CN106041713A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供基板处理装置，能够使晶片等基板的中心高精度地对准基板台的轴心。基板处理装置具有：偏心检测部(60)，取得基板W的中心从定心台(10)的轴心C1的偏心量和偏心方向；以及对准器(36、41、75)，执行使定心台(10)移动及旋转直到定心台(10)上的基板W的中心位于处理台(20)的轴心C2上的定心动作。对准器(36、41、75)根据定心台(10)的轴心相对于处理台(20)的轴心的初始相对位置以及基板W的中心的偏心量和偏心方向来计算使定心台(10)移动的距离和使定心台(10)旋转的角度。

Description

基板处理装置和基板处理方法

技术领域

本发明涉及能够应用于研磨晶片等基板的周缘部的研磨装置和研磨方法等的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

作为用于研磨晶片等基板的周缘部的装置使用具有研磨带或磨石等的研磨工具的研磨装置。图39是表示该类型的研磨装置的示意图。如图39所示，研磨装置具有：基板台110，通过真空吸引保持晶片W的中心部，且使晶片W旋转；以及研磨头105，将研磨工具100按压到晶片W的周缘部。晶片W与基板台110一同旋转，研磨头105通过以研磨工具100的下表面(研磨面)与晶片W的表面平行的状态将研磨工具100向下方按压于晶片W的周缘部而研磨晶片W的周缘部。作为研磨工具100使用研磨带或者磨石。

如图40所示，由研磨工具100研磨的晶片W的部位的宽度(以下，将其称为研磨宽度)由研磨工具100相对于晶片W的相对性的位置决定。通常，研磨宽度为从晶片W的最外周端起几毫米。为了以一定的研磨宽度研磨晶片W的周缘部而需要使晶片W的中心对准基板台110的轴心。因此，在使晶片W载置于基板台110之前，利用图41所示的定心手部115把持晶片W而进行晶片W的定心。定心手部115从由搬送机器人(未图示)搬送来的晶片W的两侧接近而与其边缘部接触，把持晶片W。定心手部115与基板台110的相对位置被固定，由定心手部115把持的晶片W的中心位于基板台110的轴心上。

然而，这样的以往的定心机构在晶片定心的精度上存在极限，其结果为，研磨宽度有时变得不稳定。并且，定心手部115发生摩耗，导致晶片定心精度有时降低。此外，如果将研磨工具100按压于晶片W的周缘部，则晶片W的整体会挠曲，有时使晶片W的周缘部产生缺陷。为了防止这样的晶片W的挠曲，而考虑有利用与基板台110分体设置的支承台(未图示)支承晶片W的下表面的外周区域。然而，在基板台110的基板支承面与支承台的基板支承面不在同一平面内的情况下，晶片W会挠曲。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4772679号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供能够使晶片等基板的中心高精度地对准基板台的轴心的基板处理装置和基板处理方法。

用于解决课题的手段

本发明的一方式提供一种基板处理装置，其特征在于，具有：定心台，保持基板的下表面内的第1区域；处理台，保持所述基板的下表面内的第2区域；工作台升降机构，使所述定心台在比所述处理台高的上升位置与比所述处理台低的下降位置之间移动；处理台旋转机构，使所述处理台以所述处理台的轴心为中心旋转；偏心检测部，取得保持在所述定心台上时的所述基板的中心从所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向；以及对准器，执行使所述定心台移动及旋转直到所述定心台上的所述基板的中心位于所述处理台的轴心上的定心动作，所述对准器根据所述定心台的轴心相对于所述处理台的轴心的初始相对位置、所述偏心量以及所述偏心方向，来计算使所述定心台移动的距离和使所述定心台旋转的角度。

本发明优选的方式的特征在于，所述对准器具有：移动机构，使所述定心台沿着规定的偏移轴移动直到所述定心台的轴心与所述处理台的轴心的距离和所述偏心量相等；以及定心台旋转机构，使所述定心台旋转直到所述定心台上的所述基板的中心位于穿过所述处理台的轴心而与所述规定的偏移轴平行延伸的直线上。

本发明优选的方式的特征在于，所述移动机构和所述定心台旋转机构使所述定心台同时移动并旋转。

本发明优选的方式的特征在于，在所述处理台的轴心与所述定心台的轴心的距离比所述定心台的轴心与所述基板的中心的距离大的情况下，通过所述工作台升降机构使所述定心台下降而将所述基板从所述定心台传递给所述处理台，通过所述处理台旋转机构使所述处理台与所述基板一同旋转180度，然后通过所述工作台升降机构使所述定心台上升而将所述基板从所述处理台传递给所述定心台。

本发明优选的方式的特征在于，在与所述移动机构能够使所述定心台沿着所述规定的偏移轴移动的最大距离相比所述偏心量较大的情况下，所述对准器使所述定心台移动及旋转直到所述定心台上的所述基板的中心与所述处理台的轴心之间的距离成为最小。

本发明优选的方式的特征在于，所述对准器预先存储能够以最短的时间完成所述定心动作的所述定心台的移动方向，该移动方向是根据所述定心台的轴心、所述处理台的轴心、所述定心台上的所述基板的中心的位置关系而预先规定的。

本发明优选的方式的特征在于，所述对准器在所述定心动作中使所述定心台仅向一方向移动，并且使所述定心台仅向一方向旋转。

本发明的另一方式提供一种基板处理方法，利用定心台保持基板的下表面内的第1区域，取得保持在所述定心台上时的所述基板的中心从所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向，根据所述定心台的轴心相对于处理台的轴心的初始相对位置、所述偏心量、所述偏心方向，来计算为了使所述定心台上的所述基板的中心位于所述处理台的轴心上所需要的、使所述定心台移动的距离和使所述定心台旋转的角度，执行使所述定心台移动及旋转所述计算出的距离和角度的定心动作，利用所述处理台保持所述基板的下表面内的第2区域，并且使所述定心台从所述基板分离，使所述处理台以所述处理台的轴心为中心旋转并且处理所述基板。

