CN106012026A - 一种用于led晶片制作的退火装置 - Google Patents

一种用于led晶片制作的退火装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106012026A
CN106012026A CN201610633164.7A CN201610633164A CN106012026A CN 106012026 A CN106012026 A CN 106012026A CN 201610633164 A CN201610633164 A CN 201610633164A CN 106012026 A CN106012026 A CN 106012026A
Authority
CN
China
Prior art keywords
annealing
annealing furnace
nitrogen
oxygen
led wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610633164.7A
Other languages
English (en)
Inventor
汪锐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201610633164.7A priority Critical patent/CN106012026A/zh
Publication of CN106012026A publication Critical patent/CN106012026A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02Heat treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/005Oxydation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于LED晶片制作的退火装置,包括圆筒状的退火炉,所述退火炉下面设有鼓风机,底部水平设有若干根加热管,所述加热管上方水平设有隔离网,所述退火炉一侧通过氮气管道连接有氮气供应装置,另一侧通过氧气管道连接有氧气供应装置。进行LED晶片退火时,将LED晶片置于隔离网上,打开氮气控制阀和出气口,通一段时间氮气后,将退火炉中的空气赶出退火炉外,再关闭氮气控制阀和出气口,打开氧气控制阀、加热管开关和鼓风机开关。本发明结构简单,操作方便,且退火效果好。

Description

一种用于LED晶片制作的退火装置
技术领域
本发明涉及一种退火装置,特别涉及一种用于LED晶片制作的退火装置。
背景技术
退火是将金属迅速加热到一定温度,保持足够的时间,然后以适宜的速度冷却的一种金属热处理工艺,目的是使经过铸造、锻轧、焊接或切削加工的材料或工件软化,改善塑性和韧性,使化学成分均匀化,去除残余应力,或得到预期的物理性能。LED晶片退火过程为退火炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500摄氏度,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层,但是现有的退火装置结构复杂,操作不便。为此,我们提出一种用于LED晶片制作的退火装置。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种用于LED晶片制作的退火装置,结构简单,操作方便,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种用于LED晶片制作的退火装置,包括圆筒状的退火炉,所述退火炉下面设有鼓风机,底部水平设有若干根加热管,所述加热管上方水平设有隔离网,所述退火炉一侧通过氮气管道连接有氮气供应装置,另一侧通过氧气管道连接有氧气供应装置。
进一步的,所述退火炉上设有出气口,顶部设有密封盖,所述出气口和密封盖上均设有锁扣。
进一步的,所述退火炉一侧设有氮气入口,另一侧设有氧气入口。
进一步的,所述氮气管道和氧气管道上分别设有氮气控制阀和氧气控制阀。
进一步的,所述隔离网为惰性金属网。
进一步的,所述密封盖与退火炉连接处设有密封圈。
进一步的,所述加热管为红外加热管。
进行LED晶片退火时,将LED晶片置于隔离网上,打开氮气控制阀和出气口,通一段时间氮气后,将退火炉中的空气赶出退火炉外,再关闭氮气控制阀和出气口,打开氧气控制阀、加热管开关和鼓风机开关。本发明结构简单,操作方便,且退火效果好。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图;
图2为本发明退火炉的剖视图。
图中:1、退火炉;2、鼓风机;3、出风口;4、氮气供应装置;5、氮气控制阀;6、氮气管道;7、锁扣;8、密封盖;9、氧气管道;10、氧气控制阀;11、氧气供应装置;12、隔离网;13、氮气入口;14、氧气入口;15、加热管;16、密封圈。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
如图1和2所示,一种用于LED晶片制作的退火装置,包括圆筒状的退火炉,所述退火炉下面设有鼓风机,底部水平设有若干根加热管,所述加热管上方水平设有隔离网,所述退火炉一侧通过氮气管道连接有氮气供应装置,另一侧通过氧气管道连接有氧气供应装置。
优选的,所述退火炉上设有出气口,将空气排除退火炉外,顶部设有密封盖,退火时防止氧气逸出退火炉外,所述出气口和密封盖上均设有锁扣,退火时将出风口和密封盖锁紧。
优选的,所述退火炉一侧设有氮气入口,另一侧设有氧气入口,保证氮气和氧气通入退火炉。
优选的,所述氮气管道和氧气管道上分别设有氮气控制阀和氧气控制阀,控制氮气和氧气的通入。
优选的,所述隔离网为惰性金属网,避免与氧气发生反应消耗氧气,造成氧气的浪费。
优选的,所述密封盖与退火炉连接处设有密封圈,增加密封性,防止氧气逸出退火炉。
优选的,所述加热管为红外加热管,红外加热管升温迅速,省电、寿命长。
以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例,毋庸置疑,对于本领域的普通技术人员,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此,上述附图和描述在本质上是说明性的,不应理解为对本发明权利要求保护范围的限制。

Claims (7)

