CN106148959A - 蚀刻装置及蚀刻方法 - Google Patents

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董海青
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Abstract

本发明提供一种蚀刻装置。所述蚀刻装置包括输送单元和喷淋单元，所述输送单元用于输送基板，所述喷淋单元用于向所述输送单元输送的所述基板喷淋蚀刻液，所述输送单元包括平行间隔设置的上输送组件和下输送组件，所述上输送组件和所述下输送组件配合驱动所述基板沿斜线运动。本发明还提供一种采用该蚀刻装置的蚀刻方法。本发明提供的蚀刻装置及蚀刻方法不仅避免了所述基板上表面因不能高频高速的接触新的蚀刻液造成蚀刻不均匀的问题，也有利于对阻抗板的线宽线距的控制，而且有利于环境保护和降低成本。

Description

蚀刻装置及蚀刻方法
技术领域
本发明涉及PCB板的制备技术领域，特别地，涉及一种蚀刻装置及蚀刻方法。
背景技术
现有技术中PCB板的制备方法，主要包括：在PCB板的基板上钻孔，对基板整板进行镀铜处理，在基板两侧的表面上均形成镀铜层；在镀铜层的表面上覆盖感光膜，并对感光膜进行曝光和显影处理，以在基板两侧被感光膜遮挡的镀铜层位置处形成预制线路；之后再对基板两侧的非预制线路位置处的镀铜层(也即感光膜遮挡之外的镀铜层)进行蚀刻处理，将基板两侧的预制线路显示出来，最后去除预制线路上覆盖的感光膜，烘干得到PCB板。其中，在蚀刻过程中，基板沿着水平方向移动，上、下喷淋单元喷出的蚀刻液将基板上、下表面的非预制线路位置处的镀铜层蚀刻掉，从而使得基板两侧表面的预制线路显示出来。
但是，基板水平方向移动会造成蚀刻液在基板上形成水池效应，从而使得基板的上表面不能高频高速的接触新的蚀刻液，进而造成基板的上表面参与反应的蚀刻液的浓度降低以及铜离子含量升高，最终会导致基板的上表面蚀刻不均匀的问题。
因此，有必要对现有的PCB板蚀刻方法进行进一步开发，以避免上述缺陷。
发明内容
为解决上述现有的PCB板蚀刻方法存在基板的上表面蚀刻不均匀的技术问题，本发明提供一种使基板的上表面和下表面蚀刻均匀的蚀刻装置及蚀刻方法。
本发明提供一种蚀刻装置，所述蚀刻装置包括输送单元和喷淋单元，所述输送单元用于输送基板，所述喷淋单元用于向所述输送单元输送的所述基板喷淋蚀刻液，所述输送单元包括平行间隔设置的上输送组件和下输送组件，所述上输送组件和所述下输送组件配合驱动所述基板沿斜线运动。
在本发明提供的蚀刻装置的一种较佳实施例中，所述基板的运动轨迹的倾斜角度不小于5度，且不大于8度。
在本发明提供的蚀刻装置的一种较佳实施例中，所述上输送组件和所述下输送组件的结构相同，且中心对称设置。
在本发明提供的蚀刻装置的一种较佳实施例中，所述上输送组件包括多个行辘，多个所述行辘平行间隔设置并与所述基板所在的平面相切。
在本发明提供的蚀刻装置的一种较佳实施例中，多个所述行辘的尺寸沿所述基板的运动方向依次增大。
本发明还提供一种蚀刻方法，所述蚀刻方法包括以下步骤：
提供输送单元，所述输送单元包括平行间隔设置的上输送组件和下输送组件；
提供待蚀刻的基板，所述基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述上输送组件和所述下输送组件配合驱动所述基板沿斜线运动；
提供蚀刻液，利用所述蚀刻液蚀刻所述第一表面和所述第二表面上非预制线路处的镀铜层。
在本发明提供的蚀刻方法的一种较佳实施例中，所述基板运动轨迹的倾斜角度不小于5度，且不大于8度。
在本发明提供的蚀刻方法的一种较佳实施例中，所述上输送组件和所述下输送组件的结构相同，且中心对称设置。
在本发明提供的蚀刻方法的一种较佳实施例中，所述上输送组件包括多个行辘，多个所述行辘平行间隔设置并与所述基板所在的平面相切。
在本发明提供的蚀刻方法的一种较佳实施例中，多个所述行辘的尺寸沿所述基板的运动方向依次增大。
相较于现有技术，本发明提供的蚀刻装置及蚀刻方法具有以下有益效果：
一、通过所述上输送组件和所述下输送组件配合驱动所述基板沿斜线运动，不仅避免了所述基板上表面因不能高频高速的接触新的蚀刻液造成蚀刻不均匀的问题，也有利于对阻抗板的线宽线距的控制，而且有利于环境保护和降低成本。
二、通过将所述上输送组件和所述下输送组件设置成使得所述基板的运动轨迹的倾斜角度不小于5度，且不大于8度的角度，不仅能在保证所述基板蚀刻均匀的同时缩短蚀刻时间，而且有利于蚀刻液的循环利用。
三、通过将所述上输送组件和所述下输送组件设置成多个平行间隔设置并与所述基板所在的平面相切的所述行辘，且所述上输送组件的多个所述行辘的尺寸沿所述基板的运动方向依次增大，所述下输送组件的多个所述行辘的尺寸沿所述基板的运动方向依次减小，能够改善所述基板在运动过程中的受力情况。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1是本发明提供的蚀刻装置一较佳实施例的结构示意图；
图2是图1所示蚀刻装置的蚀刻方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，是本发明提供的蚀刻装置一较佳实施例的结构示意图。所述蚀刻装置1包括输送单元11和喷淋单元13，所述输送单元11用于输送基板，所述喷淋单元13用于向所述输送单元11输送的所述基板喷淋蚀刻液。
所述输送单元11包括平行间隔设置的上输送组件111和下输送组件113，所述上输送组件111和所述下输送组件113配合驱动所述基板沿斜线运动。其中，所述上输送组件111和所述下输送组件113的倾斜角度不小于5度，且不大于8度。
所述上输送组件111和所述下输送组件113的结构相同，且中心对称设置。