本发明优选的方式的特征在于，所述定心动作包含如下动作：使所述定心台沿着规定的偏移轴移动直到所述定心台的轴心与所述处理台的轴心的距离与所述偏心量相等；以及使所述定心台旋转直到所述定心台上的所述基板的中心位于穿过所述处理台的轴心而与所述规定的偏移轴平行延伸的直线上。

本发明优选的方式的特征在于，同时进行使所述定心台沿着所述规定的偏移轴移动的动作以及使所述定心台旋转的动作。

本发明优选的方式的特征在于，在所述处理台的轴心与所述定心台的轴心的距离比所述定心台的轴心与所述基板的中心的距离大的情况下，使所述定心台下降而将所述基板从所述定心台传递给所述处理台，使所述处理台与所述基板一同旋转180度，然后使所述定心台上升而将所述基板从所述处理台传递给所述定心台。

本发明优选的方式的特征在于，在与能够使所述定心台沿着所述规定的偏移轴移动的最大距离相比所述偏心量较大的情况下，使所述定心台移动及旋转直到所述定心台上的所述基板的中心与所述处理台的轴心之间的距离成为最小。

本发明优选的方式的特征在于，使所述定心台移动的方向是能够以最短的时间完成所述定心动作的方向，所述定心台的移动的所述方向是根据所述定心台的轴心、所述处理台的轴心、所述定心台上的所述基板的中心的位置关系而预先规定的。

本发明优选的方式的特征在于，在所述定心动作中，所述定心台仅向一方向移动，并且所述定心台仅向一方向旋转。

发明效果

一般而言，为了要使用定心台而使基板的中心对准在处理台的轴心上，优选的是定心台的轴心与处理台的轴心完全一致。然而，由于研磨装置的各部件的组装精度或机械性的尺寸误差等理由，使定心台的轴心与处理台的轴心完全一致是极难的。根据本发明，即使在定心台的轴心与处理台的轴心不一致的条件下也能够进行基板的定心。即，根据定心台的轴心相对于处理台的轴心的初始相对位置和基板的中心从定心台的轴心的偏心量而计算应该使定心台移动的距离和应该使定心台旋转的角度。并且，在处理台保持基板的下表面的第2区域(特别是外周区域)之后，能够使定心台从基板分离。因此，能够以仅由处理台保持基板的下表面的第2区域的状态，不会使基板挠曲地处理基板。

附图说明

图1是表示研磨装置的示意图。

图2是表示晶片在旋转一圈的期间所取得的光量的图表。

图3是表示晶片在旋转一圈的期间所取得的光量的图表。

图4是表示设置有用于测定参照晶片的中心从处理台的轴心的偏心量和偏心方向的偏心检测部的研磨装置的示意图。

图5是表示参照晶片的中心从处理台的轴心的偏心量和偏心方向的图。

图6是表示将参照晶片从处理台传递给定心台的动作的图。

图7是表示使定心台与参照晶片一同上升的动作的图。

图8是表示测定参照晶片的中心从定心台的轴心的偏心量和偏心方向的动作的图。

图9是表示参照晶片的中心从定心台的轴心的偏心量和偏心方向的图。

图10是表示定心台的轴心、处理台的轴心以及参照晶片的中心的位置关系的图。

图11是表示定心台的轴心相对于处理台的轴心的初始相对位置的图。

图12是表示搬送机构的手部搬送研磨的晶片的动作的图。

图13是表示定心台保持晶片的动作的图。

图14是表示测定晶片的中心从定心台的轴心的偏心量和偏心方向的动作的图。

图15是表示处理台的轴心、定心台的轴心、晶片的中心的位置关系的图。

图16是表示使定心台沿着偏移轴移动由动作控制部计算出的距离的动作的图。

图17是表示使定心台与晶片一同旋转由动作控制部计算出的角度的动作的图。

图18是表示从定心台向处理台传递晶片的动作的图。

图19是表示晶片从定心台分离的动作的图。

图20是表示一边通过处理台使晶片旋转一边研磨晶片的动作的图。

图21是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第一示例的图。

图22是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第二示例的图。

图23是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第三示例的图。

图24是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第四示例的图。

图25是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第五示例的图。

图26是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第六示例的图。

图27是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第七示例的图。

图28是表示定心台的轴心、处理台的轴心、定心台上的晶片的中心的位置关系的第八示例的图。

图29是表示决定定心台的轴心、晶片的中心、处理台的轴心的当前的位置关系符合上述的8个示例中的哪个示例的流程图。

图30是表示处理台的轴心与定心台的轴心的距离比定心台的轴心与晶片的中心的距离大的状态的图。

图31是表示使处理台与晶片一同旋转180度后的处理台的轴心、定心台的轴心、晶片的中心的位置关系的图。

图32是表示使定心台沿着偏移轴移动的动作的图。

图33是表示使定心台旋转的动作的图。

图34是表示以定心台上的晶片的中心与处理台的轴心的距离最短的方式使定心台移动及旋转的动作的图。

图35是表示定心台的轴心与晶片的中心的距离比处理台的轴心与定心台的轴心的距离极度地长的情况的图。

图36是表示以定心台上的晶片的中心与处理台的轴心的距离最短的方式使定心台移动及旋转的动作的图。

图37(a)是表示在进行偏心检测动作后、且进行定心动作前的处理台的轴心、定心台的轴心、晶片的中心的位置关系的图，图37(b)是表示使定心台旋转到晶片中心位于直线HL上的状态的图，图37(c)是表示使定心台移动到晶片中心位于处理台的轴心上的状态的图。

图38是表示晶片在旋转一圈的期间所取得的光量的图表。

图39是表示以往的研磨装置的示意图。

图40是说明晶片的研磨宽度的图。

图41是表示具有定心手部的以往的研磨装置的示意图。

符号说明

1 研磨工具

5 研磨头

10 定心台

10a 第1基板保持面

15 第1真空线路

20 处理台

20a 第2基板保持面

25 第2真空线路

22 空间

30 支承轴

31 连结块

32 轴承

35 转矩传递机构

36 定心台旋转机构

38 旋转编码器

40 直动轴承

41 移动机构

42 台

43 支承臂

44 旋转接头

45 致动器

46 直动引导件

47 偏移电动机

48 偏心凸轮

49 凹部

51 工作台升降机构

55 转矩传递机构

56 处理台旋转机构

58 转动接头

59 旋转编码器

60 偏心检测部

61 投光部

62 受光部

65 处理部

69 横移动机构

70 偏心检测部

75 动作控制部

90 手部

M1、M2 电动机

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。以下说明的本发明的基板处理装置和基板处理方法的实施方式是研磨基板的周缘部的研磨装置和研磨方法。

