CN105895746B - 具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层‑金属栅线‑介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。

Description

具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法
技术领域
本发明属于异质结太阳电池领域，特别是涉及一种低温处理的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法。
背景技术
随着社会经济的发展，对能源的需求不断增加，有限的传统燃料能源正在一天天减少，且在燃烧过程中对全球气候和环境造成了重大影响。能源和生态环境的双重危机迫使各国大力推动新能源和可再生能源的发展，希望其能够改变人类的能源结构，维持长远的可持续发展。作为21世纪最重要的能源，太阳能资源总量相当于人类现在所利用的能源的一万多倍，且具有安全、无污染、资源永不枯竭等特点，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源。
太阳电池是利用光生伏特效应直接把光能转化成电能的装置，是太阳能实际应用的重要组成部分。目前，晶硅太阳电池在产业化电池中占据着主导地位，但生产成本还无法实现光伏发电的“平价上网”要求；此外，总体转换效率偏低、高温特性不好、制程能耗大、光致衰减等也制约着晶硅太阳电池的进一步发展。
硅异质结太阳电池(SHJ太阳电池)是一种通过在晶硅片上沉积非晶硅薄膜，在硅片和P型掺杂非晶硅薄膜间引入一层本征非晶硅缓冲层，产生电荷分离场，可有效提高钝化、开路电压及转换效率。这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，具有较高的转换效率(目前最高接近25％)、良好的温度特性(在同样的高温应用下，异质结太阳电池比晶硅太阳电池性能衰减更少)、较低的工艺温度(异质结太阳电池工艺均在250℃以下)等优点，成为太阳电池发展的热点。
以n型双面SHJ太阳电池为例，其基本结构如图3所示，主要包括n型晶体硅基底、本征非晶硅钝化层、n型(p型)非晶硅掺杂层、表面减反射及导电层、金属电极。由于非晶硅薄膜掺杂层的横向导电性能较差，故在SHJ电池的制备过程中，常在非晶硅和金属栅线之间插入一层光电性能较好的透明导电薄膜作为表面减反射层及导电层，以改善提高电池接触特性及电性能。由于双面异质结太阳电池是对称结构，故掺杂非晶硅层的位置可以互换，即可以是p型非晶硅掺杂层在表面，也可以是n型非晶硅掺杂层在表面。同时，异质结太阳电池也可以是单面结构，即背面沉积整面的金属作为导电电极。这些结构都是异质结太阳电池结构的衍生，为业内所共知。
在未沉积透明导电薄膜之前，由于氢化非晶硅薄膜的折射率较高，使得太阳电池的主要吸收波段(300-1200nm)的反射损失很大，可以达到40％及以上。通过沉积透明导电薄膜作为减反射层，异质结太阳电池的反射损失大大地降低了。300-1200nm波段的反射率可以降低到8％以下。由于透明导电薄膜的电学特性和光学特性存在相互制约的关系：若获得高的光学透过性，则薄膜的导电性降低，反之亦然。
对于单层减反射薄膜，其优化的薄膜厚度一般通过标准方程计算，对应为在600nm处的四分之一波长。此时，单层减反射薄膜在该波长时的反射率接近于0。对于叠层减反射薄膜，其优势在于得到多个极小值点，可以在更宽的波段范围内获得更低的发射率，从而降低整个光谱范围内的反射率。
根据异质结太阳电池的特性：1.透明导电薄膜作为传导层与发射极直接接触；2.工艺温度不超过250℃。因此，传统的叠层减反射的方法不适用于异质结太阳电池。
传统的扩散PN结太阳电池的叠层减反的制备方法如图1a～图1f所示，先于P型衬底101上形成N型层102，然后于N型层102表面形成叠层的减反薄膜103(都是介电薄膜)，然后形成背电极105，再沉积金属栅线104，在后续高温后处理时(一般温度达到700℃以上)，金属栅线烧穿叠层减反射薄膜，与PN结接触形成导电通路。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，以在低温下实现叠层减反射结构及方法。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，所述制备方法包括步骤：步骤1)，提供硅异质结光伏结构，及所述硅异质结光伏结构表面的透明导电层；步骤2)，于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3)，于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4)，进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述硅异质结光伏结构的正面及背面均制备有透明导电层、金属栅线及介电减反射薄膜，并进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述硅异质结光伏结构的背面同样制备有透明导电层、金属栅线及介电减反射薄膜，并进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述的异质结光伏结构包括具有相反掺杂的半导体材料，所述的异质结光伏结构的制程温度不超过250℃。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述透明导电层的形成方式包括物理气相沉积、化学气相沉积、溅射、反应等离子气相沉积、溶胶凝胶法、电沉积、等离子体增强化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积及原子层沉积中的一种。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述透明导电层的厚度范围为1-100nm。