CN105987807A - 一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法 - Google Patents

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CN105987807A CN201510082926.4A CN201510082926A CN105987807A CN 105987807 A CN105987807 A CN 105987807A CN 201510082926 A CN201510082926 A CN 201510082926A CN 105987807 A CN105987807 A CN 105987807A
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张扣文
鲁丁
李强
余梦璐
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Abstract

一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,包括:一镜头装置,用于增大一VCSEL阵列成像距离;一图像采集装置,用于采集所述VCSEL阵列成像;和一分析判断装置,用于分析判断所述图像采集装置采集的所述VCSEL阵列成像的信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,包括如下步骤:(A)提供一镜头装置,设置于一VCSEL阵列的发光单元前方位置,使得所述VCSEL阵列的成像距离增大;(B)提供一图像采集装置,采集所述VCSEL阵列通过所述镜头装置的成像;和(C)提供一分析判断装置,分析所述图像采集装置采集的所述VCSEL阵列成像信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。

Description

一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法
技术领域
本发明涉及一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法,更进一步,涉及一种应用于投影模组的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法。
背景技术
VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser垂直腔面发射激光器)是一种新型半导体激光器,具有单纵模运行、圆截面出射光、易于构成二维阵列以及适于在线晶片级测试等优越性能,被广泛应用于各个不同领域,如,在投影模组中的应用。
VCSEL阵列在生产工艺过程中,不可避免的造成坏点,会引起模组的局部区域无光照,影响投影模组的功能,需要在使用之前挑选出来。其中,坏点是指不随电流电压变化,始终呈现统一亮度的像素点,表现为暗点。也就是说,当存在坏点的VCSEL阵列应用于投影模组时,会使得投影模组由于部分区域接收不到VCSEL发生的激光的照射,从而影响投影模组的成像。
基于VCSEL阵列生产工艺过程中出现的问题,因此,VCSEL阵列坏点检测成为VCSEL应用于投影模组之前必须进行的过程。而VCSEL阵列检测的方式以及检测的准确性决定应用于投影模组的VCSEL阵列的好坏,从而影响整个投影模组的光学性能。
而在现有技术中,主要应用的测试低功率VCSEL阵列的坏点方法主要是,通过给低功率VCSEL阵列通低电压和低电流,改变电压和电流条件,进而通过人眼观察通电之后的VCSEL阵列的发光或者说成像情况,如果看到VCSEL阵列的某些位置亮度出现不随电压电流的改变而发生变化的情况,那么这些位置就是坏点位置,从而可以筛选出存在坏点的VCSEL阵列。
从整个工艺过程可以看到,现有技术所采用的人工检测方法,存在诸多不利因素。
首先,由于激光的发散角小以及垂直腔面激光发射器阵列的发光单元之间的间距较小,因此要通过观察分辨不同的阵列点的发光情况,会相对困难或者分辨不清。相对来说,这种方法适于存在较大面积连续的阵列坏点的情况,这种情况下,可以相对容易辨别出是否存在坏点。而当只存在个别的坏点时,可能仅仅通过人眼很难观察到,这就导致检测过程中的准确率下降。
其次,当人眼长期直接面对光源,目光长时间集中于一个地方时,很容易造成视觉疲劳。在这种不可避免的情况下,同一个工作人员的检测准确率也会下降,可能使得原本可以检测出的存在坏点的阵列,因为视觉疲劳而未被检测出。
第三,在投影模组中应用的VCSEL阵列每一个都必须经过阵列坏点检测这一道工序,也就是说,坏点检测必定是一个长期而数量巨大的工作。因此在这样固定而重复的工作过程中,人工检测的方式,很明显的存在问题之一是效率较低。
第四,人眼长期直接面对光源,容易损伤人眼,这对于这种需要批量、长期进行的工序来说,对于工作人员并不是一个良好的工作环境。而在自动化如此先进的科技条件下,更应该考虑如何用机器去替代人工的操作,解放劳动力。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种垂直腔面激光发生器阵列的坏点检测系统及方法,其通过机器检测阵列坏点的方式代替的人眼观察检测的方式。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面激光发生器阵列的坏点检测系统及方法,其中,一镜头装置使得VCSEL阵列成像距离增大。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面激光发生器阵列的坏点检测系统及方法,其中,一图像采集装置能够采集VCSEL阵列的成像,代替了人眼观察的检测方式。