CN105843025A - 应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法，所述硅纳米砖阵列结构是由硅纳米砖单元排列而成的阵列，硅纳米砖单元由介质基底和介质基底上刻蚀的硅纳米砖构成；所述阵列中，所有介质基底的长宽高相等，硅纳米砖的长宽高根据位相需求设计。该硅纳米砖阵列结构可使平行于纳米砖长边方向的线偏振光和平行于纳米砖宽边方向的线偏振光经全息片衍射后呈现不同全息图案；利用视差效应，并配合偏振眼镜，即可观察到高信噪比、大视角和良好体验的三维立体全息效果。本发明工艺简单，可广泛用于显示、传感、防伪、信息存储等领域。
Description
技术领域
本发明涉及微纳光学及光学全息技术领域，尤其涉及应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法。
背景技术
传统全息术采用相干光源照射真实存在的物体，然后与参考光干涉形成全息片，利用参考光照射全息片实现衍射再现。而计算全息通过优化设计全息片的振幅和位相分布，可以实现现实中不存在的物体，是全息技术的重要突破。目前，计算全息集中在实现二维全息图，比如激光全息键盘、随机光点发生器等。要实现三维的计算全息，目前还有很多困难。在需要满足诸多近似计算的条件下，已经报道了一些图案简单、视觉效果较差、甚至需要借助显微镜观察的三维计算全息图[1]，因此三维计算全息仍然有较大的创新发展空间。
文中涉及如下文献：
[1]Huang,Lingling,et al.Three-dimensional optical holography using aplasmonic metasurface.Nature communications 4(2013).
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种基于偏振控制的应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法，本发明可提供高信噪比、大视角、良好体验、概念全新的偏振全息。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一、应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构，该硅纳米砖阵列结构是由硅纳米砖单元排列而成的阵列，硅纳米砖单元由介质基底和介质基底上刻蚀的硅纳米砖构成；
介质基底和硅纳米砖均为长方体形，介质基底和硅纳米砖的长宽高均为亚波长尺度，介质基底的工作面及其工作面的相对面为正方形；
介质基底和其上刻蚀的硅纳米砖的三组棱分别平行，且介质基底和其上刻蚀的硅纳米砖的中心点的连线垂直于介质基底工作面；
所述阵列中，所有介质基底的长宽高相等；所有硅纳米砖的高相等，但长宽根据位相需求设计。
本发明硅纳米砖阵列结构即构成一全息片。建立硅纳米砖单元的工作面坐标系xoy，x轴方向和y轴方向分别与介质基底工作面的两组边平行。根据位相量化需求，通过硅纳米砖平行x轴方向的棱的长度控制平行于x轴方向的线偏振光的位相，通过硅纳米砖平行y轴方向的棱的长度控制平行于y轴方向的线偏振光的位相，从而实现偏振图像分离。对x轴方向和y轴方向分别单独计算全息图，x轴方向的计算全息图对应左目视觉看到的目标物体图像，y轴方向的计算全息图对应右目视觉看到的同一目标物体图像。
二、上述硅纳米砖阵列结构的设计方法，包括：
(1)建立硅纳米砖单元的工作面坐标系xoy，x轴方向和y轴方向分别与介质基底工作面的两组边平行；
(2)根据目标全息图像要求确定工作波长λ和量化位相采样等级N，构建位相量化值组分别表示x轴方向和y轴方向的位相量化值， i、j相等或不相等；
(3)采用电磁仿真法优化硅纳米砖单元的结构参数，结构参数包括硅纳米砖中平行于x轴方向和y轴方向的棱的长度Lx、Ly、硅纳米砖的高度H和介质基底工作面边长C；
本步骤具体为：
平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光同时垂直入射硅纳米砖单元工作面，以透射的平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光的效率及硅纳米砖单元的位相值组为优化指标，扫描硅纳米砖单元的结构参数，获得满足优化目标的结构参数；
对各位相量化值组以透射效率最高、且与的差值绝对值小于预设值为优化目标，满足该优化目标的结构参数即对应的结构参数；
所述预设值在0°～15°内取值；
所述和分别表示硅纳米砖单元x轴方向和y轴方向的位相值；
(4)根据和分别计算硅纳米砖单元在x轴方向和y轴方向的周期dx、dy，其中，θx和θy分别表示目标全息图像在x轴方向和y轴方向的投影角度，m和n分别表示目标全息图像在x轴方向和y轴方向的像素数；
(5)根据P＝dx/C和Q＝dy/C得单周期内硅纳米砖单元在x轴方向和y轴方向的数量P、Q；
(6)采用傅里叶全息计算法获得目标全息图像的位相分布，基于步骤(3)的优化结果获得各位相对应的结构参数，根据位相分布得到全息片各位相对应处硅纳米砖单元的结构参数。
