CN105870259A - 芯片的加工方法 - Google Patents
芯片的加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105870259A CN105870259A CN201610349445.XA CN201610349445A CN105870259A CN 105870259 A CN105870259 A CN 105870259A CN 201610349445 A CN201610349445 A CN 201610349445A CN 105870259 A CN105870259 A CN 105870259A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- cut
- processing method
- sealant
- base chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000007688 edging Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007739 conversion coating Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 claims description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 claims 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M propyromazine bromide Chemical compound [Br-].C12=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1C(=O)C(C)[N+]1(C)CCCC1 OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000005336 safety glass Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种芯片的加工方法，芯片依次包括导电玻璃和光电转化层，芯片的加工方法包括：选取基础芯片，在基础芯片上设计切割线的位置；在基础芯片上距离切割线预定距离处进行绝缘处理，以使进行绝缘处理后的基础芯片靠近切割线一侧和远离切割线的一侧绝缘；沿切割线对进行绝缘处理后的基础芯片进行裁切。本发明的技术方案有效地解决了现有技术中的芯片在工作时碎屑附着在裁切边造成芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片报废的问题。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能芯片制作加工的技术领域，具体而言，涉及一种芯片的加工方法。
背景技术
现有技术中的光伏领域的玻璃基的薄膜芯片在使用时需要切割。上述芯片在切割时采用和切割玻璃一样的工艺：首先将需要切割的芯片放置在切割台上，然后用玻璃刀或玻璃裁切机进行裁切，再慢慢敲击芯片的玻璃切割线，最后将芯片分割开。
但是上述芯片与普通玻璃有很大的区别，上述芯片主要作用是用来发电的。使用上述工艺很容易对芯片造成如下问题：1、芯片表面划伤，芯片表面即最外层一般是通过物理气相沉积的方法制备而来，表面光滑明亮但不耐磨，所以在切割过中会造成大量划伤，而薄膜产品由于其玻璃基为普通玻璃，非钢化玻璃，所以为确保其可靠性，一般都是双玻封装，划伤的芯片背面将严重影响产品外观；2、芯片光电转化层的膜脱落，光电转化层是在导电玻璃的导电膜面通过等离子化学气象沉积的方法制备而来，其本身与导电玻璃的附着力并不是特别高，在切割过程中，局部受力，易导致膜层脱落；3、裁切边锋利易划伤，且不易磨边，玻璃磨边需要使用水清洗玻璃，但是光电转化层遇水容易导致失效，所以无法使用磨边机进行磨边处理；4、裁切后的芯片易开裂，未磨边的玻璃裁切面隐藏了大量的0～0.5mm深度的微裂纹，芯片工作会产生热量，在长期的热胀冷缩的情况下极易造成芯片开裂；5、易造成组件短路，裁切过程中大量的光电转化层的碎屑会附着在裁切边，芯片在工作时，这部分导电的碎屑极易造成芯片的局部短路，从而导致局部大量发热，最终导致芯片报废。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种芯片的加工方法，以解决现有技术中的芯片在工作时碎屑附着在裁切边造成芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片报废的问题。
为了实现上述目的，本发明提供了一种芯片的加工方法，芯片依次包括导电玻璃和光电转化层，芯片的加工方法包括：选取基础芯片，在基础芯片上设计切割线的位置；在基础芯片上距离切割线预定距离处进行绝缘处理，以使进行绝缘处理后的基础芯片靠近切割线一侧和远离切割线的一侧绝缘；沿切割线对进行绝缘处理后的基础芯片进行裁切。
进一步地，导电玻璃包括玻璃基底和导电膜，导电膜设置在玻璃基底和光电转化层之间，绝缘处理包括先设置绝缘线，再沿绝缘线将光电转化层和导电膜切断。
进一步地，绝缘处理为采用激光将光电转化层和导电膜沿绝缘线切断。
进一步地，切割光电转化层的激光的波长在900nm至1300nm之间，切割导电膜的激光的波长在500nm至800nm之间。
进一步地，在绝缘处理后的基础芯片上设置密封层，密封层设置在光电转化层的背离导电玻璃的一侧。
进一步地，沿切割线对进行设置有密封层的基础芯片进行裁切具体包括：首先将基础芯片的导电玻璃切断，然后将密封层切断。
进一步地，对裁切后的芯片进行磨边处理及表面处理。
进一步地，将裁切完毕的基础芯片上设置玻璃层，玻璃层设置在密封层的背离光电转化层的一侧。
进一步地，将切割完毕的基础芯片在与玻璃层固定之前在密封层上设置粘接层，玻璃层通过粘接层粘接在密封层上。
进一步地，粘接层的材料和密封层的材料相同。
进一步地，将玻璃层通过辊压机滚压或者层压工艺后，再采用高压釜工艺将玻璃层固定在基础芯片上。
进一步地，密封层采用层压工艺设置在基础芯片上。
进一步地，进行磨边处理的磨边材料为酒精和/或水。
