CN105867075B - 毛细管放电z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统 - Google Patents

毛细管放电z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统 Download PDF

Info

Publication number
CN105867075B
CN105867075B CN201610444231.0A CN201610444231A CN105867075B CN 105867075 B CN105867075 B CN 105867075B CN 201610444231 A CN201610444231 A CN 201610444231A CN 105867075 B CN105867075 B CN 105867075B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mrow
msup
speculum
mfrac
msub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610444231.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105867075A (zh
Inventor
祝东远
赵永蓬
徐强
王骐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heilongjiang Industrial Technology Research Institute Asset Management Co ltd
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201610444231.0A priority Critical patent/CN105867075B/zh
Publication of CN105867075A publication Critical patent/CN105867075A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105867075B publication Critical patent/CN105867075B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，涉及毛细管放电Z箍缩13.5nm极紫外光光刻光源，为了解决多层椭球面反射镜构成的收集系统的远场均匀性不好、反射率低的问题。采用WolterI型收集系统实现，包括N层圆桶状反射镜，反射镜依次共轴嵌套，每层反射镜由回转椭球面和回转双曲面连接而成，回转椭球面和回转双曲面具有一个公共的几何焦点，各层反射镜的几何焦点重合；反射镜的回转椭球面的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：回转双曲面的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：本发明的远场均匀性和反射率都得到改善，适用于收集极紫外光。

