CN106160547A - 无损驱动电路的驱动损耗调节装置、方法及电源模块 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置、方法及电源模块，无损驱动电路的干路上具有电阻R1，驱动损耗调节装置包括：检测模块，用于检测R1的电流或电压以得到第一驱动损耗，检测模块的输入端与R1相连；调节模块，用于增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，调节模块的输入端与检测模块的输出端相连，输出端与无损驱动电路上的MOS管相连；检测模块还用于继续检测R1的电流或电压以得到第二驱动损耗，调节模块根据第一驱动损耗及第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据驱动损耗的变化情况增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小无损驱动电路的驱动损耗。

Description

无损驱动电路的驱动损耗调节装置、方法及电源模块

技术领域

本发明涉及功率变换领域，尤其涉及一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置、方法及电源模块。

背景技术

高频功率变换器领域，如果采用现有驱动芯片对主功率开关管进行驱动，驱动损耗会很高，因此产生了无损驱动电路。无损驱动电路利用变压器励磁电感与所驱动的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor，MOS)管输入电容谐振实现驱动，但无损驱动电路对器件的容差很敏感，器件的容差影响驱动损耗。容差是指电感、电容等电子器件的实际值和标称值的差异，容差是一个固定值且是客观存在的。

无损驱动电路可如图1所示，其中，电源V1的正极与无损驱动电路的电容C2的一端、MOS管Q1的漏极及MOS管Q4的漏极相连，电源V1的负极与电容C2的另一端相连，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连，MOS管Q2的源极接地，MOS管Q4的源极与MOS管Q3的漏极相连，MOS管Q3的源极接地，MOS管Q1的源极与与接地端之间连接有电容C3，MOS管Q4的源极与接地端之间连接有电容C4，MOS管Q1的源极还通过电容C1与变压器TI的初级线圈的同名端相连，MOS管Q3的漏极还与变压器TI的初级线圈的另一端相连，变压器T1的次级线圈接主功率MOS管。

对于图1所示的无损驱动电路，当器件的容差导致驱动电路的谐振频率偏高时，会造成无损驱动电路上的MOS管内的体二极管导通，当器件的容差导致驱动电路的谐振频率偏低时，会造成硬开关，这两种情况都会增加驱动电路的驱动损耗，损耗过大时会导致MOS管烧毁，而MOS管的最佳工作状态是工作在零电压开关(Zero Voltage Switch，ZVS)的状态。

现有技术中，为了减小容差导致的驱动损耗，在无损驱动电路中增加了投切电容，通过更改投切电容，改变驱动电路的谐振频率，使驱动波形与主电路相匹配。驱动波形最佳时，驱动损耗最小。但是，增加投切电容会导致占板面积增大，成本增加，且投切电容电路上的MOS管导通时，驱动桥工作状态会被强行改变，这样会导致驱动电路的可靠性下降等一系列问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置、设备及方法，能够在不增加投切电容的情况下，减小容差导致的驱动损耗。

第一方面，本发明实施例提供了一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置，所述无损驱动电路的干路上具有电阻R1，所述R1一端与所述无损驱动电路的电源V1相连，所述R1另一端与所述无损驱动电路的电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述电源V1相连，所述无损驱动电路的金属氧化物半导体MOS管Q1及MOS管Q4的漏极与所述电源V1相连或与所述R1的另一端相连，所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连，所述MOS管Q2的源极接地，所述MOS管Q4的源极与MOS管Q3的漏极相连，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q1的源极与与接地端之间连接有电容C3，所述MOS管Q4的源极与所述接地端之间连接有电容C4，所述MOS管Q1的源极还通过电容C1与变压器TI的初级线圈的同名端相连，所述MOS管Q3的漏极还与所述变压器TI的初级线圈的另一端相连，所述驱动损耗调节装置包括：

检测模块，用于检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第一驱动损耗，将所述第一驱动损耗发送给调节模块，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连；

