性基底与支撑基底分开。
在其中一个实施例中,在所述第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层的步骤为:通过第一掩膜工艺图案化第二离型层,以形成若干个第一填充部。
在其中一个实施例中,还包括以下步骤:
在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部的第四离型层;
以及,向所述第二填充部内填充第二磁性粒子,得到填充有第二磁性粒子的第四离型层。
在其中一个实施例中,在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部的第四离型层的步骤为:通过第二掩膜工艺图案化第四离型层,以形成若干个第二填充部。
还提供一种可分离的衬底结构,包括:
支撑基底;
第一离型层,设置在所述支撑基底上,用以保护所述支撑基底;
第二离型层,设置在所述第一离型层上,具有若干个第一填充部,所述第一填充部内填充有第一磁性粒子;
第三离型层,设置在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上;
以及柔性基底,设置在所述第三离型层上。
上述可分离的衬底结构中,由于第二离型层的第一填充部内填充有磁性粒子,当对第二离型层施加磁场时,磁性粒子之间相对移动,能够对第二离型层进行贯通,便于将柔性基底与支撑基底分开。
在其中一个实施例中,还包括设置在所述第二离型层与所述第三离型层之间的第四离型层,所述第四离型层具有若干个第二填充部,所述第二填充部内填充有第二磁性粒子。
在其中一个实施例中,所述第一填充部在所述支撑基底上的投影与所述第二填充部在所述支撑基底上的投影不重合。
在其中一个实施例中,所述第一填充部为第一通孔,所述第二填充部为第二通孔。
此外,还提供一种显示装置的制造方法,包括以下步骤:
提供支撑基底;
在所述支撑基底上形成第一离型层,用以保护所述支撑基底;
在所述第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层;
向所述第一填充部内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层;
在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成第三离型层;
以及,在所述第三离型层上形成柔性基底;
在所述柔性基底上形成像素结构;
以及,对所述填充有第一磁性粒子的第二离型层施加磁场,以疏松所述第二离型层,之后将所述支撑基底和所述柔性基底分开。
上述显示装置的制造方法中,由于第二离型层的第一填充部内填充有磁性粒子,当对第二离型层施加磁场时,磁性粒子之间相对移动,能够疏松第二离型层,便于将柔性基底与支撑基底分开。
在其中一个实施例中,还包括以下步骤:
在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部的第四离型层;
以及,向所述第二填充部内填充第二磁性粒子,得到填充有第二磁性粒子的第四离型层。
附图说明
图1为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法的流程图;
图2为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中形成第一离型层的结构示意图;
图3为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中第一掩膜版的平面示意图;
图4为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中形成第二离型层的结构示意图;
图5为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中第二掩膜版的平面示意图;
图6为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中填充有第一磁性粒子的第二离型层的结构示意图;
图7为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中第三掩膜版的平面示意图;
图8为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中形成第四离型层的结构示意图;
图9为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中第四掩膜版的平面示意图;
图10为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中填充有第二磁性粒子的第四离型层的结构示意图;
图11为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中形成第三离型层的结构示意图;
图12为一实施方式的可分离的衬底结构的示意图;
图13为一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
请参见图1,一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法,包括以下步骤:
S100、提供支撑基底100。
通常采用刚性基板作为支撑基底100,例如玻璃基底。
S110、在支撑基底100上形成第一离型层110,用以保护支撑基底100,如图2所示。
在一个较优的实施例中,第一离型层110的材质为聚酰亚胺。聚酰亚胺为较疏松的结构,有利于后续的分离。同时,聚酰亚胺符合生产需求,有利于应用。
可以通过涂布的方法在支撑基底100上提供聚酰胺酸(PAA)作为聚酰亚胺的前驱体,之后固化聚酰胺酸来形成聚酰亚胺,得到第一离型层110。第一离型层110的厚度为1μm~2μm。