本发明硅纳米砖阵列结构由若干均匀排布、大小不一的硅纳米砖单元构成，可使水平偏振光和垂直偏振光经全息片衍射后呈现不同全息图案；利用视差效应，并配合偏振眼镜，即可观察到高信噪比、大视角和良好体验的三维立体全息效果。采用硅纳米砖单元构成全息片，通过改变硅纳米砖平行于x轴方向和y轴方向的棱的长度，来单独控制入射光的位相，从而形成二合一的、偏振控制的位相型傅里叶全息技术。
本发明涉及如下技术原理：
(1)硅纳米砖位相调节原理：
硅纳米砖大小不同，使得其等效折射率不同，从而可调节入射光的位相。
(2)硅纳米砖实现三维全息原理：
通过控制各硅纳米砖平行于x轴方向和y轴方向的棱的长度，从而单独控制平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光的位相。因此，如果将全息片设计成分别以x轴方向和y轴方向为视角看同一个物体，那么左眼将看到平行于x轴方向的线偏振光对应的全息图案，右眼将看到平行于y轴方向的线偏振光对应的全息图案，由于两眼的视差效应将产生立体感。
和现有的傅里叶三维全息技术相比，本发明具有以下优点和积极效果：
(1)只需改变硅纳米砖大小即可实现2π范围内的位相调制，可等效于任意台阶数的浮雕位相调制结构，工艺简单，具有很高的稳定性与可靠性。
(2)采用硅纳米砖单元构造全息片，可实现大衍射角、高信噪比的全息图案。
(3)仅需配合廉价的偏振眼镜就可观测立体效果，具有较高的性价比。
(4)可批量复制降低成本，可广泛用于显示、传感、防伪、信息存储等领域。。
附图说明
图1是硅纳米砖单元的具体示意图；
图2是本发明三维全息的工作原理图；
图3是实施例中平行于x轴方向的线偏振光生成的全息图。
图4是实施例中平行于y轴方向的线偏振光生成的全息图。
图5是实施例所设计全息片的局部结构图。
具体实施方式
图1为硅纳米砖单元的示意图，图中，1表示硅纳米砖，2表示介质基底，Lx和Ly分别表示硅纳米砖中平行于x轴方向和y轴方向的棱的长度，H表示硅纳米砖的高度，C表示硅纳米砖单元边长，即介质基底工作面边长。
实施例
第一步：根据实际使用情况确定主波长，即工作波长。本实施例中，主波长λ＝632.8nm。硅纳米砖采用晶体硅材料，介质基底采用熔融石英玻璃材料，位相量化为4台阶。目标全息图像见图3～4，图3对应平行于x轴方向的线偏振光入射时产生的全息图像，即偏振眼镜左眼看到的图像；图4对应平行于y轴方向的线偏振光入射时产生的全息图像，即偏振眼镜右眼看到的图像。
第二步：依据4台阶量化，确定位相量化值，分别为0°、90°、180°和270°。本实施例可构建16组位相量化值组
第三步：采用电磁仿真法对硅纳米砖单元的结构参数进行优化设计。
硅纳米砖单元的结构参数包括Lx、Ly、H和C，本步骤采用电磁仿真软件Comsol进行仿真。
仿真时，平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光同时垂直入射硅纳米砖单元工作面，以透射的平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光的效率、以及x轴方向和y轴方向的位相值为优化指标，扫描硅纳米砖单元的结构参数，以期获得优化的结构参数。
对各位相量化值组以透射效率最高、且与的差值绝对值小于预设值为优化目标，满足该优化目标的结构参数即对应的结构参数。和分别表示硅纳米砖单元x轴方向和y轴方向的位相值。与的差值绝对值小于预设值指与以及与的差值绝对值均小于预设值，该目标是为了使得硅纳米砖单元的位相值接近位相量化值组。预设值一般设为0～15°。
经优化计算，得C＝250nm，H＝330nm，Lx和Ly值见表1。表1中，Tx和Ty分别表示平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光的透过效率，和分别表示x轴方向和y轴方向的位相值，表1提供了各组位相值所对应的Lx和Ly值。从表1可以看出，优化后的硅纳米砖单元，在保证位相值的同时，还获得了较高的透过率和一致性。
表1 Lx和Ly对应的4台阶位相值及转化效率
第四步：根据目标全息图像要求计算硅纳米砖单元的周期。
工作波长λ＝632.8nm，选取目标全息图像在x轴方向和y轴方向上的投影角度θx＝60°、θy＝20°，图3～4所示目标全息图像像素为：m＝900，n＝300；经计算得硅纳米砖单元在x轴方向和y轴方向的周期dx＝493μm，dy＝538μm，从而得到全息片的像素大小为P＝1972、Q＝2152。
第五步：采用傅里叶全息计算法，分别计算实现图3～4所示目标全息图像的位相分布，基于表1找到各位相所对应的硅纳米砖单元结构参数。根据位相分布得到全息片各位相对应处硅纳米砖单元的结构参数，从而完成全息片设计工作。图5为本实施例所设计的全息片的局部结构图。
Claims (4)
1.应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构，其特征是：
所述硅纳米砖阵列结构是由硅纳米砖单元排列而成的阵列，硅纳米砖单元由介质基底和介质基底上刻蚀的硅纳米砖构成；
