CN106158769A - 用于硅片的无去边lto背封层结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的无去边LTO背封层结构。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边上就没有了颗粒污染源，边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。

Description

用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体，材料生产应用领域，特别是一种用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法。

背景技术

硅片的背封设计对于后续的外延制程有着重要的影响，不恰当的背封设计会带来自掺杂、背面硅渣异常生长等问题，导致外延制程良率损失。附图A所示为常见的无去边处理的硅片背封设计，采用了二氧化硅背封层设计，行业内也称为LTO背封层。

但是采用这一设计的硅片，由于其正面斜边上覆盖了二氧化硅层，在外延的高温条件下，这些二氧化硅会成为颗粒污染源，引发边缘层错、角锥等一系列问题。特别是当外延层厚度超过100微米时，这些问题就会变得突出，严重影响外延制程的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种解决由二氧化硅颗粒污染所引发的边缘层错、角锥等问题的用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法。

为解决上述技术问题，本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。

所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米～1.2微米。

用于硅片的无去边LTO背封层结构的制造方法，包括如下步骤：第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区及正面斜边区；第二步，在硅片的正面斜边区域进行边缘抛光，抛除二氧化硅背封层；第三步，在硅片的正面进行抛光。

本发明用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边上就没有了颗粒污染源，边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。

附图说明

图1为现有技术中硅片背面二氧化硅背封层设计结构示意图；

图2为本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构的结构示意图。

本发明用于硅片的用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法。附图中标记说明：

1-背面 2-背面斜边区 3-边缘区

4-正面斜边区 5-正面 6-二氧化硅背封层

具体实施方式

下面结合附图对本发明用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法作进一步详细说明。

如图1所示，本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构。在硅片的背面1、背面斜边区2、边缘区3完全覆盖背封层，尽最大可能发挥背封效果。硅片的正面5即为抛光面。硅片正面斜边区4为一平滑的单晶硅表面，无二氧化硅膜覆盖。二氧化硅背封层6覆盖在硅片的背面1、背面斜边区2及边缘区3。其中二氧化硅背封层6的厚度为0.2微米～1.2微米。

用于硅片的无去边LTO背封层结构的制造方法，包括如下步骤：第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层6，覆盖硅片的背面1、背面斜边区2、边缘区3及正面斜边区4；第二步，在硅片的正面斜边区域4进行边缘抛光，抛除二氧化硅背封层；第三步，在硅片的正面5进行抛光。

本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边上就没有了颗粒污染源，边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。

以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (3)

1.硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，其特征在于，包括：

二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。

2.根据权利要求1所述的硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，其特征在于，所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米～1.2微米。

3.根据权利要求1～2所述的硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区及正面斜边区；

第二步，在硅片的正面斜边区域进行边缘抛光，抛除二氧化硅背封层；

第三步，在硅片的正面进行抛光。