应用本发明的技术方案，首先选取基础芯片并设计好切割线的位置。然后在切割线靠内侧进行绝缘处理，以使进行绝缘处理后的基础芯片靠近切割线一侧和远离切割线的一侧绝缘。这样切割的基础芯片在芯片工作时不会出现局部短路，及由于芯片的局部短路造成芯片的报废的问题。本发明的技术方案有效地解决了现有技术中的芯片在工作时会出现芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片报废的问题。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明的芯片的实施例的结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、基础芯片；11、切割线；12、光电转化层；13、导电玻璃；131、导电膜；132、玻璃基底；14、绝缘线；30、玻璃层。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。
如图1所示，芯片依次包括导电玻璃13和光电转化层12。本实施例的芯片的加工方法包括：选取基础芯片10，在基础芯片10上设计切割线11的位置。在基础芯片10上距离切割线11预定距离处进行绝缘处理，以使进行绝缘处理后的基础芯片10靠近切割线11一侧和远离切割线11的一侧绝缘。沿切割线11对进行绝缘处理后的基础芯片10进行裁切。
应用本实施例的技术方案，首先选取基础芯片设计好切割线的位置。然后在切割线靠内侧进行绝缘处理，以使进行绝缘处理后的基础芯片10靠近切割线11一侧和远离切割线11的一侧绝缘。这样切割的基础芯片10在芯片工作时不会出现局部短路，甚至由于芯片的局部短路造成芯片的报废的问题。本实施例的技术方案有效地解决了现有技术中的芯片在工作时会出现芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片报废的问题。
如图1所示，在本实施例的技术方案中，导电玻璃13包括玻璃基底132和导电膜131，导电膜131设置在玻璃基底132和光电转化层12之间。绝缘处理包括先设置绝缘线14，在沿绝缘线14将基础芯片10的光电转化层12和基础芯片10的导电膜131切断。玻璃基底132的材料为普通玻璃，上述处理的方法简单。
如图1所示，在本实施例的技术方案中，绝缘处理为采用波长在900nm至1300nm之间的激光将光电转化层12切断，采用波长在500nm至800nm之间的激光将导电膜131沿绝缘线14切断。具体地，采用波长为1064nm的激光切割光电转化层12，采用波长为532nm的激光切割导电膜131。光电转化层12采用波长为532nm的激光不易切割，采用1064nm的激光容易将光电转化层12切割为需要的产品。在距离切割线2mm左右的位置与切割线进行平行绝缘线刻画。绝缘线可以在电脑中进行设置，这样控制的绝缘线较准确，效率较高。
当然，作为本领域技术人员知道，当需要将基础芯片10的一个侧边裁切时，只需将基础芯片10的需要裁切的侧边进行切割(绝缘处理)。当需要将基础芯片10的两个侧边裁切时，需将基础芯片10的需要裁切的两个侧边都进行切割(绝缘处理)。同样的道理，当需要将基础芯片10的三个侧边裁切时，需将基础芯片10的需要裁切的三个侧边都进行切割(绝缘处理)。当需要将基础芯片10的四个侧边裁切时，需将基础芯片10的需要裁切的四个侧边都进行切割(绝缘处理)。
在本实施例的技术方案中，对绝缘处理后的基础芯片10上预留引线位置，并进行引线处理。
如图1所示，在本实施例的技术方案中，在绝缘处理后的基础芯片10上设置密封层，密封层设置在基础芯片10的光电转化层12的背离基础芯片10的导电玻璃13的一侧。由于密封层(又叫密封剂保护层)的保护，使得芯片在裁切过程中，光电转化层收到密封层的限制作用不会导致芯片的光电转化层的脱落或者划伤芯片的表面。同时，密封层也是一个很好的缓冲层，保护芯片避免意外的磕碰损失。基础芯片10的表面设置了密封层还能起到绝缘防水和保护的作用，这样在芯片进行后续的加工时(例如进行磨边处理)减少了破坏等隐患产生。具体地，密封层可以为PVB层、EVA层、POE层或SGP层等。进一步具体地，密封层采用层压工艺设置在基础芯片10上。
如图1所示，在本实施例的技术方案中，将裁切完毕的基础芯片10上设置玻璃层30，玻璃层30设置在密封层的背离光电转化层12的一侧。本实施例的芯片为玻璃基非晶硅薄膜发电芯片。上述结构一方面保护了基础芯片10，避免基础芯片10收到损坏，另一方面玻璃层30透光性较好。当然，作为本领域技术人员知道，玻璃层30可以使用其它具有上述功能的材料替换。
如图1所示，在本实施例的技术方案中，将切割完毕的基础芯片10在与玻璃层30固定之前在密封层上设置粘接层，玻璃层30通过粘接层粘接在密封层上。将玻璃层30固定在基础芯片10上时，将基础芯片、粘结剂及玻璃层30三层材料按照结构顺序上下放置好，然后放入层压机层压固定或者使用辊压机滚压粘合，再通过高压釜工艺使这三层结构形成一个最终的完整的整体。进一步地，在本实施例的技术方案中，粘接层的材料和密封层的材料相同。这样粘结层容易和密封层融为一体，粘结层将密封层和玻璃层固定地较牢靠。
如图1所示，在本实施例的技术方案中，沿切割线11对进行设置有密封层的基础芯片10进行裁切具体包括：首先将基础芯片10的导电玻璃13切断，然后将密封层切断。具体地，首先用玻璃刀或者玻璃裁切机将基础芯片10裁切出断层，然后用美工刀沿着上述的断层将密封层划断。
如图1所示，在本实施例的技术方案中，对裁切后的芯片进行磨边处理及表面处理。在本实施例的技术方案中，在对裁切后的芯片进行磨边处理后需要对裁切后的芯片进行清洗，清洗完毕后，对芯片进行表面清洁和干燥处理，芯片干燥后，再将密封层上设置粘结层将玻璃层固定在基础芯片10上。磨边处理所用的磨边材料为酒精或水或两者的混合物。
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
裁切过程可以无损芯片表面，避免了划伤造成的外观不良。
避免裁切过程造成的光电转化层的脱落。
在进行边缘磨边时不用担心光电转化层遇水导致失效，同时磨边去除微裂纹防止芯片后期开裂。
避免了芯片产品由于裁切边缘脱落的光电转化层碎屑进入芯片激光线缝隙而造成的短路。
