CN105892117A - 一种pi环化率的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种PI环化率的检测方法,包括如下步骤:提供一液晶显示面板,所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板及通过封框胶封装在两者之间的液晶,所述彩膜基板靠近所述液晶的一侧涂覆有PI层;将所述彩膜基板从阵列基板上分离,清除所述彩膜基板的PI层上残留的液晶;在所述PI层上形成溴化钾薄膜;通过红外光谱仪测量得到溴化钾薄膜下的PI层的C‑N‑C吸光度A和C=C吸光度B,则PI环化率为:(A/(B×C))×100%,其中C为标准值。通过本发明可以测的液晶显示面板中PI的环化率,若PI环化率异常,则可以分析与PI层制作的相关制程,完善制作流程,进而提高液晶显示面板的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板生产技术领域,尤其涉及一种PI环化率的检测方法。
背景技术
液晶显示装置(LCD,LiquidCrystalDisplay)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,从而得到了广泛的应用。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,通过玻璃基板通电电压来控制液晶分子改变方向,产生不同画面。
配向膜用于施予液晶分子朝配向的方向排列,使得液晶显示面板中的液晶分子拥有一致的方向性,或是定向排列。配向膜通常由聚酰亚胺(polyimide,PI)液覆盖在薄膜晶体管基板或是彩色滤光基板上形成。当电场驱动液晶分子动作时,全部或局部的液晶分子需要有同步且一贯性的动作,使得显示动作能快速且一致。PI的环化率直接影响液晶配向的效果,进而影响LCD的显示性能及可靠性表现。因此在液晶显示面板的制程分析中,需对成品液晶显示面板中的PI环化率进行检测,以便完善液晶显示面板的制程,进而提高液晶显示面板的制造良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种PI环化率的检测方法,用于检测成品液晶显示面板中PI的环化率,以便分析和完善液晶显示面板的制程,进而提高液晶显示面板的生产良率。
为了实现上述目的,本发明实施方式提供如下技术方案:
本发明提供一种PI环化率的检测方法,包括如下步骤:提供一液晶显示面板,所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板及通过封框胶封装在两者之间的液晶,所述彩膜基板靠近所述液晶的一侧涂覆有PI层;将所述彩膜基板从阵列基板上分离,清除所述彩膜基板的PI层上残留的液晶;在所述PI层上形成溴化钾薄膜;通过红外光谱仪测量得到溴化钾薄膜下的PI层的C-N-C吸光度A和C=C吸光度B,则PI环化率为:(A/(B×C))×100%,其中C为标准值。
其中,所述清除所述彩膜基板上残留的液晶步骤中,包括:用正己烷将彩膜基板上的液晶冲洗干净,再将彩膜基板吹干。
其中,所述在所述PI层上形成溴化钾薄膜步骤中,包括:在所述PI层上形成溴化钾晶体层;提供一玻璃片放置于溴化钾晶体层表面,对所述玻璃片提供压力进行压合;去除所述玻璃片以形成所述溴化钾薄膜。
其中,在所述PI层表面均匀涂布溴化钾溶液,并将所述溴化钾溶液风干形成所述溴化钾晶体层。
其中,对所述玻璃片提供压力进行压合的时间为2小时。
其中,包括在彩膜基板中心区域切下尺寸为20cm×10cm作为待测样品,所述溴化钾薄膜形成于所述待测样品上。
其中,所述将所述彩膜基板从阵列基板上分离步骤中,包括:提供一热风枪加热液晶显示面板的边角区域,在封框胶软化后将所述阵列基板和所述彩膜基板进行分离。
其中,所述标准值C为标准PI层中C-N-C吸光度与C=C吸光度的比值。
其中,通过红外光谱仪测量得到溴化钾薄膜下的PI层的C-N-C吸光度A和C=C吸光度B步骤中,包括:采用ATR方法获得PI层的红外线光谱图,并经分析软件分析得到C-N-C的吸光度A和C=C吸光度B。
本发明实施例具有如下优点或有益效果:
通过本发明可以测的液晶显示面板中PI的环化率,通过将测的PI的环化率的与设定的环化率的值进行比较,若PI环化率异常,则可以分析与PI层制作相关制程中寻找原因,完善制作流程,进而提高液晶显示面板的生产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明PI环化率的检测方法流程示意图;
图2是在彩膜基板上形成溴化钾薄膜的流程示意图;
图3是本发明一个具体实施例的PI层红外光谱图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
