CN105891692B - 一种激光芯片p-i曲线扭折测试方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种激光芯片P‑I曲线扭折测试方法及装置，包括：获取激光芯片的多个输出光功率，并根据Savitzky‑Golay算法确定至少一个目标输出光功率，针对每个目标输出光功率，根据L个输出光功率及一阶微分卷积系数，确定目标输出光功率对应的斜率，然后判断激光芯片P‑I曲线是否存在扭折。该方法通过一阶微分卷积系数对L个输出光功率进行加权运算得到目标输出光功率对应的斜率，因而降低了部分输出光功率的数据错误对斜率计算结果的正确性的影响，即实现了对输出光功率的滤波，且该滤波处理与斜率计算同时完成，因此提高了判断激光芯片P‑I曲线是否存在扭折的效率和准确性。

Description

一种激光芯片P-I曲线扭折测试方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种激光芯片P-I曲线扭折测试方法及装置。

背景技术

激光芯片扭折现象，是指伴随着激光器输入电流的增大，出现光功率跌落或者抖动造成的光功率(P)-电流(I)曲线的非线性变化，带有扭折现象的激光芯片的P-I曲线如图1所示。从应用角度来说，希望P-I曲线无扭折，因为这种扭折，会严重影响激光器与光纤的耦合，因而在激光芯片P-I曲线扭折测试过程中能够提前发现扭折现象，筛选不良芯片，有利于提高后期激光器器件的成品率，减少物料浪费。

现有技术中，通过采样多个输出光功率及相对应的输入电流，计算每个输出光功率对应的斜率以及所有采样输出光功率对应的整体线性拟合直线斜率，然后判断激光芯片是否在至少一个输出光功率处有扭折现象，若是，则确定激光芯片为具有扭折现象的芯片。

现有技术存在的问题是：采样到的多个输出光功率及相对应的输入电流中有很多噪声数据，导致现有技术下的对激光芯片是否具有扭折现象的判断不是很准确。

发明内容

本发明提供一种一种激光芯片P-I曲线扭折测试方法及装置，用以解决现有技术中存在的对激光芯片P-I曲线是否存在扭折现象的判断不准确的问题。

一方面，本发明实施例提供一种激光芯片P-I曲线扭折测试方法，包括：

获取激光芯片的多个输出光功率；

根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；

针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率；其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数。

根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

另一方面，本发明实施例提供一种激光芯片P-I曲线扭折测试装置，包括：

获取单元，用于获取激光芯片的多个输出光功率；

目标输出光功率确定单元，用于根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；

斜率确定单元，用于针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率；其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数。

判断单元，用于根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

本发明实施例提供的方法，获取激光芯片的多个输出光功率，并根据Savitzky-Golay算法从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率，针对每个目标输出光功率，根据L个输出光功率及一阶微分卷积系数，确定目标输出光功率对应的斜率，根据每个目标输出光功率对应的斜率，判断激光芯片P-I曲线是否存在扭折。该方法通过一阶微分卷积系数对L个输出光功率进行加权运算得到目标输出光功率对应的斜率，降低了噪声数据对结果的影响，实现了对输出光功率的滤波，且该滤波处理与斜率计算是同时完成的，即增加的滤波处理没有带来计算量的增加，因此提高了判断激光芯片P-I曲线是否存在扭折的效率和准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为背景技术中带有扭折现象的激光芯片的P-I曲线示意图；

图2为本发明实施例提供的激光芯片P-I曲线扭折测试方法流程图；

图3为本发明实施例提供的激光芯片P-I曲线扭折测试方法详细流程图；

图4为本发明实施例提供的激光芯片P-I曲线扭折测试装置示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。

如图2所示，本发明实施例提供的激光芯片P-I曲线扭折测试方法，包括：

步骤201、获取激光芯片的多个输出光功率；

步骤202、根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；

步骤203、针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率；其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数；

步骤204、根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

Savitzky-Golay算法是由Savitzky A和Golay于1964年提出的一种在时域内基于多项式，通过移动窗口利用最小二乘法进行最佳拟合的方法实现的低通滤波算法。

