CN106169275B - 一种oled显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED显示面板及制造方法。该显示面板包括基板以及叠层设置于基板上的第一主动阵列层和第二主动阵列层，其中第一主动阵列层包括至少一第一开关元件，第二主动阵列层包括至少一第二开关元件，且第一开关元件与第二开关元件彼此电连接。通过上述方式，本发明能够有效地降低第一开关元件和第二开关元件组成的电流补偿电路的面积，从而能够以相对简单的方式实现高PPI的显示面板。

Description

一种OLED显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种OLED显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光(Organic Light Emitting Display，OLED)显示器，特别是有源矩阵有机发光(Active Matrix Organic Light Emitting Display，AMOLED)显示器，具有更薄更轻、主动发光而不需要背光源、无视角问题、高清晰、高亮度、响应快速、能耗低、使用温度范围广、抗震能力强、可实现柔软显示等特点，从而使得OLED显示器而成为显示行业的发展重点。相对于液晶显示器(Thin Film Transistor liquid crystal display，TFT-LCD)而言，二者的差别在于：TFT-LCD是利用电压控制实现液晶显示，而AMOLED是电流控制的OLED元件发光。因此，维持稳定的驱动电流是AMOLED显示器正常工作的重要保障。
为了维持稳定的驱动电流，AMOLED显示器会在像素区内设计电流补偿电路，例如7T1C，6T1C，6T2C等多种补偿电路。但是，这种结构不利于制作高像素密度(Pixels PerInch，PPI)显示器，这是因为每一个像素都是由单独的电流补偿电路例如7T1C，6T1C，6T2C补偿电路控制，多个开关元件和电容的并行排列将大幅增大每个像素的面积。为了获得高PPI的目的，需要降低电流补偿电路的面积，也即尽量减小TFT元件尺寸和金属走线的线宽线距，这无疑是对阵列(ARRAY)工艺的挑战。另外，受器件的电性可靠性要求和设备制程能力限制，也不可能无限缩小电流补偿电路的尺寸。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED显示面板及其制造方法，能够以相对简单的结构和制程来实现高PPI的显示面板。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，该显示面板包括基板以及叠层设置于基板上的第一主动阵列层和第二主动阵列层，其中第一主动阵列层包括至少一第一开关元件，第二主动阵列层包括至少一第二开关元件，且第一开关元件与第二开关元件彼此电连接。
其中，第一主动阵列层进一步包括覆盖第一开关元件的第一层间绝缘层，第二主动阵列层进一步包括覆盖第二开关元件的第二层间绝缘层，其中第一层间绝缘层设置有第一接触孔，第一开关元件通过第一接触孔与第二开关元件电连接。
其中，第一开关元件包括第一半导体图案、与第一半导体图案两侧接触的第一源极/漏极图案以及与第一半导体图案的中间区域对应设置的第一栅极图案，第二开关元件包括第二半导体图案、与第二半导体图案两侧接触的第二源极/漏极图案以及与第二半导体图案的中间区域对应设置的第二栅极图案，其中第一源极/漏极图案通过第一接触孔与第二源极/漏极图案电连接。
其中，第一开关元件进一步包括第一栅极绝缘层，第一栅极绝缘层覆盖于第一半导体图案上且设置有第二接触孔，第一源极/漏极图案通过第二接触孔与第一半导体图案两侧接触，第一栅极图案设置于第一栅极绝缘层远离第一半导体图案的一侧，第二开关元件进一步包括第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层覆盖于第二半导体图案上且设置有第三接触孔，第二源极/漏极图案通过第三接触孔与第二半导体图案两侧接触，第二栅极图案设置于第二栅极绝缘层远离第二半导体图案的一侧。
其中，第一主动阵列层包括第一电容图案，第二主动阵列层进一步包括与第一电容图案相对设置的第二电容图案，进而构成一电容元件。
其中，第一电容图案与第一栅极图案或第一源极/漏极图案由同一导电层形成，第二电容图案与第二栅极图案或第二源极/漏极图案由同一导电层形成。
