CN105915052A - 直流电压转换电路及液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种直流电压转换电路及液晶显示装置。直流电压转换电路包括倍压电路及保护电路。在倍压电路在进行EOS测试时，侦测电路根据VGH线的电压得到第二侦测电压，第一调整电路根据第二侦测电压与参考电压的比较结果产生第三信号，第二调整电路根据第二侦测电压与参考电压的比较结果产生第四信号。第三信号调整第一反馈支路的等效电阻为第三等效电阻，第四调整信号调整第二反馈支路的等效电阻为第四电阻，从而通过对第一反馈支路及第二反馈支路的等效电阻的调整使得VGH线的电压恢复到未加载测试信号时的电压。

Description

直流电压转换电路及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种直流电压转换电路及液晶显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示装置由于具有体积小、功耗低等优点而得到广大用户的青睐。液晶显示装置通常包括电路板、背光模组及液晶显示面板。电路板用于驱动背光模组及液晶显示面板。背光模组用于为液晶显示面板提供光线，液晶显示面板用于显示文字、图像等信息。电路板中通常包括用于直流电压转换电路。所述直流电压转换电路通常将第一电压转换为第二电压，并将所述第二电压输出至液晶显示装置中WOA(Wire On Array，阵列外布线)的VGH线。在所述直流电压转换电路进行过度电性应力(Electrical Over Stress，EOS)测试时，常常会因为直流电压转换电路中没有保护措施进而将VGH线或者直流电压转换电路中的元件或者液晶显示装置中的其他元件烧毁。
发明内容
本发明提供一种直流电压转换电路，所述直流电压转换电路应用于液晶显示装置中，所述直流电压转换电路包括倍压电路及保护电路，所述倍压电路包括倍压输入端及倍压输出端，所述倍压输入端用于接收第一电压，所述倍压电路用于将所述第一电压转换为第二电压，所述第二电压经由所述倍压输出端输出，所述保护电路包括侦测电路、第一反馈电路、第一调整电路、第二调整电路及第二反馈电路，所述第一反馈电路的输入端电连接所述倍压输出端，所述第一反馈电路的输出端电连接所述液晶显示装置中的VGH线，所述第二反馈电路的一端电连接所述倍压输出端，另一端接地，
当所述倍压电路未进行EOS测试时，所述侦测电路侦测所述VGH线的电压，并根据所述VGH线的电压得到第一侦测电压，所述第一侦测电压经由所述侦测电路的输出端输出，所述第一调整电路将所述第一侦测电压与参考电压进行比较，并根据所述第一侦测电压与所述参考电压的比较结果产生第一信号，所述第一信号用于调整第一反馈电路的等效电阻为第一等效电阻，所述第二调整电路根据所述第一侦测电压产生第二信号，所述第二信号用于调整所述第二反馈电路的等效电阻为第二等效电阻，
当所述倍压电路进行EOS测试时，所述倍压输出端加载测试信号，所述侦测电路侦测所述VGH线的电压，并根据所述VGH线的电压得到第二侦测电压，所述第二侦测电压经由所述侦测电路的输出端输出，所述第一调整电路将所述第二侦测电压与所述参考电压进行比较，并根据所述第二侦测电压与所述参考电压的比较结果产生第三信号，所述第三信号用于调整所述第一反馈电路的等效电阻为第三等效电阻，所述第二调整电路根据所述第二侦测电压产生第四信号，所述第四信号用于调整所述第二反馈电路的等效电阻为第四等效电阻，当所述第一反馈支路的等效电阻被调整为所述第三等效电阻且所述第二反馈支路的等效电阻被调整为所述第四等效电阻时，所述VGH线的电压变为第一侦测电压。
其中，所述第一反馈电路包括并联的第一反馈支路、第二反馈支路及第三反馈支路，所述第一调整电路包括第一调整支路、第二调整支路及第三调整支路，所述第一调整支路用于将自所述侦测电路的输出端输出的电压与第一参考电压进行比较，并根据所述侦测电路的输出端输出的电压与第一参考电压的比较结果产生第一调整信号，所述第一调整信号用于调整所述第一反馈支路的电阻，所述第二调整支路用于将自所述侦测电路的输出端输出的电压与第二参考电压进行比较，并根据所述侦测电路的输出端输出的电压与所述第二参考电压的比较结果产生第二调整信号，所述第二调整信号用于调整所述第二反馈支路的电阻，所述第三调整支路用于将自所述侦测电路的输出端输出的电压与第三参考电压进行比较，并根据所述侦测电路的输出端输出的电压与所述第三参考电压的比较结果产生第三调整信号，所述第三调整信号用于调整所述第三反馈支路的电阻，其中，所述第一参考电压小于所述第二参考电压，且所述第二参考电压小于所述第三参考电压。
其中，所述第一反馈支路包括第一薄膜晶体管及第一电阻，所述第一薄膜晶体管的源极电连接所述倍压输出端，所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收所述第一调整信号，所述第一薄膜晶体管的漏极电连接所述第一电阻至所述VGH线，所述第一调整信号用于调整所述第一薄膜晶体管的导通或者截止；