图1是表示研磨装置的示意图。如图1所示，研磨装置具有保持作为基板的一例的晶片W的定心台10和处理台20。定心台10是用于进行晶片W的定心的工作台，处理台20是用于研磨晶片W的工作台。在晶片W的定心中，晶片W仅由定心台10保持，在晶片W的研磨中，晶片W仅由处理台20保持。

处理台20在其内部具有空间22，定心台10收纳在处理台20的空间22内。定心台10具有保持晶片W的下表面内的第1区域的第1基板保持面10a。处理台20具有保持晶片W的下表面内的第2区域的第2基板保持面20a。第1区域与第2区域是位于晶片W的下表面内的不同的位置的区域。在本实施方式中，第1基板保持面10a具有圆形的形状，构成为保持晶片W的下表面的中心侧区域。第2基板保持面20a具有环状的形状，构成为保持晶片W的下表面的外周区域。上述中心侧区域位于上述外周区域的内侧。本实施方式的中心侧区域为包含晶片W的中心点的圆形的区域，但只要位于上述外周区域的内侧，也可以是不包含晶片W的中心点的环状的部位。第2基板保持面20a被配置为包围第1基板保持面10a。环状的第2基板保持面20a的宽度例如为5mm～50mm。

定心台10经由轴承32与配置在其下方的支承轴30连结。轴承32固定于支承轴30的上端，旋转自如地支承定心台10。定心台10经由由滑轮和传送带等构成的转矩传递机构35而与电动机M1连接，定心台10以其轴心为中心旋转。电动机M1固定于连结块31。电动机M1和转矩传递机构35构成使定心台10以其轴心C1为中心旋转的定心台旋转机构36。旋转编码器38与电动机M1连结，定心台10的旋转角度由旋转编码器38测定。

在定心台10和支承轴30的内部设置有在其轴向上延伸的第1真空线路15。该第1真空线路15经由固定于支承轴30的下端的旋转接头44与真空源(未图示)连结。第1真空线路15的上端开口部位于第1基板保持面10a内。因此，如果在第1真空线路15内形成真空，则晶片W的中心侧区域通过真空吸引而保持在第1基板保持面10a上。

定心台10经由支承轴30与工作台升降机构51连结。工作台升降机构51配置在处理台20的下方，还与支承轴30连接。工作台升降机构51能够使支承轴30和定心台10一体地上升和下降。

定心台10与使定心台10沿着水平延伸的规定的偏移轴OS移动的移动机构41连结。定心台10由直动轴承40旋转自如地支承，该直动轴承40固定于连结块31。直动轴承40构成为允许定心台10的上下移动，并且旋转自如地支承定心台10。作为直动轴承40使用例如球形花键轴承。

移动机构41具有上述的连结块31、使定心台10在水平方向上移动的致动器45、以及将定心台10的水平移动限制为沿着上述偏移轴OS的水平移动的直动引导件46。该偏移轴OS为在直动引导件46的长度方向上延伸的想像的移动轴。在图1中偏移轴OS由箭头表示。

直动引导件46固定于台42。该台42固定于与研磨装置的框架等静止部件连接的支承臂43。连结块31被直动引导件46移动自如地支承在水平方向上。致动器45具有固定于台42的偏移电动机47、安装于该偏移电动机47的驱动轴的偏心凸轮48、以及形成于连结块31且用于收纳偏心凸轮48的凹部49。当偏移电动机47使偏心凸轮48旋转时，偏心凸轮48一边与凹部49接触一边使连结块31沿着偏移轴OS水平移动。

当致动器45进行动作时，定心台10以其移动方向被直动引导件46引导的状态沿着偏移轴OS水平移动。处理台20的位置被固定。移动机构41使定心台10相对于处理台20相对地水平移动，工作台升降机构51使定心台10相对于处理台20相对地在铅垂方向上移动。

定心台10、定心台旋转机构36以及移动机构41收纳在处理台20的空间22内。因此，能够使由定心台10和处理台20等构成的基板保持部结构紧凑。并且，处理台20能够在晶片W的研磨中保护定心台10不受供给到晶片W的表面的研磨液(纯水，药液等)干扰。

处理台20被未图示的轴承支承为能够旋转。处理台20经由由滑轮和传送带等构成的转矩传递机构55与电动机M2连接，处理台20以其轴心C2为中心旋转。旋转编码器59与电动机M2连结，处理台20的旋转角度由旋转编码器59测定。电动机M2和转矩传递机构55构成为使处理台20以其轴心C2为中心旋转的处理台旋转机构56。

处理台20的上表面构成环状的第2基板保持面20a。在处理台20内设置有多个第2真空线路25。该第2真空线路25经由转动接头58与真空源(未图示)连结。第2真空线路25的上端开口部位于第2基板保持面20a内。因此，如果在第2真空线路25内形成真空，则晶片W的下表面的外周区域通过真空吸引保持在第2基板保持面20a上。第2基板保持面20a具有与晶片W的直径相同或者比晶片W的直径小的外径。

在处理台20的第2基板保持面20a的上方配置有将研磨工具1按压在晶片W的周缘部的研磨头5。研磨头5构成为能够在铅垂方向和晶片W的半径方向上移动。在研磨工具1的下表面(研磨面)与晶片W的上表面平行的状态下，研磨头5通过使研磨工具1向下按压在旋转的晶片W的周缘部，而研磨晶片W的周缘部。作为研磨工具1使用研磨带或者磨石。