为方便理解本发明内容，下面对Savitzky-Golay算法的推导过程做简单描述：

假设连续2m+1个点，做最小二乘法的n阶曲线拟合的多项式如下(n<2m+1)：

公式I

对多项式求微分：

公式Ia

公式Ib

公式Ic

i的取值范围为(-m，+m)，当i＝0时，

公式II

从而有

f₀＝b_n0＝a_n0 公式IIa

公式IIb

公式IIc

根据最小二乘法准则，可以得到如下公式III

公式III

当k＝0

公式IIIa

当k＝r时，

because

or

where

and

假设n＝3，可以得到如下方程组：

S₂b₃₁+S₄b₃₃＝F₁

S₄b₃₁+S₆b₃₃＝F₃

So

假设m＝4，可以得到：

m＝4(2m+1＝9)

S₂＝60,S₄＝708,S₆＝9780

and

所以n＝3，m＝4的3阶微分卷积系数中的分子系数为(-14，7，13，9，0，-9，-13，-7，14)，分母系数为198，同理可以求出n＝3，m＝4的1阶、2阶微分的相关系数。并且Savitzky-Golay算法将推到出的卷积系数都存储于卷积系数表中。

上述过程，即为Savitzky-Golay算法对于卷积系数的推到过程，在实际使用中，当需要通过一个多项式来拟合一些样本点时，只要确定了n，m的取值，就可以查找卷积系数表，找到相应的卷积系数，然后用查找到的卷积系数来计算多项式系数，从而确定了拟合多项式。

举例来说，假设有9个样本点(即2m+1＝9，m取值为4)，现在需要用一个3阶多项式来拟合这些样本点(即n＝3)，并且这5个样本点分别为(1，5)，(3，10)，(5，15)，(6，9)，(8，20)，(10，25)，(12，15)，(16，9)，(20，6)，即使用下列公式来拟合上述5个样本点：

f_i＝b₃₀+b₃₁i+b₃₂i²+b₃₃i³

现在只要求得其中的b₃₀，b₃₁，b₃₂，b₃₃，即可确定该拟合多项式。

以确定系数b₃₃为例，通过查找卷积系数表，得到n＝3，m＝2时b₃₃对应的3阶卷积系数为：分子系数为(-14，7，13，9，0，-9，-13，-7，14)，分母系数为198，则可以通过下列公式确定系数b₃₃：

因此，可以计算得到b₃₃＝-0.62，同理，也可以通过查找b₃₀，b₃₁，b₃₂对应的卷积系数，来求得b₃₀，b₃₁，b₃₂。

下面通过步骤201～步骤204对本发明实施例确定激光芯片P-I曲线是否存在扭折的方法做具体介绍。

上述步骤201中，输出光功率是通过激光芯片的LIV(linerar increasingvolytage，线性增长电压)测试得到的，在本发明中，设定获取的输出光功率的数量为k，并且k≥2m+1。

上述步骤202中，预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L即为2m+1，假设样本数L取值为9，则2m+1为9，即m取值为4。

根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率，其中，所述目标输出光功率为所述多个输出光功率中需要计算对应的斜率的输出光功率。

由于获取的输出光功率的数量为k(即输出光功率为P1，P2，P3，…，Pk)，Savitzky-Golay算法中的样本数L(L＝2m+1)，因此确定的目标输出光功率为m+1，m+2，…，k-m，即确定的目标输出光功率为中间的k-2m个输出光功率。

下面举例说明为什么中间的k-2m个输出光功率是目标输出光功率。

假设k取值为100，L取值为5(即m＝2)，即k个输出光功率分别为：P1，P2，P3，P4，P5，P6，P7，…，P93，P94，P95，P96，P97，P98，P99，P100。本发明实施例中，根据Savitzky-Golay算法及P1，P2，P3，P4，P5，可拟合一个多项式，并且拟合的多项式的一阶微分作为输出光功率P3对应的斜率；根据Savitzky-Golay算法及P2，P3，P4，P5，P6，可拟合一个多项式，并且拟合的多项式的一阶微分作为输出光功率P4对应的斜率；以此类推，根据Savitzky-Golay算法及P96，P97，P98，P99，P100，可拟合一个多项式，并且拟合的多项式的一阶微分作为输出光功率P98对应的斜率。从中可看出，当k取值为100，L取值为5(即m＝2)，可确定目标输出光功率为P 3，P 4，P5，P6，P7，…，P93，P94，P95，P96，P97，P98，即100个输出光功率中间的96(100-2*2)个为目标输出光功率。