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述透明导电层具有导电性及透光性，包括但不仅限于In2O3、In2O3:H、In2O3:Sn(ITO)、In2O3:W(IWO)、In2O3:Ce(ICO)、In2O3:Mo(IMO)、ZnO，ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、CdO、SnO2、SnO2:F(FTO)、SnO2:Sb、MgIn2O4、Zn2In2O5、Zn2SnO4、LaB4、TiN、ZrN、PEDOT:PSS、PPY-PVA、聚苯胺、聚噻吩、Au、Al、Pt、Pd、Ag、Cr中的一种或两种以上的叠层。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述金属栅线的形成方式包括但不仅限于丝网印刷、喷墨打印、电镀、化学镀、溅射、物理气相沉积、喷涂中的一种。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述介电减反射薄膜的形成方式包括等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、溅射、溶胶凝胶法、化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积中的一种。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述介电减反射薄膜包括氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氟化镁、透明树脂中的一种或两种以上的叠层。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述介电减反射薄膜包括1-5层薄膜，厚度范围为1-200nm。
作为本发明的具有叠层减反特性的硅异质太阳电池的制备方法的一种优选方案，所述金属栅线的厚度大于所述介电减反射薄膜的厚度。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，步骤4)中，低温退火的温度为不超过250℃。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法的一种优选方案，步骤4)中，低温退火的气氛包括空气、氧气、氮气、氢气、氩气的一种或两种以上的混合气体，气压包括常压、负压及高压中的一种。
本发明还提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，包括：硅异质结光伏结构；透明导电层，形成于所述硅异质结光伏结构的表面；金属栅线，形成于所述透明导电层表面；介电减反射薄膜，覆盖于所述金属栅线顶部及透明导电层表面，且所述金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述硅异质结光伏结构的正面制备有透明导电层、金属栅线及介电减反射薄膜，且所述金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述硅异质结光伏结构的背面同样制备有透明导电层、金属栅线及介电减反射薄膜，且所述金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述的异质结光伏结构包括具有相反掺杂的半导体材料，所述的异质结光伏结构的制程温度不超过250℃。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述金属栅线的厚度大于所述介电减反射薄膜的厚度。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，露出于所述介电减反射薄膜之上的金属栅线包括有金属栅线材料及介电减反射薄膜所形成的导电混合相。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述透明导电层的厚度范围为1-100nm。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述透明导电层具有导电性及透光性，包括但不仅限于In2O3、In2O3:H、In2O3:Sn(ITO)、In2O3:W(IWO)、In2O3:Ce(ICO)、In2O3:Mo(IMO)、ZnO，ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、CdO、SnO2、SnO2:F(FTO)、SnO2:Sb、MgIn2O4、Zn2In2O5、Zn2SnO4、LaB4、TiN、ZrN、PEDOT:PSS、PPY-PVA、聚苯胺、聚噻吩、Au、Al、Pt、Pd、Ag、Cr中的一种或两种以上的叠层。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述介电减反射薄膜包括氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氟化镁、透明树脂中的一种或两种以上的叠层。
作为本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的一种优选方案，所述介电减反射薄膜包括1-5层薄膜，厚度范围为1-200nm。
如上所述，本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，具有以下有益效果：本发明提供了用于异质结太阳电池的低温下实现叠层减反射的结构及方法，减反射结构采用透明导电层-金属栅线-介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，形成导电混合相，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。
附图说明
图1a～图1f显示为现有技术中的扩散PN结太阳电池的叠层减反的制备方法各步骤所呈现的结构示意图。
图2a～图2e显示为本发明的具有叠层减反特性的硅异质太阳电池的制备方法各步骤所呈现的结构示意图。
图3显示为现有技术中的异质结太阳电池的结构示意图。
元件标号说明
201 n型硅衬底
202 本征非晶硅层
203 P型掺杂非晶硅层
204 N型掺杂非晶硅层
205 透明导电层
206 金属栅线
207 介电减反射薄膜
208 导电混合相
