CN106165052A - 用于短弧高压灯的电极 - Google Patents

用于短弧高压灯的电极 Download PDF

Info

Publication number
CN106165052A
CN106165052A CN201580011078.6A CN201580011078A CN106165052A CN 106165052 A CN106165052 A CN 106165052A CN 201580011078 A CN201580011078 A CN 201580011078A CN 106165052 A CN106165052 A CN 106165052A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
tungsten
negative electrode
emissivity
ceo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201580011078.6A
Other languages
English (en)
Inventor
O.B.米纳耶瓦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of CN106165052A publication Critical patent/CN106165052A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/13—Solid thermionic cathodes
    • H01J1/15—Cathodes heated directly by an electric current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06—Main electrodes
    • H01J61/073—Main electrodes for high-pressure discharge lamps
    • H01J61/0732—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the construction of the electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06—Main electrodes
    • H01J61/073—Main electrodes for high-pressure discharge lamps
    • H01J61/0735—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode
    • H01J61/0737—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode characterised by the electron emissive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/84—Lamps with discharge constricted by high pressure
    • H01J61/86—Lamps with discharge constricted by high pressure with discharge additionally constricted by close spacing of electrodes, e.g. for optical projection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
    • H01J9/042—Manufacture, activation of the emissive part
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2026—Gas discharge type light sources, e.g. arcs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/02—Manufacture of cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Discharge Lamp (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)

Abstract

公开了一种放电设备的电极（1）（例如放电灯的阴极），其具有侧面区域（4）和注入通过离子注入诱变的发射性材料掺杂物的尖端区域（5）。该电极（1）的侧面区域（4）在离子注入期间可以被掩蔽（3），或者扩散势垒层（7）在离子注入之后可以被添加到该侧面区域（4）之上。