所述上输送组件111和所述下输送组件113均包括多个行辘115，多个所述行辘115平行间隔设置并与所述基板所在的平面相切，且所述上输送组件111的多个所述行辘115的尺寸沿所述基板的运动方向依次增大，所述下输送组件113的多个所述行辘115的尺寸沿所述基板的运动方向依次减小。在本实施例中，多个所述行辘115还可以为具有相同尺寸的行辘。
所述喷淋单元13的数量为多个，并分别设于所述输送单元11的两侧。当所述输送单元11输送所述基板时，多个所述喷淋单元13向所述基板的相对两表面上喷淋蚀刻液以蚀刻所述基板非预制线路处的镀铜层。
由于所述基板在输送过程中存在一定的角度，从而使得所述基板的相对两表面都能高频高速的接触新的蚀刻液，从而使得所述基板的相对两表面蚀刻均匀，同时，由于所述基板的相对两表面能高频高速的接触新的蚀刻液，所述基板的相对两表面上的铜离子浓度易控制在最优范围内，因此，在蚀刻段不仅无须在蚀刻液中补加其它的成分，而且蚀刻母液可以再利用，从而有利于环境保护和降低成本。
请参阅图2，是图1所示蚀刻装置的蚀刻方法的步骤流程图。本发明还提供一种采用所述蚀刻装置1的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括以下步骤：
步骤S1、提供输送单元，所述输送单元11包括平行间隔设置的上输送组件111和下输送组件113。
步骤S2、提供待蚀刻的基板，所述基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述上输送组件111和所述下输送组件113配合驱动所述基板沿斜线运动。
具体的，当需要蚀刻所述基板时，所述基板在所述上输送组件111和所述下输送组件113配合驱动下沿倾斜角度不小于5度，且不大于8度的斜线运动。在此过程中，所述基板的所述第一表面和所述第二表面分别与所述上输送组件111和所述下输送组件113抵接。
步骤S3、提供蚀刻液，利用所述蚀刻液蚀刻所述第一表面和所述第二表面上非预制线路处的镀铜层。
具体的，当所述上输送组件111和所述下输送组件113配合驱动所述基板沿斜线运动时，多个所述喷淋单元13分别向所述基板的所述第一表面和所述第二表面喷淋蚀刻液以蚀刻所述第一表面和所述第二表面上非预制线路处的镀铜层。
本发明提供的蚀刻装置及蚀刻方法具有以下有益效果：
一、通过所述上输送组件111和所述下输送组件113配合驱动所述基板沿斜线运动，不仅避免了所述基板上表面因不能高频高速的接触新的蚀刻液造成蚀刻不均匀的问题，也有利于对阻抗板的线宽线距的控制，而且有利于环境保护和降低成本。
二、通过将所述上输送组件111和所述下输送组件113设置成使得所述基板的运动轨迹的倾斜角度不小于5度，且不大于8度的角度，不仅能在保证所述基板蚀刻均匀的同时缩短蚀刻时间，而且有利于蚀刻液的循环利用。
三、通过将所述上输送组件111和所述下输送组件113设置成多个平行间隔设置并与所述基板所在的平面相切的所述行辘115，且所述上输送组件111的多个所述行辘115的尺寸沿所述基板的运动方向依次增大，所述下输送组件113的多个所述行辘115的尺寸沿所述基板的运动方向依次减小，能够改善所述基板在运动过程中的受力情况。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种蚀刻装置，包括输送单元和喷淋单元，所述输送单元用于输送基板，所述喷淋单元用于向所述输送单元输送的所述基板喷淋蚀刻液，其特征在于，所述输送单元包括平行间隔设置的上输送组件和下输送组件，所述上输送组件和所述下输送组件配合驱动所述基板沿斜线运动。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述基板的运动轨迹的倾斜角度不小于5度，且不大于8度。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻装置，其特征在于，所述上输送组件和所述下输送组件的结构相同，且中心对称设置。
4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述上输送组件包括多个行辘，多个所述行辘平行间隔设置并与所述基板所在的平面相切。
5.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于，多个所述行辘的尺寸沿所述基板的运动方向依次增大。
6.一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供输送单元，所述输送单元包括平行间隔设置的上输送组件和下输送组件；
提供待蚀刻的基板，所述基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述上输送组件和所述下输送组件配合驱动所述基板沿斜线运动；
提供蚀刻液，利用所述蚀刻液蚀刻所述第一表面和所述第二表面上非预制线路处的镀铜层。
7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，所述基板运动轨迹的倾斜角度不小于5度，且不大于8度。
8.根据权利要求6或7所述的蚀刻方法，其特征在于，所述上输送组件和所述下输送组件的结构相同，且中心对称设置。
9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，所述上输送组件包括多个行辘，多个所述行辘平行间隔设置并与所述基板所在的平面相切。
10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，多个所述行辘的尺寸沿所述基板的运动方向依次增大。
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