其中，显示面板进一步包括一发光层，第一开关元件、第二开关元件和电容元件用于作为发光层的电流补偿电路的至少一部分。
其中，第一开关元件和第二开关元件为a-Si TFT、氧化物TFT以及LTPS TFT中的至少一种。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示面板的制造方法，该制造方法包括：提供一基板；在基板上形成第一主动阵列层，其中第一主动阵列层包括至少一第一开关元件；在第一主动阵列上形成第二主动阵列层，其中第二主动阵列层包括与第一开关元件彼此电连接的至少一第二开关元件。
其中，在基板上形成第一主动阵列层的步骤进一步包括：在第一主动阵列层中形成一第一电容图案；在第一主动阵列层上形成第二主动阵列层的步骤进一步包括：在第一主动阵列层中形成与第一电容图案相对设置的第二电容图案，以构成一电容元件。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的OLED显示面板及制造方法通过采用叠层设置的第一主动阵列层和第二主动阵列层，其中，第一主动阵列层包括至少一第一开关元件，第二主动阵列层包括至少一第二开关元件，且第一开关元件与第二开关元件彼此电连接。通过上述方式，本发明能够有效地降低第一开关元件和第二开关元件组成的电流补偿电路的面积，从而能够以相对简单的结构及制程来实现高PPI的显示面板。
附图说明
图1是本发明实施例的OLED显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例的OLED显示面板的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1是本发明实施例的AMOLED显示面板的结构示意图。如图1所示，该显示面板包括基板10、第一主动阵列层20、第二主动阵列层30和发光层40。
其中，第一主动阵列层20和第二主动阵列层30叠层设置在基板10上，也即第一主动阵列层20设置在基板10上，第二主动阵列层30设置在第一主动阵列层20上。进一步，发光层40设置在第二主动阵列层30上。
第一主动阵列层20包括至少一第一开关元件21、与第一开关元件21间隔设置的第一电容图案22以及覆盖第一开关元件21和第一电容图案22的第一层间绝缘层23。其中，第一开关元件21包括第一半导体图案211、与第一半导体图案211两侧接触的第一源极/漏极图案212以及与第一半导体图案211的中间区域对应设置的第一栅极图案213。
第二主动阵列层30包括至少一第二开关元件31、与第二开关元件31间隔设置的第二电容图案32以及覆盖第二开关元件31和第二电容图案32的第二层间绝缘层33。其中，第二开关元件31包括第二半导体图案311、与第二半导体图案311两侧接触的第二源极/漏极图案312以及与第二半导体图案311的中间区域对应设置的第二栅极图案313。
在本实施例中，第一层间绝缘层23设置有第一接触孔231，第一开关元件21通过第一接触孔231与第二开关元件31电连接。具体来说，第一开关元件21的第一源极/漏极图案212通过第一接触孔231与第二源极/漏极图案312电连接。其中，第一接触孔231的材料为与第一源极/漏极图案212以及第二源极/漏极图案312相同的金属。
在本实施例中，第一电容图案22和第二电容图案32相对设置，进而构成一电容元件41。其中，第一开关元件21、第二开关元件31和电容元件41用于作为发光层40的电流补偿电路的至少一部分。优选地，第一电容图案22与第一栅极图案213或第一源极/漏极图案212由同一导电层形成，第二电容图案32与第二栅极图案313或第二源极/漏极图案312由同一导电层形成。
在本实施例中，第一开关元件21和第二开关元件31为a-Si TFT、氧化物TFT以及LTPS TFT中的至少一种。优选地，为了简化主动阵列层的制作工艺或提高主动阵列层的综合电学性能，可以采用工艺简单的a-Si TFT，漏电流小的氧化物TFT和迁移率高的LTPS TFT等其中的二种或多种混合的工艺来制作第一主动阵列层和第二主动阵列层中的开关元件。也就是说，第一开关元件21和第二开关元件31可以采用不同的材料和不同的工艺制得，以提高主动阵列层的综合电学性能。
优选地，在本实施例中，第一开关元件21进一步包括第一栅极绝缘层214，第一栅极绝缘层214覆盖于第一半导体图案211上且设置有第二接触孔(未图示)，第一源极/漏极图案212通过第二接触孔与第一半导体图案211两侧接触，第一栅极图案213设置于第一栅极绝缘层214远离第一半导体图案211的一侧。第二开关元件31进一步包括第二栅极绝缘层314，第二栅极绝缘层314覆盖于第二半导体图案311上且设置有第三接触孔(未图示)，第二源极/漏极图案312通过第三接触孔与第二半导体图案311两侧接触，第二栅极图案313设置于第二栅极绝缘层314远离第二半导体图案311的一侧。
