CN106083016A - 真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明提供的一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%‑5%的K2O、3%‑3.5%的Na2O、65%‑70%的SiO2、15%‑30%的Al2O3、0.05%‑0.1%的Fe2O3、0.05%‑0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。本发明的产品能够提高绝缘套筒的绝缘性能，且烧制的合格品率更高。

Description

真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺

技术领域

本发明涉及一种配方及其制作工艺，特别是一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺。

背景技术

现有的真空断路器绝缘套筒多为陶瓷制品，其绝缘性能是决定一个真空断路器好坏的关键因素，较好的绝缘性能能够有效的提升真空断路器的安全性能和使用寿命，由于需要适应越来越严苛的行业标准，绝缘套筒需要在材料以及工艺上不断的进行创新，才能使其绝缘性能更好，而且现有绝缘套筒的合格品的烧制成功率还是较低，废品较多。

发明内容

鉴于背景技术的不足，本发明所要解决的问题是要提供一种能够提高绝缘套筒的绝缘性能，且烧制的合格品率更高的真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺。

为此，本发明是采用如下方案来实现的：

一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%-5%的K2O、3%-3.5%的Na2O、65%-70%的SiO2、15%-30%的Al2O3、0.05%-0.1%的Fe2O3、0.05%-0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。

作为优选，具体的加工工艺流程为：

a)将所需比例的材料进行称重配制，放入研磨机中进行研磨；

b)将研磨好的材料粉末过筛，过筛时其材料颗粒细度要小于200目/吋筛，其残余率应在1.5%以内；

c)塑型成功后应放置在阴凉通风处十二个小时使其干燥；

d)上釉烧制时，釉坯涂抹需均匀，釉坯厚度控制在0.3mm—0.4mm；

e)出窑后需检查釉面是否平整光洁，有无釉滴、真空和气泡。最后静置，直到完全冷却。

本方案的有益效果为：1、能够有效的提升绝缘套筒的绝缘性能，从而提升真空断路器的安全性能和使用寿命；2、烧制出来的绝缘套筒的合格品率更高，有效的降低成本。

具体实施方式

本发明提供的一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%-5%的K2O、3%-3.5%的Na2O、65%-70%的SiO2、15%-30%的Al2O3、0.05%-0.1%的Fe2O3、0.05%-0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。具体的加工工艺流程为：a)将所需比例的材料进行称重配制，放入研磨机中进行研磨；b)将研磨好的材料粉末过筛，过筛时其材料颗粒细度要小于200目/吋筛，其残余率应在1.5%以内；c)塑型成功后应放置在阴凉通风处十二个小时使其干燥；d)上釉烧制时，釉坯涂抹需均匀，釉坯厚度控制在0.3mm—0.4mm；e)出窑后需检查釉面是否平整光洁，有无釉滴、真空和气泡。最后静置，直到完全冷却。

Claims (2)

1.一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：

4%-5%的K2O、3%-3.5%的Na2O、65%-70%的SiO2、15%-30%的Al2O3、0.05%-0.1%的Fe2O3、0.05%-0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。

2.根据权利要求1所述的真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：具体的加工工艺流程为：

a）将所需比例的材料进行称重配制，放入研磨机中进行研磨；

b)将研磨好的材料粉末过筛，过筛时其材料颗粒细度要小于200目/吋筛，其残余率应在1.5%以内；

c)塑型成功后应放置在阴凉通风处十二个小时使其干燥；

d)上釉烧制时，釉坯涂抹需均匀，釉坯厚度控制在0.3mm—0.4mm；

e)出窑后需检查釉面是否平整光洁，有无釉滴、真空和气泡，最后静置，直到完全冷却。