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面激光发生器阵列的坏点检测系统及方法,其中,一分析判断装置能够准确的分析所述图像采集装置的图像信息,判断VCSEL是否存在坏点,提高检测的准确率。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法,其中,一偏振装置调节VCSEL阵列的激光强度,防止所述图像采集装置的感光芯片过曝。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法,其中,所述偏振装置可以调节VCSEL阵列的激光强度,适于各种能量分布的VCSEL阵列。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法,通过图像采集装置和所述分析判断装置采集判断VCSEL阵列的坏点,实现批量化检测,提高工作效率。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法,通过所述分析判断装置快速记录VCSEL阵列的能量分布情况。
本发明的另一目的在于提供一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法,通过机器检测代替人工操作,节省了劳动力。
为了实现以上发明目的,本发明提供一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,包括:
一镜头装置,用于增大一VCSEL阵列成像距离;
一图像采集装置,用于采集所述VCSEL阵列成像;和
一分析判断装置,用于分析判断所述图像采集装置采集的所述VCSEL阵列成像的信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。
为了实现以上发明目的,本发明还提供一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,包括如下步骤:
(A)提供一镜头装置,设置于一VCSEL阵列的发光单元前方位置,使得所述VCSEL阵列的成像距离增大;
(B)提供一图像采集装置,采集所述VCSEL阵列通过所述镜头装置的成像;和
(C)提供一分析判断装置,分析所述图像采集装置采集的所述VCSEL阵列成像信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,进一步包括一偏振装置,设置于所述镜头装置光线入射方向。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述镜头装置的镜头孔径略大于所述VCSEL阵列的发光面积。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,进一步包括一承载装置,用于提供所述VCSEL测试条件,所述承载装置设于所述偏振装置下方。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述两个偏振片可旋转的设置于所述透镜装置和所述承载装置之间。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,进一步包括一支撑主体和一调节装置,所述调节装置安装于所述支撑主体,所述承载装置连接于调节装置。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述调节装置包括一X轴调节器,一Y轴调节器和一Z轴调节器,所述承载装置连接于所述X轴调节器和所述Y轴调节器,所述图像采集装置连接于所述Z轴调节器。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述图像采集装置包括一感光芯片,用于采集所述VCSEL阵列的成像。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述承载装置包括一供电工装和一散热工装。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述偏振装置为两个偏振片。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,进一步包括步骤:(D)提供一偏振装置,设置于所述镜头装置光线入射方向,调节所述VCSEL阵列激光强度。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤(A)中,所述镜头装置的镜头孔径略大于所述VCSEL阵列的发光面积。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤(A)进一步包括步骤:(A1)提供一承载装置,用于承载所述VCSEL阵列,使得所述VCSEL阵列发光。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述两个偏振片可旋转的设置于所述透镜装置和所述承载装置之间。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤:
(B1)提供一支撑主体和一调节装置,调节所述承载装置和所述图像采集装置;
(B2)调节所述承载装置,使得所述VCSEL阵列清晰成像于所述图像采集装置;
(B3)调节所述偏振装置,使得所述VCSEL阵列的激光强度适宜,防止所述感光芯片的过曝。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述调节装置包括一X轴调节器,一Y轴调节器和一Z轴调节器,所述承载装置连接于所述X轴调节器和所述Y轴调节器,所述图像采集装置连接于所述Z轴调节器。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述图像采集装置包括一感光芯片,用于采集所述VCSEL阵列的成像