调节模块，用于接收所述第一驱动损耗，增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，所述调节模块的输入端与所述检测模块的输出端相连，所述调节模块的输出端与所述无损驱动电路上的MOS管相连；所述检测模块在所述调节模块增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区之后，还用于继续检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第二驱动损耗，将所述第二驱动损耗发送给所述调节模块；

所述调节模块接收所述第二驱动损耗，根据所述第一驱动损耗及所述第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗。

结合第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，所述调节模块在接收所述第一驱动损耗之后,在增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区之前，还用于判断所述第一驱动损耗是否大于预设阈值，若大于，则触发所述无损驱动电路进入保护状态，若不大于，则执行增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区的步骤。

结合第一方面，在第一方面的第二种实施方式中，所述调节模块根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗具体包括：

所述调节模块根据所述驱动损耗的变化情况，通过增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区来减小所述电阻R1的电流和电压，直至所述电阻R1的电流和电压减小至不再减小为止。

结合第一方面，或第一方面的第一种、或第二种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连包括：

所述检测模块的第一输入端和第二输入端分别通过电阻R2与R4与所述电阻R1的两端相连，所述检测模块的第一输入端和第二输入端与所述无损驱动电路的接地端之间分别连接有电阻R3及R5。

结合第一方面，或第一方面的第一种、或第二种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连包括：

所述检测模块的输入端与放大器的输出端相连，所述放大器的反向输入端通过电阻R3与所述电阻R1的一端相连，所述放大器的同相输入端通过电阻R5与所述电阻R1的另一端相连，所述放大器的反向输入端与输出端之间连接有电阻R2，所述放大器的同相输入端与所述无损驱动电路的接地端之间连接有电阻R4。

结合第一方面，或第一方面的第一种、或第二种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连包括：

所述检测模块的输入端通过电阻R4与所述电阻R1的另一端相连，所述检测模块的输入端与所述无损驱动电路的接地端之间连接有电阻R5。

结合第一方面，或第一方面的第一种、或第二种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，所述调节模块的输出端与所述无损驱动电路上的MOS管相连包括：

所述调节模块的输出端通过驱动芯片与所述无损驱动电路上的MOS管的栅极相连。

第二方面，本发明实施例提供了一种带有驱动损耗调节装置的无损驱动电路，所述驱动损耗调节装置为第一方面或第一方面的任意一种实施方式所提供的驱动损耗调节装置，所述驱动损耗调节装置用于调节所述无损驱动电路上的驱动损耗。

第三方面，本发明实施例提供了一种电源模块，包括辅助电源、控制电路、主功率MOS管，以及如第二方面所提供的无损驱动电路，所述控制电路通过控制所述无损驱动电路驱动所述主功率MOS管。

第四方面，本发明实施例提供了一种无损驱动电路的驱动损耗调节方法，所述无损驱动电路的干路上具有电阻R1，所述R1一端与所述无损驱动电路的电源V1相连，所述R1另一端与所述无损驱动电路的电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述电源V1相连，所述无损驱动电路的金属氧化物半导体MOS管Q1及MOS管Q4的漏极与所述电源V1相连或与所述R1的另一端相连，所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连，所述MOS管Q2的源极接地，所述MOS管Q4的源极与MOS管Q3的漏极相连，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q1的源极与与接地端之间连接有电容C3，所述MOS管Q4的源极与所述接地端之间连接有电容C4，所述MOS管Q1的源极还通过电容C1与变压器TI的初级线圈的同名端相连，所述MOS管Q3的漏极还与所述变压器TI的初级线圈的另一端相连，所述方法包括：

检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第一驱动损耗；

增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区；

继续检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第二驱动损耗；

根据所述第一驱动损耗及所述第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗。

结合第四方面，在第四方面的第一种实施方式中，在检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第一驱动损耗之后，还包括：

