CN105826477A - 一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105826477A
CN105826477A CN201610318590.1A CN201610318590A CN105826477A CN 105826477 A CN105826477 A CN 105826477A CN 201610318590 A CN201610318590 A CN 201610318590A CN 105826477 A CN105826477 A CN 105826477A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
high performance
preparation
titanium ore
calcium titanium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610318590.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105826477B (zh
Inventor
王文庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Huasheng New Energy Technology Co ltd
Original Assignee
Dongguan Lianzhou Intellectual Property Operation and Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Lianzhou Intellectual Property Operation and Management Co Ltd filed Critical Dongguan Lianzhou Intellectual Property Operation and Management Co Ltd
Priority to CN201610318590.1A priority Critical patent/CN105826477B/zh
Publication of CN105826477A publication Critical patent/CN105826477A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105826477B publication Critical patent/CN105826477B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高性能钙钛矿太阳能电池,包括衬底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和对电极,其中所述界面修饰层采用的修饰材料为铯盐,所述钙钛矿光吸收层采用气相辅助溶液法制备。本发明还公开了该高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法。该太阳能电池光电转换效率高,稳定性好,且制备方法简单,成本低,能够进行规模化生产。

Description

一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法
技术领域:
本发明涉及电池技术领域,具体的涉及一种高性能钙钛矿太阳能电池。
背景技术:
随着人类对能源需求的大幅增长和化石能源造成的严重环境污染,以及化石能源的不断枯竭,能源问题已成为全人类面临的问题。太阳能是一种清洁、安全且取之不尽的能源,有效利用太阳能对缓解能源危机和保护环境,推动经济发展具有重要意义。
钙钛矿型太阳能电池以其低成本、制备工艺简单等优点受到全世界科学研究者的广泛关注,成为最具潜力的可再生能源之一。但是钙钛矿薄膜太阳能电池由于其薄膜厚度、材料特性以及制备工艺的限制,其厚度通常在几百纳米左右,在一定程度上制约了其对可见光的吸收,影响其电流密度的提高。
发明内容:
本发明的目的是提供一种高性能钙钛矿太阳能电池,该太阳能电池的钙钛矿光吸收层晶界少、表面粗糙度小,质量高,制得的太阳能电池光电转换效率高,稳定性好。
本发明的另一个目的是提供该高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种高性能钙钛矿太阳能电池,所述钙钛矿太阳能电池包括衬底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和对电极,其中所述界面修饰层采用的修饰材料为铯盐,所述钙钛矿光吸收层采用气相辅助溶液法制备。
一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底10-15min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂铯盐溶液,旋涂的转速为1000-3000rpm,然后在50-60℃下加热10-20min,得到界面修饰层;
(4)将PbX2前驱体溶液旋涂在界面修饰层上,然后在70-100℃下加热10-25min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为150-170℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbX2薄膜反应50-120min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在150-170℃下干燥15-30min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将空穴传输材料旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为3000-4000rpm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀金属材料作为对电极,获得高性能太阳能电池。
作为上述技术方案的优选,步骤(2)中,所述电子传输层的厚度为30-50nm。
作为上述技术方案的优选,步骤(3)中,所述铯盐溶液中的铯盐选自下列中的一种或多种:碳酸铯、醋酸铯、碘化铯或氯化铯,溶剂为醇类试剂。
作为上述技术方案的优选,步骤(4)中,所述PbX2前驱体溶液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯、N,N-二甲基乙酰胺中的一种,所述PbX2前驱体溶液中PbX2的浓度为400-500mg/mL。
作为上述技术方案的优选,步骤(5)中,所述空穴传输层材料为P3HT、PCPDTBT、PCDTBT、PTAA、TPD、PDI、PCBM中的一种。
作为上述技术方案的优选,步骤(6)中,所述金属材料为Au、Ag中的一种。
作为上述技术方案的优选,步骤(6)中,所述对电极的厚度为60-100nm。
本发明具有以下有益效果:
本发明采用气相辅助溶液法制备钙钛矿光吸收层,并合理控制工艺条件,制得的钙钛矿薄膜无针孔、晶粒大、晶界少、表面粗糙度小,同时对钙钛矿层和电子传输层的界面采用铯盐修饰,大大提高了电子和空穴的传输速率,提高了钙钛矿光吸收层的质量,制得的太阳能电池光电转换效率高,稳定性好。
具体实施方式:
为了更好的理解本发明,下面通过实施例对本发明进一步说明,实施例只用于解释本发明,不会对本发明构成任何的限定。
实施例1
一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底10min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到厚度为30nm的电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂碳酸铯溶液,旋涂的转速为1000rpm,然后在50-60℃下加热10min,得到界面修饰层;
