CN106018367A - 一种抗干扰装置及原子荧光分析仪 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种抗干扰装置，包括设置在原子荧光分析仪的检测室内的用于吸收非荧光信号的光阱结构，所述光阱结构的另一端靠所述检测室的中心设置。本申请还提供一种原子荧光分析仪，该原子荧光分析仪采用了上述抗干扰装置。本申请提供的原子荧光分析仪抗干扰装置，能够有效吸收原子荧光分析仪内各种非信号光，消除检测室内各种反射光对检测器的干扰，提高原子荧光分析仪的信噪比。

Description

一种抗干扰装置及原子荧光分析仪

技术领域

本申请涉及原子荧光分析技术领域，涉及一种抗干扰装置，本申请还涉及一种原子荧光分析仪。

背景技术

原子荧光分析仪，是利用原子荧光谱线的波长和强度进行物质的定性与定量分析的设备。原子蒸气吸收特征波长的辐射后，原子激发到高能级，激发态原子接着以辐射方式去活化，由高能级跃迁到较低能级的过程中所发射的光称为原子荧光。当激发光源停止照射之后，发射荧光的过程随即停止。

现有的原子荧光分析仪对物质进行分析时，为了避免非荧光信号对分析结果的干扰，在检测室上设置有盖体，盖体用于阻挡外来光进入检测室内，且在检测室设置反光镜或者遮光板来消除检测室内的反射光，以降低外来光对荧光信号的干扰。

然而，现有的原子荧光分析仪采用设置反光镜或者遮光板来消除检测室内的反射光，但是依然有部分光会几经反射后进入光传感器中，或者照射到原子蒸气中，产生非正常荧光，不能有效消除干扰，所以光传感器接受到的荧光信号容易受到反射光干扰，导致分析稳定性差，信噪比不理想。其中，信噪比是指设备中信号与噪声的比例，而噪声是指经过该设备后产生的原信号中并不存在的无规则的额外信号。原子荧光分析仪的信噪比，直接决定仪器的灵敏度。

因此，在现有技术的基础上，提高原子荧光分析仪的抗干扰能力以及提高信噪比，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种抗干扰装置，能够有效吸收原子荧光分析仪内各种非信号光，消除检测器内各种反射光对检测器的干扰，提高原子荧光分析仪的信噪比。

本发明提供的技术方案如下：

一种抗干扰装置，其特征在于，设置在原子荧光分析仪的检测室内的用于吸收非荧光信号的光阱结构，所述光阱结构的一端靠所述检测室的内壁设置，所述光阱结构的另一端靠所述检测室的中心设置。

优选地，所述光阱包括本体，所述本体设置在所述检测室的内壁上，所述本体的表面设置有亚光层。

优选地，在所述亚光层为表面发黑的阳极氧化亚光层。

优选地，两相邻所述光阱结构靠所述检测室中心处的间距小于靠所述检测室内壁处的间距。

优选地，所述抗干扰装置还包括安装件，所述光阱结构固定安装在所述安装件上，所述安装件与所述检测室内壁连接。

优选地，所述安装件卡接在所述检测室内。

优选地，在所述安装件为圆环，所述光阱结构均匀安装在所述圆环的内壁上，所述圆环卡接在所述检测室内，且所述圆环的外壁部分或者全部与所述检测室的内壁接触。

优选地，在所述检测室内壁上设置有凸台，所述安装件置于所述凸台上。

优选地，在所述安装件上设置有第一开口与第二开口，所述第一开口用于容纳所述原子荧光分析仪的光源，所述第二开口用于容纳所述原子荧光分析仪的检测器。

一种原子荧光分析仪，其特征在于，所述原子荧光分析仪采用了上述任意一项所述的抗干扰装置。

本发明提供的抗干扰装置，由于在原子荧光分析仪的检测室内设置有光阱结构，光阱结构一端设置靠检测室的内壁设置，另一端靠检测室的中心设置，如此光阱结构占据检测室内的大部分空间，且由于光阱结构能够对检测室内的非荧光信号进行吸收，因此，能够有效消除检测室内各种反射光对检测器的干扰，提高原子荧光分析仪的信噪比。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的抗干扰装置安装在未带盖体的原子荧光分析仪上的示意图；

图2为本发明实施例提供的抗干扰装置的立体结构示意图；

图3为本发明实施例提供的原子荧光分析仪的俯视图；

图4为图3的A-A视图；

图5为安装件与检测室另一种连接方式的示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

请如图1至图5所示，本发明实施例提供一种抗干扰装置，包括设置在原子荧光分析仪的检测室1内的用于吸收非荧光信号的光阱结构2，光阱结构2的一端靠检测室1的内壁设置，光阱结构2的另一端靠检测室1的中心设置。。

本发明实施例提供的抗干扰装置，由于在原子荧光分析仪的检测室1内设置有光阱结构2，光阱结构2的一端靠检测室1的内壁设置，另一端靠检测室1的中心设置，如此，光阱结构2占据检测室1的大部分空间内，且，由于光阱结构2能够对检测室1内的非荧光进行吸收，因此，当对待检测物质进行分析检测时，原子蒸气通过检测室1的中心位置8处竖直送出，光源4发出光照射在原子蒸气上，原子蒸气吸收特征波长的辐射后，原子激发到高能级，激发态原子接着以辐射方式去活化，由高能级跃迁到较低能级的过程中所发射的原子荧光，检测器5检测原子荧光，在此过程中，光阱结构2的设置能够有效消除检测室1内各种反射光对检测器5的干扰，提高原子荧光分析仪的信噪比，从而提高原子荧光分析仪的灵敏度。