判断所述第一无损驱动电路的驱动损耗是否大于预设阈值；

若大于，则触发所述无损驱动电路进入保护状态；

若不大于，则执行所述增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区的步骤。

结合第四方面，或第四方面的第一种实施方式，在第四方面的第二种实施方式中，所述根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗包括：

根据所述驱动损耗的变化情况，通过增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区来减小所述电阻R1的电流和电压，直至所述电阻R1的电流和电压减小至不再减小为止。

从以上技术方案可以看出，本发明具有以下优点：

本发明实施例中，检测模块先通过检测无损驱动电路的干路上的电阻R1的电流或电压得到无损驱动电路的第一驱动损耗，调节模块增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，检测模块再次检测R1的电流或电压得到无损驱动电路的第二驱动损耗，调节模块根据第一驱动损耗及第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据驱动损耗的变化情况增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小无损驱动电路的驱动损耗。即本发明实施例中，调节模块与检测模块配合，通过调节无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区来适应容差导致的谐振频率的偏移，减小驱动损耗，从而避免了通过增加投切电容改变谐振频率以减小驱动损耗带来一系列问题，提高了驱动电路的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为无损驱动电路的一个实施例示意图。

图2为本发明无损驱动电路的驱动损耗调节装置一个实施例示意图；

图3a与图3b为图1所示的无损驱动电路的相关波形示意图；

图4为本发明检测模块与R1的连接方式一个实施例示意图；

图5为本发明检测模块与R1的连接方式另一实施例示意图；

图6为本发明检测模块与R1的连接方式另一实施例示意图；

图7为本发明电源模块一个实施例示意图；

图8为本发明无损驱动电路的驱动损耗调节方法一个实施例示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置、方法及电源模块，能够在不增加投切电容的情况下，减小容差导致的驱动损耗。

本发明实施例中，干路上具有R1的无损驱动电路可如图2所示，R1一端与无损驱动电路的电源V1的正极相连，R1另一端分别与无损驱动电路的电容C2的一端、金属氧化物半导体MOS管Q1的漏极及MOS管Q4的漏极相连，电容C2的另一端与电源V1的负极相连，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连，MOS管Q2的源极接地，MOS管Q4的源极与MOS管Q3的漏极相连，MOS管Q3的源极接地，MOS管Q1的源极与与接地端之间连接有电容C3，MOS管Q4的源极与接地端之间连接有电容C4，MOS管Q1的源极还通过电容C1与变压器TI的初级线圈的同名端相连，MOS管Q3的漏极还与所述变压器TI的初级线圈的另一端相连，变压器T1的次级线圈接主功率MOS管。

请参阅图2，本发明驱动损耗调节装置一个实施例包括：

检测模块，用于检测R1的电流或电压以得到无损驱动电路的第一驱动损耗，将第一驱动损耗发送给调节模块，检测模块的输入端与电阻R1相连；

调节模块，用于接收第一驱动损耗，增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，调节模块的输入端与检测模块的输出端相连，调节模块的输出端与无损驱动电路上的MOS管相连；检测模块在调节模块增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区之后，还用于继续检测R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第二驱动损耗，将第二驱动损耗发送给所述调节模块；

调节模块接收第二驱动损耗，根据第一驱动损耗及第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据驱动损耗的变化情况增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小无损驱动电路的驱动损耗。

具体实现中，可先由检测模块通过检测R1的电压或电流得到第一驱动损耗，然后调节模块增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，例如可将无损驱动电路上的MOS管(可为无损驱动电路上的任意一个或多个MOS管)的占空比增大或将死区(可为任意一个或多个死区)减小，在调节之后，检测模块再次检测R1的电压或电流得到无损驱动电路的第二驱动损耗，调节模块根据第一驱动损耗及第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，变化包括驱动损耗增大或减小。将MOS管的占空比增大或将死区减小的过程中，如果驱动损耗增大，则在后续的调节过程中，调节模块可将MOS管的占空比减小或将死区增大，以减小驱动损耗。将MOS管的占空比增大或将死区减小的过程中，如果驱动损耗减小，则在后续的调节过程中，调节模块可继续将MOS管的占空比增大或将死区减小，以减小驱动损耗。