(4)将浓度为400mg/mL的PbI2的N,N-二甲基甲酰胺溶液旋涂在界面修饰层上,然后在70℃下加热10min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为150℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbI2薄膜反应50min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在150℃下干燥15min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将P3HT溶液旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为3000rpm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀60nm厚的金电极,获得高性能太阳能电池。
实施例2
一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底15min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到厚度为50nm的电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂醋酸铯溶液,旋涂的转速为3000rpm,然后在50-60℃下加热20min,得到界面修饰层;
(4)将浓度为500mg/mL的PbI2的二甲基亚砜溶液旋涂在界面修饰层上,然后在100℃下加热25min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为170℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbI2薄膜反应120min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在170℃下干燥30min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将PCBM溶液旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为4000rpm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀100nm厚的银电极,获得高性能太阳能电池。
实施例3
一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底11min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到厚度为35nm的电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂醋酸铯溶液,旋涂的转速为1500rpm,然后在50-60℃下加热12min,得到界面修饰层;
(4)将浓度为420mg/mL的PbBr2的N,N-二甲基甲酰胺溶液旋涂在界面修饰层上,然后在80℃下加热15min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为155℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbBr2薄膜反应70min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在155℃下干燥20min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将PCPDTBT溶液旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为3500rpm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀70nm厚的金电极,获得高性能太阳能电池。
实施例4
一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底12min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到厚度为40nm的电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂碘化铯溶液,旋涂的转速为2000rpm,然后在50-60℃下加热14min,得到界面修饰层;
(4)将浓度为440mg/mL的PbBr2的二甲基亚砜溶液旋涂在界面修饰层上,然后在85℃下加热20min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为160℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbBr2薄膜反应80min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在160℃下干燥25min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将PCDTBT溶液旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为3000pm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀80nm厚的银电极,获得高性能太阳能电池。
实施例5
一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底13min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到厚度为45nm的电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂碘化铯溶液,旋涂的转速为2500rpm,然后在50-60℃下加热16min,得到界面修饰层;
(4)将浓度为460mg/mL的PbBr2的γ-丁内酯溶液旋涂在界面修饰层上,然后在90℃下加热25min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为165℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbBr2薄膜反应90min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在165℃下干燥25min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将PTAA溶液旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为3500rpm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀90nm厚的金电极,获得高性能太阳能电池。
实施例6
一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底14min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到厚度为50nm的电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂氯化铯溶液,旋涂的转速为3000pm,然后在50-60℃下加热18min,得到界面修饰层;
(4)将浓度为480mg/mL的PbCl2的N,N-二甲基乙酰胺溶液旋涂在界面修饰层上,然后在95℃下加热25min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为170℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbCl2薄膜反应110min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在170℃下干燥30min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将TPD溶液旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为4000rpm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀95nm厚的银电极,获得高性能太阳能电池。

Claims (8)

