CN105949768A - 一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜 - Google Patents

一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN105949768A
CN105949768A CN201610342519.7A CN201610342519A CN105949768A CN 105949768 A CN105949768 A CN 105949768A CN 201610342519 A CN201610342519 A CN 201610342519A CN 105949768 A CN105949768 A CN 105949768A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat
sio
hollow ball
polyimide resin
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610342519.7A
Other languages
English (en)
Inventor
瘳玉超
苏冠贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Corehelm Electronic Material Technology Co Ltd
Original Assignee
Dongguan Corehelm Electronic Material Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Corehelm Electronic Material Technology Co Ltd filed Critical Dongguan Corehelm Electronic Material Technology Co Ltd
Priority to CN201610342519.7A priority Critical patent/CN105949768A/zh
Priority to PCT/CN2016/090288 priority patent/WO2017201847A1/zh
Publication of CN105949768A publication Critical patent/CN105949768A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C08K7/26—Silicon- containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/013—Heaters using resistive films or coatings

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜，其包括聚酰亚胺树脂、均匀分散于聚酰亚胺树脂的改性SiO2空心球，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，改性SiO2空心球的含量按质量比不大于聚酰亚胺树脂的3.0%；该用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜具有以下优点：1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、导热系数可降至0.07W/mK，绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果。