Description

毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统
技术领域
本发明涉及毛细管放电Z箍缩13.5nm极紫外光光刻光源，具体涉及该光源的收集系统。
背景技术
我国科技发展规划，2020年计划实现光刻刻线小于20nm，为此目标，制定了国家重大科技专项“极大规模集成电路成套装备和特殊工艺”专项。实现小于20nm光刻刻线，一个重要的技术手段是用13.5nm极紫外光做为光源进行曝光。当前国际上提出获取13.5nm极紫外光源的技术，有三种技术，其中之一是用毛细管放电Z箍缩获得极紫外光辐射。
毛细管放电Z箍缩获极紫外光辐射的基本原理是：在一陶瓷内径为3mm-6mm毛细管两端加上电极；内充工作介质氙气(Xe)，两路电极中一路是预脉冲电极，一路是主脉冲电极。电离是在毛细管管壁附近，随之加上大电流、快脉冲放电的主脉冲信号，电流峰值在15KA～40KA，持续时间在120ns左右，主脉冲电流促使预电离的Xe气进一步深电离，且形成等离子壳，在存在强电流下形成的强的劳仑磁力作用下，等离子壳将向轴心收缩，这一过程称为Z箍缩过程，在向轴心收缩同时，电子间排斥力作用相当于欧姆加热，产生高温，电子温度在几十电子伏特以上，高温电子与管内Xe介质碰撞将使Xe高价电离，达到十价离子以上离子状态，Xe10+离子在复合退激过程，便辐射出极紫外光，其光谱很丰富，光谱在13.5nm有峰值。这一辐射过程是自发辐射，将在4π立体角内均匀分布，但是由于毛细管的限制，这一极紫外光辐射，只有沿轴向方向上小部份由毛细管一端输出，出射光的立体角为+5°～+30°、-5°～-30°。
国际上当前研究结果表明，13.5nm的极紫外光，在镀有多层反射膜的光学表面的反射率较其它波段要高的多，且对目前感光胶的敏感性也较其它波段敏感，因此当前进行极紫外光光刻，通常都是采用13.5nm的极紫外光。
为了采用这一部分出射的13.5nm的极紫外光进行光刻，一条十分关键的技术，便是将具一定空间均匀分布输出的13.5nm极紫外光收集起来，并需要对此部分光聚焦。国际上研究已表明，应采用掠入射反射的光学系统，才能有效的收集这一部分光，通常用WolterI型掠入射反射技术。而现有的由多层椭球面反射镜构成的多层椭球面反射镜内嵌式收集系统的远场均匀性不好、反射率低。
发明内容
本发明的目的是为了解决多层椭球面反射镜构成的收集系统的远场均匀性不好、反射率低的问题，从而提供毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统。
本发明所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，采用Wolter I型收集系统实现，包括N层圆桶状反射镜，反射镜依次共轴嵌套，每层反射镜由回转椭球面和回转双曲面连接而成，回转椭球面和回转双曲面具有一个公共的几何焦点，各层反射镜的几何焦点重合；
N层反射镜由内向外依次为第1层、第2层、…、第N层，N为8、9或10，
以圆桶状反射镜的中心轴作为x轴，以由反射镜向几何焦点延伸的方向为x轴正向，以几何焦点为原点，建立直角坐标系，
第i层反射镜的回转椭球面的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
其中i为1、2、3、…、N，单位均为mm，
a11为993.0206，b11为77.3949，a12为993.7421，b12为86.1587，a13为994.6511，b13为96.0772；a14为995.8050，b14为107.3670；a15为997.2837，b15为120.3110；a16为999.2013，b16为135.2896；a17为1001.7273，b17为152.8316；a18为1005.1230，b18为173.7018；
第i层反射镜的回转双曲面的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
其中i为1、2、3、…、N，
a21为270.2532，b21为50.8742，a22为269.1337，b22为56.4981，a23为267.7308，b23为62.8109，a24为265.9622，b24为69.9222，a25为263.7156，b25为77.9685，a26为260.8346，b26为87.1225，a27为257.0946，b27为97.6082，a28为252.1628，b28为109.7220。
在13.5nm极紫外光掠入射照射到反射镜的光学表面时，便会在光学表面的焦点处聚焦。一面反射镜片，只能将空间某一方向上的一部分光聚焦。使毛细管出口处在+5°～+30°、-5°～-30°输出角范围内这一空间存在的极紫外光辐射输出的光尽量多的被收集，并都聚焦到焦点处，这样才能形成高功率的极紫外光，这才能做为光刻光源。由此原因，收集镜片需要有多层，通常为8至10层，尽量在将输出角范围内的光都收集起来，因此收集镜系统是由多层收集镜片组成的，本发明采用多层反射镜构成收集系统，每层采用椭球面加双曲面的结构，替代了传统的多层椭球面反射镜，远场的均匀性和反射率都得到改善。
本发明适用于收集极紫外光。
附图说明
图1是具体实施方式一所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统的结构示意图，o为原点；
图2是具体实施方式一中的收集镜的结构示意图。
具体实施方式
具体实施方式一：结合图1和图2具体说明本实施方式，本实施方式所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，采用Wolter I型收集系统实现，包括N层圆桶状反射镜，反射镜依次共轴嵌套，每层反射镜由回转椭球面1和回转双曲面2连接而成，回转椭球面1和回转双曲面2具有一个公共的几何焦点，各层反射镜的几何焦点重合；
N层反射镜由内向外依次为第1层、第2层、…、第N层，N为8、9或10，
以圆桶状反射镜的中心轴作为x轴，以由反射镜向几何焦点延伸的方向为x轴正向，以几何焦点为原点，建立直角坐标系，