若在调节无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区的过程中，无损驱动电路的驱动损耗未发生变化，则说明驱动损耗已是最小，无需再做调节。

具体实现中，调节模块可通过软件加硬件结合的方式实现，即调节模块中可包括控制单元及脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation)PWM模块。控制单元作为软件实现单元，可分别与检测模块及PWM模块连接，用于根据检测模块检测的无损驱动电路的第一驱动损耗及第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据驱动损耗的变化情况控制PWM模块发出相应的PWM信号，以改变无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，PWM模块可通过驱动芯片与无损驱动电路上的MOS管相连。

在一个具体的实施例中，当无损驱动电路如图1所示时，该无损驱动电路中MOS管Q1～Q4的驱动波形可如图3a所示，变压器副边绕组raozu1、raozu2的输出波形，以及驱动桥左桥臂中点swy，驱动桥右桥臂中点swz的输出波形可如图3b所示。

参阅图3a可知，驱动电路的驱动信号VgsQ1和VgsQ2两个信号互补，两信号之间存在一定死区，VgsQ3和VgsQ4两个信号互补，两信号之间存在一定死区，VgsQ1和VgsQ4相位相差180度，VgsQ2和VgsQ3相位相差180度。图3b中的左桥臂中点swy波形的上升沿与下降沿与图3a中VgsQ1和VgsQ2两个信号之间存在的的死区相对应，图3b中右桥臂中点swz波形的上升沿与下降沿与图3a中VgsQ3和VgsQ4两个信号之间存在的死区相对应，如果死区过小，就会导致MOS管硬开关，死区过大会导致MOS管内的体二极管长时间导通，这两种情况都会导致MOS管损耗变大，因此，可通过调整无损驱动电路中MOS管的占空比或死区来调节无损驱动电路的驱动损耗。

在该无损驱动电路上加上本发明提供的驱动损耗调节装置可如图2所示，无损驱动电路的干路上具有电阻R1，驱动损耗的具体调节过程可如下：

首先，可由检测模块先检测电阻R1的电压或电流，根据电阻R1的电压或电流计算无损驱动电路的驱动损耗(即第一驱动损耗)，驱动损耗P＝UI，其中P为驱动损耗，U为V1的电压，I为R1的电流，I可以通过测量R1两端电压U₁得到，R1的阻值为已知量。检测模块将第一驱动损耗发送给调节模块，调节模块判断第一驱动损耗是否大于预设阈值，若第一驱动损耗大于预设阈值(该阈值的设定与无损驱动电路上的MOS管能够承受的最大驱动损耗有关，即该阈值应该小于MOS能够承受的最大驱动损耗，如果超过最大驱动损耗，MOS管就会被损坏)，则说明驱动损耗过大，为避免电路损坏，可触发无损驱动电路进入保护状态；若第一驱动损耗不大于预设阈值，则说明驱动损耗还在可调节的范围内，或者驱动损耗很小，无需调节。

当第一驱动损耗不大于预设阈值时，可由调节模块调节无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，例如可将无损驱动电路上的MOS管的占空比增大(如可将Q1或Q4的占空比增大，Q2和Q3的占空比保持不变)或将死区减小，在调节之后，检测模块再次通过R1检测得到无损驱动电路的第二驱动损耗，调节模块根据第一驱动损耗及第二驱动损耗判断该驱动损耗是否发生变化(变化包括驱动损耗增大或减小，该变化可通过R1的电流或电压的变化来体现)。如果驱动损耗发生变化，则说明驱动损耗还在可调节的范围内，需要调节驱动损耗，如果驱动损耗不发生变化，则说明驱动损耗很小，无需调节。