本发明的技术方案可以解决现有玻璃基薄膜组件在裁切过程中的电性能损失问题以及后期使用隐患问题大大提高了芯片裁切的良品率。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种芯片的加工方法，所述芯片依次包括导电玻璃(13)和光电转化层(12)，其特征在于，所述芯片的加工方法包括：
选取基础芯片(10)，在所述基础芯片(10)上设计切割线(11)的位置；
在所述基础芯片(10)上距离所述切割线(11)预定距离处进行绝缘处理，以使进行绝缘处理后的所述基础芯片(10)靠近所述切割线(11)一侧和远离所述切割线(11)的一侧绝缘；
沿所述切割线(11)对进行绝缘处理后的所述基础芯片(10)进行裁切。
2.根据权利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述导电玻璃(13)包括导电膜(131)和玻璃基底(132)，所述导电膜(131)设置在所述玻璃基底(132)和所述光电转化层(12)之间，所述绝缘处理包括先设置绝缘线(14)，再沿所述绝缘线(14)将所述光电转化层(12)和所述导电膜(131)切断。
3.根据权利要求2所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述绝缘处理为采用激光将所述光电转化层(12)和所述导电膜(131)沿所述绝缘线(14)切断。
4.根据权利要求3所述的芯片的加工方法，其特征在于，切割所述光电转化层(12)的所述激光的波长在900nm至1300nm之间，切割所述导电膜(131)的所述激光的波长在500nm至800nm之间。
5.根据权利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，在绝缘处理后的所述基础芯片(10)上设置密封层，所述密封层设置在所述光电转化层(12)的背离所述导电玻璃(13)的一侧。
6.根据权利要求5所述的芯片的加工方法，其特征在于，将裁切完毕的所述基础芯片(10)上设置玻璃层(30)，所述玻璃层(30)设置在所述密封层的背离所述光电转化层(12)的一侧。
7.根据权利要求6所述的芯片的加工方法，其特征在于，将切割完毕的所述基础芯片(10)在与所述玻璃层(30)固定之前在所述密封层上设置粘接层，所述玻璃层(30)通过所述粘接层粘接在所述密封层上。
8.根据权利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述粘接层的材料和所述密封层的材料相同。
9.根据权利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，将所述玻璃层(30)通过辊压机滚压或者层压机层压后，再采用高压釜工艺将所述玻璃层(30)固定在所述基础芯片(10)上。
10.根据权利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述密封层采用层压工艺设置在所述基础芯片(10)上。
11.根据权利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，沿所述切割线(11)对进行设置有所述密封层的所述基础芯片(10)进行裁切具体包括：首先将所述基础芯片(10)的导电玻璃(13)切断，然后将所述密封层切断。
12.根据权利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，对所述裁切后的所述芯片进行磨边处理及表面处理。
13.根据权利要求12所述的芯片的加工方法，其特征在于，进行磨边处理的磨边材料为酒精和/或水。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610349445.XA CN105870259A (zh) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 芯片的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610349445.XA CN105870259A (zh) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 芯片的加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105870259A true CN105870259A (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=56635931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610349445.XA Pending CN105870259A (zh) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 芯片的加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105870259A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109407383A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-01 | 深圳市恒开源电子有限公司 | 一种液晶膜片切割方法及成品液晶膜片 |
| WO2019104791A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池除膜工艺及薄膜太阳能电池 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101017863A (zh) * | 2007-02-08 | 2007-08-15 | 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 | 非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法 |
| CN102447014A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-05-09 | 汉能科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池生产方法 |