介质基底和硅纳米砖均为长方体形，介质基底和硅纳米砖的长宽高均为亚波长尺度，介质基底的工作面及其工作面的相对面为正方形；
介质基底和其上刻蚀的硅纳米砖的三组棱分别平行，且介质基底和其上刻蚀的硅纳米砖的中心点的连线垂直于介质基底工作面；
所述阵列中，所有介质基底的长宽高相等；所有硅纳米砖的高相等，但长宽根据位相需求设计。
2.如权利要求1所述的应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构，其特征是：
所述的硅纳米砖为晶体硅纳米砖。
3.如权利要求1所述的应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构，其特征是：
所述的介质基底为熔融石英玻璃基底。
4.权利要求1所述硅纳米砖阵列结构的设计方法，其特征是，包括：
(1)建立硅纳米砖单元的工作面坐标系xoy，x轴方向和y轴方向分别与介质基底工作面的两组边平行；
(2)根据目标全息图像要求确定工作波长λ和量化位相采样等级N，构建位相量化值组 分别表示x轴方向和y轴方向的位相量化值， i＝0,1，...N-1，j＝0,1，...N-1，i、j相等或不相等；
(3)采用电磁仿真法优化硅纳米砖单元的结构参数，结构参数包括硅纳米砖中平行于x轴方向和y轴方向的棱的长度Lx、Ly、硅纳米砖的高度H和介质基底工作面边长C；
本步骤具体为：
平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光同时垂直入射硅纳米砖单元工作面，以透射的平行于x轴方向的线偏振光和平行于y轴方向的线偏振光的效率及硅纳米砖单元的位相值组为优化指标，扫描硅纳米砖单元的结构参数，获得满足优化目标的结构参数；
对各位相量化值组以透射效率最高、且与的差值绝对值小于预设值为优化目标，满足该优化目标的结构参数即对应的结构参数；
所述预设值在0～15°范围内取值；
所述和分别表示硅纳米砖单元x轴方向和y轴方向的位相值；
(4)根据和分别计算硅纳米砖单元在x轴方向和y轴方向的周期dx、dy，其中，θx和θy分别表示目标全息图像在x轴方向和y轴方向的投影角度，m和n分别表示目标全息图像在x轴方向和y轴方向的像素数；
(5)根据P＝dx/C和Q＝dy/C得单周期内硅纳米砖单元在x轴方向和y轴方向的数量P、Q；
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|---|---|
| CN (1) | CN105843025B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107065491A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-08-18 | 武汉大学 | 应用于全息防伪的纳米砖阵列全息片及其设计方法 |
| CN107870446A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-04-03 | 武汉大学 | 一种将倏逝波转化为行波的方法 |
| CN108803292A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-13 | 中国科学院大学 | 一种基于透射式全介质超表面的偏振复用全息成像方法 |
| CN109239851A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-18 | 武汉邮电科学研究院有限公司 | 一种基于线偏振的光纤耦合器及其制造与使用方法 |
| CN110794662A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-14 | 武汉大学 | 消除零级光的振幅型超表面计算全息片的设计方法 |
| CN110879477A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-13 | 武汉大学 | 基于超表面微透镜阵列的真三维立体成像技术 |
| CN111048133A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-21 | 武汉大学 | 一种基于金属超表面结构的光存储器件及方法 |
| CN111258060A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-06-09 | 武汉大学 | 可实现透反双通道全息复用的超表面的设计方法 |
| CN114879467A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-08-09 | 武汉大学 | 基于液体浸润式的动态全息片上超表面及其显示方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130063821A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photonic crystal structure, method of manufacturing the photonic crystal structure, reflective color filter, and display apparatus employing the photonic crystal structure |