在处理台20的上方配置有测定保持在定心台10上的晶片W的中心从定心台10的轴心C1的偏心量的偏心检测部60。该偏心检测部60是光学式偏心传感器，具有发出光的投光部61、接受光的受光部62、以及根据由受光部62测定的光量决定晶片W的偏心量的处理部65。偏心检测部60与横移动机构69连结，偏心检测部60能够在与晶片W的周缘部接近和分离的方向上移动。

晶片W的偏心量以如下的方式被测定。使偏心检测部60接近晶片W的周缘部，直到晶片W的周缘部位于投光部61与受光部62之间。一边在该状态下使晶片W以定心台10的轴心C1为中心旋转，一边由投光部61朝向受光部62发出光。光的一部分被晶片W阻挡，光的其他的部分到达受光部62。

由受光部62测定的光量依赖于晶片W与定心台10的相对位置而变化。当晶片W的中心位于定心台10的轴心C1上时，如图2所示，晶片W在旋转一圈的期间所取得的光量被保持为规定的基准光量RD。相对于此，在晶片W的中心从定心台10的轴心C1偏移时，晶片W在旋转一圈的期间所取得的光量如图3所示那样根据晶片W的旋转角度而发生变化。

晶片W的偏心量与由受光部62测定的光量成反比例。换言之，光量最小的晶片W的角度为晶片W的偏心量最大的角度。上述的基准光量RD是对于具有基准直径(例如直径300.00mm)的基准晶片(基准基板)以其中心位于定心台10的轴心C1上的状态下测定得到的光量。该基准光量RD预先保存在处理部65中。此外，表示光量与晶片W从定心台10轴心C1的偏心量的关系的数据(表、关系式等)预先保存在处理部65中。与基准光量RD对应的偏心量为0。处理部65基于数据根据光量的测定值决定晶片W的偏心量。

偏心检测部60的处理部65与旋转编码器38连接，表示定心台10的旋转角度(即晶片W的旋转角度)的信号从旋转编码器38发送给处理部65。处理部65决定光量最小的晶片W的角度。该角度表示晶片W的中心从定心台10的轴心C1的偏心方向。这样，处理部65取得晶片W的中心从定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向。

另外，本实施方式的偏心检测部60是光学式偏心传感器，但也可以使用其他类型的偏心检测器。例如，也可以使用利用最小二乘法的公知的偏心检测器。该类型的偏心检测器构成为取得晶片的整个外周的图像，在晶片的外周上按照相等的角度间隔分布的多个坐标点的X坐标的平均值和Y坐标的平均值来决定晶片的中心，决定晶片的中心从定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向。

一般而言，为了使用定心台10而使晶片的中心对准在处理台20的轴心C2上，优选的是，使定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2完全一致。然而，由于研磨装置的各部件的组装精度或机械性的尺寸误差等理由，使定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2完全一致极其难。

因此，在本实施方式中，在定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2不一致的条件下进行晶片的定心动作。首先，作为定心动作的准备，定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置以如下的方式求出。

如图4所示，在研磨装置中设置有偏心检测部70，该偏心检测部70用于测定载置在处理台20上时的晶片的偏心向量、即晶片的中心从处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向。该偏心检测部70能够拆卸，在处理台20上的晶片的偏心测定结束之后被拆卸。作为该偏心检测部70，像上述那样使用利用最小二乘法的偏心检测器。

接着，如图4所示，参照晶片(或者参照基板)RW载置在处理台20上。该参照晶片RW可以是作为研磨对象的晶片，或者也可以是具有与研磨对象的晶片相同尺寸的其他的晶片。参照晶片RW像上述那样，通过真空吸引保持在处理台20的第2基板保持面20a上，在该状态下处理台20通过处理台旋转机构56(参照图1)与参照晶片RW一同旋转一圈。如图5所示，偏心检测部70像上述那样使用最小二乘法而计算参照晶片RW的中心RC从处理台20的轴心C2的偏心量和偏心方向，并决定偏心向量Pv'。偏心量是偏心向量Pv'的大小|Pv'|，相当于从处理台20的轴心C2到参照晶片RW的中心RC的距离。偏心方向被表示为穿过处理台20的轴心C2且从偏移轴OS垂直的角度基准线RL起的偏心向量Pv'的角度α。

在决定了偏心向量Pv'之后，如图6所示，定心台10上升直到定心台10的第1基板保持面10a与参照晶片RW的下表面的中心侧区域接触。在该状态下，在第1真空线路15中形成真空，由此参照晶片RW的下表面的中心侧区域通过真空吸引保持在定心台10上。然后，第2真空线路25向大气开放，参照晶片RW从处理台20释放。在参照晶片RW从处理台20传递给定心台10之后，定心台10与参照晶片RW一同上升直到参照晶片RW成为与偏心检测部60相同的高度。

如图8所示，定心台10与参照晶片RW一同以定心台10的轴心C1为中心旋转。偏心检测部60接近旋转的参照晶片RW，像上述那样测定参照晶片RW的中心RC从轴心C1的偏心量和偏心方向。如图9所示，决定参照晶片RW的中心RC从定心台10的轴心C1的偏心向量Pv。偏心量是偏心向量Pv的大小|Pv|，相当于从定心台10的轴心C1到参照晶片RW的中心RC的距离。偏心方向被表示为穿过定心台10的轴心C1且从与偏移轴OS垂直的角度基准线PL起的偏心向量Pv的角度β。图9所示的角度基准线PL和图5所示的角度基准线RL是相互平行的水平线。

偏心检测部60和偏心检测部70与图1所示的动作控制部75连接，特定偏心向量Pv'和偏心向量Pv的偏心量(|Pv'|，|Pv|)以及偏心方向(角度α，角度β)被发送给动作控制部75。动作控制部75根据偏心向量Pv'和偏心向量Pv计算定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置。

图10是表示偏心向量Pv'和偏心向量Pv的图。从处理台20传递到定心台10时的参照晶片RW的位置不发生变化。因此，图4所示的保持在处理台20上时的参照晶片RW的中心RC的位置与图8所示的保持在定心台10时的参照晶片RW的中心RC的位置相同。换言之，偏心向量Pv'的终点的位置与偏心向量Pv的终点的位置一致。