将MOS管的占空比增大或将死区减小的过程中，如果驱动损耗增大(即R1的电流和电压增大)，则说明容差导致驱动电路的谐振频率偏低，在后续的调节过程中，调节模块可将MOS管的占空比减小或将死区增大，以适应这种偏低的谐振频率，减小驱动损耗，直至R1的电流和电压减小至不再减小为止。将MOS管的占空比增大或将死区减小的过程中，如果驱动损耗减小(即R1的电流和电压减小)，则说明容差导致驱动电路的谐振频率偏高，在后续的调节过程中，调节模块可继续将MOS管的占空比增大或将死区减小，以适应这种偏高的谐振频率，减小驱动损耗，直至R1的电流和电压减小至不再减小为止。R1的电流和电压减小至不再减小时，驱动损耗最小。

即本实施例中，调节模块通过调节无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，来适应容差导致的谐振频率的偏移，从而减小无损驱动电路的驱动损耗，避免了通过增加投切电容改变谐振频率来减小驱动损耗带来一系列问题，提高了驱动电路的可靠性。

具体实现中，检测模块与R1之间的连接方式可如图4所示。检测模块的两个输入端分别通过电阻R2与R4与电阻R1的两端相连，检测模块的两个输入端与无损驱动电路的接地端之间分别连接有电阻R3及R5。

具体实现中，检测模块与R1之间的连接方式还可如图5所示，检测模块的输入端与放大器的输出端相连，放大器的反向输入端通过电阻R3与电阻R1的一端相连，放大器的同相输入端通过电阻R5与电阻R1的另一端相连，放大器的反向输入端与输出端之间连接有电阻R2，放大器的同相输入端与无损驱动电路的接地端之间连接有电阻R4。

具体实现中，检测模块与R1之间的连接方式还可如图6所示，检测模块的输入端通过电阻R4与电阻R1的另一端相连，检测模块的输入端与无损驱动电路的接地端之间连接有电阻R5。

另外，调节模块的各个输出端通过驱动芯片分别与无损驱动电路上的各个MOS管的栅极相连。

在上面的实施例中，可以认为驱动损耗调节装置与无损驱动电路之间是独立的，在实际应用中，还可将无损驱动电路与驱动损耗调节装置结合在一起，即形成了一种具有驱动损耗调节装置的无损驱动电路，该驱动损耗调节装置可如前面实施例所描述的驱动损耗调节装置，用于调节无损驱动电路上的驱动损耗。

另外，本发明还提供了一种电源模块，如图7所示，该电源模块包括辅助电源、控制电路、主功率MOS管，以及前述的具有驱动损耗调节装置的无损驱动电路，其中，控制电路通过控制无损驱动电路驱动主功率MOS管，辅助电源可以直流电源，辅助电源与无损驱动电路上的电源V1是两个独立的电源。具体实现中，电源模块可以是800W开环4：1的电源模块。

下面描述本发明提供的无损驱动电路的驱动损耗调节方法，请参阅图8，本实施例的方法包括：

801、检测R1的电流或电压以得到无损驱动电路的第一驱动损耗；

802、增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区；

803、继续检测R1的电流或电压以得到无损驱动电路的第二驱动损耗；

804、根据第一驱动损耗及第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据驱动损耗的变化情况增大或减小无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小无损驱动电路的驱动损耗。

具体实现中，无损驱动电路的干路上具有电阻R1，R1一端与无损驱动电路的电源V1相连，R1另一端与所述无损驱动电路的电容C2的一端相连，驱动损耗的具体调节过程可如下：

首先，可检测电阻R1的电压或电流，根据电阻R1的电压或电流计算无损驱动电路的驱动损耗(即第一驱动损耗)，驱动损耗P＝UI，其中P为驱动损耗，U为V1的电压，I为R1的电流，I可以通过测量R1两端电压U₁得到，R1的阻值为已知量。若第一驱动损耗大于预设阈值，则说明驱动损耗过大，为避免电路损坏，可触发无损驱动电路进入保护状态；若驱动损耗不大于预设阈值，则说明驱动损耗还在可调节的范围内，或者驱动损耗很小，无需调节。