| CN104749665A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-07-01 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法 |
| CN104777545A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-15 | 武汉大学 | 一种硅纳米砖阵列偏振分光器 |
| CN105068396A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-11-18 | 武汉大学 | 一种反射式铝纳米棒阵列及利用其实现彩色全息的方法 |
-
2016
- 2016-05-27 CN CN201610363922.8A patent/CN105843025B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130063821A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photonic crystal structure, method of manufacturing the photonic crystal structure, reflective color filter, and display apparatus employing the photonic crystal structure |
| CN104749665A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-07-01 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法 |
| CN104777545A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-15 | 武汉大学 | 一种硅纳米砖阵列偏振分光器 |
| CN105068396A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-11-18 | 武汉大学 | 一种反射式铝纳米棒阵列及利用其实现彩色全息的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 王钰等: "激光全息法制备二维硅基图形衬底", 《半导体学报》 * |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107065491A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-08-18 | 武汉大学 | 应用于全息防伪的纳米砖阵列全息片及其设计方法 |
| CN107065491B (zh) * | 2017-06-20 | 2019-05-10 | 武汉大学 | 应用于全息防伪的纳米砖阵列全息片及其设计方法 |
| CN107870446A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-04-03 | 武汉大学 | 一种将倏逝波转化为行波的方法 |
| CN108803292A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-13 | 中国科学院大学 | 一种基于透射式全介质超表面的偏振复用全息成像方法 |
| CN108803292B (zh) * | 2018-05-28 | 2020-12-25 | 中国科学院大学 | 一种基于透射式全介质超表面的偏振复用全息成像方法 |
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| CN111048133A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-21 | 武汉大学 | 一种基于金属超表面结构的光存储器件及方法 |
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| CN110794662A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-14 | 武汉大学 | 消除零级光的振幅型超表面计算全息片的设计方法 |
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