Description

一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜
技术领域
本发明涉及电热发热薄膜基材技术，尤其涉及一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜。
背景技术
抗拉伸、耐高温、高柔性等性能使得聚酰亚胺薄膜在电热发热薄膜领域的优势逐渐显现；其中，为了提高电热发热薄膜的热利用率，人们往往通过优化发热部件的材料、结构以及提高传热材料的导热系数来实现。实际上，通过降低基材的导热系数同样能达到异曲同工的效果。
聚酰亚胺薄膜的导热系数约为0.30W/mK，仍有较大的下行空间。纳微空心球本身具有极低的导热系数，将其与聚酰亚胺薄膜复合，可大幅降低薄膜的导热系数；当聚酰亚胺薄膜作为电热发热薄膜基材使用时，复合有纳微空心球的电热发热薄膜能实现热量的单向传递，从而提高热利用率。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜，该用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜具有以下优点，具体为：1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、纯的聚酰亚胺薄膜的导热系数为0.30W/mK，本发明的复合薄膜的导热系数可降至0.07W/mK，绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果。
为达到上述目的，本发明通过以下技术方案来实现。
一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜，包括有聚酰亚胺树脂以及均匀分散于聚酰亚胺树脂的改性SiO2空心球，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，改性SiO2空心球的含量按质量比不大于聚酰亚胺树脂的3.0%。
其中，所述SiO2空心球的中空内径为500nm-1500nm，壁厚为100nm-300nm。
其中，该用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜的导热系数为0.07W/mK-0.10W/mK。
本发明的有益效果为：本发明所述的一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜，其包括有聚酰亚胺树脂以及均匀分散于聚酰亚胺树脂的改性SiO2空心球，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，改性SiO2空心球的含量按质量比不大于聚酰亚胺树脂的3.0%；该用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜具有以下优点，具体为：1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、纯的聚酰亚胺薄膜的导热系数为0.30W/mK，本发明的复合薄膜的导热系数可降至0.07W/mK，绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
附图说明
下面结合附图来对本发明进行说明，但是附图中的实施例并不构成对本发明的限制。
图1为本发明应用于电热发热膜装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体的实施方式来对本发明进行说明。
实施例一，称取1.0g改性SiO2空心球以及99g聚酰亚胺树脂，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，SiO2空心球的中空内径为500nm、壁厚为200nm，将改性SiO2空心球与聚酰亚胺树脂搅拌混合，且经流延成膜处理后得到复合薄膜；复合薄膜的厚度为55μm，经测试，其导热系数为0.080W/mK，当以该复合薄膜作为基材使用时，热转化率高达90%。
其中，通过硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行改性的目的在于：提高SiO2空心球表面与聚酰亚胺树脂的相容性，从而实现SiO2空心球在聚酰亚胺基材中的良好分散。
需进一步解释，对于本实施例一的复合薄膜而言，其具有以下优点： 1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
如图1所示，该电热发热膜装置以复合薄膜为基材，采用丝网印刷技术在负荷薄膜基材表面印刷电阻浆料，经过干燥和烧结工序，得到目标电热发热膜装置；在该电热发热膜装置工作时，给定输出功率用于加热水，计算发热膜的热转化率[η=(实际的水烧开所需时间/理论的水烧开所需时间)×100%]。
实施例二，称取1.0g改性SiO2空心球以及99g聚酰亚胺树脂，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，SiO2空心球的中空内径为500nm、壁厚为150nm，将改性SiO2空心球与聚酰亚胺树脂搅拌混合，且经流延成膜处理后得到复合薄膜；复合薄膜的厚度为55μm，经测试，其导热系数为0.090W/mK，当以该复合薄膜作为基材使用时，热转化率高达89%。
其中，通过硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行改性的目的在于：提高SiO2空心球表面与聚酰亚胺树脂的相容性，从而实现SiO2空心球在聚酰亚胺基材中的良好分散。
需进一步解释，对于本实施例二的复合薄膜而言，其具有以下优点： 1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
实施例三，称取1.0g改性SiO2空心球以及99g聚酰亚胺树脂，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，SiO2空心球的中空内径为800nm、壁厚为150nm，将改性SiO2空心球与聚酰亚胺树脂搅拌混合，且经流延成膜处理后得到复合薄膜；复合薄膜的厚度为55μm，经测试，其导热系数为0.080W/mK，当以该复合薄膜作为基材使用时，热转化率高达91%。
其中，通过硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行改性的目的在于：提高SiO2空心球表面与聚酰亚胺树脂的相容性，从而实现SiO2空心球在聚酰亚胺基材中的良好分散。
需进一步解释，对于本实施例三的复合薄膜而言，其具有以下优点： 1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
实施例四，称取1.0g改性SiO2空心球以及99g聚酰亚胺树脂，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，SiO2空心球的中空内径为1100nm、壁厚为200nm，将改性SiO2空心球与聚酰亚胺树脂搅拌混合，且经流延成膜处理后得到复合薄膜；复合薄膜的厚度为55μm，经测试，其导热系数为0.075W/mK，当以该复合薄膜作为基材使用时，热转化率高达92%。
其中，通过硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行改性的目的在于：提高SiO2空心球表面与聚酰亚胺树脂的相容性，从而实现SiO2空心球在聚酰亚胺基材中的良好分散。
需进一步解释，对于本实施例四的复合薄膜而言，其具有以下优点： 1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
实施例五，称取1.0g改性SiO2空心球以及99g聚酰亚胺树脂，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，SiO2空心球的中空内径为600nm、壁厚为180nm，将改性SiO2空心球与聚酰亚胺树脂搅拌混合，且经流延成膜处理后得到复合薄膜；复合薄膜的厚度为55μm，经测试，其导热系数为0.10W/mK，当以该复合薄膜作为基材使用时，热转化率高达88%。
其中，通过硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行改性的目的在于：提高SiO2空心球表面与聚酰亚胺树脂的相容性，从而实现SiO2空心球在聚酰亚胺基材中的良好分散。
需进一步解释，对于本实施例五的复合薄膜而言，其具有以下优点： 1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
实施例六，称取2.0g改性SiO2空心球以及98g聚酰亚胺树脂，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，SiO2空心球的中空内径为1100nm、壁厚为200nm，将改性SiO2空心球与聚酰亚胺树脂搅拌混合，且经流延成膜处理后得到复合薄膜；复合薄膜的厚度为55μm，经测试，其导热系数为0.070W/mK，当以该复合薄膜作为基材使用时，热转化率高达93%。
其中，通过硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行改性的目的在于：提高SiO2空心球表面与聚酰亚胺树脂的相容性，从而实现SiO2空心球在聚酰亚胺基材中的良好分散。
需进一步解释，对于本实施例六的复合薄膜而言，其具有以下优点： 1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
实施例七，称取2.5g改性SiO2空心球以及97.5g聚酰亚胺树脂，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，SiO2空心球的中空内径为1100nm、壁厚为200nm，将改性SiO2空心球与聚酰亚胺树脂搅拌混合，且经流延成膜处理后得到复合薄膜；复合薄膜的厚度为55μm，经测试，其导热系数为0.080W/mK，当以该复合薄膜作为基材使用时，热转化率高达90%。
其中，通过硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行改性的目的在于：提高SiO2空心球表面与聚酰亚胺树脂的相容性，从而实现SiO2空心球在聚酰亚胺基材中的良好分散。
需进一步解释，对于本实施例七的复合薄膜而言，其具有以下优点： 1、SiO2空心球具有优异的隔热性能，其可有效地降低聚酰亚胺树脂的导热系数，且采用硅烷偶联剂KH550对SiO2空心球进行表面改性，实现功能组份在基材中的高度分散；2、绝热效果，在作为电热发热薄膜基材使用时可实现近似单向传热的效果，即可极大提高发热组件的热利用率。
以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (3)

