CN105837601A - 一种芳环修饰有机光伏电池及其制备方法 - Google Patents
一种芳环修饰有机光伏电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105837601A CN105837601A CN201610286657.8A CN201610286657A CN105837601A CN 105837601 A CN105837601 A CN 105837601A CN 201610286657 A CN201610286657 A CN 201610286657A CN 105837601 A CN105837601 A CN 105837601A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic photovoltaic
- aromatic ring
- layer
- photovoltaic material
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 13
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 9
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical group [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 51
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 7
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl chloride Substances ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZHOHDLCCGBMSLU-UHFFFAOYSA-N CCc(c(C)c1)cc(c2c3[nH]cc2)c1c1c3[nH]cc1 Chemical compound CCc(c(C)c1)cc(c2c3[nH]cc2)c1c1c3[nH]cc1 ZHOHDLCCGBMSLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N chromium(III) oxide Inorganic materials O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种芳环修饰有机光伏电池依次包括：(1)衬底；(2)阴极界面层；(3)真空注入层；(4)芳环修饰有机光伏材料层；(5)电子传输层；(6)阳极。本发明提供的芳环修饰有机光伏材料材料迁移率高能量转换率高、材料的稳定性好、耐久性好，电池寿命长。
Description
技术领域
本发明属于光伏材料领域，特别涉及一种芳环修饰有机光伏电池，还涉及该光伏材料的制备方法。
背景技术
随着全球范围内能源紧缺和环保问题的日益突出，可再生能源的利用引起广泛的重视。光伏发电作为一种重要的可再生能源形式，它是目前可再生能源中技术最具规模化开发条件和商业化发展前景的发电方式之一，越来越受到人们的关注。过去几十年中，太阳能电池板的制造业规模迅速扩大。2013年，美国太阳能产业的增长率高达116％，在新能源技术领域中首屈一指。美国太阳能光伏发电项目“太阳能之星”装机容量达1.5万kW；日本SANYO太阳能方舟发电功率达到630kW，每年发电53万kWh；国内建成的深圳国际园林花卉博览园光伏并网发电系统装机容量达1MW，目前已投入使用。
最早的光伏效应是Edmund Bequerel在1839年发现的，一百多年后(1954年)，随着硅半导体工业的发展，第一个能用于实际发电的太阳能电池才在贝尔实验室问世。这个太阳能电池以硅半导体的p-n结为基础，光电转化效率为6％。
有机太阳能电池作为一种新型的电池，以其独有的特点，不断的吸引着更多的人投入到这个领域的研究和开发中来。其发展速度之快也得益于其独有的优点和特性，例如：有机材料合成成本低、功能易于调制、柔韧性及成膜性都较好；加工过程相对简单,可低温操作,器件制作成本也较低；可实现大面积制造、可使用柔性衬底、环境友好、轻便易携等。当然现有有机太阳能材料仍有不少缺点：材料迁移率低，高体电阻，从而导致能量转换率低；材料的稳定性和耐久性不够好，电池寿命短。
发明内容
技术问题：为了解决现有技术的缺陷，本发明提供了一种能量转化率高、稳定性好、耐久性好的芳环修饰有机光伏电池。
技术方案：本发明提供的一种芳环修饰有机光伏材料，其结构式如式(I)或式(II)所示：
其中，R1和R2分别独立的为H或1-5个碳原子的直链或支链烷烃。
本发明还提供了上述芳环修饰有机光伏材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)DMF溶剂中，化合物(1)与POCl3室温反应0.5-1.5h，得化合物(2)；
(2)碱性条件下，化合物(3)于340-350℃反应8-12h，分子内环合，得化合物(4)；
其中，R1和R2分别独立的为H或1-5个碳原子的直链或支链烷烃；
(3)在TFA催化剂、DDQ氧化剂存在下，化合物(2)和化合物(3)室温反应8-12h，得式(I)所示的化合物；
其中，R1和R2分别独立的为H或1-5个碳原子的直链或支链烷烃。
其中，步骤(1)中，化合物(1)与POCl3的摩尔比为1：(2-3)；步骤(3)中，化合物(2)和化合物(4)的摩尔比为(1-1.2)：1。
本发明还提供了一种芳环修饰有机光伏材料，其结构式如式(III)所示：
本发明还提供了上述芳环修饰有机光伏材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)DMF溶剂中，化合物(1)与POCl3室温反应0.5-1.5h，得化合物(2)；