在图10中，定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置被表示为向量dv。该向量dv以如下的式求出。

dv＝Pv'－Pv (1)

如果将偏心向量Pv'和偏心向量Pv分别分解成角度基准线RL上的i方向的向量和与角度基准线RL垂直的j方向的向量，则偏心向量Pv'和偏心向量Pv能够分别以如下的方式表示。

Pv'＝(|Pv'|cosα)iv+(|Pv'|sinα)jv (2)

Pv＝(|Pv|cosβ)iv+(|Pv|sinβ)jv (3)

其中，|Pv'|表示参照晶片RW的中心RC从处理台20的轴心C2的偏心量，|Pv|表示参照晶片RW的中心RC从定心台10的轴心C1的偏心量，α表示偏心向量Pv'距角度基准线RL的角度，β表示偏心向量Pv距角度基准线PL的角度，iv表示i方向的向量，jv表示j方向的向量。

从图10可知，角度α表示参照晶片RW的中心RC从处理台20的轴心C2的偏心方向，角度β表示参照晶片RW的中心RC从定心台10的轴心C1的偏心方向。

根据上述式(2)和式(3)，以如下的方式求出表示定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置的向量dv。

dv＝Pv'－Pv

＝(|Pv'|cosα－|Pv|cosβ)iv+(|Pv'|sinα－|Pv|sinβ)jv

＝aiv+bjv (4)

a＝|Pv'|cosα－|Pv|cosβ (5)

b＝|Pv'|sinα－|Pv|sinβ (6)

θ＝tan^-1(b/a) (7)

如图11所示，定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置可以使用特定向量dv的要素a、b、θ来表示。像上述那样取得定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置(向量dv)。表示该初始相对位置的要素a、b、θ的各自的数值是研磨装置固有的数值。表示初始相对位置的要素a、b、θ的各自的数值存储于动作控制部75。

在像上述那样决定了定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置之后，作为研磨对象的晶片被搬送到研磨装置，由研磨装置研磨。定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置是源自研磨装置的构造的位置偏差。该位置偏差基本上不发生变化，但随着重复进行多个晶片的研磨，有时位置偏差发生变化。要想补正这样的位置偏差，以往需要进行机械性调整(即，基于作业员的手动作业的位置调整)，但根据本实施方式，如果进行上述的工序而再次计算初始相对位置，并且更新存储在动作控制部75中的表示初始相对位置的要素a、b、θ，则能够排除初始相对位置的变化的影响。这样根据本实施方式，由于不需要基于作业员的手动作业的位置调整，因此能够削减研磨装置的中断时间。

相对于此，晶片相对于处理台20的相对位置在研磨装置接收待研磨的晶片时不同。因此，在晶片的研磨前，以如下的方式进行晶片的定心。

如图12所示，定心台10被工作台升降机构51(参照图1)上升到上升位置。在该上升位置中，定心台10的第1基板保持面10a位于比处理台20的第2基板保持面20a高的位置。在该状态下，晶片W由搬送机构的手部90搬送，如图13所示，晶片W放置在定心台10的圆形的第1基板保持面10a上。在第1真空线路15中形成真空，由此磁场晶片W的下表面的中心侧区域通过真空吸引保持在第1基板保持面10a上。然后，如图14所示，搬送机构的手部90从研磨装置分离，定心台10以其轴心C1为中心旋转。偏心检测部60接近旋转的晶片W，以与参照晶片RW相同的方式决定晶片W的中心从定心台10的轴心C1的偏心量和偏心方向。

图15是表示处理台20的轴心C2、定心台10的轴心C1、晶片W的中心wf的位置关系的图。晶片W的中心wf从定心台10的轴心C1的偏心量由从定心台10的轴心C1到晶片W的中心wf的距离、即偏心向量Pv的大小|Pv|表示。晶片W的中心wf从定心台10的轴心C1的偏心方向由距角度基准线PL的偏心向量Pv的角度β表示。所决定的晶片W的偏心量(|Pv|)和偏心方向(角度β)被发送给动作控制部75。

动作控制部75根据定心台10的轴心C1相对于处理台20的轴心C2的初始相对位置和晶片W的偏心量|Pv|及偏心方向(角度β)来计算为了使晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上所需要的、使定心台10沿着偏移轴OS移动的距离和使定心台10旋转的角度。并且，移动机构41和定心台旋转机构36使定心台10移动及旋转到定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上。

图16是表示移动机构41使定心台10沿着偏移轴OS移动由动作控制部75计算出的距离的情形的图。如图16所示，移动机构41使定心台10沿着偏移轴OS水平移动直到定心台10的轴心C1与处理台20的轴心C2的距离和偏心量|Pv|相等。此外，如图17所示，定心台旋转机构36使定心台10与晶片W一同旋转由动作控制部75计算出的角度。更具体而言，定心台旋转机构36使定心台10旋转到定心台10上的晶片W的中心wf穿过处理台20的轴心C2而位于与偏移轴OS平行地延伸的直线HL上。

这样一来，能够通过定心台10沿着偏移轴OS的水平移动和定心台10的旋转，使定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上。在本实施方式中，用于执行使定心台10移动及旋转直到定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上的定心动作的对准器由定心台旋转机构36、移动机构41和动作控制部75构成。在一实施方式中，也可以先进行定心台10的旋转，接着进行使定心台10沿着偏移轴OS的移动。为了以更短时间完成定心动作，移动机构41和定心台旋转机构36也可以同时执行定心台10沿着偏移轴OS的水平移动和定心台10的旋转。

在上述的定心动作结束之后，如图18所示，使定心台10下降直到晶片W的下表面的外周区域与处理台20的第2基板保持面20a接触。在该状态下，在第2真空线路25中形成真空，由此晶片W的下表面的外周区域通过真空吸引保持在处理台20上。然后，第1真空线路15向大气开放，晶片W从定心台10释放。如图19所示，定心台10进一步下降到规定的下降位置，该第1基板保持面10a从晶片W分离。其结果为，晶片W仅由处理台20保持。