1.一种高性能钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池包括衬底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和对电极,其中所述界面修饰层采用的修饰材料为铯盐,所述钙钛矿光吸收层采用气相辅助溶液法制备。
2.如权利要求1所述的一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声FTO衬底10-15min,然后烘干待用;
(2)将(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯旋涂到干净的FTO衬底上,得到电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂铯盐溶液,旋涂的转速为1000-3000rpm,然后在50-60℃下加热10-20min,得到界面修饰层;
(4)将PbX2前驱体溶液旋涂在界面修饰层上,然后在70-100℃下加热10-25min,自然冷却后与碘化物粉末一起置于真空干燥箱内,在压强为10-20KPa,温度为150-170℃下,加热碘化物粉末,蒸发后与PbX2薄膜反应50-120min,生成钙钛矿,自然冷却后用异丙醇进行清洗,最后在150-170℃下干燥15-30min,得到钙钛矿光吸收层;
(5)将空穴传输材料旋涂到钙钛矿光吸收层上,旋涂的速度为3000-4000rpm,得到空穴传输层;
(6)在真空条件下,在空穴传输层上蒸镀金属材料作为对电极,获得高性能太阳能电池。
3.如权利要求2述的一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述电子传输层的厚度为30-50nm。
4.如权利要求2所述的一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述铯盐溶液中的铯盐选自下列中的一种或多种:碳酸铯、醋酸铯、碘化铯或氯化铯,溶剂为醇类试剂。
5.如权利要求2所述的一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,所述PbX2前驱体溶液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯、N,N-二甲基乙酰胺中的一种,所述PbX2前驱体溶液中PbX2的浓度为400-500mg/mL。
6.如权利要求2所述的一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,所述空穴传输层材料为P3HT、PCPDTBT、PCDTBT、PTAA、TPD、PDI、PCBM中的一种。
7.如权利要求2所述的一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(6)中,所述金属材料为Au、Ag中的一种。
8.如权利要求2所述的一种高性能钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(6)中,所述对电极的厚度为60-100nm。
CN201610318590.1A 2016-05-12 2016-05-12 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Active CN105826477B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610318590.1A CN105826477B (zh) 2016-05-12 2016-05-12 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610318590.1A CN105826477B (zh) 2016-05-12 2016-05-12 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105826477A true CN105826477A (zh) 2016-08-03
CN105826477B CN105826477B (zh) 2019-06-21