S120、在第一离型层110上形成具有若干个第一填充部121的第二离型层120。
在一个较优的实施例中,第二离型层120的材质为聚酰亚胺。聚酰亚胺为较疏松的结构,有利于后续的分离。同时,聚酰亚胺符合生产需求,有利于应用。
与形成第一离型层110相同,同样可以通过涂布的方法在第一离型层110上提供聚酰胺酸(PAA)作为聚酰亚胺的前驱体,之后固化聚酰胺酸来形成聚酰亚胺,得到第二离型层120。第二离型层120的厚度为1μm~2μm。
请参见图3和图4,通过第一掩膜工艺图案化第二离型层120,以形成若干个第一填充部121。具体的,先采用涂布工艺在第一离型层110上形成未图案化的第二离型层,之后利用图3所示的具有预定图案的第一掩膜版200采用光刻工艺图案化第二离型层120,使第二离型层120具有区域性涂布和空位的结构,即第一填充部121。
在一个较优的实施例中,第一填充部121为第一通孔。且若干个第一通孔按照成行成列的方式进行排布。本实施方式中第一填充部121的截面形状为正方形。当然,第一填充部121的截面形状不限于此,其亦可为长方形或者圆形等其他形状。第一填充部121的排布方式亦不限于此。第一填充部121还可以为凹槽等。
S130、向第一填充部121内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层。
将图5所示的第二掩膜版300对准到步骤S120得到的第二离型层120上,此时,第二掩膜版300上的正方形通孔与第二离型层120上的第一填充部121相对。之后通过第二掩膜版300上的正方形通孔向第一填充部121内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层,如图6所示。
第一磁性粒子可以为任何带有磁性的物质,例如纯铁粉、羰基铁、磁铁矿、正铁酸盐等,其粒径一般在10nm~100nm。
需要说明的是,本实施方式中每个第一填充部121内填充的第一磁性粒子的体积与第一填充部121的体积相等,即通过填充第一磁性粒子可以将第二离型层120填平,有利于后续操作。
S140、在填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部131的第四离型层130。
在一个较优的实施例中,第四离型层130的材质为聚酰亚胺。聚酰亚胺为较疏松的结构,有利于后续的分离。同时,聚酰亚胺符合生产需求,有利于应用。
与形成第二离型层120相同,同样可以通过涂布的方法在第二离型层120上提供聚酰胺酸(PAA)作为聚酰亚胺的前驱体,之后固化聚酰胺酸来形成聚酰亚胺,得到第四离型层130。第四离型层130的厚度为1μm~2μm。
请参见图7和图8,通过第二掩膜工艺图案化第四离型层130,以形成若干个第二填充部131。具体的,先采用涂布工艺在第二离型层120上形成未图案化的第四离型层,之后利用图7所示的具有预定图案的第三掩膜版400采用光刻工艺图案化第四离型层130,使第四离型层130具有区域性涂布和空位的结构,即第二填充部131。
本实施方式中的第二填充部131为第二通孔。若干个第二通孔按照成行成列的方式进行排布。第二填充部131的截面形状为正方形。当然,第二填充部131的截面形状不限于此,其亦可为长方形或者圆形等其他形状。第二填充部131的排布方式亦不限于此。第二填充部131还可以为凹槽等。
此外,为了使第二离型层120和第四离型层130后续容易分离,本实施方式中每个第二填充部131均位于相邻第一填充部121围成的区域内。当然,二者的排布方式不限于此,在另一个较优的实施例中,第一填充部121在支撑基底100上的投影与第二填充部131在支撑基底100上的投影不重合。这样增大了磁性粒子与第二离型层120、第四离型层130的接触面积,有利于后续第二离型层120与第四离型层130的分离。
S150、向第二填充部131内填充第二磁性粒子,得到填充有第二磁性粒子的第四离型层。
将图9所示的第四掩膜版500对准到步骤S140得到的第四离型层130上,此时,第四掩膜版500上的正方形通孔与第四离型层130上的第二填充部131相对。之后通过第四掩膜版500上的正方形通孔向第二填充部131内填充第二磁性粒子,得到填充有第二磁性粒子的第四离型层,如图10所示。
需要说明的是,本实施方式中每个第二填充部131内填充的第二磁性粒子的体积与第二填充部131的体积相等,即通过填充第二磁性粒子可以将第四离型层130填平,有利于后续操作。
此外,本发明的可分离的衬底结构的制备方法中,第一磁性粒子和第二磁性粒子的种类可以相同,亦可不同。
S160、在填充有第二磁性粒子的第四离型层上形成第三离型层140。
在一个较优的实施例中,第三离型层140的材质为聚酰亚胺。聚酰亚胺为较疏松的结构,有利于后续的分离。同时,聚酰亚胺符合生产需求,有利于应用。需要说明的是,本实施方式中第一离型层110、第二离型层120、第四离型层130和第三离型层140的材质均为聚酰亚胺,但其不限于此,亦可为其他合适的材质,且每层离型层可各自为不同的材质。
请参见图11,与形成第四离型层130相同,同样可以通过涂布的方法在第四离型层130上提供聚酰胺酸(PAA)作为聚酰亚胺的前驱体,之后固化聚酰胺酸来形成聚酰亚胺,得到第三离型层140。第三离型层140的厚度为1μm~2μm。
S170、在第三离型层140上形成柔性基底150,得到可分离的衬底结构600。
柔性基底150可以为塑料基底(例如具有优异的耐热性和强度的聚酰亚胺基底、聚醚砜基底等)。亦可以通过在第三离型层140上涂布的方法形成柔性基底150,如图12所示。
可以对填充有第一磁性粒子的第二离型层和填充有第二磁性粒子的第四离型层施加任一方向的磁场。