定心台10仅保持晶片W的下表面的中心侧区域，处理台20仅保持晶片W的下表面的外周区域。如果晶片W由定心台10和处理台20这双方同时地保持，则晶片W发生挠曲。这是因为定心台10的第1基板保持面10a存在于与处理台20的第2基板保持面20a同一水平面内的情况在机械性的定位精度的问题上非常难。根据本实施方式，在晶片W的研磨中，仅晶片W的下表面的外周区域由处理台20保持，定心台10从晶片W分离。因此，能够防止晶片W的挠曲。

如图20所示，处理台20以其轴心C2为中心旋转。由于晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上，因此晶片W绕其中心旋转。在该状态下，从未图示的研磨液供给喷嘴向晶片W上供给研磨液(例如，纯水或者浆料)。并且，在研磨工具1的下表面(研磨面)与晶片W的上表面平行的状态下，研磨头5使研磨工具1向下方按压于旋转的晶片W的周缘部，而研磨该周缘部。在晶片W的研磨中，由于晶片W的下表面的外周区域由处理台20保持，因此能够从研磨工具1的下方支撑研磨工具1的载荷。因此，能够防止研磨中的晶片W的挠曲。

研磨后的晶片W按照除了定心动作之外的相反的动作顺序从研磨装置取出。环状的第2基板保持面20a与吸附晶片的下表面整体的基板台相比，还具有在将研磨的晶片W从第2基板保持面20a分离时晶片W难以破裂这样的优点。

参照图16和图17进行说明的定心动作通过定心台10的水平移动及旋转而执行。该定心台10的水平移动的方向优选是使定心动作以最短的时间完成的方向。换言之，定心台10的水平移动的方向优选为向用于使晶片W的中心在处理台20的轴心C2上一致的移动距离最短的方向进行动作。使定心动作以最短的时间完成的定心台10的水平移动的方向是根据表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的以下的8个示例而决定的。

图21是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的第一示例的图。如图21所示，该第一示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a比0大(a＞0)，且角度β与角度θ的差为0度以上且小于180度的(0°≤β－θ＜180°)情况。在图21中，由0°≤β－θ＜180°所示的区域由阴影图案表示。在该第一示例中，定心台10向接近角度基准线RL的方向移动。

图22是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的第二示例的图。如图22所示，该第二示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a比0大(a＞0)，且角度β与角度θ的差为180度以上且小于360度(180°≤β－θ＜360°)的情况。在图22中，由180°≤β－θ＜360°表示的区域由阴影图案表示。在该第二示例中，定心台10向远离角度基准线RL的方向移动。

图23是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的第三示例的图。如图23所示，该第三示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a比0小(a＜0)，且角度β与角度θ的差为180度以上且小于360度(180°≤β－θ＜360°)的情况。在图23中，由180°≤β－θ＜360°表示的区域由阴影图案表示。在该第三示例中，定心台10向接近角度基准线RL的方向移动。

图24是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的第四示例的图。如图24所示，该第四示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a小于0(a＜0)，且角度β与角度θ的差为0度以上且小于180度(0°≤β－θ＜180°)的情况。在图24中，由0°≤β－θ＜180°表示的区域由阴影图案表示。在该第四示例中，定心台10向远离角度基准线RL的方向移动。

图25是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf位置关系的第五示例的图。如图25所示，该第五示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a为0(a＝0)，角度θ为90°(θ＝90°)，且角度β为0度以上且小于180度(0°≤β＜180°)的情况。在图25中，0°≤β＜180°的区域由阴影图案表示。在该第五示例中，定心台10向接近角度基准线RL方向移动。

图26是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的第六示例的图。如图26所示，该第六示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a为0(a＝0)，角度θ为90°(θ＝90°)，且角度β为180度以上且小于360度(180°≤β＜360°)的情况。在图26中，180°≤β＜360°的区域由阴影图案表示。在该第六示例中，定心台10向远离角度基准线RL的方向移动。

图27是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的第七示例的图。如图27所示，该第七示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a为0(a＝0)，角度θ为－90°(θ＝－90°)，且角度β为0度以上且小于180度的(0°≤β＜180°)情况。在图27中，0°≤β＜180°的区域由阴影图案表示。在该第七示例中，定心台10向远离角度基准线RL的方向移动。

图28是表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系的第八示例的图。如图28所示，该第八示例是向量dv的与角度基准线RL平行的成分的长度a为0(a＝0)，角度θ为－90°(θ＝－90°)，且角度β为180度以上且小于360度的(180°≤β＜360°)情况。在图28中，180°≤β＜360°的区域由阴影图案表示。在该第八示例中，定心台10向接近角度基准线RL的方向移动。

在上述的示例中，在计算出的β－θ的数值未进入0°～360°的范围的情况下，对β－θ加上360°的倍数。例如，如果在β－θ为－45°的情况下对β－θ加上360°×1，则β－θ为315°。如果在β－θ为726°的情况下对β－θ加上－360°×2，则β－θ为6°。

上述的8个示例表示定心台10的轴心C1、处理台20的轴心C2、定心台10上的晶片的中心wf的位置关系。并且，使定心动作以最短的时间完成的定心台10的水平移动的方向按照上述的8个示例预先规定，其水平移动的方向与8个示例相关联地预先存储于动作控制部75。在上述8个示例中，可以先进行定心台10沿着偏移轴OS的移动，接着进行定心台10的旋转，或者也可以先进行定心台10的旋转，接着进行定心台10沿着偏移轴OS的移动。也可以同时进行定心台10沿着偏移轴OS的移动和定心台10的旋转。

图29是决定定心台10的轴心C1、晶片W的中心wf、处理台20的轴心C2的当前的位置关系符合上述的8个示例中的哪个示例的流程图。动作控制部75使用图29所示的流程图，决定定心台10的轴心C1、晶片W的中心、处理台20的轴心C2的当前的位置关系符合8个示例中的哪个示例，使定心台10在由各个示例预先规定的方向上沿着偏移轴OS移动。通过根据这样的示例分类来决定定心台10的移动方向，而能够以最短的时间完成定心动作。