此外,以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明中所提到的方向用语,例如,“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等,仅是参考附加图式的方向,因此,使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明,而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸地连接,或者一体地连接;可以是机械连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外,在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语,其不仅是指独立的工序,在与其它工序无法明确区别时,只要能实现该工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外,本说明书中用“~”表示的数值范围是指将“~”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中,结构相似或相同的用相同的标号表示。
PI环化率指的是聚酰亚胺中亚胺化程度,聚酰亚胺的亚胺化程度对液晶配向的影响较大。通常聚酰亚胺的大分子链中亚胺环愈多,其分子结构就愈趋于理想状态,产品的综合性能更为优良,液晶配向性能稳定;倘若亚胺化不完全,残留在大分子链中的羧基和酰胺链极易水解,使聚酰亚胺的综合性能差而导致配向膜易破损,使得配向膜对液晶的定向性能不稳定。因此,确定液晶显示面板中PI环化率对于分析液晶显示面板的制作流程有着重大的意义。只有分析PI环化率是否正常,才可以相应的修正液晶面板的制作流程。例如,当PI环化率异常时,可以调整与PI层相关制程,以修正PI环化率。若PI环化率正常,则可以分析其他制程,从而提高液晶显示面板的生产良率。
请参阅图1,本发明的PI环化率的检测方法,主要包括如下步骤:
S100:提供一液晶显示面板成品。所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板和液晶。所述液晶通过封框胶密封在所述阵列基板和所述彩膜基板之间,所述彩膜基板靠近所述液晶的一侧涂覆有PI层。
S110:将所述彩膜基板从阵列基板上分离,清除所述彩膜基板的PI层上残留的液晶。
具体的,提供一热风枪,将加热风枪先对准所述液晶显示面板的边角区域进行加热,使得该区域的在封框胶软化,然后逐渐将所述阵列基板和所述彩膜基板进行分离。由于边角区域的封框胶所受应力较大,方便去除,因此可以首先去除该区域的封框胶。分离过程中可以将风枪逐渐环绕液晶显示面板一周,使得封框胶全部软化,以顺利将所述彩膜基板和阵列基板分离。
进一步具体的,分离后的所述彩膜基板在设有PI层的一侧通常会有残留的液晶附着,会对PI环化率的测量造成不便,因此需要去除。对于液晶的去除,通常可以采用正己烷进行冲洗,使得液晶完全从彩膜基板上去除。采用正己烷冲洗液晶的清洗效果较好,可以将液晶充分清除。冲洗过程中残留在彩膜基板上的正己烷可以利用高压气枪吹出的压缩空气将其吹干。从而完成彩膜基板的清理过程。
S120:在所述PI层上形成溴化钾薄膜。
具体的,请结合参阅图2,由于考虑到后续需要采用红外光谱仪测量PI层的红外光谱图。可以在彩膜基板上截取一小块作为待测样品,以便进行后续的测量。通常彩膜基板中心区域的PI层比较均匀。优选的,可以使用玻璃刀在彩膜基板中心区域切下尺寸为20cm×10cm作为待测样品。
然后在该待测样品设有PI层的一侧上均匀涂布适量溴化钾(KBr)溶液,然后将待测样品水平自然放置,使得待测样品表面溴化钾溶液中的水分挥发干燥,从而形成溴化钾晶体层。
此时的溴化钾晶体层各处不够均匀。因此,需要提供一洁净的玻璃片,将该玻璃片放置于溴化钾晶体层表面上,然后通过给所述玻璃片施加压力,以挤压介于所述玻璃片和彩膜基板之间的溴化钾晶体层。优选的,该挤压时间为2小时。经过长时间的挤压后,可以去除所述玻璃片。此时,所述溴化钾晶体层形成的溴化钾薄膜各处相对比较均匀。可以减小后续的检测误差。
可以理解的是,在本发明另外的实施例中,还可以先在彩膜基板上除去液晶、形成溴化钾薄膜后再在彩膜基板中心区域切下尺寸为20cm×10cm作为待测样品。或者,也可以先在彩膜基板中心区域切下尺寸为20cm×10cm作为待测样品后,对待测样品进行去除液晶和形成溴化钾薄膜的过程。
S130:提供一红外光谱仪,测得溴化钾薄膜下的PI层的C-N-C吸光度A和C=C吸光度B,则PI环化率为:(A/(B×C))×100%,其中C为标准值。
可以理解的是,若样品中PI层的C-N-C吸光度A和C=C吸光度B,则PI环化率为:[(ASample/BSample)/(AReference/BReference)×100%,其中Sample代表测试样品,Reference代表标准样品。显然,AReference/BReference即上述的标准值C。