上述步骤203中，对步骤202中确定出的k-2m个目标输出光功率，分别计算对应的斜率。由于对于每一个目标输出光功率计算斜率的方法是一样的，因此下面针对其中任一个目标输出光功率对应的斜率的计算步骤进行说明。

步骤1：确定k个输出光功率中与目标输出光功率对应的L个输出光功率。

本发明实施例中，是将目标输出光功率之前的m个输出光功率、之后的m个输出光功率以及目标输出光功率自身，作为目标输出光功率对应的L个输出光功率(其中，L＝2m+1)。

还是以k＝100，m＝2为例进行说明，根据步骤202的描述可知，确定的目标输出光功率为：P3，P4，P5，P6，P7，…，P93，P94，P95，P96，P97，P98，则在该步骤1中，可确定：

目标输出光功率P3对应的输出光功率为：P1，P2，P3，P4，P5；

目标输出光功率P4对应的输出光功率为：P2，P3，P4，P5，P6；

……

目标输出光功率P98对应的输出光功率为：P96，P97，P98，P99，P100。

步骤2：根据所述L个输出光功率及预先选定的Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定目标输出光功率对应的斜率。其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数；

本发明实施例中，由于是需要确定每个输出光功率对应的斜率，即拟合多项式的一阶微分，本发明实施例对于拟合多项式的阶数n不做具体限定，但根据激光芯片的特点，实际应用中激光芯片的输出光功率与输入电流之间是接近二次多项式的关系，因此本发明实施例中可选地，所述一阶微分卷积系数对应拟合多项式的阶数等于2，即n取值为2。

预先选定的Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数是跟多项式的阶数n和样本数L有关系的，例如n取值为2，L取值为5(即m＝2)时，通过查找Savitzky-Golay卷积系数表，得出n＝2，m＝2时的一阶微分卷积系数中的分子系数为(-2，-1，0，1，2)，分母系数为10。

下面对确定所述目标输出光功率对应的斜率的方法做具体说明：

可选地，所述根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率，包括：

根据所述L个输出光功率及所述一阶微分卷积系数中的L个分子系数，确定分子加权和；

将所述分子加权和与所述一阶微分卷积系数中的分母系数的比值，作为所述目标输出光功率对应的斜率。

上述方法，将目标输出光功率对应的L个输出光功率与一阶微分卷积系数中的L个分子系数分别相乘，得到分子加权和，然后将分子加权和与一阶微分卷积系数中的分母系数的比值，作为目标输出光功率对应的斜率。其中，之所以选择一阶微分卷积系数，是因为本发明实施例中需要用到的是斜率，而斜率正好是拟合多项式的一阶微分。

该方法通过一阶微分卷积系数对L个输出光功率进行加权运算得到目标输出光功率对应的斜率，降低了噪声数据对结果的影响，即当L个输出光功率中有某个输出光功率数据有错误，也不会对目标输出光功率对应的斜率的计算结果有很大的影响，即实现了对输出光功率的滤波，并且该滤波处理与斜率计算是同时完成的，因而增加的滤波处理没有带来计算量的增加。

另外，还可将上述方法用公式表示，因此可选地，根据下列公式确定每个目标输出光功率对应的斜率：

其中，S_i为第i个目标输出光功率对应的斜率，i＝m+1,m+2,...,k-m，k为获取的输出光功率的总数量且k≥2m+1，Norm为所述一阶微分卷积系数中的分母系数，W_j为所述一阶微分卷积系数中的第j个分子系数，j＝1,2,...,L，P_j为第j个输出光功率，L＝2m+1。

下面给出一个具体的例子来说明计算每个目标输出光功率对应的斜率的方法，假设采集的输出光功率的数量为k＝100，且n＝2，m＝2(即L＝5)，则Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数通过查表可知为：分子系数为(-2，-1，0，1，2)，分母系数为10，则：