Description

用于短弧高压灯的电极
本发明涉及用于短弧灯的电极，特别涉及由不含氧化钍的钨材料制造的阴极，该阴极在阴极尖端表面附近具有一层注入的发射性掺杂物。
常规短弧灯是通过经由高压的电离气体（例如，氙（Xe）或汞蒸气）传导电力而制造电光的一类气体放电灯。被制造的明亮白光高度模仿自然日光。氙弧灯例如在电影院内的电影放映机中、在探照灯中使用，并且在工业和研究中用于特殊用途以模拟日光。
短弧灯的阳极和阴极之间的弧区如此小，使得为了许多目的，短弧灯实际上是点光源。阳极和阴极一般由钨制造。阴极是小的和尖的，以确保它的尖端达到用于高效电子发射的高温。阳极更厚重以经受电子轰击并且高效地发散产生的热量。
在短弧高压Xe灯中，阴极一般由含钍钨材料制造。该含钍钨材料具有卓越的特性（所有氧化物的最高熔化温度，Tmelt=3390℃，以及低功函数φ=2.5eV），这使它理想地作为这样的短弧高压Xe灯中的发射性掺杂物。然而，使用含钍钨（即ThO2掺杂的材料）的一个缺点为它是发射α粒子的放射性材料。
已经做出一些尝试以寻找在短弧高压灯中使用的ThO2掺杂的阴极材料的非放射性取代物。例如已进行这样的工作，使用了2% NbO和SmO掺杂的钨材料用于UV灯。也已尝试减少Th浓度（而不是从灯完全移除Th）的替代方法。对于焊弧，也已使用了利用La2O3掺杂、CeO2掺杂、Y2O3掺杂的钨以及W中这三种掺杂物的各种组合的无Th阴极。
现有技术图1所示示意图中概述了焊弧情况下这些各种掺杂物的阴极发射的机制。如图1所示，La2O3和CeO2材料两者的熔化带发生在阴极的圆柱形部分（距离尖端5mm或更远）。在CeO2材料的情况下，大量的该掺杂物在达到阴极尖端之前从阴极的侧面耗尽。在La2O3材料的情况下，发射性材料的熔“池”在阴极尖端附近形成。以La2O3覆盖的表面区域对于焊弧可以是有益的，其中与阴极的扩散等离子体连接是期望的。然而在短弧高压灯的情况下，被限制的阴极炽点弧连接是必要的以便创建之后可以被反射器高效地聚焦的点光源。
在弧连接的此机制中，含钍钨电极在尖端附近具有19000K的最大等离子体温度，其比La2O3和CeO2掺杂的电极所获得的17000K更高。这是因为，ThO2掺杂的阴极的尖端上的电流连接由于它更高的熔点被ThO2的液体区域的中央位置限制（如现有技术图2所示）。然而对于La2O3和CeO2掺杂的电极来说，扩散弧连接是不可避免的，这减少了它们对于短弧灯应用的可用性。注意，此陈述只在钨基体中均匀分布掺杂物的情况下是对的，如同样在图2中所示。
作为在短弧灯中使用的阴极的掺杂物材料，Y2O3掺杂的钨在阴极尖端附近具有与ThO2掺杂的钨的熔化带相似的熔化带。然而，伴随着Y2O3掺杂的材料的问题是其具有“非常低的迁移率”。这意味着，位于阴极尖端的掺杂物的补充不能足够快速地发生，这导致尖端相比于ThO2掺杂的钨在更高温度下操作（即，Y2O3掺杂的钨阴极的尖端温度是4000K，相比之下ThO2掺杂的阴极是3600K）。本领域技术人员应理解，4000K高于钨熔点3695K，这意味着对于常规的Y2O3掺杂的阴极，尖端将熔化，并且发射性材料的扩散将被进一步抑制（扩散主要沿着晶界发生，熔化导致晶粒的快速生长/融合）。
因此，本领域中存在对于解决上述常规电极的缺陷的设备的需要。
本发明的一方面利用靠近阴极尖端放置Y2O3材料以帮助克服上面提到的此低迁移率限制。
本发明的另一方面利用Y2O3材料的“低汽化率”，其使得此掺杂物和掺杂方法对于短弧Xe灯的阴极可行。
本发明的另一方面是，为了在阴极尖端附近引入发射性材料掺杂物而使用离子注入。任何下述材料可以单独地或与其它下述材料组合地用作掺杂物材料：Y（或Y2O3）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）、Ce（或CeO2）。衬底阴极材料可以或者是纯钨或者是以低功函数材料掺杂的钨，该低功函数材料例如为La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO（或它们的组合）。就这点而言，可以采用或者传统射束离子注入或者等离子体诱变离子注入（PIII或PLAD），用于在尖端表面下（和附近）制作掺杂物层。
本发明的一个实施例指向一种包括阳极和阴极的放电灯。该阴极具有侧面区域和具有通过离子注入诱变的发射性材料掺杂物的尖端区域。该阴极由不包括含钍钨的材料制造。