第i层反射镜的回转椭球面1的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
其中i为1、2、3、…、N，单位均为mm，
a11为993.0206，b11为77.3949，a12为993.7421，b12为86.1587，a13为994.6511，b13为96.0772；a14为995.8050，b14为107.3670；a15为997.2837，b15为120.3110；a16为999.2013，b16为135.2896；a17为1001.7273，b17为152.8316；a18为1005.1230，b18为173.7018；
第i层反射镜的回转双曲面2的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
其中i为1、2、3、…、N，
a21为270.2532，b21为50.8742，a22为269.1337，b22为56.4981，a23为267.7308，b23为62.8109，a24为265.9622，b24为69.9222，a25为263.7156，b25为77.9685，a26为260.8346，b26为87.1225，a27为257.0946，b27为97.6082，a28为252.1628，b28为109.7220。
将经过收集系统聚焦后的光束与后续的曝光机耦合，实现曝光光刻，由图1可以看出，每片反射镜都必需是薄壳结构，因为每片收集镜片在收集光同时也必然遮挡了一部分光，只有将收集镜片做到尽量薄，才能使遮挡的光尽量少，也就是占空比要尽量高。大口径端是辐射光光照入射口，极紫外光经两次掠入射反射，从小口径端出射，聚焦到焦点上。每层收集镜收集的光全部汇聚到同一焦点处。
为了进行粗加工，应留一定的加工余量。采用本课题组提出的“极紫外光刻光光学收集镜直接车削加工粗加工方法”(专利号ZL201310438498.5)进行收集镜粗加工，依据“电脉冲提高化学镀镍磷合金厚度的方法”(专利号ZL201410062341.1)在收集镜内表面化学镀厚膜，镍磷膜厚度大于200μm，依据“极紫外光刻光源中光学收集镜直接车削加工精加工方法”(专利号ZL201310435460.2)对收集镜内表面进行精加工。对薄壳结构大口径收集镜片内表面精加工时，为防止工件颤抖采用加固装置套固在待加工收集镜的外壁。
具体实施方式二：本实施方式是对具体实施方式一所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统作进一步说明，本实施方式中，N为9，a19为1009.8146，b19为199.0615，a29为245.5243，b29为123.8662。
具体实施方式三：本实施方式是对具体实施方式一所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统作进一步说明，本实施方式中，N为10，a19为1009.8146，b19为199.0615，a29为245.5243，b29为123.8662，a110为1016.5439，b110为230.7847，a210为236.3406，b210为140.5991。
以上给出的a1i、b1i、a2i、b2i的值均精确到小数点后的第四位，以下给出更精确的数值，
a1i的i由10至1，a1i分别为1.016543931437941、1.009814579346853、1.005123034709309、1.001727252500459、0.999201318345033、0.997283681940113、0.995805041632346、0.994651111131359、0.993742077351524、0.993020633331076，单位为103mm；
b1i的i由10至1，b1i分别为2.307846713785493、1.990615097437500、1.737017987910642、1.528315687353849、1.352895952483114、1.203110230362462、1.073670384261286、0.960772234967651、0.861586693195856、0.773949495849201，单位为102mm；
a2i的i由10至1，a2i分别为2.363406011768428、2.455242838088956、2.521628296807577、2.570946207976127、2.608345531800932、2.637155890450594、2.659621761099479、2.677308224683968、2.691337380246533、2.702532399740083，单位为102mm；
b2i的i由10至1，b2i分别为1.405991473493653、1.238661618850317、1.097219546280196、0.976081756664458、0.871225336370629、0.779685070693119、0.699222488115270、0.628108804300324、0.564980624170183、0.508742202254844，单位为102mm。
具体实施方式四：本实施方式是对具体实施方式一、二或三所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统作进一步说明，本实施方式中，反射镜为LY-12铝合金反射镜。
具体实施方式五：本实施方式是对具体实施方式一、二或三所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统作进一步说明，本实施方式中，第i层反射镜的回转椭球面1的外表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
其中i为1、2、3、…、N，
a31为993.0206，b31为80.4215，a32为993.7421，b32为89.1851，a33为994.6511，b33为99.1036；a34为995.8050，b34为110.3934；a35为997.2837，b35为123.3373；a36为999.2013，b36为138.3158；a37为1001.7273，b37为155.8576；a38为1005.1230，b38为176.8684；