所述第二反馈支路包括第二薄膜晶体管及第二电阻，所述第二薄膜晶体管的源极电连接所述倍压输出端，所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收所述第二调整信号，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第二电阻至所述VGH线，所述第二调整信号用于调整所述第二薄膜晶体管的导通或者截止，
所述第三反馈支路包括第三薄膜晶体管与第三电阻，所述第三薄膜晶体管的源极电连接所述倍压输出端，所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收所述第三调整信号，所述第三薄膜晶体管的漏极电连接所述第三电阻至所述VGH线，所述第三调整信号用于调整所述第三薄膜晶体管的导通或者截止。
其中，所述第一调整支路包括第一比较器，所述第一比较器的同相输入端电连接所述侦测电路的输出端以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第一比较器的反相输入端加载所述第一参考电压，当所述第一比较器的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第一参考电压时，所述第一调整支路控制所述第一薄膜晶体管截止，当所述第一调整支路的接收端接收到的电压小于所述第一参考电压时，所述第一调整支路控制所述第一薄膜晶体管导通；
所述第二调整支路包括第二比较器，所述第二比较器的同相输入端电连接所述侦测电路的输出端以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第二比较器的反相输入端加载所述第二参考电压，当所述第二比较器的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第二参考电压时，所述第二调整支路控制所述第二薄膜晶体管截止，当所述第二调整支路的接收端接收到的电压小于所述第二参考电压时，所述第二调整支路控制所述第二薄膜晶体管导通；
所述第三调整支路包括第三比较器，所述第三比较器的同相输入端电连接所述侦测电路的输出端以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第三比较器的反相输入端加载所述第三参考电压，当第三比较器的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第三参考电压时，所述第三调整支路控制所述第三薄膜晶体管截止，当所述第三调整支路的接收端接收到的电压小于所述第三参考电压时，所述第三调整支路控制所述第三薄膜晶体管导通。
其中，所述侦测电路包括第四电阻、第五电阻及光电耦合器，所述光电耦合器包括第一耦合输入端、第二耦合输入端、第一耦合输出端及第二耦合输出端，所述第四电阻的一端作为所述侦测电路的输入端电连接所述VGH线，所述第四电阻的另一端电连接所述第一耦合输出端，所述第一耦合输入端电连接所述VGH线，所述第二耦合输入端电连接所述倍压电路，所述第二耦合输出端电连接所述第五电阻至地，所述第二耦合输出端及所述第五电阻之间的节点作为所述侦测电路的输出端。
其中，所述第二反馈电路包括并联的第四反馈支路、第五反馈支路及第六反馈支路，所述第二调整电路用于根据所述侦测电路的输出端输出的电压得到第四调整信号、第五调整信号及第六调整信号，所述第四调整信号用于调整所述第四反馈支路的电阻，所述第五调整信号用于调整所述第五反馈支路的电阻，所述第六调整信号用于调整所述第六反馈支路的电阻，所述第四调整信号、所述第五调整信号及所述第六调整信号配合以调整所述第二反馈电路的电阻。
其中，所述第二调整电路包括乘法器及控制器，所述乘法器包括第一乘法输入端、第二乘法输入端及乘法输出端，所述第一乘法输入端电连接所述侦测电路的输出端，以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第二乘法输入端加载预设系数，所述乘法器用于将所述侦测电路的输出端输出的电压乘以所述预设系数，以得到控制信号，并将所述控制信号输出，所述控制器包括控制信号接收端、第一输出端、第二输出端及第三输出端，所述控制信号接收端用于接收所述控制信号，所述控制器根据所述控制信号产生所述第四调整信号、所述第五调整信号及所述第六调整信号，其中所述第四调整信号经由所述第一输出端输出，所述第五调整信号经由所述第二输出端输出，所述第六调整信号经由所述第三输出端输出。
其中，所述第四反馈支路包括第四薄膜晶体管及第六电阻，所述第五反馈支路包括第五薄膜晶体管及第七电阻，所述第六反馈支路包括第六薄膜晶体管及第八电阻，所述第二反馈电路还包括第七反馈支路，所述第七反馈支路包括第九电阻及第十电阻，所述第九电阻的一端电连接所述倍压输出端，所述第九电阻的另一端电连接所述第十电阻至地；
