CN105965706A - 太阳能级晶硅切片工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种太阳能级晶硅切片工艺。主要解决了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题。该工艺包括1）固定；2）切割；3）去胶；4）装片；5）清洗：6）甩干；7）检验；8）入库。该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。

Description

太阳能级晶硅切片工艺
技术领域
本发明涉及多晶硅的切片加工技术领域，具体涉及一种太阳能级晶硅切片工艺。
背景技术
太阳能属于新能源的一种，太阳能的实用上人类一大进步，起到环保节能，充分利用大自然资源，给人类生活带来无限便利。太阳能的实现是通过太阳能板将太阳能转化为电能，进而供人类实用，太阳能板的做作是通过在硅片上进行化学物理反应制作而得，而硅片的切割是太阳能板完成的重要步骤之一。现有的切片工艺在硅片切割过程中存在易碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，严重时甚至导致整刀晶片报废，严重影响切片效率，同时在现有的切片工艺中切线一般只能使用一次，切割成本高， 整体效益差。
发明内容
为了克服背景技术的不足，本发明提供一种太阳能级晶硅切片工艺，主要解决了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题，该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。
本发明所采用的技术方案是：一种太阳能级晶硅切片工艺，该工艺具体步骤如下：
1）固定，将硅锭黏贴固定于粘棒台上，所述硅锭与粘棒台之间设有玻璃板，所述粘棒台还设有压块，硅锭两侧设有挡板，所述硅锭固定环境保持温度24-28℃，湿度为30-40%；所述玻璃板与硅锭之间用胶A与玻璃板与粘棒台之间用胶B，先用胶B固定玻璃板与粘棒台，使用压块压置7-10min，同上再次用胶A固定玻璃板与硅锭，压块压置7-10min，所述硅锭上表面黏有导向条，所述导向条距离硅锭边缘1-2cm，硅锭表面清理使用异丙醇或酒精擦拭清理。
2）切割，粘棒台置于切片机内部，安装切线，砂浆进入；所述切割，粘棒台反面通过螺钉固定于固定架上，所述固定架与切割机卡置固定连接，所述切线直径为110-130µm，切速为0.32-0.36mm/min，所述砂浆粒径为5-11µm
3）去胶，切割完毕的硅锭移至水槽内，于水槽中至少放置10min，水温为60-70℃；所述清洗在放置清洗槽之前对切片及粘棒台初步清水冲洗，拆除固定架，所述清水选用自来水。
4）装片，戴手套将切片装入片篮内，同时对片进行初检；初步目测有无碎片或破片，装片过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。
5）清洗，将片篮放置清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽A、清洗槽B及清洗槽C，所述清洗槽A为溢流清洗加超声波清洗，所述清洗槽B放有清洗剂，所述清洗槽C为纯水清洗，所述每个槽内放置时间4-7min；依次设有的清洗槽A设置数量为3-5个工位，清洗槽B设置数量为2-3个工位，其内清洗剂为JH-1015A与JH-1015B比例2:1混合而成，清洗槽C为设置数量为4-6个工位，所述切片依次放置于每一个工位内。
6）甩干，清洗完毕的切片，以片篮为单位移至甩干机中，甩干机内充有氮气，甩干转速为380-450转/分钟，时间160-200s；所述甩干机内部压力设置0.35-0.45pa，在氮气输入口处包有纱布，片篮在甩干机内呈圆周分布。
7）检验，目测有无碎片、破片、油污、亮边、色差、划线、断线、线痕、薄厚，进行分类放置处理；
8）入库，每7-10片用纸片隔开，每箱放置45-100片。检测过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准，所述箱子内部周边置有泡沫。
本发明的有益效果是：由于采取上述技术方案，有效改善了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题，该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。
附图说明
图1为本发明的步骤1）结构示意图。
图2步骤1）的俯视图。
图中1、硅锭；2、粘棒台；3、玻璃板；4、挡板；5、压块；6、导向条。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例作进一步说明。
如图1结合图2所示，一种太阳能级晶硅切片工艺，该工艺具体步骤如下：
1）固定，将硅锭1黏贴固定于粘棒台2上，所述硅锭1与粘棒台2之间设有玻璃板3，硅锭1两侧设有挡板4，挡板4同硅锭1一起黏贴固定与玻璃板3上，挡板4用于固定切片的平衡，所述粘棒台2还设有压块5，压块5重量为20-45kg，进一步的压块5重量选择25kg，所述硅锭1固定环境保持温度24-28℃，湿度为30-40%；所述玻璃板3与硅锭1之间用胶A与玻璃板3与粘棒台2之间用胶B，先用胶B固定玻璃板3与粘棒台2，使用压块5压置于玻璃板3上7-10min，然后同上次用胶A固定玻璃板3与硅锭1，压块5压置7-10min，所述硅锭1上表面黏有导向条6，所述导向条6距离硅锭1边缘1-2cm，硅锭1黏贴前其表面清理使用异丙醇或酒精擦拭清理，所述胶A优先选用粘玻璃专用胶DL-623A与粘玻璃专用胶DL-623B为1:1配置，胶B优先选用AD1688-B胶黏贴，黏贴完毕在常温下放置6h以上方可以放入切片机内进行切割，所述玻璃板3厚度为12-15mm，其表面磨砂，增大摩擦，达到牢固黏贴。
2）切割，粘棒台2置于切片机内部，安装切线，砂浆进入；所述粘棒台2反面通过螺钉固定于固定架上，所述固定架与切割机卡置固定连接，所述切线直径为110-130µm，切速为0.32-0.36mm/min，进一步的切线直径为120µm，切线速度0.34mm/min，所述砂浆粒径为5-11µm，切割用浆液优选由牌号PEG304硅切削液与碳硅粉按1.1:1比例配置而成，所述切片机内设有碎片槽，所述碎片槽用于过滤切片的碎片随砂浆流出至储浆箱内，影响作业，砂浆在作业中循环使用，作业过程中，每20-30min对砂浆进行密度检测。
3）去胶，切割完毕的硅锭移至水槽内，于水槽中至少放置10min，水温为60-70℃；切割完毕的硅锭1在放置清洗槽之前对切片及粘棒台初步清水冲洗，清洗掉固定架和切片间的砂浆，便于拆除固定架，所述清水选用自来水。
4）装片，戴手套将切片装入片篮内，同时对片进行初检；初步目测有无碎片或破片，装片过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。
5）清洗，将片篮放置清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽A、清洗槽B及清洗槽C，所述清洗槽A为溢流清洗加超声波清洗，所述清洗槽B放有清洗剂，所述清洗槽C为纯水清洗，所述每个槽内放置时间4-7min；依次设有的清洗槽A设置数量为3-5个工位，清洗槽B设置数量为2-3个工位，其内清洗剂为JH-1015A与JH-1015B比例2:1混合而成，清洗槽C为设置数量为4-6个工位，所述切片依次放置于每一个工位内，所述清洗槽A内水压0.8-1.0pa。
6）甩干，清洗完毕的切片，以片篮为单位移至甩干机中，片篮在甩干机内呈圆周分布，甩干机内充有氮气，甩干转速为380-450转/分钟，时间160-200s；所述甩干机内部压力设置0.35-0.45pa，在氮气输入口处包有纱布，防止油气或其他杂志颗粒进入内部，起到过滤的作用。
7）检验，目测有无碎片、破片、油污、亮边、色差、划线、断线、线痕、薄厚，进行分类放置处理；检测过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准
8）入库，每7-10片用纸片隔开，每箱放置45-100片，所述箱子内部周边置有泡沫。
本发明有效改善了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题，该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。
各位技术人员须知：虽然本发明已按照上述具体实施方式做了描述，但是本发明的发明思想并不仅限于此发明，任何运用本发明思想的改装，都将纳入本专利专利权保护范围内。