本发明的另一实施例指向用于放电设备的电极，其通过包括下述步骤的过程制备：掩蔽该电极的侧壁部分但留下该电极的尖端区域不被掩蔽，以及将发射性材料掺杂物注入该电极的尖端区域。该电极由不包括含钍钨的材料形成。
本发明的另一实施例指向用于放电设备的电极，其通过包括下述步骤的过程制备：使用离子注入将发射性材料掺杂物注入电极，以及在侧壁上沉积扩散势垒以覆盖经注入电极的部分。该电极由不包括含钍钨的材料形成。
一般地，本发明的各种方面和实施例可以以在本发明范围内的任何可能方式组合和耦合。视为本发明的主题在位于本说明书的结论部分的权利要求中特别地指出并且明确地要求保护。
根据结合所附附图的下述具体实施方式，本发明前述和其它的特征和优点将是显而易见的。
图1（现有技术）示出各种掺杂物的阴极示意图。
图2（现有技术）示出由于它的更高熔点而被ThO2的液体区域的中央位置限制的ThO2掺杂的阴极的尖端。
图3示出根据本发明的一个实施例的阴极。
图4示出根据本发明的另一实施例的阴极。
图5示出根据本发明实施例的短弧高压灯的示意图。
图6示出根据本发明实施例的阴极与常规阴极的光谱输出的比较。
图7示出根据本发明实施例的两个阴极的弧连接。
对于射束离子注入，注入物的穿透深度（d）由离子和目标（W）材料的质量以及由射束的能量确定，而被注入的掺杂物的浓度由注入的剂量（电流和时间）确定。如图3所示，因为离子注入2是视线表面处理，主要关注区域是掺杂阴极1的尖端区域5。阴极1的侧面区域4应该在过量掺杂物中保持纯净以阻止侧面区域4上的弧连接。如图3所示，阴极1的侧面区域4在离子注入过程期间可以被掩蔽3。
替代地，图4示出在阴极1上注入一经注入轮廓6的离子注入步骤1。步骤1之后是在该侧面区域4上沉积扩散势垒7以覆盖经注入轮廓6的部分。扩散势垒7可以由例如碳化钨、硝酸钨、硝酸钛、钽、碳化钽或可比较的高熔化温度材料制造。这样的高熔化温度材料具有高于4000˚F（2200℃）的熔点。替代地，沉积在经注入阴极1之上的一层纯W也可以充当扩散势垒7。
注意，图3和4所示的阴极1可以例如是用于数字电影应用的短弧高压Xe灯。图5示出用于数字电影应用的短弧高压灯9的示意图。灯9包括相对于彼此布置、并且封闭于由石英制造的壳体中的阴极1和阳极8。其中的气体可以或者是Xe或者是Hg/Xe。这样的灯9在1kW到10kW之间的DC功率操作。
在一个实施例中，如上面提到的，尖端区域5借助离子注入用发射性材料掺杂。优选的发射性掺杂物是钇（Y或Y2O3）。阴极1（衬底）材料是2% Y2O3掺杂的W。离子注入例如借助具有200keV量级的离子能量、达到1x1015 at/cm2的总剂量的等离子体诱变离子注入实现。这相当于在阴极表面处的3.6x1022 Y原子/cm3的附加原子密度。为了将通过离子注入引入的过量掺杂物只保持在尖端区域5，样本在离子注入后被渗碳。尖端区域5一般定义为阴极1的点或尖端下1-2mm。如图4所示，尖端区域5被保留为不含扩散势垒7（例如碳化钨）。扩散势垒7阻止Y从阴极1的侧面区域4流失。另外，由于渗碳在升高温度下进行，此过程通过将Y扩散到阴极1中帮助扩大钇注入层的深度。
在另一实施例中，可以使用在1750℃下真空渗碳30分钟。真空渗碳的此过程在阴极1上形成具有在～20-50um范围内的厚度的W2C层。使用根据此实施例的阴极1的灯（例如在图5中示出）的寿命测试在额定（100%）功率下执行。在最大光强度点（即，弧炽点）处，在寿命测试的每20小时测量这样的灯的光谱特性。在操作的每二十小时同样记录弧连接的图像。
下面的表1示出这样的灯的输出特性，屏幕流明、点火特性和电压变化水平（用于测量这样的灯内的闪烁）都与含钍阴极灯相似。
阴极类型 屏幕流明 点火电压 闪烁（V峰-峰，V） 功率，W
2%-ThO2掺杂的W 18900-22000 25-35kV <1.2V 4000
渗碳的，注入Y离子的2%-Y2O3掺杂的W 19714 26.6kV 0.3V 4000
非渗碳的，注入Y离子的2%-Y2O3掺杂的W 19049 29.8kV 0.3V 4000
表1。
表1示出包括常规含钍阴极灯（ThO2掺杂的W）和根据本发明实施例的两个阴极类型灯的不同阴极类型灯的初始光/电气输出。