所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收所述第四调整信号，所述第四调整信号用于控制所述第四薄膜晶体管的导通或者截止，所述第四薄膜晶体管的漏极通过所述第六电阻电连接所述第九电阻与所述第十电阻之间的节点，所述第四薄膜晶体管的源极接地；
所述第五薄膜晶体管的栅极用于接收所述第五调整信号，所述第五调整信号用于控制所述第五薄膜晶体管的导通或者截止，所述第五薄膜晶体管的漏极通过所述第七电阻电连接所述第九电阻与所述第十电阻之间的节点，所述第五薄膜晶体管的源极接地；
所述第六薄膜晶体管的栅极用于接收所述第六调整信号，所述第六调整信号用于控制所述第六薄膜晶体管的导通或者截止，所述第六薄膜晶体管的漏极通过所述第八电阻电连接至所述第九电阻与所述第十电阻之间的节点，所述第六薄膜晶体管的源极接地。
其中，所述倍压电路还包括电容，所述电容一端电连接所述倍压输出端，另一端接地。
相较于现有技术，本发明的直流电压转换电路在所述倍压电路在进行EOS测试时，倍压输出端加载测试信号，侦测电路根据VGH线的电压得到第二侦测电压，第一调整电路根据第二侦测电压与参考电压的比较结果产生第三信号，第二调整电路根据第二侦测电压与参考电压的比较结果产生第四信号。第三信号调整第一反馈支路的等效电阻为第三等效电阻，第四调整信号调整第二反馈支路的等效电阻为第四电阻，从而通过对第一反馈支路及第二反馈支路的等效电阻的调整使得所述VGH线的电压恢复到未加载测试信号时的电压。由此可以避免在倍压电路进行EOS测试时，加载测试信号对VGH线或者直流电压转换电路中的元件或者液晶显示装置红的其他元件造成的损坏。
本发明还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括前述任意实施方式所述的直流电压转换电路。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路框图。
图2为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路结构图。
图3为本发明一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1和图2，图1为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路框图；图2为本发明一较佳实施方式的直流电压转换电路的电路结构图。所述直流电压转换电路10包括倍压电路100和保护电路300。所述倍压电路100包括倍压输出端110及倍压输出端120。所述倍压输入端110用于接收第一电压，所述倍压电路100用于将所述第一电压转换为第二电压，所述第二电压经由所述倍压输出端120输出。所述保护电路300包括侦测电路310、第一反馈电路320、第一调整电路330、第二调整电路340及第二反馈电路350。所述第一反馈电路320的输入端电连接所述倍压输出端120，所述第一反馈电路320的输出端电连接所述液晶显示装置中的VGH线。所述第二反馈电路350的一端电连接所述倍压输出端120，另一端接地。当所述倍压电路100未进行EOS测试时，所述侦测电路310侦测所述VGH线的电压，并根据所述VGH线的电压得到第一侦测电压，所述第一侦测电压经由所述侦测电路310的输出端输出。所述第一调整电路330将所述第一侦测电压与参考电压进行比较，并根据所述第一侦测电压与所述参考电压的比较结果产生第一信号，所述第一信号用于调整所述第一反馈电路320的等效电阻为第一等效电阻。所述第二调整电路340根据所述第一侦测电压产生第二信号，所述第二信号用于调整所述第二反馈电路的等效电阻为第二等效电阻。
当所述倍压电路进行EOS测试时，所述倍压输出端120加载测试信号，所述侦测电路310侦测所述VGH线的电压，并根据所述VGH线的电压得到第二侦测电压，所述第二侦测电压经由所述侦测电路310的输出端输出。所述第一调整电路330将所述第二侦测电压与所述参考电压进行比较，并根据所述第二侦测电压与所述参考电压的比较结果产生第三信号，所述第三信号用于调整所述第一反馈电路320的等效电阻为第三等效电阻。所述第二调整电路340根据所述第二侦测电压产生第四信号，所述第四信号用于调整所述第二反馈电路350的等效电阻为第四等效电阻。当所述第一反馈电路320的等效电阻被调整为所述第三等效电阻且所述等效电阻被调整为所述第四等效电阻时，所述VGH线的电压为第一侦测电压。
所谓EOS测试，通常是指对待测试的器件加载的电压超过待测试器件的额定工作电压，或者是对待测试的器件加载的电流超过待测试器件的额定工作电流时，对待测试器件性能的测试。