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2a～图2e。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图2a～图2e所示，本实施例提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，所述制备方法包括步骤：
如图2a～图2b所示，首先进行步骤1)，提供硅异质结光伏结构，于所述硅异质结光伏结构的表面形成透明导电层205。
作为示例，所述的异质结光伏结构包括具有相反掺杂且成份或结构不同的半导体材料，所述的异质结光伏结构的制程温度不超过250℃。具体地，在本实施例中，所述异质结光伏结构包括N型硅衬底210，所述n型硅衬底210正面结合有本征非晶硅层202及p型掺杂非晶硅层203，所述N型硅衬底210的背面结合有本征非晶硅层202及n型掺杂非晶硅层204。
作为示例，所述透明导电层205的形成方式包括物理气相沉积、化学气相沉积、溅射、反应等离子气相沉积、溶胶凝胶法、电沉积、等离子体增强化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积及原子层沉积中的一种。
作为示例，所述透明导电层205的厚度范围为1-100nm。
作为示例，所述透明导电层205具有导电性及透光性，包括但不仅限于In2O3、In2O3:H、In2O3:Sn(ITO)、In2O3:W(IWO)、In2O3:Ce(ICO)、In2O3:Mo(IMO)、ZnO，ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、CdO、SnO2、SnO2:F(FTO)、SnO2:Sb、MgIn2O4、Zn2In2O5、Zn2SnO4、LaB4、TiN、ZrN、PEDOT:PSS、PPY-PVA、聚苯胺、聚噻吩、Au、Al、Pt、Pd、Ag、Cr中的一种或两种以上的叠层。
在本实施例中所述透明导电层205的形成方式选用为化学气相沉积，其材料为透明导电氧化物(TCO)，其厚度为10nm。
如图2c所示，然后进行步骤2)，于所述透明导电层205表面形成金属栅线206。
作为示例，所述金属栅线206的形成方式包括但不仅限于丝网印刷、喷墨打印、电镀、化学镀、溅射、物理气相沉积、喷涂中的一种。在本实施例中，所述金属栅线206采用丝网印刷工艺制备。所述金属栅线206的材料包括Ag、Au、Cu、Al、Sn等金属材料。
如图2d所示，接着进行步骤3)，于所述金属栅线206顶部及透明导电层205表面覆盖介电减反射薄膜207。
作为示例，所述介电减反射薄膜207的形成方式包括等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、溅射、溶胶凝胶法、化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积中的一种。
作为示例，所述介电减反射薄膜207包括氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氟化镁、透明树脂中的一种或两种以上的叠层。
作为示例，所述介电减反射薄膜207包括1-5层薄膜，厚度范围为1-200nm。
在本实施例中，所述介电减反射薄膜207采用离子体增强化学气相沉积，其材料为氧化硅，厚度为10nm。
另外，需要说明的是，在本实施了中，所述金属栅线206的厚度大于所述介电减反射薄膜207的厚度，所述介电减反射薄膜207形成后，只覆盖了所述金属栅线206的顶部以及没被金属栅线206覆盖的透明导电层205。
如图2e所示，最后进行步骤4)，进行低温退火处理使金属栅线206与表层的介电减反射薄膜207形成导电混合相通路。具体地，金属栅线206由于比表面积大，介电减反射薄膜207不能完全覆盖，以及热处理时金属晶粒的热流动性，使得在金属栅线206表面的介电薄膜与下面的金属晶粒互通，形成导电的混合相，从而实现穿透上面的介电减反射薄膜207，形成导电混合相通路，所述导电通路包括金属栅线材料及介电减反射薄膜所形成的导电混合相208。
作为示例，步骤4)中，低温退火的温度为不超过250℃。
作为示例，步骤4)中，低温退火的气氛包括空气、氧气、氮气、氢气、氩气的一种或两种以上的混合气体，气压包括常压、负压及高压中的一种。
另外，需要说明的是，在本实施例中所述硅异质结光伏结构的正面及背面均制备有透明导电层205、金属栅线206，只在正面沉积介电减反射薄膜207，并进行低温退火处理使金属栅线206与表层的介电薄膜反应形成导电混合相通路。然而，在实际的应用中，晶体硅异质结太阳电池的背面金属化可以有多种选择，均是本实施例的变种之一。如果在背面也制备出透明导电层205、金属栅线206及介电减反射薄膜207，可以进一步提升硅异质结光伏结构的性能。
如图2e所示，本实施例还提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，包括：硅异质结光伏结构；透明导电层205，形成于所述硅异质结光伏结构的表面；金属栅线206，形成于所述透明导电层205表面；介电减反射薄膜207，覆盖于所述金属栅线206顶部及透明导电层205表面，且所述金属栅线206与表层的介电减反射薄膜207反应，形成导电混合相通路。
作为示例，所述硅异质结光伏结构的正面制备有透明导电层205、金属栅线206及介电减反射薄膜207，且所述金属栅线206与表层的介电减反射薄膜207反应，形成导电混合相通路。然而，在实际的应用中，晶体硅异质结太阳电池的背面金属化可以有多种选择，均是本实施例的变种之一。如果在背面也制备出透明导电层205、金属栅线206及介电减反射薄膜207，可以进一步提升硅异质结光伏结构的性能。
作为示例，所述的异质结光伏结构包括具有相反掺杂的半导体材料，所述的异质结光伏结构的制程温度不超过250℃。
作为示例，所述金属栅线206的厚度大于所述介电减反射薄膜207的厚度。
作为示例，露出于所述介电减反射薄膜207之上的金属栅线206包括有金属栅线206材料及介电减反射薄膜207所形成的导电混合相208。
作为示例，所述透明导电层205的厚度范围为1-100nm。
