CN106158770A - 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法 - Google Patents

用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106158770A
CN106158770A CN201510185932.2A CN201510185932A CN106158770A CN 106158770 A CN106158770 A CN 106158770A CN 201510185932 A CN201510185932 A CN 201510185932A CN 106158770 A CN106158770 A CN 106158770A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
silicon
sealing
back side
hypotenuse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510185932.2A
Other languages
English (en)
Inventor
千津井勝己
贺贤汉
洪漪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai xinxinjingyuan Semiconductor Technology Co., Ltd
Original Assignee
Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd
Priority to CN201510185932.2A priority Critical patent/CN106158770A/zh
Publication of CN106158770A publication Critical patent/CN106158770A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明用于硅片的无去边超级背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在所述二氧化硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的无去边超级背封层结构。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边和抛光面上生长的都为单晶硅层，可以实现无缝衔接，也不会出现分层现象，使得外延中的颗粒污染、边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。

Description

用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体，材料生产应用领域，特别是一种用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法。
背景技术
硅片的背封设计对于后续的外延制程有着重要的影响，不恰当的背封设计会带来自掺杂、背面硅渣异常生长等问题，导致外延制程良率损失。
超级背封是近几年发展起来的一种背封技术，图1所示为常见的无去边处理的硅片超级背封设计，内层为二氧化硅背封层，外层为多晶硅背封层。这一设计对解决厚外延过程中出现的自掺杂、背面硅渣异常生长问题有比较明显的作用。
但是采用这一设计的硅片，由于其正面斜边上覆盖的是多晶硅层，而抛光面为单晶硅，所以外延时，在硅片正面斜边和抛光面上会分别生长出多晶硅层和单晶硅层。由于两者的原子排列不同，两者之间无法做到无缝衔接，会出现分层现象，并带来颗粒污染、边缘层错、角锥等一系列问题。特别是当外延层厚度超过100微米时，这些问题就会变得突出，严重影响外延制程的良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决由分层现象所引发的颗粒污染、边缘层错、角锥等问题的用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法。
为解决上述技术问题，本发明用于硅片的无去边超级背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在所述二氧化硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。
所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米～1.2微米。所述多晶硅背封层的厚度为0.1微米～0.8微米。
用于硅片的无去边超级背封层结构的制造方法，包括如下步骤：第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区及正面斜边区；第二步，在二氧化硅背封层的外侧，采用减压化学气相沉积法生长多晶硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区、正面斜边区及正面；第三步，在硅片的正面斜边区域进行边缘抛光，抛除二氧化硅和多晶硅背封层；第四步，在硅片的正面进行抛光。
本发明用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边和抛光面上生长的都为单晶硅层，可以实现无缝衔接，也不会出现分层现象，使得外延中的颗粒污染、边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。
附图说明
图1为现有技术中无去边处理的硅片超级背封设计结构示意图；
图2为本发明用于硅片的无去边超级背封层结构的结构示意图。
本发明用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法。附图中标记说明：
1-背面 2-背面斜边区 3-边缘区
4-正面斜边区 5-正面 6-二氧化硅背封层
7-多晶硅背封层
具体实施方式
下面结合附图对本发明用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法作进一步详细说明。
如图2所示，本发明用于硅片的无去边超级背封层结构。在硅片的背面1、背面斜边区2、边缘区3完全覆盖背封层，尽最大可能发挥背封效果。硅片的正面5即为抛光面。硅片正面斜边区4为一平滑的单晶硅表面，无多晶硅膜覆盖。二氧化硅背封层6覆盖在硅片的背面1、背面斜边区2及边缘区3，多晶硅背封层7覆盖在二氧化硅背封层6的外侧，也覆盖了硅片的背面1、背面斜边区2及边缘区3。其中二氧化硅背封层6的厚度为0.2微米～1.2微米；多晶硅背封层7的厚度为0.1微米～0.8微米。
用于硅片的无去边超级背封层结构的制造方法，包括如下步骤：第一步，在硅片上长多晶硅背封层7；第二步，在多晶硅背封层7的外侧长二氧化硅背封层6，，覆盖硅片的背面1、背面斜边区2及边缘区3；第三步，在硅片的正面斜边区域4进行边缘抛光；第四步，在硅片的正面5进行抛光。
本发明用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边和抛光面上生长的都为单晶硅层，可以实现无缝衔接，也不会出现分层现象，使得外延中的颗粒污染、边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。
以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (4)

1.用于硅片的无去边超级背封层结构，其特征在于，包括：
二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；
多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在所述二氧化硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。
2.根据权利要求1所述的用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法，其特征在于，所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米～1.2微米。
3.根据权利要求1所述的用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法，其特征在于，所述多晶硅背封层的厚度为0.1微米～0.8微米。
4.根据权利要求1～3所述的用于硅片的无去边超级背封层结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区及正面斜边区；
第二步，在二氧化硅背封层的外侧，采用减压化学气相沉积法生长多晶硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区、正面斜边区及正面；
第三步，在硅片的正面斜边区域进行边缘抛光，抛除二氧化硅和多晶硅背封层；
第四步，在硅片的正面进行抛光。
CN201510185932.2A 2015-04-17 2015-04-17 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法 Pending CN106158770A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510185932.2A CN106158770A (zh) 2015-04-17 2015-04-17 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510185932.2A CN106158770A (zh) 2015-04-17 2015-04-17 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106158770A true CN106158770A (zh) 2016-11-23