优选的,本发明中采用红外光谱仪通过ATR(Attenuated Total Refraction,衰减全反射)方法采集PI层的红外线光谱,具体的红外线光谱采集方法因其不是本发明保护的重点,此处仅简略介绍。具体的,ATR方法采集PI层的红外线光谱过程中,需要通过一个探头接触到待测样品表面进行探测,因此需要设置溴化钾薄膜,通过溴化钾薄膜可以防止探头直接与PI层接触,从而划伤PI层,造成测量误差,同时由于溴化钾薄膜不会吸收红外线,因此不会对获得的光谱图造成干扰。
请参阅图3,图3为本发明一个具体实施例的PI层的红外线光谱图,图中横轴表示波数,纵轴表示光线的吸收度。经过例如Omnic红外光谱处理软件的分析可知,C-N-C官能团的吸光度A为0.6286,C=C官能团的吸光度B为0.4066。若此时的标准值为1.61,则有PI环化率为:(0.6286/(0.4066×1.61))×100%=96.0%。
测的待测样品上PI层的环化率后,可以与设定的环化率的值进行比较,若低于设定的环化率值,则可以在与PI层制作相关制程中寻找原因,完善制造流程,进而提高液晶显示面板的生产良率。若环化率正常,则可以分析其他制程,从而快速找到影响良率的因素。
本发明中的标准值C为标准的PI层在红外光谱仪中获得的红外线光谱,经红外光谱处理软件分析后,得到的C-N-C官能团的吸光度与C=C官能团的吸光度的比值。以该标准值为参照,进而计算待测PI层的环化率。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述的实施方式,并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在该技术方案的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种PI环化率的检测方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一液晶显示面板,所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板及通过封框胶封装在两者之间的液晶,所述彩膜基板靠近所述液晶的一侧涂覆有PI层;将所述彩膜基板从阵列基板上分离,清除所述彩膜基板的PI层上残留的液晶;在所述PI层上形成溴化钾薄膜;通过红外光谱仪测量得到溴化钾薄膜下的PI层的C-N-C吸光度A和C=C吸光度B,则PI环化率为:(A/(B×C))×100%,其中C为标准值。
2.如权利要求1所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,所述清除所述彩膜基板上残留的液晶步骤中,包括:用正己烷将彩膜基板上的液晶冲洗干净,再将彩膜基板吹干。
3.如权利要求1所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,所述在所述PI层上形成溴化钾薄膜步骤中,包括:在所述PI层上形成溴化钾晶体层;提供一玻璃片放置于溴化钾晶体层表面,对所述玻璃片提供压力进行压合;去除所述玻璃片以形成所述溴化钾薄膜。
4.如权利要求3所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,在所述PI层表面均匀涂布溴化钾溶液,并将所述溴化钾溶液风干形成所述溴化钾晶体层。
5.如权利要求3所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,对所述玻璃片提供压力进行压合的时间为2小时。
6.如权利要求3所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,包括在彩膜基板中心区域切下尺寸为20cm×10cm作为待测样品,所述溴化钾薄膜形成于所述待测样品上。
7.如权利要求1所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,所述将所述彩膜基板从阵列基板上分离步骤中,包括:提供一热风枪加热液晶显示面板的边角区域,在封框胶软化后将所述阵列基板和所述彩膜基板进行分离。
8.如权利要求1所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,所述标准值C为标准PI层中C-N-C吸光度与C=C吸光度的比值。
9.如权利要求1所述的PI环化率的检测方法,其特征在于,通过红外光谱仪测量得到溴化钾薄膜下的PI层的C-N-C吸光度A和C=C吸光度B步骤中,包括:采用ATR方法获得PI层的红外线光谱图,并经分析软件分析得到C-N-C的吸光度A和C=C吸光度B。
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