上述可分离的衬底结构的制备方法中,由于第二离型层的第一填充部和第四离型层的第二填充部内均填充有磁性粒子,当对第二离型层和第四离型层施加磁场时,磁性粒子之间相对移动,能够对第二离型层和第四离型层进行贯通,便于将柔性基底与支撑基底分开。
需要说明的是,本发明的可分离的衬底结构的制备方法不限于上述实施方式的四层离型层,即在两侧的离型层中间设置两个填充有磁性粒子的离型层,亦可在两侧的离型层中间设置一个、三个或者三个以上填充有磁性粒子的离型层,有利于后续可柔性基底的剥离。
请参见图12,一实施方式的可分离的衬底结构600包括支撑基底100、第一离型层110、第二离型层120、第四离型层130、第三离型层140和柔性基底150。
其中,第一离型层110设置在支撑基底100上,用以保护支撑基底100。
第二离型层120设置在第一离型层110上,具有若干个第一填充部121。第一填充部121内填充有第一磁性粒子。
第四离型层130具有若干个第二填充部131。第二填充部131内填充有第二磁性粒子。第一磁性粒子和第二磁性粒子的种类可以相同,亦可不同。
第三离型层140设置在填充有第二磁性粒子的第四离型层130上。柔性基底150设置在第三离型层140上。
本实施方式的第一填充部121在支撑基底100上的投影与第二填充部131在支撑基底100上的投影不重合。具体的,第二填充部131在支撑基底100上的投影位于相邻第一填充部121在支撑基底100上的投影所围成的区域之中。
本实施方式的第一填充部121为第一通孔。第二填充部131为第二通孔。当然,第一填充部121和第二填充部131亦可为其他能够填充磁性粒子的结构,例如,凹槽等。
上述可分离的衬底结构600中,由于第二离型层120的第一填充部121和第四离型层130的第二填充部131内均填充有磁性粒子,当对第二离型层120和第四离型层130施加磁场时,磁性粒子之间相对移动,能够对第二离型层120和第四离型层130进行贯通,便于将柔性基底150与支撑基底100分开。
需要说明的是,本发明的可分离的衬底结构不限于上述实施方式,亦可在第一离型层和第三离型层之间设置一个、三个或者三个以上的离型层,每个离型层上均可设置有若干个填充有磁性粒子的填充部。
请参见图13,一实施方式的显示装置的制造方法,包括以下步骤:
S200、提供支撑基底。
S210、在支撑基底上形成第一离型层,用以保护支撑基底。
S220、在第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层。
S230、向第一填充部内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层。
S240、在填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部的第四离型层。
S250、向第二填充部内填充第二磁性粒子,得到填充有第二磁性粒子的第四离型层。
S260、在填充有第二磁性粒子的第四离型层上形成第三离型层。
S270、在第三离型层上形成柔性基底。
S280、在柔性基底上形成像素结构。
S290、对填充有第一磁性粒子的第二离型层和填充有第二磁性粒子的第四离型层施加磁场,以疏松第二离型层和第四离型层,之后将支撑基底和柔性基底分开。
上述显示装置的制造方法中,由于第二离型层的第一填充部和第四离型层的第二填充部内均填充有磁性粒子,当对第二离型层和第四离型层施加磁场时,磁性粒子之间相对移动,能够疏松第二离型层和第四离型层,便于将柔性基底与支撑基底分开。
需要说明的是,上述显示装置的制造方法亦可减少形成填充有第一磁性粒子的第二离型层或者填充有第二磁性粒子的第四离型层的步骤,亦可多增加填充有磁性粒子的离型层的步骤。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种可分离的衬底结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供支撑基底;
在所述支撑基底上形成第一离型层,用以保护所述支撑基底;
在所述第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层;
向所述第一填充部内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层;
在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成第三离型层;
以及,在所述第三离型层上形成柔性基底,得到可分离的衬底结构。
2.根据权利要求1所述的可分离的衬底结构的制备方法,其特征在于,在所述第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层的步骤为:通过第一掩膜工艺图案化第二离型层,以形成若干个第一填充部。
3.根据权利要求1所述的可分离的衬底结构的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部的第四离型层;
以及,向所述第二填充部内填充第二磁性粒子,得到填充有第二磁性粒子的第四离型层。
4.根据权利要求3所述的可分离的衬底结构的制备方法,其特征在于,在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部的第四离型层的步骤为:通过第二掩膜工艺图案化第四离型层,以形成若干个第二填充部。
5.一种可分离的衬底结构,其特征在于,包括:
支撑基底;
第一离型层,设置在所述支撑基底上,用以保护所述支撑基底;
第二离型层,设置在所述第一离型层上,具有若干个第一填充部,所述第一填充部内填充有第一磁性粒子;
第三离型层,设置在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上;
以及柔性基底,设置在所述第三离型层上。