第i层反射镜的回转双曲面2的外表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
其中i为1、2、3、…、N，
a41为270.2532，b41为52.8636，a42为269.1337，b42为58.4827，a43为267.7308，b43为64.7894，a44为265.9622，b44为71.8932，a45为263.7156，b45为79.9297，a46为260.8346，b46为89.0713，a47为257.0946，b47为99.5408，a48为252.1628，b48为111.6333。
具体实施方式六：本实施方式是对具体实施方式五所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统作进一步说明，本实施方式中，第1至8层反射镜的大口径端的内径D1依次分别为：153.4mm、170.8mm、190.5mm、212.9mm、238.5mm、268.2mm、303mm、344.4mm。
具体实施方式七：本实施方式是对具体实施方式六所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统作进一步说明，本实施方式中，第1至8层反射镜的小口径端的内径D2依次分别为：125.9mm、139.9mm、155.5mm、173mm、192.9mm、215.4mm、241.2mm和271mm。
回转椭球面1的一端的内侧端点为B、回转双曲面2的一端的内侧端点为A，回转椭球面1和回转双曲面2交接处的内侧端点为R，第10至1层反射镜的A、R、B的坐标如表1所示，xA、xR和xB依次为A、R和B的横坐标，yA、yR和yB依次为A、R和B的纵坐标，单位为mm。
表1、第10至1层反射镜的A、R、B的坐标
层数 10 9 8 7 6
xA -650.0000 -664.8980 -675.6770 -683.6900 -689.7694
yA 173.2051 152.8036 135.4877 120.6155 107.7159
xR -717.1675 -728.3411 -736.2967 -742.1440 -746.5437
yR 222.3171 192.2628 168.0774 148.0794 131.2124
xB -858.8445 -858.8445 -858.8445 -858.8445 -858.8445
yB 228.8557 197.3754 172.2167 151.5159 134.1191
层数 5 4 3 2 1
xA -694.4542 -698.1084 -700.9859 -703.2686 -705.0905
yA 96.4375 86.5126 77.7332 69.9342 62.9827
xR -749.9132 -752.5289 -754.5810 -756.2044 -757.4971
yR 116.7726 104.2694 93.3473 83.7402 75.2436
xB -858.8445 -858.8445 -858.8445 -858.8445 -858.8445
yB 119.2661 106.4317 95.2383 85.4050 76.7169
表1中的坐标值精确到小数点后的第四位，以下给出更精确的坐标值，
第10至1层反射镜的A的横坐标依次为：-6.500000000000000、-6.648979613932229、-6.756770007163100、-6.836899722386165、-6.897693527461802、-6.944542433513106、-6.981084470461110、-7.009858624279612、-7.032686487001705、-7.050905113230284，单位为102mm；
第10至1层反射镜的A的纵坐标依次为：1.732050807568877、1.528035502854224、1.354876579923052、1.206154713346532、1.077159101404402、0.964375046897646、0.865126105523531 0.777331655297261、0.699342396922357、0.629827347240341，单位为102mm；
第10至1层反射镜的B的横坐标均为：-8.588445067614257，单位为102mm；
第10至1层反射镜的B的纵坐标依次为：2.288557417711111、1.9737538298551921.722166518577687、1.515159490302614、1.341190607361857、1.192660595590660、1.064317165232229、0.952383004946020、0.854049696445667、0.767169248059375，单位为102mm；
第10至1层反射镜的R的横坐标依次为：-7.171674719657858、-7.283410695434283、-7.362966778904816、-7.421440196928869、-7.465437003564350、-7.499131665697349、-7.525288958929889、-7.545810310315858、-7.562044040682771、-7.574970543883865，单位为102mm；
第10至1层反射镜的R的纵坐标依次为：2.223171142366113、1.922628141868611、1.680773900658342、1.480794434016410、1.312123727564796、1.167726099940180、1.042694457337939、0.933473282499927、0.837402441295029、0.752436482372154，单位为102mm。