在本实施例中，OLED显示面板由叠层设置的第一主动阵列层20和第二主动阵列层30控制发光层40发光。其中，OLED显示面板中的每个像素由多个第一开关元件21、多个第二开关元件31和电容元件41共同控制。具体来说，第一开关元件21和第二开关元件31分布在不同的主动阵列层也即第一开关元件21分布在第一主动阵列层20，第二开关元件31分布在第二主动阵列层30，同时，第一开关元件21和第二开关元件31通过第一接触孔231相互电连接。另外，第一电容图案22分布在第一主动阵列层20，第二电容图案32分布在第二主动阵列层30，相对设置的第一电容图案22和第二电容图案32构成电容元件41。由于OLED显示面板采用叠层设置的第一主动阵列层20和第二主动阵列层30也即构成电流补偿电路的开关元件和电容的上下极板叠层设置，因此可以大比例缩小每个像素的电流补偿电路的面积，从而能够制作具有高PPI的OLED显示器(500PPI～1000PPI)。换个角度来说，为实现与现有技术相同PPI的OLED显示器，第一开关元件和第二开关元件的尺寸可以适当增大，进而可以提高器件的可靠性，降低OLED显示面板的制程的难度。
图2是本发明实施例的OLED显示面板的制造方法的流程图。如图2所示，该方法包括如下步骤：
步骤S101：提供一基板。
步骤S102：在基板上形成第一主动阵列层，其中第一主动阵列层包括至少一第一开关元件。
在步骤S102中，在基板上形成第一主动阵列层的步骤进一步包括：在第一主动阵列层中形成一第一电容图案。
具体来说，第一主动阵列层包括至少一第一开关元件、与第一开关元件间隔设置的第一电容图案以及覆盖第一开关元件和第一电容图案的第一层间绝缘层。其中，第一开关元件包括第一半导体图案、与第一半导体图案两侧接触的第一源极/漏极图案、覆盖第一半导体图案的第一栅极绝缘层、以及与第一半导体图案的中间区域对应设置的第一栅极图案。
在本实施例中，形成第一主动阵列层的工艺流程是：首先在基板上形成第一半导体图案以及位于第一半导体图案两侧的第一源极/漏极图案；接着形成覆盖第一半导体图案的第一栅极绝缘层，其中，第一栅极绝缘层设置有第二接触孔，第一源极/漏极图案通过第二接触孔与第一半导体图案两侧接触；接着，在第一栅极绝缘层上形成第一栅极金属层，其中，第一栅极金属层与第一半导体图案的中间区域对应设置；接着，在第一栅极金属层上形成覆盖整个基板的第一层间绝缘层，其中，第一层间绝缘层设置有第一接触孔，第一接触孔的一端与第一源极/漏极图案接触。
其中，第一电容图案与第一栅极图案或第一电容图案与第一源极/漏极图案由同一道工艺形成。
步骤S103：在第一主动阵列上形成第二主动阵列层，其中第二主动阵列层包括与第一开关元件彼此电连接的至少一第二开关元件。
在步骤S103中，在第一主动阵列层上形成第二主动阵列层的步骤进一步包括：在第二主动阵列层中形成与第一电容图案相对设置的第二电容图案，以构成一电容元件。
具体来说，第二主动阵列层包括至少一第二开关元件、与第二开关元件间隔设置的第二电容图案以及覆盖第二开关元件和第二电容图案的第二层间绝缘层。其中，第二开关元件包括第二半导体图案、与第二半导体图案两侧接触的第二源极/漏极图案、覆盖第二半导体图案的第二栅极绝缘层、以及与第二半导体图案的中间区域对应设置的第二栅极图案。
在本实施例中，形成第二主动阵列层的工艺流程是：首先在第一层间绝缘层上形成第二半导体图案以及位于第二半导体图案两侧的第一源极/漏极图案，其中，步骤S102中第一主动阵列层的第一接触孔的另一端与第二源极/漏极图案接触以实现第一开关元件和第二开关元件的电连接；接着形成覆盖第二半导体图案的第二栅极绝缘层，其中，第二栅极绝缘层设置有第三接触孔，第二源极/漏极图案通过第三接触孔与第二半导体图案两侧接触；接着，在第二栅极绝缘层上形成第二栅极金属层，其中，第二栅极金属层与第二半导体图案的中间区域对应设置。
其中，第二电容图案与第二栅极图案或第而电容图案与第二源极/漏极图案由同一道工艺形成。
在本实施例中，第二电容图案与第一电容图案相对设置以构成一电容元件。