图6示出了相比于标准（常规）（2%含钍渗碳的阴极）灯，Y离子注入的2%-含钇（渗碳的）阴极灯的光谱输出。如图6所示，根据本发明实施例的灯的光谱特性类似于常规的含钍钨阴极灯。注意，在光谱上没有观察到Y峰，并且色温（CCT）和色坐标（x，y）接近于标准（常规）灯值。
高压短弧灯的一个特性是在贯穿操作中保持弧连接尽可能接近于点源。图7示出根据本发明实施例的注入Y的渗碳和非渗碳的2% Y2O3掺杂的阴极的弧连接。图7示出这样的阴极1的寿命测试的起始和终止。在此示例中，注意，阴极弧连接在贯穿寿命测试中是点源。
表2示出关于渗碳和非渗碳的注入Y的Y2O3阴极的本发明两个实施例，与其它常规的不含Th阴极材料和常规的2%含钍的W阴极之间的比较。如可以从表2看到的，与仅仅Y2O3掺杂的阴极相比，具有渗碳层的注入Y的阴极的灯的寿命表现出75%的增加（350小时对200小时）。相比于2%含钍灯，此具有渗碳层的注入Y阴极的灯也具有名义寿命的70%。通过改变离子注入参数（剂量和离子能量），可以分别调整表面附近的钇的表面浓度和含钇层的深度。这还可以改进阴极1的寿命表现。
在本发明其它的实施例中，发射性掺杂物材料可以包括但不限于单独使用的或与彼此组合使用的下述材料任何一种：Y（或Y2O3）、Hf（或HfO）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）、Ce（或CeO2）。
在本发明的又一其它的实施例中，阴极1的体/衬底材料可以或者由纯钨或者利用下述材料掺杂的钨制造：La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO。
在本发明另一实施例中，任何的下述技术可以用于将发射性掺杂物材料（上面已提到）注入到阴极衬底材料（上面已提到）中：离子束离子注入、等离子体诱变离子注入（PIII），等离子体掺杂（PLAD），团簇离子注入或离子束混合。而且注意，不同技术使用的离子束的最小能量是30keV，并且对于向阴极1的尖端区域5引入足够量的掺杂物材料来说，1x1012 at/cm2的最小剂量是必要的。
在本发明又一实施例中，阴极1可以具有在阴极1的侧面上形成的扩散势垒7（例如，WxC、WN、TiN、Ta、TaC），以在阴极1的侧面4上限制被注入的材料的释放，以及阻止弧连接扩大和/或移动。扩散势垒7可以借助CVD、PVD、PECVD、等离子喷涂或烧结被沉积在阴极1上。该扩散势垒的最小厚度是在10um的量级上。
在本发明的另一实施例中，阴极1可以具有借助CVD、PVD、PECVD、等离子喷涂或烧结而沉积在被注入的层之上的附加W层。此W层也可以充当扩散势垒7以阻止阴极1的侧面4上的弧连接。替代地，阴极1可以借助使用固体掩蔽的离子注入制作，以阻止或最小化在阴极1的侧面4上的掺杂物注入，并且因此阻止/最小化弧连接扩大和/或移动/闪烁。
上面描述的阴极1的各种实施例可以在不同短弧高压灯中使用，该短弧高压灯包括但不限于：用于数字电影应用的Xe和/或Xe/Hg灯，以及陶瓷Xe灯。
前述具体实施方式已经陈述了本发明可以采用的许多形式的一些。上述示例仅仅阐释了本发明各种方面的若干可能的实施例，其中本领域其它技术人员在阅读和理解本发明及所附加的附图时将想到等同变形和/或修改。特别地，关于上述部件执行的各种功能，用于描述这样的部件的术语（包括对“构件”的引用）旨在对应于执行所描述部件的指定功能（即，在功能上等同）的任何部件（除非以其它方式指出对应于任何部件），例如硬件或它们的组合，即使不是在结构上等同于执行本公开内容的所阐释实现方式中的功能的所公开结构。
尽管本发明的具体特征可能已经结合若干实现方式中的仅仅一个进行阐释和/或描述，这样的特征可以与其它实现方式的一个或多个其它特征组合，因为这对于任何给出的或具体的应用来说可能是期望的或有利的。而且，除非另作说明，单个部件或项目的引用旨在包含两个或更多个这样的部件或项目。同样的，在术语“包括（including）”、“包括（includes）”、“具有（having）”、“具有（has）”、“含有”或它们的变形在具体实施方式和/或权利要求中使用的范围而言，这样的术语旨在以类似于术语“包含”的方式是包容性的。
本发明已经参考优选的实施例而描述。然而，在阅读和理解前述具体实施方式时，其他人将想到修改和变形。本发明旨在被解释为包括所有这样的修改和变形。旨在只由包括所有等同物的权利要求定义本发明的范围。