1.一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜，其特征在于：包括有聚酰亚胺树脂以及均匀分散于聚酰亚胺树脂的改性SiO2空心球，改性SiO2空心球由SiO2空心球经硅烷偶联剂KH550改性制备而成，改性SiO2空心球的含量按质量比不大于聚酰亚胺树脂的3.0%。
2.根据权利要求1所述的一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜，其特征在于：所述SiO2空心球的中空内径为500nm-1500nm，壁厚为100nm-300nm。
3.根据权利要求1所述的一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜，其特征在于：该用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜的导热系数为0.07W/mK-0.10W/mK。
CN201610342519.7A 2016-05-23 2016-05-23 一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜 Pending CN105949768A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610342519.7A CN105949768A (zh) 2016-05-23 2016-05-23 一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜
PCT/CN2016/090288 WO2017201847A1 (zh) 2016-05-23 2016-07-18 一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610342519.7A CN105949768A (zh) 2016-05-23 2016-05-23 一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105949768A true CN105949768A (zh) 2016-09-21

Family

ID=56909407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610342519.7A Pending CN105949768A (zh) 2016-05-23 2016-05-23 一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN105949768A (zh)
WO (1) WO2017201847A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106750454A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种高绝缘单向导热聚酰亚胺膜及其制备方法
CN106751823A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 华中科技大学 一种隔热复合薄膜及其制备方法
CN106804066A (zh) * 2016-12-09 2017-06-06 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种基于柔性发热膜的高功率电热装置
CN108859328A (zh) * 2018-06-13 2018-11-23 浙江西溪玻璃有限公司 一种隔热系统窗基体玻璃及其制备工艺
CN109775655A (zh) * 2019-01-25 2019-05-21 上海交通大学 一种超低功耗中低温实心微热平台及其制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116444838B (zh) * 2023-04-24 2023-12-01 江苏汉华热管理科技有限公司 一种耐电压的高导热系数有机硅散热膜片及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1760244A (zh) * 2004-10-13 2006-04-19 中国科学院理化技术研究所 二氧化硅管改性的聚酰亚胺杂化薄膜及其制备方法
CN101125955A (zh) * 2007-08-03 2008-02-20 东南大学 聚酰亚胺/二氧化硅空心微球复合薄膜的制备方法
CN103923332A (zh) * 2014-05-13 2014-07-16 哈尔滨理工大学 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法
CN103937241A (zh) * 2014-05-13 2014-07-23 哈尔滨理工大学 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法
CN103981634A (zh) * 2014-05-30 2014-08-13 北京化工大学常州先进材料研究院 一种聚酰亚胺/二氧化硅复合纳米纤维膜及其制备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN200958849Y (zh) * 2006-08-28 2007-10-10 佛山市南海蜂窝电子制品有限公司 直热式水电加热器
CN201014704Y (zh) * 2006-11-08 2008-01-30 佛山市南海蜂窝电子制品有限公司 即热式水电加热器
JP2012111188A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Nitto Denko Corp 断熱性難燃ポリマー部材