(2)碱性条件下，化合物(3-3)于340-350℃反应8-12h，分子内环合，得化合物(4-3)；
(3)在TFA催化剂、DDQ氧化剂存在下，化合物(2)和化合物(4-3)室温反应8-12h，得式(III)所示的化合物；
其中，步骤(1)中，化合物(1)与POCl3的摩尔比为1：(2-3)；步骤(3)中，化合物(2)和化合物(4-3)的摩尔比为(1-1.2)：1。
本发明还提供了一种芳环修饰有机光伏材料衍生物，其结构式如式(II)所示：
本发明还提供了上述芳环修饰有机光伏材料衍生物的制备方法，包括以下步骤：在氩气保护下，在三乙胺、四(三苯基膦)钯存在下，化合物(III)和CuI 85-90℃反应24-26h，即得化合物(IV)。
优选地，化合物(IIII)和CuI的摩尔比为1：(2-3)。
本发明还提供了一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池，依次包括：
(1)衬底；
(2)阴极界面层；
(3)真空注入层；
(4)芳环修饰有机光伏材料层；
(5)电子传输层；
(6)阳极；
其中，所述芳环修饰有机光伏材料的结构式如式(I)或式(II)所示：
其中，R为H或1-3个碳原子的直链或支链烷烃。
作为优选，所述衬底为铕掺杂玻璃基底。
作为另一种优选，所述阴极界面层为镧掺杂的ITO薄膜。
作为另一种优选，所述真空注入层为掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层；所述抗氧化剂为对苯二酚、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，所述抗氧化剂的含量占活性层质量的0.04-0.06％。
作为另一种优选，所述电子传输层为硫掺杂的Cr2O3薄膜。
作为另一种优选，所述阳极为铝电极。
本发明还提供了一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)在铕掺杂玻璃基底表面，通过旋涂法或蒸镀法制备镧掺杂的ITO薄膜；
(2)在镧掺杂的ITO薄膜表面，通过旋涂法或蒸镀法制备掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层；
(3)在掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层表面，通过旋涂法或蒸镀法制备芳环修饰有机光伏材料层；
(4)在芳环修饰有机光伏材料层表面，通过旋涂法或蒸镀法制备硫掺杂的Cr2O3薄膜；
(5)在硫掺杂的Cr2O3薄膜表面，通过蒸镀法制备铝电极。
有益效果：本发明提供的芳环修饰有机光伏材料迁移率高能量转换率高、材料的稳定性好、耐久性好，电池寿命长。
具体实施方式
实施例1
芳环修饰有机光伏材料，采用以下方法制得：
(1)DMF溶剂中，2mol化合物(1)与4mol POCl3室温反应1.5h，得化合物(2)；
MS(m/z)：199.05；
(2)碱性条件下，1.5mol化合物(3-1)于350℃反应8h，分子内环合，得化合物(4-1)；
MS(m/z)：246.12；
(3)在TFA催化剂、DDQ氧化剂存在下，1mol化合物(2)和1mol化合物(4-1)室温反应8h，得化合物(I-1)和化合物(II-1)；
MS(m/z)：822.32。
实施例2
芳环修饰有机光伏材料，，采用以下方法制得：
(1)DMF溶剂中，2mol化合物(1)与6mol POCl3室温反应0.5h，得化合物(2)；
MS(m/z)：199.05；
(2)碱性条件下，1.5mol化合物(3-2)于340℃反应12h，分子内环合，得化合物(4-2)；
MS(m/z)：274.15；
(3)在TFA催化剂、DDQ氧化剂存在下，1mol化合物(2)和1mol化合物(4-2)室温反应12h，得化合物(I-2)和化合物(II-2)。
MS(m/z)：878.38。
实施例3
芳环修饰有机光伏材料，，采用以下方法制得：
(1)DMF溶剂中，2mol化合物(1)与5mol POCl3室温反应1h，得化合物(2)；
MS(m/z)：199.05；
(2)碱性条件下，1.5mol化合物(3-3)于345℃反应10h，分子内环合，得化合物(4-3)；
MS(m/z)：154.05；
(3)在TFA催化剂、DDQ氧化剂存在下，1.1mol化合物(2)和1mol化合物(4-3)室温反应10h，得化合物(I-3)和化合物(II-3)。
MS(m/z)：738.23。
实施例4
芳环修饰有机光伏材料衍生物的制备，包括以下步骤：在氩气保护下，在三乙胺、四(三苯基膦)钯存在下，1mol化合物(III)和2mol CuI 90℃反应24h，即得化合物(IV)。
MS(m/z)：866.09。
实施例5
芳环修饰有机光伏材料衍生物的制备，包括以下步骤：在氩气保护下，在三乙胺、四(三苯基膦)钯存在下，1mol化合物(III)和3mol CuI 85℃反应26h，即得化合物(IV)。
MS(m/z)：866.09。
实施例6
芳环修饰有机光伏材料，依次包括：
(1)铕掺杂玻璃基底；
(2)镧掺杂的ITO薄膜；
(3)掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层；其中抗氧化剂为对苯二酚、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，所述抗氧化剂的含量占活性层质量的0.04-0.06％
(4)芳环修饰有机光伏材料衍生物层；
(5)硫掺杂的Cr2O3薄膜；
(6)铝电极；
将实施例1至5的芳环修饰有机光伏材料用于芳环修饰有机光伏材料衍生物层，制得一批有机光伏电池，测试电池性能，见表1。
表1电池性能
其中，对照组采用富勒烯替代芳环修饰有机光伏材料衍生物层。
稳定性试验：
将上述电池加热五天，测试电池性能，见表2。
表2电池性能