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述承载装置包括一供电工装和一散热工装。
优选地,所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤(D)中,所述偏振装置为两个偏振片。
附图说明
图1是现有技术中的一VCSEL阵列的示意图。
图2是根据本发明的一个优选实施例的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法的部分示意图,用于说明镜头装置。
图3是根据本发明的一个优选实施例的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法的检测系统示意图。
图4是根据本发明的一个优选实施例的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法的流程图。
图5是根据本发明的一个优选实施例的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法的位置调节示意图。
图6是根据本发明的一个优选实施例的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法的光强调节示意图。
图7是根据本发明的一个优选实施例的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统及方法的方法框图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
参照图1是一VCSEL阵列示意图。为了替代现有技术中的检测过程中直接用人眼观察判断的方式需要从了解VCSEL的基本结构以及成像方式出发,探究如何让VCSEL成像不是去成像于人的视网膜,而是间接成像于成像设备,这样可以初步替代工作人员人眼直接观察的方式。
进一步了解VCSEL阵列的具体结构,可以知道,VCSEL阵列由多个发光单元100构成,每一所述发光单元100以预定间距d排布于一发光表面200,相邻两个所述发光单元100之间间距较小,发射激光的发散角A小。由于存在这样的特点,使得所述VCSEL阵列的成像距离发光面之间的成像距离D很近,通常情况约为0.2mm。
由图中1及图2中可以看到,成像距离D受所述VCSE阵列的发光单元100的预定间距d的影响。当所述发光单元100的预定间距越小时,成像距离D越小,也就是说,如果要明确的区分每一所述发光单元100的发光情况,观察的成像必须在成像距离D范围内,如果在成像距离D之外,每一发光单元100的发光将分辨不清,或者说成为一整个发光区域,而不是独立的发光点。这种特点的存在,也是现有技术中人眼观察的检测方式存在的原因之一。人眼观察时,在正常视力条件下,不受这个距离D的影响,因为人眼的视觉可以直接到达所述发光面200,或者说,所述发光单元100由所述发光面200位置发出的激光可以直接成像于人的视网膜,而基本不受成像距离D的影响。
在通常情况下,成像距离D约为0.2mm,也就是说,如果要用成像装置接收所述发光单元100的成像,应该设置于0.2mm的范围内。可以了解到,对于现有技术的成像装置来说,很难实现在这个范围的成像。基于成像距离D限制的问题存在,提出的解决方案,就是增大成像距离D,使得成像位置向后推移,从而可以通过成像装置去接收成像。
参照图2是根据本发明的一优选实施例的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统的部分示意图,根据本发明的一优选实施例,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统包括一镜头装置10,用于增大所述VCSEL的成像距离D。通过所述镜头装置10使得所述VCSEL阵列的成像距离D增大,从而可以在更远距离接收到所述VCSEL阵列的成像。
参照图7,相应地,在问题的基础上,提出垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,包括如下步骤:(A)提供一镜头装置10,设置于一VCSEL阵列的发光前方位置,使得所述VCSEL阵列的成像距离增大。
参照图3,图4,为了使得所述VCSEL阵列成像,检测所述VCSEL阵列的发光情况,需要先使得所述VCSEL阵列发出激光,提供所述VCSEL阵列发光的基本条件。根据本发明的一优选实施例,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统包括一承载装置20,用于承载所述VCSEL阵列,并且提供所述VCSEL阵列发光的基本条件,如提供连接于外部电源,以供所述VCSEL工作电能,提供热传导装置,使得所述VCSEL发光过程中能够散热,以使得检测过程不影响VCSEL的本身性能。
值得一提的是,所述承载装置20可以包括一供电工装21和一散热工装22。所述供电工装21用于连接于外部电源装置,以提供所述VCSEL阵列发光的工作电源。所述散热工装22用于所述VCSEL阵列发光过程中的散热,以使得所述VCSEL的正常工作。
所述镜头装置10位于所述承载装置20上方,也就是说,在检测的过程中,所述VCSEL阵列被承载于所述承载装置20上方,位于所述承载装置20和所述镜头装置10之间。
相应地,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法中,需要先实现使得所述VCSEL阵列发光的条件,以得到所述VCSEL阵列发光后的成像。因此,所述步骤(A)中包括如下步骤:(A1)提供一承载装置20,用于承载所述VCSEL阵列,使得所述VCSEL阵列发光。
值得一提是,所述镜头装置10的选型需要根据所述VCSEL需要成像的位置选择,选择相适应的镜头焦距。所述镜头装置10的镜头通光孔径需要略大于发光阵列的面积,以使得所述VCSEL阵列能够通过所述镜头装置10实现成像于较远的距离。