Claims (6)

1.毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，采用Wolter Ⅰ型收集系统实现，包括N层圆桶状反射镜，反射镜依次共轴嵌套，每层反射镜由回转椭球面(1)和回转双曲面(2)连接而成，回转椭球面(1)和回转双曲面(2)具有一个公共的几何焦点，各层反射镜的几何焦点重合；
N层反射镜由内向外依次为第1层、第2层、…、第N层，N为8、9或10，
以圆桶状反射镜的中心轴作为x轴，以由反射镜向几何焦点延伸的方向为x轴正向，以几何焦点为原点，建立直角坐标系，
第i层反射镜的回转椭球面(1)的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
<mrow> <mfrac> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>+</mo> <mn>990</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>a</mi> <mrow> <mn>1</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>+</mo> <mfrac> <msup> <mi>y</mi> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>b</mi> <mrow> <mn>1</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mn>1</mn> <mo>,</mo> </mrow>
其中i为1、2、3、…、N，单位均为mm，
a11为993.0206，b11为77.3949，a12为993.7421，b12为86.1587，a13为994.6511，b13为96.0772；a14为995.8050，b14为107.3670；a15为997.2837，b15为120.3110；a16为999.2013，b16为135.2896；a17为1001.7273，b17为152.8316；a18为1005.1230，b18为173.7018；
第i层反射镜的回转双曲面(2)的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
<mrow> <mfrac> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>+</mo> <mn>275</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>a</mi> <mrow> <mn>2</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>-</mo> <mfrac> <msup> <mi>y</mi> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>b</mi> <mrow> <mn>2</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mn>1</mn> <mo>,</mo> </mrow>
其中i为1、2、3、…、N，
a21为270.2532，b21为50.8742，a22为269.1337，b22为56.4981，a23为267.7308，b23为62.8109，a24为265.9622，b24为69.9222，a25为263.7156，b25为77.9685，a26为260.8346，b26为87.1225，a27为257.0946，b27为97.6082，a28为252.1628，b28为109.7220；
其特征在于，第i层反射镜的回转椭球面(1)的外表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
<mrow> <mfrac> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>+</mo> <mn>990</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>a</mi> <mrow> <mn>3</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>+</mo> <mfrac> <msup> <mi>y</mi> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>b</mi> <mrow> <mn>3</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mn>1</mn> <mo>,</mo> </mrow>
其中i为1、2、3、…、N，
a31为993.0206，b31为80.4215，a32为993.7421，b32为89.1851，a33为994.6511，b33为99.1036；a34为995.8050，b34为110.3934；a35为997.2837，b35为123.3373；a36为999.2013，b36为138.3158；a37为1001.7273，b37为155.8576；a38为1005.1230，b38为176.8684；
第i层反射镜的回转双曲面(2)的外表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：
<mrow> <mfrac> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>+</mo> <mn>275</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>a</mi> <mrow> <mn>4</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>-</mo> <mfrac> <msup> <mi>y</mi> <mn>2</mn> </msup> <mrow> <msup> <msub> <mi>b</mi> <mrow> <mn>4</mn> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mn>2</mn> </msup> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mn>1</mn> <mo>,</mo> </mrow>
其中i为1、2、3、…、N，
a41为270.2532，b41为52.8636，a42为269.1337，b42为58.4827，a43为267.7308，b43为64.7894，a44为265.9622，b44为71.8932，a45为263.7156，b45为79.9297，a46为260.8346，b46为89.0713，a47为257.0946，b47为99.5408，a48为252.1628，b48为111.6333。
2.根据权利要求1所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，其特征在于，N为9，a19为1009.8146，b19为199.0615，a29为245.5243，b29为123.8662。
3.根据权利要求1所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，其特征在于，N为10，a19为1009.8146，b19为199.0615，a29为245.5243，b29为123.8662，a110为1016.5439，b110为230.7847，a210为236.3406，b210为140.5991。
4.根据权利要求1、2或3所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，其特征在于，反射镜为LY-12铝合金反射镜。
5.根据权利要求1所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，其特征在于，第1至8层反射镜的大口径端的内径D1依次分别为：153.4mm、170.8mm、190.5mm、212.9mm、238.5mm、268.2mm、303mm、344.4mm。
6.根据权利要求5所述的毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，其特征在于，第1至8层反射镜的小口径端的内径D2依次分别为：125.9mm、139.9mm、155.5mm、173mm、192.9mm、215.4mm、241.2mm和271mm。
CN201610444231.0A 2016-06-20 2016-06-20 毛细管放电z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统 Active CN105867075B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610444231.0A CN105867075B (zh) 2016-06-20 2016-06-20 毛细管放电z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610444231.0A CN105867075B (zh) 2016-06-20 2016-06-20 毛细管放电z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105867075A CN105867075A (zh) 2016-08-17
CN105867075B true CN105867075B (zh) 2017-10-03