其中，对照组采用富勒烯替代芳环修饰有机光伏材料衍生物层。
上述有机光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)在铕掺杂玻璃基底表面，通过旋涂法或蒸镀法制备镧掺杂的ITO薄膜；
(2)在镧掺杂的ITO薄膜表面，通过旋涂法或蒸镀法制备掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层；
(3)在掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层表面，通过旋涂法或蒸镀法制备芳环修饰有机光伏材料衍生物层；
(4)在芳环修饰有机光伏材料衍生物层表面，通过旋涂法或蒸镀法制备硫掺杂的Cr2O3薄膜；
(5)在硫掺杂的Cr2O3薄膜表面，通过蒸镀法制备铝电极。
其中现有技术中旋涂法或蒸镀法均可以实现本发明的目的。
Claims (7)
1.一种芳环修饰有机光伏电池，其特征在于：依次包括：
(1)衬底；
(2)阴极界面层；
(3)真空注入层；
(4)芳环修饰有机光伏材料层；
(5)电子传输层；
(6)阳极；
其中，所述芳环修饰有机光伏材料的结构式如式(I)或式(II)所示：
其中，R为H或1-3个碳原子的直链或支链烷烃。
2.根据权利要求1所述的一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池，其特征在于：所述衬底为铕掺杂玻璃基底。
3.根据权利要求1所述的一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池，其特征在于：所述阴极界面层为镧掺杂的ITO薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池，其特征在于：所述真空注入层为掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层；所述抗氧化剂为对苯二酚、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，所述抗氧化剂的含量占活性层质量的0.04-0.06％。
5.根据权利要求1所述的一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池，其特征在于：所述电子传输层为硫掺杂的Cr2O3薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池，其特征在于：所述阳极为铝电极。
7.权利要求1所述的一种含芳环修饰有机光伏材料的有机光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)在铕掺杂玻璃基底表面，通过旋涂法或蒸镀法制备镧掺杂的ITO薄膜；
(2)在镧掺杂的ITO薄膜表面，通过旋涂法或蒸镀法制备掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层；
(3)在掺杂抗氧化剂的PEDOT：PSS层表面，通过旋涂法或蒸镀法制备芳环修饰有机光伏材料层；
(4)在芳环修饰有机光伏材料层表面，通过旋涂法或蒸镀法制备硫掺杂的Cr2O3薄膜；
(5)在硫掺杂的Cr2O3薄膜表面，通过蒸镀法制备铝电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610286657.8A CN105837601A (zh) | 2016-05-03 | 2016-05-03 | 一种芳环修饰有机光伏电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610286657.8A CN105837601A (zh) | 2016-05-03 | 2016-05-03 | 一种芳环修饰有机光伏电池及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105837601A true CN105837601A (zh) | 2016-08-10 |
Family
ID=56590487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610286657.8A Pending CN105837601A (zh) | 2016-05-03 | 2016-05-03 | 一种芳环修饰有机光伏电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105837601A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103333185A (zh) * | 2013-05-04 | 2013-10-02 | 福州大学 | 一种具有宽光谱吸收的有机太阳能电池材料 |
| CN103724355A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-04-16 | 华南理工大学 | 一种卟啉有机小分子光伏材料及其制备方法 |
| CN105308768A (zh) * | 2013-02-21 | 2016-02-03 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 光电部件 |
-
2016
- 2016-05-03 CN CN201610286657.8A patent/CN105837601A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105308768A (zh) * | 2013-02-21 | 2016-02-03 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 光电部件 |