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1760244A (zh) * 2004-10-13 2006-04-19 中国科学院理化技术研究所 二氧化硅管改性的聚酰亚胺杂化薄膜及其制备方法
CN101125955A (zh) * 2007-08-03 2008-02-20 东南大学 聚酰亚胺/二氧化硅空心微球复合薄膜的制备方法
CN103923332A (zh) * 2014-05-13 2014-07-16 哈尔滨理工大学 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法
CN103937241A (zh) * 2014-05-13 2014-07-23 哈尔滨理工大学 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法
CN103981634A (zh) * 2014-05-30 2014-08-13 北京化工大学常州先进材料研究院 一种聚酰亚胺/二氧化硅复合纳米纤维膜及其制备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YUAN YUAN ET AL: "Novel Low-Dielectric-Constant Copolyimide Thin Films Composed with SiO2 Hollow Spheres", 《JOURNAL OF APPLIED POLYMER SCIENCE》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106750454A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种高绝缘单向导热聚酰亚胺膜及其制备方法
CN106751823A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 华中科技大学 一种隔热复合薄膜及其制备方法
CN106804066A (zh) * 2016-12-09 2017-06-06 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种基于柔性发热膜的高功率电热装置
CN108859328A (zh) * 2018-06-13 2018-11-23 浙江西溪玻璃有限公司 一种隔热系统窗基体玻璃及其制备工艺
CN108859328B (zh) * 2018-06-13 2020-08-11 浙江西溪玻璃有限公司 一种隔热系统窗基体玻璃及其制备工艺
CN109775655A (zh) * 2019-01-25 2019-05-21 上海交通大学 一种超低功耗中低温实心微热平台及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017201847A1 (zh) 2017-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105949768A (zh) 一种用于电热发热薄膜基材的绝热聚酰亚胺复合薄膜
CN108084823B (zh) 一种电热涂料及其制备方法和应用
CN105722375B (zh) 一种石墨烯散热装置及其制备方法
CN102367353B (zh) 一种低导热系数复合保温涂料及其制备方法
CN103965671B (zh) Led散热体表面散热用涂料
CN102685942B (zh) 一种ptc稀土厚膜电路智能电热元件及其制备方法
CN105199396A (zh) 一种硅胶基碳材料取向型导热界面材料及其生产方法
CN106009428A (zh) 一种二氧化硅填充ptfe复合材料及其制备方法
CN103588482B (zh) 一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
CN103171207B (zh) 一种热沉材料及其制备方法
CN107396466A (zh) 电子浆料及其制备方法、厚膜电路芯片热源及其制备方法
CN105236982A (zh) 氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺
CN108172554A (zh) 一种高导热和高热辐射片及其制备方法
CN104023505A (zh) 一种高导热石墨膜的制备方法
CN105400977A (zh) 铝基碳化硅的制备方法
CN103342543A (zh) 一种led陶瓷基板及其制备方法
CN105086666A (zh) 一种led散热体表面用辐射散热涂漆
CN107892576A (zh) 碳化硅陶瓷及其制备方法和散热片及其应用
CN106128548B (zh) 一种高电热转化率的电阻浆料
CN102250589B (zh) 一种高性能无硅导热膏及其制备方法
CN103992747B (zh) 一种热电器件用耐热复合粘结剂及其制备方法
CN106085221A (zh) 一种有机硅树脂散热涂料的制备方法
CN107502205A (zh) 一种石墨烯导热散热铜箔用浆料、导热铜箔及其制备方法
CN204216071U (zh) 一种高导热的led-cob封装基板
CN106280904A (zh) 一种宽光谱红外吸收涂层的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Liao Yuchao

Inventor after: Su Guanxian

Inventor before: Chou Yuchao

Inventor before: Su Guanxian

COR Change of bibliographic data
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160921