其中i＝3,4,...,98。

由于采集到的光功率P_j，j＝1,2,...,100都是已知的，因而可以确定每个目标输出光功率对应的斜率S_i，其中i＝3,4,...,98。

上述步骤204中，根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

可选地，所述根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折，包括：

获取与所述多个输出光功率一一对应的多个输入电流；

根据所述多个输入电流及所述多个输出光功率，确定整体线性拟合直线斜率；

根据所述每个目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

上述方法，首先获取与多个输出光功率一一对应的多个输入电流，假设获取了k个输出光功率，则获取的输入电流的数量也为k，且与k个输出光功率一一对应。然后根据获取的k个输入电流及k个输出光功率，确定一条整体线性拟合直线，同时确定该整体线性拟合直线的斜率。具体地，参照图1，将输入电流作为横坐标轴，输出光功率作为纵坐标轴，则k个输入电流及k个输出光功率可以组成k个坐标点，假设获取的k个输出光功率为P_j，j＝1,2,...,k，获取的k个输入电流为C_j，j＝1,2,...,k，则组成的k个坐标点为(C_j，P_j)，j＝1,2,...,k，通过这k个坐标点来拟合一条整体线性拟合直线的方式有很多，且为现有技术，在此不做赘述，假设确定的整体线性拟合直线斜率为Slope，然后根据每个目标输出光功率P_i对应的斜率S_i，i＝m+1,m+2,...,k-m及所述整体线性拟合直线斜率Slope，判断激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

可选地，所述根据所述每个目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折，包括：

针对每个目标输出光功率，根据所述目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，确定所述目标输出光功率对应的斜率误差率；

若存在至少一个目标输出光功率对应的斜率误差率不小于扭折阈值，则确定所述激光芯片有扭折。

上述方法中，假设扭折阈值为KinkThreshold，目标输出光功率P_i对应的斜率误差率为KinkValue_i，则i＝m+1,m+2,...,k-m。

当上述k-2m个斜率误差率KinkValue_i都不大于扭折阈值KinkThreshold时，则认为该激光芯片无扭折；当上述k-2m个斜率误差率KinkValue_i中存在至少一个斜率误差率大于扭折阈值KinkThreshold时，则认为该激光芯片有扭折。

本发明实施例提供的方法，获取激光芯片的多个输出光功率，并根据Savitzky-Golay算法从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率，针对每个目标输出光功率，根据L个输出光功率及一阶微分卷积系数，确定目标输出光功率对应的斜率，根据每个目标输出光功率对应的斜率，判断激光芯片P-I曲线是否存在扭折。该方法通过一阶微分卷积系数对L个输出光功率进行加权运算得到目标输出光功率对应的斜率，降低了噪声数据对结果的影响，实现了对输出光功率的滤波，且该滤波处理与斜率计算是同时完成的，即增加的滤波处理没有带来计算量的增加，因此提高了判断激光芯片P-I曲线是否存在扭折的效率和准确性。

下面对本发明实施例提供的激光芯片P-I曲线扭折测试方法做详细描述，如图3所示，为本发明实施例提供的激光芯片P-I曲线扭折测试方法详细流程图，包括：

步骤301、获取激光芯片的多个输出光功率及与所述多个输出光功率一一对应的多个输入电流；

步骤302、根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；

步骤303、针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的一阶微分卷积系数中的L个分子系数，确定分子加权和；将所述分子加权和与所述一阶微分卷积系数中的分母系数的比值，作为所述目标输出光功率对应的斜率；

步骤304、根据所述多个输入电流及所述多个输出光功率，确定整体线性拟合直线斜率；

步骤305、针对每个目标输出光功率，根据所述目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，确定所述目标输出光功率对应的斜率误差率；

步骤306、若存在至少一个目标输出光功率对应的斜率误差率不小于扭折阈值，则确定所述激光芯片有扭折。

基于相同的技术构思，本发明实施例还提供一种激光芯片P-I曲线扭折测试装置。本发明实施例提供的激光芯片P-I曲线扭折测试装置如图4所示，包括：

获取单元401，用于获取激光芯片的多个输出光功率；

目标输出光功率确定单元402，用于根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；所述目标输出光功率为所述多个输出光功率中需要计算对应的斜率的输出光功率；

斜率确定单元403，用于针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率；其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数。