Claims (16)

1.一种放电灯（9），包含：
阳极（8）；和
阴极（1），其包括侧面区域（4）和具有通过离子注入诱变的发射性材料掺杂物（2）的尖端区域（5），并且
其中所述阴极（1）由不包括含钍钨的材料制造。
2.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述发射性材料掺杂物（2）是从包括Y（或Y2O3）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）或Ce（或CeO2）的组选择的一个或多个材料。
3.根据权利要求2所述的放电灯（9），其中阴极衬底材料是钨或利用La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO的一个或多个掺杂的钨。
4.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述侧面区域（4）相比于所述尖端区域（5）具有更少的或不含有所述发射性材料掺杂物（2）。
5.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述阴极（1）还包括覆盖所述侧面区域（5）的扩散势垒（7）。
6.根据权利要求5所述的放电灯（9），其中所述扩散势垒（7）由碳化钨、硝酸钨、硝酸钛、钽或碳化钽形成。
7.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述尖端区域（5）覆盖在所述阴极（1）的尖端之下至少1mm的区域。
8.一种用于放电设备（9）的电极（1），其由包含下述步骤的过程制备：
掩蔽（3）所述电极的侧壁部分但留下所述电极的尖端区域不被掩蔽；以及
将发射性材料掺杂物注入（2）所述电极的尖端区域，
其中所述电极（1）由不包括含钍钨的材料形成。
9.根据权利要求8所述的电极（1），其中所述发射性材料掺杂物（2）是从包括Y（或Y2O3）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）或Ce（或CeO2）的组选择的一个或多个材料。
10.根据权利要求8所述的电极（1），其中所述电极（1）包括衬底材料，所述衬底材料是钨或利用La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO的一个或多个掺杂的钨。
11.一种用于放电设备（9）的电极（1），其由包含下述步骤的过程制备：
使用离子注入，将发射性材料掺杂物注入（2）所述电极；以及
在侧壁（4）上沉积扩散势垒（7），以覆盖经注入电极（1）的部分，
其中所述电极（1）由不包括含钍钨的材料形成。
12.根据权利要求11所述的电极（1），其中所述发射性材料掺杂物（2）是从包括Y（或Y2O3）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）或Ce（或CeO2）的组选择的一个或多个材料。
13.根据权利要求11所述的电极（1），其中所述电极（1）包括衬底材料，所述衬底材料是钨或利用La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO的一个或多个掺杂的钨。
14.根据权利要求11所述的电极（1），其中所述扩散势垒（7）是WxC、WN、TiN、Ta或TaC的层。
15.根据权利要求14所述的电极（1），其中所述扩散势垒（7）至少10um厚。
16.根据权利要求12所述的电极（1），其中所述放电设备（9）是短弧高压灯。
CN201580011078.6A 2014-02-27 2015-01-30 用于短弧高压灯的电极 Pending CN106165052A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461945285P 2014-02-27 2014-02-27
US61/945285 2014-02-27
PCT/IB2015/050697 WO2015128754A1 (en) 2014-02-27 2015-01-30 Electrode for a short-arc high pressure lamp

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106165052A true CN106165052A (zh) 2016-11-23

Family

ID=52727177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580011078.6A Pending CN106165052A (zh) 2014-02-27 2015-01-30 用于短弧高压灯的电极