所述第一反馈电路320包括并联的第一反馈支路321、第二反馈支路322及第三反馈支路323。所述第一调整电路310包括第一调整支路331、第二调整支路332及第三调整支路333。所述第一调整支路331用于将自所述侦测电路310的输出端输出的电压与第一参考电压进行比较，并根据所述侦测电路310的输出端输出的电压与所述第一参考电压的比较结果产生第一调整信号，所述第一调整信号用于调整所述第一反馈支路321的电阻。所述第二调整支路332用于将自所述侦测电路310的输出端输出的电压与第二参考电压进行比较，并根据所述侦测电路310的输出端输出的电压与所述第二参考电压的比较结果产生第二调整信号，所述第二调整信号用于调整所述第二反馈支路322的电阻。所述第三调整支路333用于将自所述侦测电路310的输出端输出的电压与第三参考电压进行比较，并根据所述侦测电路310的输出端输出的电压与所述第三参考电压的比较结果产生第三调整信号，所述第三调整信号用于调整所述第三反馈支路323的电阻，其中，所述第一参考电压小于所述第二参考电压，且所述第二参考电压小于所述第三参考电压。
所述第一反馈支路321包括第一薄膜晶体管Q1及第一电阻R1。所述第一薄膜晶体管Q1的源极电连接所述倍压输出端120，所述第一薄膜晶体管Q1的栅极用于接收所述第一调整信号，所述第一薄膜晶体管Q1的漏极电连接所述第一电阻R1至所述VGH线，所述第一调整信号用于调整所述第一薄膜晶体管Q1的导通或者截止。所述第二反馈支路322包括第二薄膜晶体管Q2及第二电阻R2。所述第二薄膜晶体管Q2的源极电连接所述倍压输出端120，所述第二薄膜晶体管Q2的栅极用于接收所述第二调整信号，所述第二薄膜晶体管Q2的漏极电连接所述第二电阻R2至所述VGH线，所述第二调整信号用于调整所述第二薄膜晶体管Q2的导通或者截止。所述第三反馈支路323包括第三薄膜晶体管Q3与第三电阻R3。所述第三薄膜晶体管Q3的源极电连接所述倍压输出端120，所述第二薄膜晶体管Q3的栅极用于接收所述第三调整信号，所述第三薄膜晶体管Q3的漏极电连接所述第三电阻R3至所述VGH线，所述第三调整信号用于调整所述第三薄膜晶体管Q3的导通或者截止。
在本实施方式中，所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2及所述第三薄膜晶体管Q3均为P型薄膜晶体管(P-Metal Oxide Semiconductor，PMOS)。当所述第一调整信号为低电平信号时，所述第一薄膜晶体管Q1导通，当所述第一调整信号为高电平信号时，所述第一薄膜晶体管Q1截止。当所述第二调整信号为低电平信号时，所述第二薄膜晶体管Q2导通，当所述第二调整信号为高电平信号时，所述第二薄膜晶体管Q2截止。当所述第三调整信号为低电平信号时，所述第三薄膜晶体管Q3导通，当所述第三调整信号为高电平信号时，所述第三薄膜晶体管Q3截止。
所述第一调整支路331包括第一比较器OP1。所述第一比较器OP1的同相输入端电连接所述侦测电路310的输出端以接收所述侦测电路310的输出端输出的电压，所述第一比较器OP1的反相输入端加载所述第一参考电压。当所述第一比较器OP1的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第一参考电压时，所述第一调整支路331控制所述第一薄膜晶体管Q1截止，当所述第一调整支路331的接收端接收到的电压小于所述第一参考电压时，所述第一调整支路331控制所述第一薄膜晶体管Q1导通。
所述第二调整支路332包括第二比较器OP2。所述第二比较器OP2的同相输入端电连接所述侦测电路310的输出端以接收所述侦测电路310的输出端输出的电压，所述第二比较器OP2的反相输入端加载所述第二参考电压。当所述第二比较器OP2的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第二参考电压时，所述第二调整支路332控制所述第二薄膜晶体管Q2截止，当所述第二调整支路332的接收端接收到的电压小于所述第二参考电压时，所述第二调整支路332控制所述第二薄膜晶体管Q2导通。
所述第三调整支路333包括第三比较器OP3。所述第三比较器OP3的同相输入端电连接所述侦测电路310的输出端以接收所述侦测电路310的输出端输出的电压，所述第三比较器OP2的反相输入端加载所述第三参考电压。当第三比较器OP3的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第三参考电压时，所述第三调整支路333控制所述第三薄膜晶体管Q3截止，当所述第三调整支路333的接收端接收到的电压小于所述第三参考电压时，所述第三调整支路333控制所述第三薄膜晶体管Q3导通。