Family

ID=56529520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610318590.1A Active CN105826477B (zh) 2016-05-12 2016-05-12 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105826477B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449990A (zh) * 2016-12-04 2017-02-22 天津市职业大学 一种钙钛矿太阳电池用卤化铯铅的生产方法
CN107033875A (zh) * 2017-05-11 2017-08-11 华南师范大学 气相辅助溶液法制备有机无机杂合纯溴基钙钛矿量子点的方法
CN108269921A (zh) * 2018-02-01 2018-07-10 暨南大学 一种钙钛矿平面异质结太阳能电池及其制备方法
CN108400242A (zh) * 2018-02-01 2018-08-14 王敏帅 一种底电极型柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108511606A (zh) * 2018-03-30 2018-09-07 重庆大学 一种高短路电流、高转化效率的钙钛矿太阳能电池制备方法及产品
CN109536893A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 杭州纤纳光电科技有限公司 一种太阳能电池薄膜的制备设备及其制备方法
CN109980092A (zh) * 2019-03-27 2019-07-05 苏州大学 一种钙钛矿量子点太阳能电池及其制备方法
CN111769197A (zh) * 2020-07-17 2020-10-13 吉林大学 钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795499A (zh) * 2015-04-09 2015-07-22 中国乐凯集团有限公司 有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法
CN105374939A (zh) * 2014-08-20 2016-03-02 清华大学 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN105405978A (zh) * 2015-11-02 2016-03-16 河南师范大学 一种阴极修饰型平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105576131A (zh) * 2016-03-14 2016-05-11 华北电力大学 气相辅助溶液法制备界面修饰的钙钛矿太阳电池的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105374939A (zh) * 2014-08-20 2016-03-02 清华大学 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN104795499A (zh) * 2015-04-09 2015-07-22 中国乐凯集团有限公司 有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法
CN105405978A (zh) * 2015-11-02 2016-03-16 河南师范大学 一种阴极修饰型平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105576131A (zh) * 2016-03-14 2016-05-11 华北电力大学 气相辅助溶液法制备界面修饰的钙钛矿太阳电池的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LAIXIANG QIN ET AL.: ""Enhancing the efficiency of TiO2-perovskite heterojunction solar cell via evaporating Cs2CO3 on TiO2"", 《PHYS. STATUS SOLIDI RRL》 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449990A (zh) * 2016-12-04 2017-02-22 天津市职业大学 一种钙钛矿太阳电池用卤化铯铅的生产方法
CN107033875A (zh) * 2017-05-11 2017-08-11 华南师范大学 气相辅助溶液法制备有机无机杂合纯溴基钙钛矿量子点的方法
CN109536893A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 杭州纤纳光电科技有限公司 一种太阳能电池薄膜的制备设备及其制备方法
CN108269921A (zh) * 2018-02-01 2018-07-10 暨南大学 一种钙钛矿平面异质结太阳能电池及其制备方法
CN108400242A (zh) * 2018-02-01 2018-08-14 王敏帅 一种底电极型柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108269921B (zh) * 2018-02-01 2021-03-19 暨南大学 一种钙钛矿平面异质结太阳能电池及其制备方法
CN108511606A (zh) * 2018-03-30 2018-09-07 重庆大学 一种高短路电流、高转化效率的钙钛矿太阳能电池制备方法及产品
CN108511606B (zh) * 2018-03-30 2019-12-03 重庆大学 一种高短路电流、高转化效率的钙钛矿太阳能电池制备方法及产品
CN109980092A (zh) * 2019-03-27 2019-07-05 苏州大学 一种钙钛矿量子点太阳能电池及其制备方法
CN109980092B (zh) * 2019-03-27 2022-05-17 苏州大学 一种钙钛矿量子点太阳能电池及其制备方法
CN111769197A (zh) * 2020-07-17 2020-10-13 吉林大学 钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN111769197B (zh) * 2020-07-17 2022-10-21 吉林大学 钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105826477B (zh) 2019-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105826477A (zh) 一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104134711B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN105336862B (zh) 一种整体堆叠双结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106558650B (zh) 一种柔性铜铟镓硒/钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法
Rho et al. Recent progress in dye‐sensitized solar cells for improving efficiency: TiO2 nanotube arrays in active layer
CN108493340B (zh) 一种蒸气辅助制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN104518091A (zh) 有机-无机钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN106128954B (zh) 一种提升钙钛矿结晶性的方法
CN105609641A (zh) 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN104319349A (zh) 以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池及制备
CN108832002A (zh) 一种基于pva修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池
CN103594627A (zh) 一种反型有机薄膜太阳能电池及其制备方法
CN107369764A (zh) 一种掺杂三水合醋酸铅的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN105977386A (zh) 一种纳米金属氧化物空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN104022224A (zh) 可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN106450001A (zh) 一种复合叠层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105742494A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104953030A (zh) 一种界面修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
WO2021047673A1 (zh) 碲化镉太阳能电池及其制备方法
CN109755394A (zh) 一种应用风刀涂布制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN107134529A (zh) 一种以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105304821A (zh) 钙钛矿薄膜及太阳能电池的制作方法
Wu et al. Progress in blade-coating method for perovskite solar cells toward commercialization
CN105826473B (zh) 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN104319348B (zh) 以导电聚合物为背电极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191118

Address after: 313000 1-B, building 1, No. 656, Qixing Road, high tech Zone, Wuxing District, Huzhou City, Zhejiang Province

Patentee after: Huzhou Qiqi Electromechanical Technology Co., Ltd

Address before: 523000 Guangdong province Dongguan City Songshan Lake high tech Industrial Zone Building 406 industrial development productivity

Patentee before: Dongguan Lianzhou Intellectual Property Operation Management Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220527

Address after: 242000 Science Park, Xuancheng economic and Technological Development Zone, Xuancheng Development Zone, Anhui Province

Patentee after: Anhui Huasheng New Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: 313000 1-B, building 1, No. 656 Qixing Road, high tech Zone, Wuxing District, Huzhou City, Zhejiang Province

Patentee before: Huzhou Qiqi Electromechanical Technology Co.,Ltd.