6.根据权利要求5所述的可分离的衬底结构,其特征在于,还包括设置在所述第二离型层与所述第三离型层之间的第四离型层,所述第四离型层具有若干个第二填充部,所述第二填充部内填充有第二磁性粒子。
7.根据权利要求6所述的可分离的衬底结构,其特征在于,所述第一填充部在所述支撑基底上的投影与所述第二填充部在所述支撑基底上的投影不重合。
8.根据权利要求6所述的可分离的衬底结构,其特征在于,所述第一填充部为第一通孔,所述第二填充部为第二通孔。
9.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供支撑基底;
在所述支撑基底上形成第一离型层,用以保护所述支撑基底;
在所述第一离型层上形成具有若干个第一填充部的第二离型层;
向所述第一填充部内填充第一磁性粒子,得到填充有第一磁性粒子的第二离型层;
在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成第三离型层;
以及,在所述第三离型层上形成柔性基底;
在所述柔性基底上形成像素结构;
以及,对所述填充有第一磁性粒子的第二离型层施加磁场,以疏松所述第二离型层,之后将所述支撑基底和所述柔性基底分开。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述填充有第一磁性粒子的第二离型层上形成具有若干个第二填充部的第四离型层;
以及,向所述第二填充部内填充第二磁性粒子,得到填充有第二磁性粒子的第四离型层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108878342A (zh) * 2018-06-27 2018-11-23 歌尔股份有限公司 晶圆加工方法
WO2019228128A1 (zh) * 2018-05-29 2019-12-05 京东方科技集团股份有限公司 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
CN113224238A (zh) * 2021-04-30 2021-08-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050168141A1 (en) * 2003-12-31 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an electronic component and a display
CN105552089A (zh) * 2016-01-15 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 基板结构及其柔性基板的贴附方法、剥离方法
CN105679806A (zh) * 2016-04-13 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其母板、制备方法、柔性显示面板及其母板
CN105870327A (zh) * 2016-06-17 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled的制作方法及柔性oled

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050168141A1 (en) * 2003-12-31 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an electronic component and a display
CN105552089A (zh) * 2016-01-15 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 基板结构及其柔性基板的贴附方法、剥离方法
CN105679806A (zh) * 2016-04-13 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其母板、制备方法、柔性显示面板及其母板
CN105870327A (zh) * 2016-06-17 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled的制作方法及柔性oled

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019228128A1 (zh) * 2018-05-29 2019-12-05 京东方科技集团股份有限公司 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
US11177326B2 (en) 2018-05-29 2021-11-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of patterning film, display device with patterned film and method for preparing the same
CN108878342A (zh) * 2018-06-27 2018-11-23 歌尔股份有限公司 晶圆加工方法
CN108878342B (zh) * 2018-06-27 2022-04-19 歌尔股份有限公司 晶圆加工方法
CN113224238A (zh) * 2021-04-30 2021-08-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法

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