所述侦测电路310包括第四电阻R4、第五电阻R5及光电耦合器311。所述光电耦合器311包括第一耦合输入端311a、第二耦合输入端311b、第一耦合输出端311c及第二耦合输出端311d。所述第四电阻R4的一端作为所述侦测电路310的输入端电连接所述VGH线，所述第四电阻R4的另一端电连接所述第一耦合输出端311c，所述第一耦合输入端311a电连接所述VGH线，所述第二耦合输入端311b电连接所述倍压电路100，所述第二耦合输出端311d电连接所述第五电阻R5至地，所述第二耦合输出端311d及所述第五电阻R5之间的节点A作为所述侦测电路310的输出端。
所述光电耦合器311接收所述第一耦合输入端311a及所述第二耦合输入端311b的电信号，将所述第一耦合输入端311a及所述第二耦合输入端311b接收到的信号转换为光信号，再将光信号转换为电信号经由所述第一耦合输出端311c及第二耦合输出端311d输出。自所述第一耦合输出端311c及所述第二耦合输出端311d输出的信号是自所述第一耦合输入端311a及所述第二耦合输入端311b输入的信号的N倍(其中，N为正数)。所述光电耦合器311用于防止与所述第一耦合输入端311a及所述第二耦合输入端311b连接的电子元件对与所述第一耦合输出端311c及所述第二耦合输出端311d连接的电子元件的相互干扰，以提高在进行EOS测试时，整个保护电路300的过流保护时的保护精度。
所述第二反馈电路350包括并联的第四反馈支路351、第五反馈支路352及第六反馈支路353。所述第二调整电路340用于根据所述侦测电路310的输出端输出的电压得到第四调整信号、第五调整信号及第六调整信号。所述第四调整信号用于调整所述第四反馈支路351的电阻，所述第五调整信号用于调整所述第五反馈支路352的电阻，所述第六调整信号用于调整所述第六反馈支路353的电阻。所述第四调整信号、所述第五调整信号及所述第六调整信号配合以调整所述第二反馈电路350的电阻。
所述第二调整电路340包括乘法器341及控制器342。所述乘法器341包括第一乘法输入端341a、第二乘法输入端341b及乘法输出端341c。所述第一乘法输入端341a电连接所述侦测电路310的输出端，以接收所述侦测电路310的输出端输出的电压。所述第二乘法输入端341b加载预设系数，所述乘法器341用于将所述侦测电路310的输出端输出的电压乘以所述预设系数，以得到控制信号，并将所述控制信号经由所述乘法输出端341c输出。所述控制器342包括控制信号接收端342a、第一输出端342b、第二输出端342c及第三输出端342d。所述控制信号接收端342a用于接收所述控制信号，所述控制器342根据所述控制信号产生所述第四调整信号、所述第五调整信号及所述第六调整信号。其中所述第四调整信号经由所述第一输出端342b输出，所述第五调整信号经由所述第二输出端342c输出，所述第六调整信号经由所述第三输出端342d输出。
所述第四反馈支路351包括第四薄膜晶体管Q4及第六电阻R6。所述第五反馈支路352包括第五薄膜晶体管Q5及第七电阻R7。所述第六反馈支路353包括第六薄膜晶体管Q6及第八电阻R8。所述第二反馈电路350还包括第七反馈支路354。所述第七反馈支路354包括第九电阻R9及第十电阻R10。所述第九电阻R9的一端电连接所述倍压输出端120，所述第九电阻R9的另一端电连接所述第十电阻R10至地。
所述第四薄膜晶体管Q4的栅极用于接收所述第四调整信号，所述第四调整信号用于控制所述第四薄膜晶体管Q4的导通或者截止，所述第四薄膜晶体管Q4的漏极通过所述第六电阻R6电连接所述第九电阻R9与所述第十电阻R10之间的节点FB，所述第四薄膜晶体管Q4的源极接地。
所述第五薄膜晶体管Q5的栅极用于接收所述第五调整信号，所述第五调整信号用于控制所述第五薄膜晶体管Q5的导通或者截止，所述第五薄膜晶体管Q5的漏极通过所述第七电阻R7电连接所述第九电阻R9与所述第十电阻R10之间的节点，所述第五薄膜晶体管Q5的源极接地。
所述第六薄膜晶体管Q6的栅极用于接收所述第六调整信号，所述第六调整信号用于控制所述第六薄膜晶体管Q6的之间导通或者截止，所述第六薄膜晶体管Q6的漏极通过所述第八电阻R8电连接至所述第九电阻R9与所述第十电阻R10之间的节点，所述第六薄膜晶体管Q6的源极接地。
在本实施方式中，所述第四薄膜晶体管Q4、所述第五薄膜晶体管Q5及所述第六薄膜晶体管Q6均为N型薄膜晶体管(N-Metal Oxide Semiconductor,NMOS)。当所述第四调整信号为高电平信号时，所述第四薄膜晶体管Q4导通,当所述第四调整信号为低电平信号时，所述第四薄膜晶体管Q4截止。当所述第五调整信号为高电平信号时，所述第五薄膜晶体管Q5导通。当所述第五调整信号为低电平信号时，所述第五薄膜晶体管Q5截止。当所述第六调整信号为高电平信号时，所述第六薄膜晶体管Q6导通。当所述第六调整信号为低电平信号时，所述第六薄膜晶体管Q6截止。
所述倍压电路100还包括电容C123，所述电容C123一端电连接所述倍压输出端120，另一端接地。所述电容C123用于对所述倍压输出端120输出的第二电压进行滤波，以使得经由所述倍压输出端120输出的第二电压的波形更加平滑。