Family

ID=58057913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510185932.2A Pending CN106158770A (zh) 2015-04-17 2015-04-17 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106158770A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108054082A (zh) * 2017-12-06 2018-05-18 上海华力微电子有限公司 一种cis之衬底结构及其制备方法
CN109037030A (zh) * 2018-07-04 2018-12-18 上海晶盟硅材料有限公司 改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件
CN113707536A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 上海鼎泰匠芯科技有限公司 一种晶圆的背封工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008109125A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン単結晶基板及びその製造方法
CN102496564A (zh) * 2011-12-22 2012-06-13 浙江金瑞泓科技股份有限公司 提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法
CN202282351U (zh) * 2011-09-30 2012-06-20 上海晶盟硅材料有限公司 外延片用衬底、外延片及半导体器件
CN103295880A (zh) * 2013-06-04 2013-09-11 上海华力微电子有限公司 一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008109125A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン単結晶基板及びその製造方法
CN202282351U (zh) * 2011-09-30 2012-06-20 上海晶盟硅材料有限公司 外延片用衬底、外延片及半导体器件
CN102496564A (zh) * 2011-12-22 2012-06-13 浙江金瑞泓科技股份有限公司 提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法
CN103295880A (zh) * 2013-06-04 2013-09-11 上海华力微电子有限公司 一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108054082A (zh) * 2017-12-06 2018-05-18 上海华力微电子有限公司 一种cis之衬底结构及其制备方法
CN109037030A (zh) * 2018-07-04 2018-12-18 上海晶盟硅材料有限公司 改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件
CN113707536A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 上海鼎泰匠芯科技有限公司 一种晶圆的背封工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106158771A (zh) 用于硅片的有去边超级背封层结构及其制造方法
CN106158770A (zh) 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法
WO2008132204A3 (de) Nitridhalbleiterbauelement-schichtstruktur auf einer gruppe-iv-substratoberfläche
CN103180937B (zh) 片材粘附装置及粘附方法
SG148930A1 (en) Process for fabricating a structure for epitaxy without an exclusion zone
WO2013061047A3 (en) Silicon carbide epitaxy
EP1852900A4 (en) BEARER FOR DOUBLE-SIDED POLISHING MACHINE, DOUBLE-SIDED POLISHING MACHINE USING THE SAME AND DOUBLE-SIDED POLISHING METHOD
EP2528087A3 (en) Formation of devices by epitaxial layer overgrowth
CN106158768A (zh) 用于硅片的有去边复合背封层结构及其制造方法
EP4084136A4 (en) METHOD OF MAKING A MOF-COATED TERNARY POSITIVE ELECTRODE MATERIAL AND PRECURSOR THEREFOR
CN106068546A (zh) 半导体外延晶圆的制造方法及半导体外延晶圆
KR20160145600A (ko) 접합 soi 웨이퍼의 제조방법
EP2728610B1 (en) Method for fabricating an epitaxial wafer
CN105845557B (zh) 实现多晶硅栅极平坦化的方法
CN109968191A (zh) 一种蓝宝石衬底贴片方法
RU2018113432A (ru) Способ изготовления составной подложки из sic
WO2011133351A3 (en) Hybrid deposition chamber for in-situ formation of group iv semiconductors & compounds with group iii-nitrides
EP4012078A4 (en) SEED CRYSTAL SEED OF SIC AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, SIC INGOT PRODUCED BY GROWING SAID SEED CRYSTAL SEED OF SIC AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND SIC WAFER PRODUCED FROM SAID SIC INGOT AND EPITAXIAL FILM SIC WAFER AND METHODS RESPECTIVE PRODUCTION RESPECTS OF SAID SIC WAFER AND SAID EPITAXIAL FILM SIC WAFER
CN106158776A (zh) 用于硅片的无去边复合背封层结构及其制造方法
CN102693902B (zh) 实现至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法
JP2018170491A5 (zh)
CN116403887A (zh) 一种晶圆背封表面贴付防酸胶带的方法
CN104362080A (zh) Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法
WO2019186266A3 (fr) Procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau ain et substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau ain
CN106158769A (zh) 用于硅片的无去边lto背封层结构及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20191223

Address after: 200444 Building 1, No. 181, Shanlian Road, Baoshan District, Shanghai

Applicant after: Shanghai xinxinjingyuan Semiconductor Technology Co., Ltd

Address before: 200444 Baoshan District, Baoshan City Industrial Park Road, No., Hill Road, No. 181

Applicant before: Shanghai Shenhe Thermo-magenetic Electronic Co., Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161123

RJ01 Rejection of invention patent application after publication