1.一种用于LED晶片制作的退火装置,包括圆筒状的退火炉,其特征在于:所述退火炉下面设有鼓风机,底部水平设有若干根加热管,所述加热管上方水平设有隔离网,所述退火炉一侧通过氮气管道连接有氮气供应装置,另一侧通过氧气管道连接有氧气供应装置。
2.根据权利要求1所述的一种用于LED晶片制作的退火装置,其特征在于:所述退火炉上设有出气口,顶部设有密封盖,所述出气口和密封盖上均设有锁扣。
3.根据权利要求1所述的一种用于LED晶片制作的退火装置,其特征在于:所述退火炉一侧设有氮气入口,另一侧设有氧气入口。
4.根据权利要求1所述的一种用于LED晶片制作的退火装置,其特征在于:所述氮气管道和氧气管道上分别设有氮气控制阀和氧气控制阀。
5.根据权利要求1所述的一种用于LED晶片制作的退火装置,其特征在于:所述隔离网为惰性金属网。
6.根据权利要求2所述的一种用于LED晶片制作的退火装置,其特征在于:所述密封盖与退火炉连接处设有密封圈。
7.根据权利要求1所述的一种用于LED晶片制作的退火装置,其特征在于:所述加热管为红外加热管。
CN201610633164.7A 2016-08-04 2016-08-04 一种用于led晶片制作的退火装置 Pending CN106012026A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610633164.7A CN106012026A (zh) 2016-08-04 2016-08-04 一种用于led晶片制作的退火装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610633164.7A CN106012026A (zh) 2016-08-04 2016-08-04 一种用于led晶片制作的退火装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106012026A true CN106012026A (zh) 2016-10-12

Family

ID=57133738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610633164.7A Pending CN106012026A (zh) 2016-08-04 2016-08-04 一种用于led晶片制作的退火装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106012026A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204290A (zh) * 2017-04-06 2017-09-26 扬州乾照光电有限公司 一种led晶圆快速退火炉的校温方法
CN113284824A (zh) * 2021-05-14 2021-08-20 襄阳市赛龙机械有限公司 非球面氮气退火炉

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201382675Y (zh) * 2008-12-17 2010-01-13 北京七星华创电子股份有限公司 300mm立式氧化炉炉体
CN103390552A (zh) * 2012-05-08 2013-11-13 中国科学院微电子研究所 一种退火系统
CN204224744U (zh) * 2014-11-18 2015-03-25 天津中环领先材料技术有限公司 一种用于硅晶圆片薄膜制备的退火炉
CN104916740A (zh) * 2015-05-27 2015-09-16 上海大族新能源科技有限公司 退火氧化设备
CN205313612U (zh) * 2015-12-10 2016-06-15 俞扬池 多层退火炉

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201382675Y (zh) * 2008-12-17 2010-01-13 北京七星华创电子股份有限公司 300mm立式氧化炉炉体
CN103390552A (zh) * 2012-05-08 2013-11-13 中国科学院微电子研究所 一种退火系统
CN204224744U (zh) * 2014-11-18 2015-03-25 天津中环领先材料技术有限公司 一种用于硅晶圆片薄膜制备的退火炉
CN104916740A (zh) * 2015-05-27 2015-09-16 上海大族新能源科技有限公司 退火氧化设备
CN205313612U (zh) * 2015-12-10 2016-06-15 俞扬池 多层退火炉

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204290A (zh) * 2017-04-06 2017-09-26 扬州乾照光电有限公司 一种led晶圆快速退火炉的校温方法
CN107204290B (zh) * 2017-04-06 2019-08-27 扬州乾照光电有限公司 一种led晶圆快速退火炉的校温方法
CN113284824A (zh) * 2021-05-14 2021-08-20 襄阳市赛龙机械有限公司 非球面氮气退火炉

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101046349B (zh) 洁净烘箱
CN106012026A (zh) 一种用于led晶片制作的退火装置
CN101565809B (zh) 井式气体渗碳炉及工装工艺的改进
CN105593394A (zh) 钢构件的氮化处理方法
CN102297583A (zh) 一种蒸汽氧化井式炉
CN202066356U (zh) 立式开启式管式炉
CN105274458A (zh) 铜排退火工艺
CN202177295U (zh) 一种蒸汽氧化井式炉
CN207391482U (zh) 一种自带降温系统的取向硅钢用退火炉
CN102492812B (zh) 一种树脂薄膜密封保护水介质真空直接水淬热处理的设备
CN202519307U (zh) 双层密封非标准罩式炉
CN205856551U (zh) 一种高温罩式炉保护气进排气装置
CN109097530A (zh) 抽真空深冷回火炉及其深冷回火处理方法
CN106834631A (zh) 真空淬火管式炉及淬火方法
CN211575845U (zh) 一种鼓风式氧化焙烧马弗炉
CN108020090A (zh) 管式炉的物料进取料装置和管式炉以及煤气化的方法
CN206986233U (zh) 不锈钢真空光亮热处理炉
CN207501654U (zh) 一种热处理炉
JP2012515263A5 (zh)
CN203464715U (zh) 一种尾气强排式气氛炉
CN204138746U (zh) 金属工件氮化炉
CN217202921U (zh) 一种密封箱式气体渗碳淬火炉
CN102534180A (zh) 双层密封非标准罩式炉
CN202482390U (zh) 底部加热非标准罩式炉
CN202543262U (zh) 一种树脂薄膜密封保护水介质真空直接水淬热处理的设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161012