下面对本发明的直流电压转换电路的工作原理进行介绍。当所述倍压电路100未进行EOS测试时，流过所述倍压电路100中电源管理芯片(PowerManagementIC PMIC)的VGH引脚及流经所述VGH线的电流都很小。流经所述第二耦合输出端311d及所述第五电阻R5之间的节点A的电压用VA表示，所述第一参考电压用Vref1表示，所述第二参考电压用Vref2表示，所述第三参考电压用Vref3表示。则，此时，VA＜Vref1＜Vref2＜Vref3，此时，所述第一比较器OP1根据VA与第一参考电压Vref1比较的结果产生低电平信号，所述第二比较器OP2根据VA与第二参考电压Vref2比较的结果产生低电平信号，所述第三比较器根据VA与所述第三参考电压比较的结果产生低电平信号。所述第一薄膜晶体管Q1、所述第二薄膜晶体管Q2及所述第三薄膜晶体管Q3均导通。此时，所述第一反馈电路320的等效电阻即第一等效电阻Req1等于R1、R2及R3的并联(用符号“//”表示并联，则，R1、R2和R3并联表示为R1//R2//R3)之后的电阻。所述第一反馈电路320的电流定义为I1。此时，所述第以反馈电路320的电压降等于I1*Req1。所述第九电阻R9与所述第十电阻R10之间的节点FB的电压用VFB表示。所述倍压电路100的倍压输出端120的电压用VGHF表示，VGH线的电压用VGH表示。则，此时VGHF＝VFB*(1+R9/R10)，VGH＝VGHF-I1*Req1＝VFB*(1+R9/R10)-I1*(R1//R2//R3)。
当所述倍压电路100进行EOS测试时，流入所述倍压电路100中电源管理芯片VGH引脚以路径所述VGH线的电流增大。假设此时，Vref1＜Vref2＜VA＜Vref3。所述第一比较器OP1根据VA与第一参考电压Vref1的比较结果产生高电平信号，所述第二比较器OP2根据VA与第二参考电压Vref2的比较结果产生高电平信号，所述第三比较器OP3根据VA与Vref3的比较结果产生低电平信号。此时，所述第一薄膜晶体管Q1截止，所述第二薄膜晶体管Q2截止，所述第三薄膜晶体管Q3导通。此时，所述第一反馈电路320的等效电阻即第三等效电阻Req3等于R3。此时，所述第一反馈电路320的电压降等于I1*R3，此时，所述第二调整电路340中输出的第四调整信号为高电平信号、所述第五电阻信号为高电平信号，所述第六调整信号为低电平信号。则，此时，VGHF＝VFB*[1+R9/(R10//R6//R7)]，由此可见，进行EOS测试时的VGHF相较于未进行EOS测试时的VGHF电压值增加。而VGH＝VGHF-I1*R3＝VFB*[1+R9/(R10//R6//R7)]-I1*R3＝VFB*(1+R9/R10)-I1*(R1//R2//R3)。由此可见，进行EOS测试时所述VGH线的电压等于未进行测试时VGH线的电压。
相较于现有技术，本发明的直流电压转换电路10在所述倍压电路100在进行EOS测试时，倍压输出端120加载测试信号，侦测电路310根据VGH线的电压得到第二侦测电压，第一调整电路330根据第二侦测电压与参考电压的比较结果产生第三信号，第二调整电路340根据第二侦测电压与参考电压的比较结果产生第四信号。第三信号调整第一反馈支路320的等效电阻为第三等效电阻，第四调整信号调整第二反馈支路350的等效电阻为第四电阻，从而通过对第一反馈支路320及第二反馈支路350的等效电阻的调整使得所述VGH线的电压恢复到未加载测试信号时的电压。由此可以避免在倍压电路100进行EOS测试时，加载测试信号对VGH线或者直流电压转换电路中的元件或者液晶显示装置红的其他元件造成的损坏。
本发明还提供了一种液晶显示装置1，请参阅图3，图3为本发明一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。所述液晶显示装置1包括前面所述的直流电压转换电路，在此不再赘述。在本实施方式中，所述液晶显示装置1包括但不仅限于包括但不仅限于智能手机(Smart Phone)、互联网设备(Mobile InternetDevice，MID)、电子书、平板电脑、便携式播放站(Play Station Portable,PSP)或者个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等便携式设备。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种直流电压转换电路，所述直流电压转换电路应用于液晶显示装置中，其特征在于，所述直流电压转换电路包括倍压电路及保护电路，所述倍压电路包括倍压输入端及倍压输出端，所述倍压输入端用于接收第一电压，所述倍压电路用于将所述第一电压转换为第二电压，所述第二电压经由所述倍压输出端输出，所述保护电路包括侦测电路、第一反馈电路、第一调整电路、第二调整电路及第二反馈电路，所述第一反馈电路的输入端电连接所述倍压输出端，所述第一反馈电路的输出端电连接所述液晶显示装置中的VGH线，所述第二反馈电路的一端电连接所述倍压输出端，另一端接地，