判断单元404，用于根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

可选地，所述斜率确定单元403，具体用于：

根据所述L个输出光功率及所述一阶微分卷积系数中的L个分子系数，确定分子加权和；

将所述分子加权和与所述一阶微分卷积系数中的分母系数的比值，作为所述目标输出光功率对应的斜率。

可选地，所述判断单元404，具体用于：

获取与所述多个输出光功率一一对应的多个输入电流；

根据所述多个输入电流及所述多个输出光功率，确定整体线性拟合直线斜率；

根据所述每个目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

可选地，所述判断单元404，具体用于：

针对每个目标输出光功率，根据所述目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，确定所述目标输出光功率对应的斜率误差率；

若存在至少一个目标输出光功率对应的斜率误差率不小于扭折阈值，则确定所述激光芯片有扭折。

可选地，所述斜率确定单元403，具体用于根据下列公式确定每个目标输出光功率对应的斜率：

其中，S_i为第i个目标输出光功率对应的斜率，i＝m+1,m+2,...,k-m，k为获取的输出光功率的总数量且k≥2m+1，Norm为所述一阶微分卷积系数中的分母系数，W_j为所述一阶微分卷积系数中的第j个分子系数，j＝1,2,...,L，P_j为第j个输出光功率，L＝2m+1。

可选地，所述一阶微分卷积系数对应拟合多项式的阶数等于2。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种激光芯片P-I曲线扭折测试方法，其特征在于，包括：

获取激光芯片的多个输出光功率；

根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；

针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率；其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数；

根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率，包括：

根据所述L个输出光功率及所述一阶微分卷积系数中的L个分子系数，确定分子加权和；

将所述分子加权和与所述一阶微分卷积系数中的分母系数的比值，作为所述目标输出光功率对应的斜率。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折，包括：

获取与所述多个输出光功率一一对应的多个输入电流；

根据所述多个输入电流及所述多个输出光功率，确定整体线性拟合直线斜率；

根据所述每个目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述每个目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折，包括：

针对每个目标输出光功率，根据所述目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，确定所述目标输出光功率对应的斜率误差率；

若存在至少一个目标输出光功率对应的斜率误差率不小于扭折阈值，则确定所述激光芯片有扭折。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据下列公式确定每个目标输出光功率对应的斜率：

其中，S_i为第i个目标输出光功率对应的斜率，i＝m+1,m+2,...,k-m，k为获取的输出光功率的总数量且k≥2m+1，Norm为所述一阶微分卷积系数中的分母系数，W_j为所述一阶微分卷积系数中的第j个分子系数，j＝1,2,...,L，P_j为第j个输出光功率，L＝2m+1。

6.一种激光芯片P-I曲线扭折测试装置，其特征在于，包括：

获取单元，用于获取激光芯片的多个输出光功率；

目标输出光功率确定单元，用于根据预设的Savitzky-Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；

斜率确定单元，用于针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky-Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率；其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数；

判断单元，用于根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述斜率确定单元，具体用于：

根据所述L个输出光功率及所述一阶微分卷积系数中的L个分子系数，确定分子加权和；

将所述分子加权和与所述一阶微分卷积系数中的分母系数的比值，作为所述目标输出光功率对应的斜率。

8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述判断单元，具体用于：

获取与所述多个输出光功率一一对应的多个输入电流；

根据所述多个输入电流及所述多个输出光功率，确定整体线性拟合直线斜率；

根据所述每个目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，判断所述激光芯片P-I曲线是否存在扭折。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述判断单元，具体用于：

针对每个目标输出光功率，根据所述目标输出光功率对应的斜率及所述整体线性拟合直线斜率，确定所述目标输出光功率对应的斜率误差率；

若存在至少一个目标输出光功率对应的斜率误差率不小于扭折阈值，则确定所述激光芯片有扭折。

10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述斜率确定单元，具体用于根据下列公式确定每个目标输出光功率对应的斜率：

其中，S_i为第i个目标输出光功率对应的斜率，i＝m+1,m+2,...,k-m，k为获取的输出光功率的总数量且k≥2m+1，Norm为所述一阶微分卷积系数中的分母系数，W_j为所述一阶微分卷积系数中的第j个分子系数，j＝1,2,...,L，P_j为第j个输出光功率，L＝2m+1。