Claims (9)

1. 一种太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：该工艺具体步骤如下：
1）固定，将硅锭黏贴固定于粘棒台上，所述硅锭与粘棒台之间设有玻璃板，所述粘棒台还设有压块，硅锭两侧设有挡板，所述硅锭固定环境保持温度24-28℃，湿度为30-40%；
2）切割，粘棒台置于切片机内部，安装切线，砂浆进入；
3）去胶，切割完毕的硅锭移至水槽内，于水槽中至少放置10min，水温为60-70℃；
4）装片，戴手套将切片装入片篮内，同时对片进行初检；
5）清洗，将片篮放置清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽A、清洗槽B及清洗槽C，所述清洗槽A为溢流清洗加超声波清洗，所述清洗槽B放有清洗剂，所述清洗槽C为纯水清洗，所述每个槽内放置时间4-7min；
6）甩干，清洗完毕的切片，以片篮为单位移至甩干机中，甩干机内充有氮气，甩干转速为380-450转/分钟，时间160-200s；
7）检验，目测有无碎片、破片、油污、亮边、色差、划线、断线、线痕、薄厚，进行分类放置处理；
8）入库，每7-10片用纸片隔开，每箱放置45-100片。
2.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：步骤1）所述玻璃板与硅锭之间用胶A与玻璃板与粘棒台之间用胶B，先用胶B固定玻璃板与粘棒台，使用压块压置7-10min，同上再次用胶A固定玻璃板与硅锭，压块压置7-10min，所述硅锭上表面黏有导向条，所述导向条距离硅锭边缘1-2cm，硅锭表面清理使用异丙醇或酒精擦拭清理。
3.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：步骤2）所述切割，粘棒台反面通过螺钉固定于固定架上，所述固定架与切割机卡置固定连接，所述切线直径为110-130µm，切速为0.32-0.36mm/min，所述砂浆粒径为5-11µm 。
4.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：步骤3）所述清洗在放置清洗槽之前对切片及粘棒台初步清水冲洗，拆除固定架，所述清水选用自来水。
5.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：所述步骤4）初步目测有无碎片或破片，装片过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。
6.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：所述步骤5）中依次设有的清洗槽A设置数量为3-5个工位，清洗槽B设置数量为2-3个工位，其内清洗剂为JH-1015A与JH-1015B比例2:1混合而成，清洗槽C为设置数量为4-6个工位，所述切片依次放置于每一个工位内。
7.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：步骤6）所述甩干机内部压力设置0.35-0.45pa，在氮气输入口处包有纱布，片篮在甩干机内呈圆周分布。
8.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：步骤7）检测过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。
9.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：所述箱子内部周边置有泡沫。
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