当所述倍压电路未进行EOS测试时，所述侦测电路侦测所述VGH线的电压，并根据所述VGH线的电压得到第一侦测电压，所述第一侦测电压经由所述侦测电路的输出端输出，所述第一调整电路将所述第一侦测电压与参考电压进行比较，并根据所述第一侦测电压与所述参考电压的比较结果产生第一信号，所述第一信号用于调整第一反馈电路的等效电阻为第一等效电阻，所述第二调整电路根据所述第一侦测电压产生第二信号，所述第二信号用于调整所述第二反馈电路的等效电阻为第二等效电阻，
当所述倍压电路进行EOS测试时，所述倍压输出端加载测试信号，所述侦测电路侦测所述VGH线的电压，并根据所述VGH线的电压得到第二侦测电压，所述第二侦测电压经由所述侦测电路的输出端输出，所述第一调整电路将所述第二侦测电压与所述参考电压进行比较，并根据所述第二侦测电压与所述参考电压的比较结果产生第三信号，所述第三信号用于调整所述第一反馈电路的等效电阻为第三等效电阻，所述第二调整电路根据所述第二侦测电压产生第四信号，所述第四信号用于调整所述第二反馈电路的等效电阻为第四等效电阻，当所述第一反馈支路的等效电阻被调整为所述第三等效电阻且所述第二反馈支路的等效电阻被调整为所述第四等效电阻时，所述VGH线的电压变为第一侦测电压。
2.如权利要求1所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述第一反馈电路包括并联的第一反馈支路、第二反馈支路及第三反馈支路，所述第一调整电路包括第一调整支路、第二调整支路及第三调整支路，所述第一调整支路用于将自所述侦测电路的输出端输出的电压与第一参考电压进行比较，并根据所述侦测电路的输出端输出的电压与第一参考电压的比较结果产生第一调整信号，所述第一调整信号用于调整所述第一反馈支路的电阻，所述第二调整支路用于将自所述侦测电路的输出端输出的电压与第二参考电压进行比较，并根据所述侦测电路的输出端输出的电压与所述第二参考电压的比较结果产生第二调整信号，所述第二调整信号用于调整所述第二反馈支路的电阻，所述第三调整支路用于将自所述侦测电路的输出端输出的电压与第三参考电压进行比较，并根据所述侦测电路的输出端输出的电压与所述第三参考电压的比较结果产生第三调整信号，所述第三调整信号用于调整所述第三反馈支路的电阻，其中，所述第一参考电压小于所述第二参考电压，且所述第二参考电压小于所述第三参考电压。
3.如权利要求2所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述第一反馈支路包括第一薄膜晶体管及第一电阻，所述第一薄膜晶体管的源极电连接所述倍压输出端，所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收所述第一调整信号，所述第一薄膜晶体管的漏极电连接所述第一电阻至所述VGH线，所述第一调整信号用于调整所述第一薄膜晶体管的导通或者截止；
所述第二反馈支路包括第二薄膜晶体管及第二电阻，所述第二薄膜晶体管的源极电连接所述倍压输出端，所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收所述第二调整信号，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第二电阻至所述VGH线，所述第二调整信号用于调整所述第二薄膜晶体管的导通或者截止，
所述第三反馈支路包括第三薄膜晶体管与第三电阻，所述第三薄膜晶体管的源极电连接所述倍压输出端，所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收所述第三调整信号，所述第三薄膜晶体管的漏极电连接所述第三电阻至所述VGH线，所述第三调整信号用于调整所述第三薄膜晶体管的导通或者截止。
4.如权利要求3所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述第一调整支路包括第一比较器，所述第一比较器的同相输入端电连接所述侦测电路的输出端以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第一比较器的反相输入端加载所述第一参考电压，当所述第一比较器的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第一参考电压时，所述第一调整支路控制所述第一薄膜晶体管截止，当所述第一调整支路的接收端接收到的电压小于所述第一参考电压时，所述第一调整支路控制所述第一薄膜晶体管导通；