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20170062200A1 (zh)
EP (1) EP3111465A1 (zh)
JP (1) JP2017512365A (zh)
CN (1) CN106165052A (zh)
WO (1) WO2015128754A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015218878A1 (de) 2015-09-30 2017-03-30 Osram Gmbh Gleichstrom-Gasentladungslampe mit einer thoriumfreien Kathode
JP7134398B2 (ja) * 2018-05-22 2022-09-12 ウシオ電機株式会社 高圧放電ランプ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02135644A (ja) * 1988-11-16 1990-05-24 Ushio Inc 放電灯用電極の製造方法
US6548959B1 (en) * 1998-03-20 2003-04-15 Hamamatsu Photonics K.K. Discharge tube with substantially exposed cathode tip portion for use as a light source
CN1453809A (zh) * 2002-04-25 2003-11-05 汤姆森许可贸易公司 电子枪的高密度薄发射区的氧化物阴极
JP4186044B2 (ja) * 2002-11-27 2008-11-26 ウシオ電機株式会社 高圧放電ランプおよびその製造方法
US7652430B1 (en) * 2005-07-11 2010-01-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Broadband plasma light sources with cone-shaped electrode for substrate processing

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4112449B2 (ja) * 2003-07-28 2008-07-02 株式会社東芝 放電電極及び放電灯
JP4815839B2 (ja) * 2005-03-31 2011-11-16 ウシオ電機株式会社 高負荷高輝度放電ランプ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02135644A (ja) * 1988-11-16 1990-05-24 Ushio Inc 放電灯用電極の製造方法
US6548959B1 (en) * 1998-03-20 2003-04-15 Hamamatsu Photonics K.K. Discharge tube with substantially exposed cathode tip portion for use as a light source
CN1453809A (zh) * 2002-04-25 2003-11-05 汤姆森许可贸易公司 电子枪的高密度薄发射区的氧化物阴极
JP4186044B2 (ja) * 2002-11-27 2008-11-26 ウシオ電機株式会社 高圧放電ランプおよびその製造方法
US7652430B1 (en) * 2005-07-11 2010-01-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Broadband plasma light sources with cone-shaped electrode for substrate processing

Also Published As

Publication number Publication date
US20170062200A1 (en) 2017-03-02
EP3111465A1 (en) 2017-01-04
WO2015128754A1 (en) 2015-09-03
JP2017512365A (ja) 2017-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2175345A (en) Electric gaseous discharge device
US6844678B2 (en) Short arc discharge lamp
TWI425552B (zh) 不含汞之金屬鹵化物放電燈
JP2007265883A (ja) 高圧放電ランプ
CN106165052A (zh) 用于短弧高压灯的电极
Luijks et al. Electrode diagnostics and modelling for ceramic metal halide lamps
KR20130142956A (ko) 탄소 주입 동안 이온 소스 수명의 연장 및 이온 소스 성능의 개선을 위한 방법
US8054000B2 (en) Flash lamp irradiation apparatus
US20070120456A1 (en) Barium-free electrode materials for electric lamps and methods of manufacture thereof
US3902090A (en) Short-arc gas discharge lamp
US10056245B2 (en) DC gas discharge lamp having a thorium-free cathode
JP3899898B2 (ja) ショートアーク型水銀ランプ
US20160211130A1 (en) Electrode for a short-arc high pressure lamp
EP0000274B1 (en) Gas discharge display memory panel
JP2021521608A (ja) 放電ランプ用の電極、放電ランプ、および電極を製造する方法
KR20130142955A (ko) 탄소 주입 동안 이온 소스 수명의 연장 및 이온 소스 성능의 개선을 위한 조성물
KR101442316B1 (ko) 쇼트 아크형 방전 램프
JP2754647B2 (ja) 電極材料の製造方法
CN104124132B (zh) 短弧型放电灯
JP5672584B1 (ja) 放電ランプ
US3476971A (en) Apparatus for plasma processing
JP5672585B1 (ja) 放電ランプ
JP2003045373A (ja) 高圧放電灯
RU2176118C1 (ru) Электрод электронного прибора
JP3715790B2 (ja) 放電管用含浸型陰極の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20161123

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication