CN105990371A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种显示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一显示介质层。第一基板包括一底板、一栅极、一有源层、一源极与一漏极及一遮蔽结构。栅极设置于底板上，有源层与栅极电性绝缘且对应设置，源极与漏极电连接有源层，遮蔽结构位于有源层上，并覆盖至少部分的有源层。遮蔽结构包括一金属层及一抗反射结构，抗反射结构直接接触金属层。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及一种显示面板，且特别是涉及一种具有高开口率的显示面板。

背景技术

随着显示技术的快速发展，不论面板尺寸大小，高分辨率(即相同尺寸下被要求更高像素)的显示器以逐渐成为市场主流，其能够处理数位讯号，并显示更多的画面细节。

然而，当分辨率越高，往往会牺牲像素的开口率。在此，开口率是指除去每个像素的配线部、晶体管部之后，光的穿透面积与每个像素的整体面积之间的比例。开口率越高，光线通过部分的面积越大，光穿透的效率就越高。在现有技术中，薄膜晶体管(Thin Film transistor,TFT)基板/彩色滤光片(ColorFilter,CF)基板进行对组时，虽然可根据对位标记进行对准，但是，基板上的诸多元件在对组过程中会出现大小变化、旋转、变形等问题，如此一来，这些元件的对组精度往往无法控制，进而影响到产品的开口率。

因此，如何维持显示面板的对组精度，且兼顾高的开口率，以达到显示器省电节能的目的，实为本领域积极研究的目标。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板，通过在基板上设置一金属层与抗反射结构，可缩小遮光矩阵的面积，有效提升显示面板的开口率。

根据本发明，提出一种显示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一显示介质层。第一基板包括一底板、一栅极、一有源层、一源极与一漏极及一遮蔽结构。栅极设置于底板上，有源层与栅极电性绝缘且对应设置，源极与漏极电连接有源层，遮蔽结构位于有源层上，并覆盖至少部分的有源层。遮蔽结构包括一金属层及一抗反射结构，抗反射结构直接接触金属层。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A为本发明第一实施例的显示面板的部分剖视图；

图1B为本发明第一实施例的显示面板的部分俯视图；

图2A～图2C为本发明的遮蔽层的不同实施例的示意图；

图3A为本发明第二实施例的显示面板的部分剖视图；

图3B为本发明第二实施例的显示面板的部分俯视图；

图4为本发明第三实施例的显示面板的部分剖视图；

图5A为本发明第四实施例的显示面板的部分剖视图；

图5B为本发明第四实施例的显示面板的部分俯视图；

图6为本发明第五实施例的显示面板的部分剖视图；

图7A～图7C为以固定厚度的铝-铜的氮化物(Al-Cu-N)/不同厚度的氧化铟锌(IZO)，对于不同波长光线的反射率的量测结果的示意图；

图8为铝(Al)以及铝-钕(Al-Nd)合金，对于不同波长光线的反射率的量测结果的示意图。

符号说明

1、2、3、4、5：显示面板

101、102、103：第一基板

10：底板

21：栅极

21G：栅极线

22：源极

22D：数据线

23：漏极

27：贯孔

30：有源层

40：栅极绝缘层

50：遮蔽结构

500：金属层

501：抗反射结构

502：侧壁

51：第一抗反射层

52：第二抗反射层

502：边缘倾斜处

61：第一保护层

62：第二保护层

63：平坦层

71：第一电极

72：第二电极

200、201：第二基板

80：底板

81：彩色滤光片

82、82’：遮光矩阵

82-1：第一遮光部

82-2：第二遮光部

82-2(T)：条状部

82-2(P)：凸出部

86：平坦层

300：显示介质层

90：间隔物

L1、L2、L3：光线

R1、R2、R3：反射光

M1、M2：介质

A-A’、B-B’、C-C’：剖线面

X、Y、Z：坐标轴

具体实施方式

以下是参照所附的附图详细叙述本发明的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制，因此并非作为限缩本发明保护范围之用。

本发明实施例的显示面板可包括一第一基板、一第二基板以及一显示介质层。第二基板与第一基板相对设置，显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。举例来说，第一基板可例如为一薄膜晶体管基板，第二基板可例如为一彩色滤光片基板，显示介质层可例如为一液晶层，但本发明并未限定于此。

在本发明实施例中，第一基板可包括一底板、一栅极、一有源层、一源极与一漏极及一遮蔽结构。栅极设置于底板上，有源层与栅极电性绝缘且对应设置，源极与漏极电连接有源层，遮蔽结构位于有源层上且覆盖至少部分的有源层。遮蔽结构包括一金属层与一抗反射结构，抗反射结构直接接触金属层。

以下以第一至第五实施例，详细叙述本发明的显示面板的不同实施方式。

第一实施例

图1A绘示本发明第一实施例的显示面板1的部分剖视图。图1B绘示本发明第一实施例的显示面板1的部分俯视图。在此，图1A为沿着图1B的A-A’剖面线所绘示的显示面板1的剖面示意图。

如图1A、图1B所示，显示面板1可包括一第一基板101、一第二基板200以及一显示介质层300。第二基板200与第一基板101相对设置，显示介质层300设置于第一基板101与第二基板200之间。显示介质层300中的显示介质，例如可为液晶或有机发光层。此外，显示面板1也可包括间隔物90，设置于第一基板101与第二基板200之间。

本发明第一实施例的第一基板101包括一底板10、一栅极21、一有源层30、一源极22与一漏极23、一栅极绝缘层40及一遮蔽结构50。栅极21、有源层30、源极22、漏极23与栅极绝缘层40构成一晶体管。栅极21设置于底板10上，有源层30与栅极21对应设置，源极22与漏极23电连接有源层30。有源层30与栅极21可为电性绝缘且相对设置，例如此实施例中，栅极绝缘层40设置于栅极21与有源层30之间。

在本实施例中，底板10可例如为一玻璃基板或一可挠式基板(例如塑胶)。有源层30可为一非晶硅(a-Si)层、一多晶硅层或一金属氧化物层。适用于有源层的金属氧化物层，例如可为氧化铟镓锌(indium gallium zincoxide,IGZO)层。此外，遮蔽结构50为一两层或多层结构。

图2A～图2C绘示本发明的遮蔽结构50的不同实施例。遮蔽结构50可包括一金属层500与一抗反射结构501，抗反射结构501可设置于金属层500上方，并直接接触金属层500。光线经由抗反射结构501产生的反射光与经由金属层500产生的反射光会进行破坏性干涉，降低遮蔽层50的整体反射率。

举例来说，如图2A所示，光线L1由介质M1进入介质M2时会折射成为光线L2，同时在介质M1、M2的界面产生反射光R1，光线L2由介质M2进入抗反射结构501时会折射成为光线L3，同时在介质M2与抗反射结构501的界面产生反射光R2，光线L3经由金属层500的反射会产生反射光R3。在此，介质M1例如为空气，介质M2例如为玻璃。抗反射结构501的折射率与金属层500的折射率为不同，使得在抗反射结构501的界面所产生的反射光R2与在金属层500的界面所产生的反射光R3产生光程差，而造成非建设性干涉(或破坏性干涉)。抗反射结构501的折射率可为大于或小于金属层500的折射率。

本发明实施例中，金属层500的材料可选自由铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、铁(Fe)、钕(Nd)、其合金、及其混合物所组成的群组。亦即，金属层500可为前述金属、前述金属的合金、或前述金属及前述合金的混合物。举例来说，当金属层500为合金时，可例如为铝合金、镍合金或铜合金。

抗反射结构501的材料可选自由一金属氧化物、一金属氮化物、一金属合金氧化物、一金属合金氮化物、及其混合物所组成的族群。例如，抗反射结构可包括氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)。

再者，抗反射结构501的材料所包括的金属，可与金属层500所包括的金属为相同金属。例如，抗反射结构501可为金属层500的材料的氧化物或氮化物，并且，可通过使金属层500进行氧化或氮化，而形成抗反射结构。具体而言，当金属层500为铝，抗反射结构501可为铝的氧化物或氮化物。又例如，当金属层500为合金，抗反射结构501可为此合金的氧化物、此合金的氮化物、此合金的氧化物、或此合金的氮化物。具体而言，当金属层500为铝镍合金，抗反射结构501可为铝镍合金的氧化物或氮化物。当金属层500为铝铜合金，抗反射结构501可为铝铜合金的氧化物或氮化物。

如图2B所示，抗反射结构501设置于金属层500的上方，且抗反射结构501可完全覆盖金属层500，并且覆盖金属层500的侧壁502。这样的结构能有效避免金属层500的倾斜(taper)的侧壁502反射率过高的问题。

此外，抗反射结构501也可为一两层或多层结构。举例来说，如图2C所示，抗反射结构501可包括一第一抗反射层51与一第二抗反射层52，第一抗反射层51与第二抗反射层52分别设置于金属层500的两侧。在本实施例中，第一抗反射层51位于金属层500的上侧，可降低来自显示面板1外部的自然光反射，第二抗反射层52位于金属层500的位于下侧，可降低来自背光模块(未绘示)的光源反射。在此，上侧可表示接近第二基板200的出光侧，下侧可表示远离此出光侧的另一侧。

然而，本发明并未限定抗反射结构501的层数，也就是说，抗反射结构501可包括更多的抗反射层。抗反射结构501可位于金属层500的上侧或下侧，或者可同时位于金属的上侧及下侧。并且，抗反射结构501的层数并没有限制。当抗反射结构501包括多层抗反射层时，以多层抗反射层位于金属层500的上侧为例，多层抗射层中的每一层的折射率n值并没有一定限制，例如，n值可为朝向出光侧而渐渐变大或渐渐变小。或者，n值也可是大/小/大/小…交错排列。

在本发明第一实施例中，第一基板101还可包括一第一保护层61、一第一电极71及一第二电极72。第一保护层61位于有源层30与遮蔽结构50之间，第一电极71接触漏极23，第二电极72设置于第一保护层61上。此外，遮蔽结构50可具有如图2C所绘示的结构，也就是说，遮蔽结构50的抗反射结构501(第二抗反射层52)可直接接触第一保护层61。金属层500与抗反射结构501能有效遮蔽有源层30。

第一电极71与第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌。在本实施例中，第一电极71可例如为一像素电极(pixel electrode)层，第二电极72可例如为一共用电极(common electrode)层。如图1B所示，第二电极72可例如为一栅状。

此外，图1B绘示栅极线(gate line)21G与数据线(data line)22D，图1A的栅极21连接于图1B的栅极线21G，图1A的源极22连接于图1B数据线22D。

本发明实施例的第二基板200可例如为一彩色滤光片基板，包括一底板80、一彩色滤光片81、一遮光矩阵82及一平坦层86。平坦层86可为有机透明平坦层。遮光矩阵82包括多个第一遮光部82-1及多个第一开口部83，多个第一遮光部82-1间隔设置并沿一第一方向(Y方向)沿伸，且第一开口部83由第一遮光部82-1所曝露出。举例来说，图1B绘示第二基板200的其中两个第一遮光部82-1，而第一开口部83位于两个第一遮光部82-1之间。

由于遮蔽结构50(包括金属层500与抗反射结构501)已遮蔽有源层30，遮光矩阵82可仅用以防止相邻像素间的混光。因此，有源层30在第二基板200上的垂直投影，至少部分位于第一开口部83中，也就是说，以平面图透视观察有源层30与遮光矩阵82的位置关系，遮光矩阵82的第一开口部83可曝露出至少部分的有源层30。亦即，此实施例的遮光矩阵82可不需要在一第二方向上(图中为X方向)遮蔽有源层30。或者，遮光矩阵82在第二方向上可遮蔽部分的有源层，而不需要遮蔽全部的有源层(第二方向不同于第一方向，图中为X方向，此实施例中，第二方向为垂直于第一方向)。因此，此结构能有效降低遮光矩阵82的面积，增加显示面板1的开口率。

第二实施例

图3A绘示本发明第二实施例的显示面板2的部分剖视图。图3B绘示本发明第二实施例的显示面板2的部分俯视图。在此，图3A为沿着图3B的B-B’剖面线所绘示的显示面板2的剖面示意图。要注意的是，为了更清楚说明显示面板2的结构，图3B的部分俯视图省略部分元件，例如数据线22D、栅极线21G等结构。

类似于第一实施例，显示面板2可包括一第一基板102、一第二基板200以及一显示介质层300。第二基板200与第一基板102相对设置，显示介质层300设置于第一基板102与第二基板200之间。此外，显示面板2也可包括间隔物90，设置于第一基板102与第二基板200之间。与第一实施例的显示面板1不同之处，在于第二实施例的第一基板102的结构。

本发明第二实施例的第一基板102包括一底板10、一栅极21、一有源层30、一源极22与一漏极23、一栅极绝缘层40及一遮蔽结构50。栅极21设置于底板10上，有源层30与栅极21电性绝缘且相对设置，源极22与漏极23电连接有源层30，栅极绝缘层40设置于栅极21与有源层30之间。

第一基板102还可包括一第一保护层61、一第一电极71及一第二电极72。第一保护层61位于有源层30与遮蔽结构50之间，第一导电层71接触漏极23。此外，遮蔽结构50可具有如图2C所绘示的结构，也就是说，遮蔽结构50的抗反射结构501(第二抗反射层52)可直接接触第一保护层61。金属层500与抗反射结构501能有效遮蔽有源层30。

如图3A所示，第一基板102还包括一第二保护层62与一平坦层63。平坦层63位于第一保护层61上。在本实施例中，平坦层63可例如设置于第一保护层61与第二电极72之间，且平坦层63可例如包括有机材料，能有效将第二电极72与第一基板102中的其他元件(例如：有源层30)绝缘。第二保护层62设置于平坦层63上，且部分的第二保护层62介于第一电极71与第二电极72之间。

如图3A所示，第一基板102可包括一贯孔(via)27，贯孔27贯穿平坦层63和第一保护层61，以曝露漏极23的一表面。至少部分第一电极71位于贯孔27内，使第一电极71可电连接漏极23的表面。也就是说，第一电极71可沿着贯孔27而设置于第二保护层62、漏极23及平坦层63的表面，并直接接触漏极23。

第一电极71与第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌。在本实施例中，第一电极71可例如为一像素电极(pixel electrode)层，第二电极72可例如为一共用电极(common electrode)层。如图3B所示，第一电极71可例如为一栅状。

类似地，本发明实施例的第二基板200可例如为一彩色滤光片基板，包括一底板80、一彩色滤光片81、一遮光矩阵82及一平坦层86。平坦层86可为有机透明平坦层。如图3B所示，遮光矩阵82包括多个第一遮光部82-1及多个第一开口部83，多个第一遮光部82-1间隔设置并沿一第一方向(Y方向)沿伸，且第一开口部83由第一遮光部82-1所曝露出。

此外，由于遮蔽结构50(包括金属层500与抗反射结构501)已遮蔽有源层30，遮光矩阵82可仅用以防止相邻像素间的混光，因此，有源层30在第二基板200上的垂直投影，至少部分位于第一开口部83中，也就是说，以平面图透视观察有源层30与遮光矩阵82的位置关系，遮光矩阵82的第一开口部83可曝露出至少部分的有源层30。亦即，此实施例的遮光矩阵82可不需要在X方向上遮蔽有源层30。或者，遮光矩阵82在X方向上可遮蔽部分的有源层30，而不需要遮蔽全部的有源层30。因此，此结构能有效降低遮光矩阵82的面积，增加显示面板2的开口率。

第三实施例

图4绘示本发明第三实施例的显示面板3的部分剖视图。本发明第三实施例的显示面板3的俯视图类似于第二实施例，因此可直接参照图3B所绘示的结构。

类似于第二实施例，显示面板3可包括一第一基板103、一第二基板200以及一显示介质层300。第二基板200与第一基板103相对设置，显示介质层300设置于第一基板103与第二基板200之间。此外，显示面板3也可包括间隔物90，设置于第一基板103与第二基板200之间。与第二实施例的显示面板2不同之处，在于第一基板103的遮蔽结构50。

在本实施例中，遮蔽结构50可具有如图2B所绘示的结构，也就是说，遮蔽结构50的抗反射结构501设置于金属层500的上方，且完全覆盖金属层500。此外，遮蔽结构50的金属层500直接接触第二电极72。

由于第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌，因此，第二电极72可作为遮蔽结构50的另一层抗反射结构，也就是说，本实施例的抗反射结构可包括一电极(即第二电极72)，通过将金属层500直接接触第二导电层72，可有效降低金属层500的反射率。在此，位于金属层500上方的抗反射结构501可降低来自显示面板3外部的自然光反射，第二电极72可降低来自背光模块(未绘示)的光源反射。

在本发明实施例中，遮蔽结构50可包括金属层500、位于金属层500上侧的第一抗反射层51及位于金属层500下侧的第二抗反射层52(见图2C)。第一抗反射层51可包括金属合金的氮化物和透明导电层，第二抗反射层52可包括透明导电层。例如，具体的遮蔽结构50可为ITO/AlCu/AlCuN/ITO的叠层，其中的ITO为透明导电层，且可与像素电极或共同电极为共用，例如，可与第二电极72为共用。

类似地，如图4所示，第一基板103可包括一贯孔27，贯孔27贯穿平坦层63和第一保护层61，以曝露漏极23的一表面。至少部分第一电极71位于贯孔27内，使第一电极71可电连接漏极23的表面。也就是说，第一电极71可沿着贯孔27设置于第二保护层62、漏极23及平坦层63的表面，并直接接触漏极23。

本发明第三实施例的第二基板200的结构类似于第一、第二实施例，在此不多加赘述。

第四实施例

图5A绘示本发明第四实施例的显示面板4的部分剖视图。图5B绘示本发明第四实施例的显示面板4的部分俯视图。在此，图5A为沿着图5B的C-C’剖面线所绘示的显示面板4的剖面示意图。要注意的是，为了更清楚说明显示面板4的结构，图5B的部分俯视图省略部分元件，例如数据线22D、栅极线21G等结构。

类似于第二实施例，显示面板4可包括一第一基板102、一第二基板201以及一显示介质层300。第二基板201与第一基板102相对设置，显示介质层300设置于第一基板102与第二基板201之间。此外，显示面板4也可包括间隔物90，设置于第一基板102与第二基板201之间。与第二实施例的显示面板2不同之处，在于第四实施例的第二基板201的结构。

由于贯孔27的存在，部分液晶有可能位于贯孔27中，产生液晶运转异常的现象。因此，在本实施中，可利用遮光矩阵82’遮蔽贯孔27，避免上述现象影响显示品质。

在本实施例中，第二基板201可例如为一彩色滤光片基板，包括一底板80、一彩色滤光片81、一遮光矩阵82’及一平坦层86。平坦层86可为有机透明平坦层。遮光矩阵82’包括多个第一遮光部82-1、多个第二遮光部82-2及多个第二开口部84。第一遮光部82-1间隔设置且沿一第一方向沿伸，第二遮光部82-2沿一第二方向沿伸，第一方向和第二方向为不同。在本实施例中，第一方向例如为Y方向，第二方向例如为X方向，且第二开口部84由第一遮光部82-1和第二遮光部82-2曝露出。

举例来说，图5B绘示两个第一遮光部82-1与两个第二遮光部82-2，两个第一遮光部82-1与两个第二遮光部82-2的中间的区域即为第二开口部84。此外，第二遮光部82-2的至少一者可具有一条状部82-2(T)和一凸出部82-2(P)，凸出部82-2(P)由条状部82-2(T)的一侧边凸出。

在本实施例中，遮光矩阵82’设置于贯孔27上，凸出部82-2(P)可遮蔽贯孔27，且第一基板102的有源层30在第二基板201上的垂直投影，至少部分位于第二开口部84中。也就是说，以平面图透视观察有源层30与遮光矩阵82’的位置关系，遮光矩阵82’的第二开口部84可曝露出至少部分的有源层30。

此外，遮光矩阵82’的第一遮光部82-1可用以防止相邻像素间的混光，第二遮光部82-2可用以遮蔽贯孔27。由于遮蔽结构50(包括金属层500与抗反射结构501)已遮蔽有源层30，此实施例的遮光矩阵82’仅用以防止相邻像素间的混光且对应遮蔽贯孔27，在X方向上可遮蔽部分的有源层30，而不需要遮蔽全部的有源层30。因此，能有效降低遮光矩阵82’的面积，增加显示面板4的开口率。

第五实施例

图6绘示本发明第五实施例的显示面板5的部分剖视图。本发明第五实施例的显示面板5的俯视图类似于第四实施例，因此可直接参照图5B所绘示的结构。

在本实施例中，遮蔽层50可具有如图2B所绘示的结构，也就是说，遮蔽结构50的抗反射结构501设置于金属层500的上方，且完全覆盖金属层。此外，如图6所示，遮蔽层50(的金属层500)可直接接触第二电极72。

由于第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌，因此，第二电极72可作为金属层500的另一层抗反射结构，也就是说，通过将金属层500直接接触第二电极72，可有效降低金属层500的反射率。

本发明第五实施例也可包括第二基板201，第二基板201例如为一彩色滤光片基板，可包括一底板80、一彩色滤光片81、一遮光矩阵82’及一平坦层86。平坦层86可为有机透明平坦层。遮光矩阵82’设置于贯孔27上，且可包括第一遮光部82-1与第二遮光部82-2。第一遮光部82-1可用以防止相邻像素间的混光，第二遮光部82-2的凸出部82-2(P)可用以遮蔽贯孔27。由于接触第二电极72的遮蔽结构50(包括金属层500与抗反射结构501)已遮蔽有源层30，遮光矩阵82’仅用以防止相邻像素间的混光且对应遮蔽贯孔27，在X方向上可遮蔽部分的有源层30，而不需要遮蔽全部的有源层30。因此，能有效降低遮光矩阵82’的面积，增加显示面板5的开口率。

本发明的遮蔽结构50可用来遮蔽晶体管中的有源层30，因此，对侧基板上的遮光矩阵82、82’可不需用来遮蔽有源层30，或者只需要遮蔽部分的有源层30。因此，遮光矩阵82、82’的面积可得以减少，而增加显示面板的开口率。虽然以上实施例以边界电场切换型液晶显示器(fringe field switchingliquid crystal display,FFS LCD))为例，但本发明并不限限定于此。本发明适用于具有晶体管的所有类型显示面板，例如LCD面板及OLED面板。可应用的LCD面板，除了边界电场切换型液晶显示器之外，也包括扭转向列型(twisted nematic,TN)LCD，以及平面切换型(in-plane switching,IPS)LCD、垂直配向型(vertical alignment,VA)LCD等等，但不以此为限。

再者，本发明各实施例的显示面板以金属层500搭配抗反射结构501对有源层30进行遮蔽，这是由于金属本身反射率太高，可能无法有效遮蔽，因此通过抗反射结构501降低光的反射，使金属层500搭配抗反射结构501达到良好的遮蔽效果。以下以铝-铜的氮化物/氧化铟锌(IZO)为抗反射结构501的一实施例，量测其对于不同波长光线的反射率。