所述第二调整支路包括第二比较器，所述第二比较器的同相输入端电连接所述侦测电路的输出端以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第二比较器的反相输入端加载所述第二参考电压，当所述第二比较器的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第二参考电压时，所述第二调整支路控制所述第二薄膜晶体管截止，当所述第二调整支路的接收端接收到的电压小于所述第二参考电压时，所述第二调整支路控制所述第二薄膜晶体管导通；
所述第三调整支路包括第三比较器，所述第三比较器的同相输入端电连接所述侦测电路的输出端以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第三比较器的反相输入端加载所述第三参考电压，当第三比较器的同相输入端接收到的电压大于或等于所述第三参考电压时，所述第三调整支路控制所述第三薄膜晶体管截止，当所述第三调整支路的接收端接收到的电压小于所述第三参考电压时，所述第三调整支路控制所述第三薄膜晶体管导通。
5.如权利要求1所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述侦测电路包括第四电阻、第五电阻及光电耦合器，所述光电耦合器包括第一耦合输入端、第二耦合输入端、第一耦合输出端及第二耦合输出端，所述第四电阻的一端作为所述侦测电路的输入端电连接所述VGH线，所述第四电阻的另一端电连接所述第一耦合输出端，所述第一耦合输入端电连接所述VGH线，所述第二耦合输入端电连接所述倍压电路，所述第二耦合输出端电连接所述第五电阻至地，所述第二耦合输出端及所述第五电阻之间的节点作为所述侦测电路的输出端。
6.如权利要求1所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述第二反馈电路包括并联的第四反馈支路、第五反馈支路及第六反馈支路，所述第二调整电路用于根据所述侦测电路的输出端输出的电压得到第四调整信号、第五调整信号及第六调整信号，所述第四调整信号用于调整所述第四反馈支路的电阻，所述第五调整信号用于调整所述第五反馈支路的电阻，所述第六调整信号用于调整所述第六反馈支路的电阻，所述第四调整信号、所述第五调整信号及所述第六调整信号配合以调整所述第二反馈电路的电阻。
7.如权利要求6所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述第二调整电路包括乘法器及控制器，所述乘法器包括第一乘法输入端、第二乘法输入端及乘法输出端，所述第一乘法输入端电连接所述侦测电路的输出端，以接收所述侦测电路的输出端输出的电压，所述第二乘法输入端加载预设系数，所述乘法器用于将所述侦测电路的输出端输出的电压乘以所述预设系数，以得到控制信号，并将所述控制信号输出，所述控制器包括控制信号接收端、第一输出端、第二输出端及第三输出端，所述控制信号接收端用于接收所述控制信号，所述控制器根据所述控制信号产生所述第四调整信号、所述第五调整信号及所述第六调整信号，其中所述第四调整信号经由所述第一输出端输出，所述第五调整信号经由所述第二输出端输出，所述第六调整信号经由所述第三输出端输出。
8.如权利要求6所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述第四反馈支路包括第四薄膜晶体管及第六电阻，所述第五反馈支路包括第五薄膜晶体管及第七电阻，所述第六反馈支路包括第六薄膜晶体管及第八电阻，所述第二反馈电路还包括第七反馈支路，所述第七反馈支路包括第九电阻及第十电阻，所述第九电阻的一端电连接所述倍压输出端，所述第九电阻的另一端电连接所述第十电阻至地；
所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收所述第四调整信号，所述第四调整信号用于控制所述第四薄膜晶体管的导通或者截止，所述第四薄膜晶体管的漏极通过所述第六电阻电连接所述第九电阻与所述第十电阻之间的节点，所述第四薄膜晶体管的源极接地；
所述第五薄膜晶体管的栅极用于接收所述第五调整信号，所述第五调整信号用于控制所述第五薄膜晶体管的导通或者截止，所述第五薄膜晶体管的漏极通过所述第七电阻电连接所述第九电阻与所述第十电阻之间的节点，所述第五薄膜晶体管的源极接地；
所述第六薄膜晶体管的栅极用于接收所述第六调整信号，所述第六调整信号用于控制所述第六薄膜晶体管的导通或者截止，所述第六薄膜晶体管的漏极通过所述第八电阻电连接至所述第九电阻与所述第十电阻之间的节点，所述第六薄膜晶体管的源极接地。
9.如权利要求8所述的直流电压转换电路，其特征在于，所述倍压电路还包括电容，所述电容一端电连接所述倍压输出端，另一端接地。
10.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括如权利要求1～9任意一项所述的直流电压转换电路。
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