作为示例，所述透明导电层205具有导电性及透光性，包括但不仅限于In2O3、In2O3:H、In2O3:Sn(ITO)、In2O3:W(IWO)、In2O3:Ce(ICO)、In2O3:Mo(IMO)、ZnO，ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、CdO、SnO2、SnO2:F(FTO)、SnO2:Sb、MgIn2O4、Zn2In2O5、Zn2SnO4、LaB4、TiN、ZrN、PEDOT:PSS、PPY-PVA、聚苯胺、聚噻吩、Au、Al、Pt、Pd、Ag、Cr中的一种或两种以上的叠层。
作为示例，所述介电减反射薄膜207包括氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氟化镁、透明树脂中的一种或两种以上的叠层。
作为示例，所述介电减反射薄膜207包括1-5层薄膜，厚度范围为1-200nm。
如上所述，本发明的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，具有以下有益效果：本发明提供了用于异质结太阳电池的低温下实现叠层减反射的结构及方法，减反射结构采用透明导电层205-金属栅线206-介电减反射薄膜207的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线206可以与表层的介电减反射薄膜207反应，从而实现导电混合相通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (16)

1.一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
步骤1)，提供硅异质结光伏结构，所述硅异质结光伏结构包括：晶体硅基底，相反掺杂的非晶硅薄膜，表面具有透明导电层；
步骤2)，于所述透明导电层表面形成金属栅线；
步骤3)，于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；
步骤4)，进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
2.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述硅异质结光伏结构的正面和/或背面制备有透明导电层、金属栅线及介电减反射薄膜，并进行低温退火处理金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
3.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述金属栅线的形成方式包括丝网印刷、喷墨打印、电镀、化学镀、溅射、物理气相沉积、喷涂中的一种。
4.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述介电减反射薄膜的形成方式包括等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、溅射、溶胶凝胶法、化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积中的一种。
5.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述介电减反射薄膜包括氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氟化镁、透明树脂中的一种或两种以上的叠层。
6.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述介电减反射薄膜包括1-5层薄膜，厚度范围为1-200nm。
7.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述金属栅线的厚度大于所述介电减反射薄膜的厚度。
8.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤4)中，低温退火的温度为不超过250℃。
9.根据权利要求1所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤4)中，低温退火的气氛包括空气、氧气、氮气、氢气、氩气的一种或两种以上的混合气体，气压包括常压、负压及高压中的一种。
10.一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：
硅异质结光伏结构；
透明导电层，形成于所述硅异质结光伏结构的表面；
金属栅线，形成于所述透明导电层表面；
介电减反射薄膜，覆盖于所述金属栅线顶部及透明导电层表面，且所述金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
11.根据权利要求10所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述硅异质结光伏结构的正面和/或背面制备有透明导电层、金属栅线及介电减反射薄膜，
且所述金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。
12.根据权利要求10所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述金属栅线的厚度大于所述介电减反射薄膜的厚度。
13.根据权利要求10所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：露出于所述介电减反射薄膜之上的金属栅线包括有金属栅线材料及介电减反射薄膜所形成的导电混合相。
14.根据权利要求10所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述透明导电层的厚度范围为1-100nm。
15.根据权利要求10所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述介电减反射薄膜包括氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氟化镁、透明树脂中的一种或两种以上的叠层。
16.根据权利要求10所述的具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述介电减反射薄膜包括1-5层薄膜，厚度范围为1-200nm。
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