图7A～图7C绘示遮光结构为铝钕合金/铝-铜的氮化物/氧化铟锌(AlNd/AlCuN/IZO)，对于不同波长光线的反射率的量测结果。图7A于铝-铜的氮化物的厚度为且氧化铟锌厚度分别为下，搭配偏光片(polarizer)量测不同波长光线的反射率。图7B于铝-铜的氮化物的厚度为且氧化铟锌厚度分别为下，搭配偏光片量测不同波长光线的反射率。图7C于铝-铜的氮化物的厚度为且氧化铟锌厚度分别为下，搭配偏光片量测不同波长光线的反射率。

图8绘示以厚度为的铝(Al)以及铝-钕(Al-Nd)合金，对于不同波长光线的反射率的量测结果。

比较图7A～图7C与图8的结果，可明显看出无论在何种厚度组合下，铝钕合金/铝-铜的氮化物/氧化铟锌对于不同波长光线的反射率都明显低于铝或铝-钕合金对于不同波长光线的反射率。也就是说，通过铝-铜的氮化物/氧化铟锌作为抗反射结构501，能有效降低光的反射，使金属层500搭配抗反射结构501达到良好的遮蔽效果。

承上述实施例，本发明的显示面板可通过在基板上设置一金属层与抗反射结构，缩小遮光矩阵的面积，有效提升显示面板的开口率，达到显示器省电节能的目的。

虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：

第一基板，包括：

底板；

栅极，设置于该底板上；

有源层，与该栅极电性绝缘且对应设置；

源极与漏极，电连接该有源层；及

遮蔽结构，位于该有源层上，该遮蔽结构覆盖至少部分的该有源层，该遮蔽结构包括金属层及抗反射结构，该抗反射结构直接接触该金属层；

第二基板；以及

显示介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间。

2.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一基板还包括：

第一保护层，位于该有源层和该遮蔽结构之间。

3.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二基板包括遮光矩阵，该遮光矩阵包括：

多个第一遮光部；及

多个第一开口部，由该些第一遮光部曝露出，

其中该些第一遮光部间隔设置且沿一第一方向沿伸，且该有源层在该第二基板上的垂直投影，至少部分位于该第一开口部中。

4.如权利要求2所述的显示面板，其中该第一基板还包括：

平坦层，位于该第一保护层上。

5.如权利要求4所述的显示面板，其中该第一基板还包括：

贯孔，贯穿该平坦层和该第一保护层，以曝露该漏极的一表面；

第一电极，该第一电极的至少部分位于该贯孔内，以使该第一电极电连接该漏极的该表面。

6.如权利要求5所述的显示面板，其中该第二基板包括遮光矩阵，该遮光矩阵包括：

多个第一遮光部；

多个第二遮光部；及

多个第二开口部，由该些第一遮光部和该些第二遮光部曝露出，

其中该些第一遮光部间隔设置且沿该一第一方向沿伸，该些第二遮光部沿一第二方向沿伸，该第一方向和该第二方向为不同，该第二遮光部的至少一者具有一条状部和一凸出部，该凸出部由该条状部的一侧边凸出，该凸出部遮蔽该贯孔，且该有源层在该第二基板上的垂直投影，至少部分位于该第二开口部中。

7.如权利要求4所述的显示面板，其中该抗反射结构包括电极。

8.如权利要求7所述的显示面板，其中该抗反射结构的材料包括氧化铟锡、或氧化铟锌。

9.如权利要求1所述的显示面板，其中该金属层的材料为择自由铝、钼、铬、镍、铜、铁、钕、其合金、及其混合物所组成的族群中。

10.如权利要求1所述的显示面板，其中该抗反射结构的材料为择自由一金属氧化物、一金属氮化物、一金属合金氧化物、一金属合金氮化物、及其混合物所组成的族群中。