当第一驱动损耗不大于预设阈值时，可调节无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，例如可将无损驱动电路上的MOS管的占空比增大(如可将Q1或Q4的占空比增大，Q2和Q3的占空比保持不变)或将死区减小，在调节的过程中，检测无损驱动电路的第二驱动损耗，根据第一驱动损耗及第二驱动损耗判断驱动损耗是否发生变化(变化包括驱动损耗增大或减小，该变化可通过R1的电流或电压的变化来体现)。如果驱动损耗发生变化，则说明驱动损耗还在可调节的范围内，需要调节驱动损耗，如果驱动损耗不发生变化，则说明驱动损耗很小，无需调节。

将MOS管的占空比增大或将死区减小的过程中，如果驱动损耗增大(即R1的电流和电压增大)，则说明容差导致驱动电路的谐振频率偏低，在后续的调节过程中，可将MOS管的占空比减小或将死区增大，以适应这种偏低的谐振频率，减小驱动损耗，直至R1的电流和电压减小至不再减小为止。将MOS管的占空比增大或将死区减小的过程中，如果驱动损耗减小(即R1的电流和电压减小)，则说明容差导致驱动电路的谐振频率偏高，在后续的调节过程中，可继续将MOS管的占空比增大或将死区减小，以适应这种偏高的谐振频率，减小驱动损耗，直至R1的电流和电压减小至不再减小为止。R1的电流和电压减小至不再减小时，驱动损耗最小。

即本实施例中，通过调节无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，来适应容差导致的谐振频率的偏移，从而减小无损驱动电路的驱动损耗，避免了通过增加投切电容改变谐振频率来减小驱动损耗带来一系列问题，提高了驱动电路的可靠性。

另外需说明的是，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。另外，本发明提供的装置实施例附图中，模块之间的连接关系表示它们之间具有通信连接，具体可以实现为一条或多条通信总线或信号线。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

通过以上的实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到本发明可借助软件加必需的通用硬件的方式来实现，当然也可以通过专用硬件包括专用集成电路、专用CPU、专用存储器、专用元器件等来实现。一般情况下，凡由计算机程序完成的功能都可以很容易地用相应的硬件来实现，而且，用来实现同一功能的具体硬件结构也可以是多种多样的，例如模拟电路、数字电路或专用电路等。但是，对本发明而言更多情况下软件程序实现是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在可读取的存储介质中，如计算机的软盘，U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

以上对本发明实施例进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，因此，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (12)

1.一种无损驱动电路的驱动损耗调节装置，所述无损驱动电路的干路上具有电阻R1，所述R1一端与所述无损驱动电路的电源V1相连，所述R1另一端与所述无损驱动电路的电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述电源V1相连，所述无损驱动电路的金属氧化物半导体MOS管Q1及MOS管Q4的漏极与所述电源V1相连或与所述R1的另一端相连，所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连，所述MOS管Q2的源极接地，所述MOS管Q4的源极与MOS管Q3的漏极相连，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q1的源极与与接地端之间连接有电容C3，所述MOS管Q4的源极与所述接地端之间连接有电容C4，所述MOS管Q1的源极还通过电容C1与变压器TI的初级线圈的同名端相连，所述MOS管Q3的漏极还与所述变压器TI的初级线圈的另一端相连，其特征在于，所述驱动损耗调节装置包括：

检测模块，用于检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第一驱动损耗，将所述第一驱动损耗发送给调节模块，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连；

调节模块，用于接收所述第一驱动损耗，增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，所述调节模块的输入端与所述检测模块的输出端相连，所述调节模块的输出端与所述无损驱动电路上的MOS管相连；

所述检测模块在所述调节模块增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区之后，还用于继续检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第二驱动损耗，将所述第二驱动损耗发送给所述调节模块；