| CN103333185A (zh) * | 2013-05-04 | 2013-10-02 | 福州大学 | 一种具有宽光谱吸收的有机太阳能电池材料 |
| CN103724355A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-04-16 | 华南理工大学 | 一种卟啉有机小分子光伏材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sun et al. | Temperature effect of photovoltaic cells: a review | |
| Allouhi et al. | Recent technical approaches for improving energy efficiency and sustainability of PV and PV-T systems: A comprehensive review | |
| Hsueh et al. | Hybrid Cd‐free CIGS solar cell/TEG device with ZnO nanowires | |
| CN106025073A (zh) | 一种以三元组分为活性层的有机太阳能电池 | |
| CN108232016B (zh) | 基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池 | |
| CN107093650A (zh) | 一种制备铜锑硫太阳能电池吸收层的方法 | |
| Hu et al. | The current status and development trend of perovskite solar cells | |
| CN105914297B (zh) | 一种有机光伏电池及其制备方法 | |
| CN110156616B (zh) | 基于芴乙烯桥联芳香环核的免掺杂空穴传输材料的合成方法及其在钙钛矿电池中的应用 | |
| CN108276560A (zh) | 基于主链含苯并三唑酰亚胺和引达省氰基茚酮的嵌段共聚物及在单组分有机太阳电池的应用 | |
| CN105753769B (zh) | 含咔唑基且低4-叔丁基吡啶用量的小分子空穴传输材料及其在钙钛矿电池的应用 | |
| CN105870332A (zh) | 一种含噻吩环的有机光伏电池及其制备方法 | |
| CN105924446A (zh) | 一种有机光伏材料及其制备方法 | |
| CN105837600B (zh) | 一种芳环修饰有机光伏材料及其制备方法 | |
| CN105837601A (zh) | 一种芳环修饰有机光伏电池及其制备方法 | |
| CN105884795A (zh) | 一种含噻吩环的有机光伏材料及其制备方法 | |
| CN105753884A (zh) | 一种噻吩修饰新型有机光伏材料及其制备方法 | |
| CN105742503A (zh) | 一种噻吩修饰新型有机光伏电池及其制备方法 | |
| CN102593362A (zh) | 一种有机太阳能电池 | |
| CN102332358B (zh) | 一种海胆状Zn/ZnO微纳结构电极及其制备方法 | |
| CN112885967B (zh) | 一种基于延迟荧光材料的双层有机太阳能电池及制备方法 | |
| Омарова et al. | Performance simulation of eco-friendly solar cells based on CH3NH3SnI3 | |
| Nikolić et al. | A review of non-silicon and new photovoltaics technology for electricity generation | |
| CN105576130B (zh) | 一种有机光电池 | |
| Gong | Research Progress of potential solar cells alternative |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20161017 Address after: 225653, Yangzhou City, Jiangsu province Gaoyou Tianshan town industrial concentrated area Yangzhou Xin Crystal Photovoltaic Technology Co., Ltd. Applicant after: Yangzhou Xin Jing photovoltaic Science and Technology Ltd. Address before: 214101 science and Technology Pioneer Park, No. 7 Changjiang Road, Gaoyou Economic Development Zone, Jiangsu, Yangzhou Applicant before: Shen Rongcun |
|
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Chen Baoshan Inventor after: Li Chao Inventor after: Xu Fei Inventor after: Zhang Liheng Inventor after: Xu Fuxiang Inventor after: Xu Fang Inventor after: Liu Lianfeng Inventor before: Shen Rongcun |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160810 |