进一步,得到在较远距离成像后,则可以用感光元件去接收所述VCSEL阵列的成像。根据本发明的一优选实施例,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统进一步包括一图像采集装置30,用于采集所述VCSEL阵列通过所述镜头装置20所成的像。
更进一步,所述图像采集装置30包括一感光芯片31和一图像采集软件32,所述VCSEL阵列成像于所述感光芯片31,通过所述图像采集软件32记录所述VCSEL阵列在所述感光芯片31的成像信息。
相应地,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法包括如下步骤:
(B)提供一图像采集装置30,采集所述VCSEL阵列通过所述镜头装置20的成像。
由上述可知,所述图像采集装置30将所述VCSEL阵列通过所述镜头装置20所成的像进行采集,记录,得到整个VCSEL阵列的成像信息,而所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统需要完成的工作是判断所述VCSEL的坏点情况,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点,存在的坏点的位置等信息。因此,进一步,所述垂直腔面发射激光器阵列进一步包括一分析判断装置40,用于分析所述图像采集装置30采集的所述VCSEL阵列的成像信息,通过分析所述图像采集装置30的采集的所述VCSEL阵列的成像信息判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。
相应地,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法包括如下步骤:(C)提供一分析判断装置40,分析所述图像采集装置采集的所述VCSEL阵列成像信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。
值得一提的是,所述分析判断装置40可以是分析判断软件,安装于一计算机设备,从而通过所述分析判断软件在所述计算机设备的运行,分析所述图像采集装置30采集的所述VCSEL阵列的成像信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点,进一步,可以判断出所述VCSEL阵列的坏点的具体位置,实现快速记录所述VCSEL阵列的能量分布情况,从而提高测试的准确度和测试效率。
进一步,为了更加准确、方便地采集所述VCSEL阵列的成像信息,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统包括一支撑主体50和调节装置60,用于支撑、调节所述承载装置20,所述镜头装置10以及所述图像采集装置30。
参照图6,所述多个调节装置60包括一X轴调节器61,一Y轴调节器62和一Z轴调节器63。所述X轴调节器61,所述Y轴调节器62和所述Z轴调节器63分别安装于所述支撑主体50。
所述承载装置20连接于所述X轴调节器61和所述Y轴调节器62,通过所述X轴调节器和所述Y轴调节器调节所述承载装置20在X轴方向和Y轴方向的位置,从而达到调节位于所述承载装置20上的所述VCSEL阵列在X轴方向和在Y轴的方向,从而使得图像采集装置30准确地采集到所述VCSEL阵列通过所述镜头装置10所成的像。
所述图像采集装置30连接于所述Z轴调节器63,以通过所述Z轴调节器调节所述图像采集装置30与所述镜头装置10之间的距离,使得所述VCSEL阵列通过所述镜头装置10所成的像清晰的采集于所述图像采集装置30。
值得一提的是,所述VCSEL阵列在发光的过程中由于VCSEL阵列的能量不同,如,不同的VCSEL阵列或者同一VCSEL阵列的不同位置的能量不同,从而可能导致所述图像采集装置30的所述感光芯片31过曝,需要对这种情况进行优化。根据本发明的一优选实施例,所述垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统包括一偏振装置70,所述偏振装置70用于调节进入所述图像采集装置30的所述VCSEL阵列的激光的强度,从而能够适用于各种能量分布的VCSEL阵列的坏点检测。
更进一步,所述偏振装置70包括两个偏振片71可旋转动地安装于所述偏振装置70,所述两个偏正片71相互配合,通过两个所述偏振片71的相对旋转角度来调节所述VCSEL阵列的激光强度,以防止所述图像采集装置30的所述感光芯片31的过曝现象。
所述垂直腔面发射激光器阵列进一步包括步骤:(D)提供一偏振装置70,设置于所述镜头装置10光线入射方向,调节所述VCSEL阵列激光强度。
在所述步骤(B)中,需要实现对所述VCSEL阵列成像的准确采集,以保证在分析判断过程中的信息的准确性,因为在进行采集之前,需要确定所述图像采集装置30和VCSEL阵列的相对位置,或者说确定所述图像采集装置30和所述镜头装置10的相对位置。根据本发明的一优选实施例,所述支撑主体50和所述调节装置实现对所述图像采集装置30和所述VCSEL相对位置以及距离的调节。通过调节所述X轴调节器61和所述Y轴调节器62调节所述承载装置20的位置,从而调节所述图像采集装置30和所述VCSEL阵列的水平反向的相对位置。通过调节所述Z轴调节器63调节所述图像采集装置30在竖直方向上的位置,从而调节所述图像采集装置30和所述VCSEL阵列的距离大小,从而使得所述图像采集装置30的所述感光芯片31获得所述VCSEL阵列的清晰成像。因此,所述步骤(B)包括如下步骤:
(B1)提供一支撑主体50和一调节装置60,调节所述承载装置20和所述图像采集装置30;
(B2)调节所述承载装置20,使得所述VCSEL阵列清晰成像于所述图像采集装置30;
(B3)调节所述偏振装置70,使得所述VCSEL阵列的激光强度适宜,防止所述感光芯片31的过曝。