所述调节模块接收所述第二驱动损耗，根据所述第一驱动损耗及所述第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述调节模块在接收所述第一驱动损耗之后,在增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区之前，还用于判断所述第一驱动损耗是否大于预设阈值，若大于，则触发所述无损驱动电路进入保护状态，若不大于，则执行增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区的步骤。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述调节模块根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗具体包括：

所述调节模块根据所述驱动损耗的变化情况，通过增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区来减小所述电阻R1的电流和电压，直至所述电阻R1的电流和电压减小至不再减小为止。

4.如权利要求1至3任意一项所述的装置，其特征在于，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连包括：

所述检测模块的第一输入端和第二输入端分别通过电阻R2与R4与所述电阻R1的两端相连，所述检测模块的第一输入端和第二输入端与所述无损驱动电路的接地端之间分别连接有电阻R3及R5。

5.如权利要求1至3任意一项所述的装置，其特征在于，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连包括：

所述检测模块的输入端与放大器的输出端相连，所述放大器的反向输入端通过电阻R3与所述电阻R1的一端相连，所述放大器的同相输入端通过电阻R5与所述电阻R1的另一端相连，所述放大器的反向输入端与输出端之间连接有电阻R2，所述放大器的同相输入端与所述无损驱动电路的接地端之间连接有电阻R4。

6.如权利要求1至3任意一项所述的装置，其特征在于，所述检测模块的输入端与所述电阻R1相连包括：

所述检测模块的输入端通过电阻R4与所述电阻R1的另一端相连，所述检测模块的输入端与所述无损驱动电路的接地端之间连接有电阻R5。

7.如权利要求1至3任意一项任意一项所述的装置，其特征在于，所述调节模块的输出端与所述无损驱动电路上的MOS管相连包括：

所述调节模块的输出端通过驱动芯片与所述无损驱动电路上的MOS管的栅极相连。

8.一种带有驱动损耗调节装置的无损驱动电路，其特征在于，所述驱动损耗调节装置为如权利要求1至7任意一项所述的驱动损耗调节装置，所述驱动损耗调节装置用于调节所述无损驱动电路上的驱动损耗。

9.一种电源模块，其特征在于，包括辅助电源、控制电路、主功率MOS管，以及如权利要求8所述的无损驱动电路，所述控制电路通过控制所述无损驱动电路驱动所述主功率MOS管。

10.一种无损驱动电路的驱动损耗调节方法，所述无损驱动电路的干路上具有电阻R1，所述R1一端与所述无损驱动电路的电源V1相连，所述R1另一端与所述无损驱动电路的电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述电源V1相连，所述无损驱动电路的金属氧化物半导体MOS管Q1及MOS管Q4的漏极与所述电源V1相连或与所述R1的另一端相连，所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连，所述MOS管Q2的源极接地，所述MOS管Q4的源极与MOS管Q3的漏极相连，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q1的源极与与接地端之间连接有电容C3，所述MOS管Q4的源极与所述接地端之间连接有电容C4，所述MOS管Q1的源极还通过电容C1与变压器TI的初级线圈的同名端相连，所述MOS管Q3的漏极还与所述变压器TI的初级线圈的另一端相连，其特征在于，所述方法包括：

检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第一驱动损耗；

增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区；

继续检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第二驱动损耗；

根据所述第一驱动损耗及所述第二驱动损耗得到驱动损耗的变化情况，根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在检测所述R1的电流或电压以得到所述无损驱动电路的第一驱动损耗之后，还包括：

判断所述第一无损驱动电路的驱动损耗是否大于预设阈值；

若大于，则触发所述无损驱动电路进入保护状态；

若不大于，则执行所述增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区的步骤。

12.如权利要求10或11所述方法，其特征在于，所述根据所述驱动损耗的变化情况增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区，以减小所述无损驱动电路的驱动损耗包括：

根据所述驱动损耗的变化情况，通过增大或减小所述无损驱动电路上的MOS管的占空比或死区来减小所述电阻R1的电流和电压，直至所述电阻R1的电流和电压减小至不再减小为止。