步骤S104：在第二主动阵列层上形成发光层。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的OLED显示面板及制造方法通过采用叠层设置的第一主动阵列层和第二主动阵列层，其中，第一主动阵列层包括至少一第一开关元件，第二主动阵列层包括至少一第二开关元件，且第一开关元件与第二开关元件彼此电连接。通过上述方式，本发明能够有效地降低第一开关元件和第二开关元件组成的电流补偿电路的面积，从而能够以相对简单的方式实现高PPI的显示面板。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基板以及叠层设置于所述基板上的第一主动阵列层和第二主动阵列层，其中所述第一主动阵列层包括至少一第一开关元件，所述第二主动阵列层包括至少一第二开关元件，且所述第一开关元件与所述第二开关元件彼此电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一主动阵列层进一步包括覆盖所述第一开关元件的第一层间绝缘层，所述第二主动阵列层进一步包括覆盖所述第二开关元件的第二层间绝缘层，其中所述第一层间绝缘层设置有第一接触孔，所述第一开关元件通过所述第一接触孔与所述第二开关元件电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一开关元件包括第一半导体图案、与所述第一半导体图案两侧接触的第一源极/漏极图案以及与所述第一半导体图案的中间区域对应设置的第一栅极图案，所述第二开关元件包括第二半导体图案、与所述第二半导体图案两侧接触的第二源极/漏极图案以及与所述第二半导体图案的中间区域对应设置的第二栅极图案，其中所述第一源极/漏极图案通过所述第一接触孔与所述第二源极/漏极图案电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一开关元件进一步包括第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖于所述第一半导体图案上且设置有第二接触孔，所述第一源极/漏极图案通过所述第二接触孔与所述第一半导体图案两侧接触，所述第一栅极图案设置于所述第一栅极绝缘层远离所述第一半导体图案的一侧，所述第二开关元件进一步包括第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖于所述第二半导体图案上且设置有第三接触孔，所述第二源极/漏极图案通过所述第三接触孔与所述第二半导体图案两侧接触，所述第二栅极图案设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第二半导体图案的一侧。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一主动阵列层包括第一电容图案，所述第二主动阵列层进一步包括与所述第一电容图案相对设置的第二电容图案，进而构成一电容元件。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容图案与所述第一栅极图案或所述第一源极/漏极图案由同一导电层形成，所述第二电容图案与所述第二栅极图案或所述第二源极/漏极图案由同一导电层形成。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板进一步包括一发光层，所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述电容元件用于作为所述发光层的电流补偿电路的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开关元件和所述第二开关元件为a-Si TFT、氧化物TFT以及LTPS TFT中的至少一种。
9.一种OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成第一主动阵列层，其中所述第一主动阵列层包括至少一第一开关元件；
在所述第一主动阵列上形成第二主动阵列层，其中所述第二主动阵列层包括与所述第一开关元件彼此电连接的至少一第二开关元件。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成第一主动阵列层的步骤进一步包括：
在所述第一主动阵列层中形成一第一电容图案；
所述在所述第一主动阵列层上形成第二主动阵列层的步骤进一步包括：
在所述第二主动阵列层中形成与所述第一电容图案相对设置的第二电容图案，以构成一电容元件。
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