| CN103390695A (zh) * | 2013-08-12 | 2013-11-13 | 江苏宇兆能源科技有限公司 | 一种非晶硅太阳能电池组件切割后短路处理方法 |
| CN104051581A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 台积太阳能股份有限公司 | 太阳能电池激光划线方法 |
-
2016
- 2016-05-23 CN CN201610349445.XA patent/CN105870259A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101017863A (zh) * | 2007-02-08 | 2007-08-15 | 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 | 非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法 |
| CN102447014A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-05-09 | 汉能科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池生产方法 |
| CN104051581A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 台积太阳能股份有限公司 | 太阳能电池激光划线方法 |
| CN103390695A (zh) * | 2013-08-12 | 2013-11-13 | 江苏宇兆能源科技有限公司 | 一种非晶硅太阳能电池组件切割后短路处理方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 梁骏吾 等译: "《太阳电池：材料、制备工艺及检测》", 31 August 2009 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019104791A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池除膜工艺及薄膜太阳能电池 |
| CN109407383A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-01 | 深圳市恒开源电子有限公司 | 一种液晶膜片切割方法及成品液晶膜片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107634108B (zh) | 积体薄膜太阳能晶胞电池的互连 | |
| CN101517747B (zh) | 太阳电池模块 | |
| JP2006179626A (ja) | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュール、該太陽電池モジュールの製造方法及び分離方法 | |
| KR102015591B1 (ko) | 박형 실리콘 태양 전지용 활성 후면판 | |
| KR100783028B1 (ko) | 태양전지모듈의 보수방법 | |
| TW201349529A (zh) | 背接觸型太陽能電池模組 | |
| CN107408582B (zh) | 用于基于箔的太阳能电池金属化的厚损伤缓冲层 | |
| CN105870259A (zh) | 芯片的加工方法 | |
| US20110203630A1 (en) | Photovoltaic device and process for producing same | |
| US20190386156A1 (en) | Method for manufacturing a solar panel | |
| EP2507839A1 (en) | Method for manufacturing photovoltaic modules comprising back-contact cells | |
| WO2013106896A1 (en) | Photovoltaic module with cell assemblies bearing adhesive for securing the assemblies in the module | |
| CN103997296B (zh) | 一种用于背接触太阳能电池的铝基电路装置及其制备方法 | |
| JP2002280579A (ja) | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 | |
| CN209544366U (zh) | 一种可降低电池效率损失的太阳能电池结构 | |
| CN105336581A (zh) | 功率半导体器件制作方法及装置 | |
| WO2011103332A2 (en) | Methods of forming photovoltaic modules | |
| JP2010092893A (ja) | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 | |
| AU2018101273A4 (en) | Photovoltaic Building Material Sealed with a Solar Module | |
| CN105609584B (zh) | 一种太阳能电池组件生产方法 | |
| JP2023076551A (ja) | 集電シート用樹脂フィルム、集電シート、集電シート付き太陽電池素子、および太陽電池 | |
| JP5210579B2 (ja) | 光電変換装置、及びその製造方法 | |
| EP3792984B1 (en) | Method for making a solar module | |
| CN110299419B (zh) | 一种新型太阳能柔性组件的覆膜工艺 | |
| CN110212052B (zh) | 集成太阳能电池互联的阻水前板及其加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160817 |