本发明实施例中的光阱结构2包括本体，本体设置在检测室1的内壁上，本体的表面设置有亚光层。由于在本体的表面设置有亚光层，光到接触亚光层后，不会产生镜面反射，只会发生漫反射；又由于光阱结构2的一端设置在检测室1的内壁上，另一端靠检测室1的中心设置，因此，光阱结构2之间光的入口较小，检测室1内部的非荧光经过光阱结构2的多次漫反射后，不断衰减，不会再有光反射出来，如此，进入到检测器5内的荧光信号更加的纯，提高了原子荧光分析仪的信噪比。

其中，为了使得光阱结构2吸光的效果更加好，本发明实施例中光阱结构2表面的亚光层优选采用发黑阳极氧化亚光层。由于黑色不反射光，因此，光阱结构2表面的亚光层采用发黑阳极氧化亚光层，使得光阱结构2不仅能够对非荧光进行多次漫反射，不断衰减，且能够吸收非荧光，因此，对非荧光具有很好的吸收效果，以使得进入到检测器5内的荧光信号更加的纯，进一步提高了原子荧光分析仪的信噪比。

作为一种优先，两相邻光阱结构2靠检测室1中心处的间距小于靠检测室1的内壁处的间距。在该结构下，非荧光信号进入两相邻光阱结构2之间时，使得非荧光信号不会从两相邻光阱结构2之间反射出来，提高了光阱结构2吸收非荧光信号的效果。

本实施例中，本体靠检测室1中心位置的宽度小于靠检测室1内壁一端的宽度。其中，需要说明的是，单个光阱结构2的本体的上表面与下表面的形状一致，此处所述的宽度具体是指，单个光阱结构2的本体的上表面或者下表面与于检测室1的径向相垂直的尺寸。光阱结构2的本体靠检测室1中心的一端的宽度小于靠检测室1内壁的宽度，使得相邻光阱结构2之间靠近检测室1中心的一端的间隙较大，便于非荧光进入相邻两光阱结构2之间的空间。

本发明实施例提供的抗干扰装置还包括安装件3，安装件3用于将光阱结构2安装在检测室1的内壁上。其具体为，光阱结构2固定安装在安装件3上，安装件3与检测室1内壁连接，以实现将光阱结构2固定安装在检测室1的内壁上。

其中，安装件3与检测室1的内壁的连接为，安装件3卡接在检测室1内，即，安装件3在检测室1内壁的约束作用下实现与检测室1内壁的连接；或者，如图5所示的，在检测室1内壁上设置有凸台9，安装件3置于凸台9上。当光阱结构2通过安装件3安装在检测室1内后，通过盖体7将检测室1封闭。

本发明实施例中的安装件3与检测室1的横向截面的形状相适应。由于检测室1一般为圆筒结构，因此，本发明实施例中的安装件3为圆环结构，光阱结构2均匀安装在圆环的内壁上，圆环卡接在检测室1内，且圆环的外壁部分或者全部与检测室1的内壁接触。安装件3的设置，通过检测人员动构即能快速实现光阱结构2的安装与更换，安装与维护方便。当然，检测室1的横向截面也可以为矩形、多边形或者其他不规则形状。

其中，光阱结构2与圆环为一体结构。

在检测室1内一般设置有光源4与检测器5，由于为了使得光阱结构2对非荧光吸收效果较好，光阱结构2充占据检测室1内的大部分空间，因此，安装件3在安装的过程中，必然受光源4与检测器5位置的影响。为了解决该问题，本发明实施例中，在安装件3上设置有第一开口61与第二开口62，请如图1、图2所示，图1为抗干扰装置安装在原子荧光分析仪上的示意图，图2为抗干扰装置反向放置的立体结构示意图，第一开口61用于容纳原子荧光分析仪的光源4、，，第二开口62用于容纳原子荧光分析仪的检测器5。且在光源4的上方不设置光阱结构2，在光电倍增管5的上方也不设置光阱结构2。

本发明实施例还提供了一种原子荧光分析仪，该原子荧光分析仪采用了上述抗干扰装置。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种抗干扰装置，其特征在于，包括设置在原子荧光分析仪的检测室内的用于吸收非荧光信号的光阱结构，所述光阱结构的一端靠所述检测室的内壁设置，所述光阱结构的另一端靠所述检测室的中心设置。

2.根据权利要求1所述的抗干扰装置，其特征在于，所述光阱结构包括本体，所述本体设置在所述检测室的内壁上，所述本体的表面设置有亚光层。

3.根据权利要求2所述的抗干扰装置，其特征在于，在所述亚光层为表面发黑的阳极氧化亚光层。

4.根据权利要求2所述的抗干扰装置，其特征在于，两相邻所述光阱结构靠所述检测室中心处的间距小于靠所述检测室内壁处的间距。

5.根据权利要求2所述的抗干扰装置，其特征在于，所述抗干扰装置还包括安装件，所述光阱结构固定安装在所述安装件上，所述安装件与所述检测室内壁连接。

6.根据权利要求5所述的抗干扰装置，其特征在于，所述安装件卡接在所述检测室内。

7.根据权利要求5所述的抗干扰装置，其特征在于，在所述检测室内壁上设置有凸台，所述安装件置于所述凸台上。

8.根据权利要求6所述的抗干扰装置，其特征在于，在所述安装件上设置有第一开口与第二开口，所述第一开口用于容纳所述原子荧光分析仪的光源，所述第二开口用于容纳所述原子荧光分析仪的检测器。

9.一种原子荧光分析仪，其特征在于，所述原子荧光分析仪采用了如权利要求1至8任意一项所述的抗干扰装置。