根据上述的定心动作，即使处理台20的轴心C2与定心台10的轴心C1分离，也能够使晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上。然而，如图30所示，处理台20的轴心C2与定心台10的轴心C1的距离比定心台10的轴心C1与晶片W的中心wf的距离大的情况下，无法使晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上。

因此，在这样的情况下，在将晶片W从定心台10临时传递到处理台20之后，使处理台20旋转180度。具体而言，像参照图18、图19说明的那样，使定心台10下降而将晶片W临时传递给处理台20，接着使保持着晶片W的处理台20旋转180度。然后，再次使定心台10上升而将晶片W从处理台20传递给定心台10。其结果为，如图31所示，处理台20的轴心C2与定心台10的轴心C1的距离比定心台10的轴心C1与晶片W的中心wf的距离短。因此，如图32和图33所示，能够通过定心台10沿着偏移轴OS的移动和定心台10的旋转的组合而使晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上。在该情况下，也可以先进行定心台10的旋转，接着进行定心台10沿着偏移轴OS的移动。也可以同时进行定心台10沿着偏移轴OS的移动和定心台10的旋转。

由图1所示的研磨工具1研磨的晶片W的部位的宽度(以下，将其称为研磨宽度)由研磨工具1相对于晶片W的相对性的位置决定。根据上述的实施方式，由于晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上，因此能够在晶片W的整个外周上使研磨宽度恒定。

像上述那样，在处理台20的轴心C2与定心台10的轴心C1的距离比定心台10的轴心C1与晶片W的中心的距离大的情况下，使处理台20与晶片W一同旋转180度，从而能够使晶片W的中心位于处理台20的轴心C2上。然而，根据所要求的产品晶片的规格有时不需要必须使晶片W的中心与处理台20的轴心C2完全一致。在这样的情况下，也可以移动及旋转定心台10，使得定心台10上的晶片W的中心与处理台20的轴心C2的距离最短。

图34是表示以定心台10上的晶片W的中心wf与处理台20的轴心C2的距离最短的方式使定心台10移动及旋转时的动作的图。如图34所示，使定心台10沿着偏移轴移动直到晶片W的中心wf位于角度基准轴RL上，进一步旋转定心台10直到晶片W的中心wf与处理台20的轴心C2的距离最短。能够通过这样的动作使定心台10上的晶片W的中心wf与处理台20的轴心C2的距离最短。

定心台10沿着偏移轴OS的移动由移动机构41执行。然而，该移动机构41必然存在能够使定心台10移动的机械性的极限。在晶片的定心动作所需要的定心台10的移动距离比能够使定心台10沿着偏移轴OS移动的最大距离长的情况下，也无法进行定心动作。例如，如图35所示，定心台10的轴心C1与晶片W的中心wf距离比处理台20的轴心C2与定心台10的轴心C1的距离极端长的情况下，晶片W的定心动作所需要的定心台10的移动距离有时比能够通过移动机构41使定心台10沿着偏移轴OS移动的最大距离长。在这样的情况下，如图36所示，优选以定心台10上的晶片W的中心wf与处理台20的轴心C2的距离最短的方式使定心台10移动及旋转。

像在此之前说明的那样，定心动作由移动机构41和定心台旋转机构36执行。具体而言，移动机构41和定心台旋转机构36使定心台10移动及旋转直到定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上。在定心动作中，移动机构41能够使定心台10沿着偏移轴OS向正方向和反方向这双方移动。同样，定心台旋转机构36能够在定心动作中使定心台10沿顺时针和逆时针这双方旋转。

然而，在移动机构41和定心台旋转机构36中存在齿隙。因此，如果在定心动作中，移动机构41使定心台10沿着偏移轴OS向正方向和反方向这双方移动，则有可能因移动机构41的齿隙引起定心精度降低。同样，如果在定心动作中定心台旋转机构36使定心台10沿顺时针和逆时针这双方旋转，则有可能因定心台旋转机构36的齿隙引起定心精度降低。

因此，在定心动作中，移动机构41优选使定心台10沿着偏移轴OS仅向一方向(即，仅正方向或者仅逆方向)移动。同样，定心台旋转机构36优选在定心动作中使定心台10仅向一方向(即，仅顺时针或者仅逆时针)旋转。由于相同的理由，在定心动作之前决定由偏心检测部60进行的晶片W的偏心量和偏心方向的动作(以下，称为偏心检测动作)时的定心台10和晶片W的旋转方向优选与定心动作中的定心台10和晶片W的旋转方向相同。

图37(a)是表示在进行了偏心检测动作之后且进行定心动作之前的处理台20的轴心C2、定心台10的轴心C1、晶片W的中心wf的位置关系的图。动作控制部75首先决定定心台10的轴心C1与晶片W的中心wf的距离、即晶片W的偏心量|Pv|是否为处理台20的轴心C2与定心台10的轴心C1的距离|dv|以下。如果在定心台10上的晶片W的偏心量|Pv|比距离|dv|小的情况下，执行参照图31至图33所说明的工序。

在晶片W的偏心量|Pv|为距离|dv|以上的情况下，动作控制部75计算出为使晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上所需要的、使定心台10沿着偏移轴OS移动的距离δ和使定心台10旋转的角度γ。并且，定心台旋转机构36和移动机构41执行定心动作。即，如图37(b)所示，定心台旋转机构36通过使定心台10仅向一方向旋转角度γ，而能够使定心台10上的晶片W的中心wf位于直线HL上。此外，如图37(c)所示，移动机构41通过使定心台10沿着偏移轴OS仅向一方向移动距离δ，而使定心台10上的晶片W的中心wf位于处理台20的轴心C2上。图37(b)所示的定心台10的旋转动作可以在图37(c)所示的定心台10的移动动作之后进行，或者也可以同时进行。能够通过这样的定心动作排除在移动机构41和定心台旋转机构36中存在的齿隙的影响。

关于晶片，其直径比规定的基准直径(例如，300.00mm)稍微大、或者小。如果每个晶片的直径不同，则研磨工具1相对于晶片的相对性的位置因晶片而不同，结果为每个晶片的研磨宽度会不同。为了防止这样的研磨宽度的偏差，而优选在研磨晶片前测定该晶片的直径。