Family

ID=56649857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610444231.0A Active CN105867075B (zh) 2016-06-20 2016-06-20 毛细管放电z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105867075B (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5076349B2 (ja) * 2006-04-18 2012-11-21 ウシオ電機株式会社 極端紫外光集光鏡および極端紫外光光源装置
CN104570623A (zh) * 2015-02-16 2015-04-29 哈尔滨工业大学 Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的光学收集系统
CN104619104B (zh) * 2015-02-16 2017-03-01 哈尔滨工业大学 Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN105867075A (zh) 2016-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5076349B2 (ja) 極端紫外光集光鏡および極端紫外光光源装置
JP2942544B2 (ja) プラズマ・フォーカス高エネルギ・フォトン・ソース
CN103433507B (zh) 极紫外光刻光源中光学收集镜直接车削加工精加工方法
Teubner et al. X‐ray spectra from high‐intensity subpicosecond laser produced plasmas
US9029815B2 (en) Collector mirror assembly and extreme ultraviolet light source device using said collector mirror assembly
CA1118914A (en) X-ray lithography apparatus and method of use
CN105867075B (zh) 毛细管放电z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统
CN112613245A (zh) 一种激光预电离的感应等离子体推力器设计方法
Brandt et al. LPP EUV source development for HVM
GB2220502A (en) Excimer laser beam homogenizer system
CN104900292A (zh) 一种基于半导体工艺的平面型龙虾眼聚焦镜头的制备方法
CN104698514B (zh) 一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法
JP4385079B2 (ja) Ｅｕｖ放射線を生成するための配列装置
CN103447552B (zh) 极紫外光刻光源中光学收集镜直接车削加工粗加工方法
CA2317629A1 (en) Tube, device and method for emitting electromagnetic radiation
US6498832B2 (en) Electrode configuration for extreme-UV electrical discharge source
CN104570623A (zh) Xe介质毛细管放电检测用极紫外光源的光学收集系统
Cotroneo et al. Carbon overcoatings for soft x-ray reflectivity enhancement
JP3824765B2 (ja) 分析用ｘ線管
Houzhi et al. A multisample, high‐intensity Cs sputter negative ion source for accelerator mass spectrometry applications
Aubert et al. Large aperture Čerenkov counter
Sveda et al. Multi-foil optic condenser for a laser plasma EUV source
Ovsyannikova et al. Generalized excitation of a coaxial cylindrical lens
CN117192916A (zh) 一种毛细管放电极紫外光刻双真空光源装置
Kampmann et al. Iterative design process for highly efficient optical trapping systems

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210113

Address after: Building 9, accelerator, 14955 Zhongyuan Avenue, Songbei District, Harbin City, Heilongjiang Province

Patentee after: INDUSTRIAL TECHNOLOGY Research Institute OF HEILONGJIANG PROVINCE

Address before: 150001 No. 92 West straight street, Nangang District, Heilongjiang, Harbin

Patentee before: HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230224

Address after: 150027 Room 412, Unit 1, No. 14955, Zhongyuan Avenue, Building 9, Innovation and Entrepreneurship Plaza, Science and Technology Innovation City, Harbin Hi tech Industrial Development Zone, Heilongjiang Province

Patentee after: Heilongjiang Industrial Technology Research Institute Asset Management Co.,Ltd.

Address before: Building 9, accelerator, 14955 Zhongyuan Avenue, Songbei District, Harbin City, Heilongjiang Province

Patentee before: INDUSTRIAL TECHNOLOGY Research Institute OF HEILONGJIANG PROVINCE