也就是说,先完成对所述承载装置20,所述图像采集装置30以及所述偏振转置70的调节,再通过所述图像采集装置30进行图像采集。
本领域的技术人员应理解,上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明,在没有背离所述原理下,本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (20)

1.一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,其特征在于,包括:
一镜头装置,用于增大一VCSEL阵列成像距离;
一图像采集装置,用于采集所述VCSEL阵列成像;和
一分析判断装置,用于分析判断所述图像采集装置采集的所述VCSEL阵列成像的信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。
2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,进一步包括一偏振装置,设置于所述镜头装置光线入射方向。
3.如权利要求2所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述镜头装置的镜头孔径略大于所述VCSEL阵列的发光面积。
4.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,进一步包括一承载装置,用于提供所述VCSEL测试条件,所述承载装置设于所述偏振装置下方。
5.如权利要求4所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述偏振装置可旋转的设置于所述透镜装置和所述承载装置之间。
6.如权利要求5所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,进一步包括一支撑主体和一调节装置,所述调节装置安装于所述支撑主体,所述承载装置连接于调节装置。
7.如权利要求6所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述调节装置包括一X轴调节器,一Y轴调节器和一Z轴调节器,所述承载装置连接于所述X轴调节器和所述Y轴调节器,所述图像采集装置连接于所述Z轴调节器。
8.如权利要求1至7任一所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述图像采集装置包括一感光芯片,用于采集所述VCSEL阵列的成像。
9.如权利要求1至7任一所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述承载装置包括一供电工装和一散热工装。
10.如权利要求1至7任一所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测系统,所述偏振装置为两个偏振片。
11.一种垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,其特征在于,包括如下步骤:
(A)提供一镜头装置,设置于一VCSEL阵列的发光单元前方位置,使得所述VCSEL阵列的成像距离增大;
(B)提供一图像采集装置,采集所述VCSEL阵列通过所述镜头装置的成像;和
(C)提供一分析判断装置,分析所述图像采集装置采集的所述VCSEL阵列成像信息,判断所述VCSEL阵列是否存在坏点。
12.如权利要求11所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,进一步包括步骤:(D)提供一偏振装置,设置于所述镜头装置光线入射方向,调节所述VCSEL阵列激光强度。
13.如权利要求12所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤(A)中,所述镜头装置的镜头孔径略大于所述VCSEL阵列的发光面积。
14.如权利要求13所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤(A)进一步包括步骤:(A1)提供一承载装置,用于承载所述VCSEL阵列,使得所述VCSEL阵列发光。
15.如权利要求14所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述两个偏振片可旋转的设置于所述透镜装置和所述承载装置之间。
16.如权利要求15所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤:
(B1)提供一支撑主体和一调节装置,调节所述承载装置和所述图像采集装置;
(B2)调节所述承载装置,使得所述VCSEL阵列清晰成像于所述图像采集装置;
(B3)调节所述偏振装置,使得所述VCSEL阵列的激光强度适宜,防止所述感光芯片的过曝。
17.如权利要求16所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述调节装置包括一X轴调节器,一Y轴调节器和一Z轴调节器,所述承载装置连接于所述X轴调节器和所述Y轴调节器,所述图像采集装置连接于所述Z轴调节器。
18.如权利要求11至17任一所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述图像采集装置包括一感光芯片,用于采集所述VCSEL阵列的成像。
19.如权利要求11至17任一所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述承载装置包括一供电工装和一散热工装。
20.如权利要求12至17任一所述的垂直腔面发射激光器阵列的坏点检测方法,所述步骤(D)中,所述偏振装置为两个偏振片。
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