图1所示的偏心检测部60构成为能够测定晶片的直径。如图38所示，由于具有比规定的基准直径(例如，300.00mm)稍微大的直径(例如，300.10mm)的晶片在旋转一圈的期间所取得的光量的平均值D1的光量整体上稍微降低，因此比基准光量RD小。由于具有比基准直径稍微小的直径(例如，299.90mm)的晶片在旋转一圈的期间所取得的光量的平均值D2的光量整体上稍微增加，因此比基准光量RD大。

基准光量RD与所测定的光量的平均值的差异对应于基准直径与定心台10上的晶片W的实际的直径的差异。因此，处理部65能够根据基准光量RD与所测定的平均光量的差异而决定定心台10上的晶片W的实际的直径。

像上述那样，由于偏心检测部60能够测定晶片W的直径，因此能够根据直径的测定值准确地调整研磨宽度。换言之，由于能够准确地取得晶片W的最外周的边缘部的位置，因此能够根据晶片W的最外周的边缘部的位置而调整研磨工具1相对于晶片W的相对位置。结果为，研磨工具1能够以期望的研磨宽度研磨晶片W的周缘部。

上述的研磨装置是本发明的基板处理装置的一实施方式，但本发明的基板处理装置和基板处理方法也可以应用于保持基板并且处理基板的其他的装置和方法、例如用于CVD的装置和方法、用于溅镀的装置和方法等。

上述的实施方式的记载目的为，使本领域的技术人员能够实施本发明。本领域的技术人员当然能够实施上述实施方式的各种变形例，本发明的技术思想也能够应用于其他的实施方式。因此，本发明不限于记载的实施方式，能够解释为基于专利请求的范围所定义的技术思想的最大范围。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

定心台，保持基板的下表面内的第1区域；

处理台，保持所述基板的下表面内的第2区域；

工作台升降机构，使所述定心台在比所述处理台高的上升位置与比所述处理台低的下降位置之间移动；

处理台旋转机构，使所述处理台以所述处理台的轴心为中心旋转；

偏心检测部，取得保持在所述定心台上时的所述基板的中心从所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向；以及

对准器，执行使所述定心台移动及旋转直到所述定心台上的所述基板的中心位于所述处理台的轴心上的定心动作，

所述对准器根据所述定心台的轴心相对于所述处理台的轴心的初始相对位置、所述偏心量以及所述偏心方向，来计算使所述定心台移动的距离和使所述定心台旋转的角度。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述对准器具有：

移动机构，使所述定心台沿着规定的偏移轴移动直到所述定心台的轴心与所述处理台的轴心的距离和所述偏心量相等；以及

定心台旋转机构，使所述定心台旋转直到所述定心台上的所述基板的中心位于穿过所述处理台的轴心而与所述规定的偏移轴平行延伸的直线上。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述移动机构和所述定心台旋转机构使所述定心台同时移动并旋转。

4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述处理台的轴心与所述定心台的轴心的距离比所述定心台的轴心与所述基板的中心的距离大的情况下，通过所述工作台升降机构使所述定心台下降而将所述基板从所述定心台传递给所述处理台，通过所述处理台旋转机构使所述处理台与所述基板一同旋转180度，然后通过所述工作台升降机构使所述定心台上升而将所述基板从所述处理台传递给所述定心台。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

在与所述移动机构能够使所述定心台沿着所述规定的偏移轴移动的最大距离相比所述偏心量较大的情况下，所述对准器使所述定心台移动及旋转直到所述定心台上的所述基板的中心与所述处理台的轴心之间的距离成为最小。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述对准器预先存储能够以最短的时间完成所述定心动作的所述定心台的移动方向，该移动方向是根据所述定心台的轴心、所述处理台的轴心、所述定心台上的所述基板的中心的位置关系而预先规定的。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述对准器在所述定心动作中使所述定心台仅向一方向移动，并且使所述定心台仅向一方向旋转。

8.一种基板处理方法，其特征在于，

利用定心台保持基板的下表面内的第1区域，

取得保持在所述定心台上时的所述基板的中心从所述定心台的轴心的偏心量和偏心方向，

根据所述定心台的轴心相对于处理台的轴心的初始相对位置、所述偏心量、所述偏心方向，来计算为了使所述定心台上的所述基板的中心位于所述处理台的轴心上所需要的、使所述定心台移动的距离和使所述定心台旋转的角度，

执行使所述定心台移动及旋转所述计算出的距离和角度的定心动作，

利用所述处理台保持所述基板的下表面内的第2区域，并且使所述定心台从所述基板分离，

使所述处理台以所述处理台的轴心为中心旋转并且处理所述基板。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

所述定心动作包含如下动作：

使所述定心台沿着规定的偏移轴移动直到所述定心台的轴心与所述处理台的轴心的距离和所述偏心量相等；以及

使所述定心台旋转直到所述定心台上的所述基板的中心位于穿过所述处理台的轴心而与所述规定的偏移轴平行延伸的直线上。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，

同时进行使所述定心台沿着所述规定的偏移轴移动的动作以及使所述定心台旋转的动作。

11.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述处理台的轴心与所述定心台的轴心的距离比所述定心台的轴心与所述基板的中心的距离大的情况下，使所述定心台下降而将所述基板从所述定心台传递给所述处理台，使所述处理台与所述基板一同旋转180度，然后使所述定心台上升而将所述基板从所述处理台传递给所述定心台。

12.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，

在与能够使所述定心台沿着所述规定的偏移轴移动的最大距离相比所述偏心量较大的情况下，使所述定心台移动及旋转直到所述定心台上的所述基板的中心与所述处理台的轴心之间的距离成为最小。

13.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

使所述定心台移动的方向是能够以最短的时间完成所述定心动作的方向，

所述定心台的移动的所述方向是根据所述定心台的轴心、所述处理台的轴心、所述定心台上的所述基板的中心的位置关系而预先规定的。

14.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述定心动作中，所述定心台仅向一方向移动，并且所述定心台仅向一方向旋转。