CN105826303B - 发光器件、具有发光器件的发光器件封装及其照明系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光器件、具有发光器件的发光器件封装及其照明系统。本发明提供一种发光器件。发光器件包括衬底；衬底上的包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导体层上的第一电极；以及肖特基导环，该肖特基导环围绕第一电极并且直接地连接第一导电半导体层。

Description

发光器件、具有发光器件的发光器件封装及其照明系统
技术领域
实施例涉及发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)包括具有将电能转换成光能的特性的P-N结二极管，并且可以使用周期表上的III-V族元素的化合物半导体形成。另外，LED可以呈现通过调节化合物半导体的组成比率实现的各种颜色。
当正向电压被施加到LED时，随着N层的电子与P层的空穴相组合，通过在导带和价带之间的能隙发散能量。在LED的情况下，以光的形式发散能量。
由于优异的热稳定性和宽带隙能，在光学器件和高功率的电子设备的领域中氮化物半导体已经被备受关注。特别地，采用氮化物半导体的蓝、绿以及紫外(UV)发光器件已经被商业化并且被广泛地使用。
最近，随着LED的技术快速地前进，对于超出LED的传统限制使用将LED应用于诸如光学通信、一般照明、或者显示器的各种领域进行努力。对LED的可靠性施加影响的因素之一是允许LED耐受静电放电(ESD)。ESD是由于周围介质的介电击穿或者与接地主体的接触而从被电气充电的物体立即排放能量的现象。
为了解决上述问题，用作保护ESD冲击的装置的齐纳二极管与LED一起被安装在封装中。然而，制造封装的成本可能增加，制造工艺可能复杂化，并且光吸收可能出现。
发明内容
实施例提供一种包括用于免受ESD冲击的保护的肖特基导环的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
根据实施例，提供一种发光器件，包括：衬底；衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一导电半导体层上的第一电极；以及肖特基导环，该肖特基导环围绕第一电极并且与第一导电半导体层直接地连接。
如上所述，根据实施例，通过包括肖特基导环能够保护有源层免受ESD冲击。
另外，根据实施例，能够降低电流集中现象和电场的强度。
另外，根据实施例，由于齐纳二极管被省略，所以能够改进发光器件封装的光效率。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件的截面图。
图2是示出根据另一实施例的发光器件的截面图。
图3是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。
图4是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。
图5是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。
图6至图8是示出根据实施例的包括发光器件的照明系统的实施例的分解透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或者结构被称为是在另一衬底、另一层(或者膜)、另一区域、另一焊盘、或者另一图案“上”或者“下”时，其能够“直接地”或者“间接的”在另一衬底、层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案上，或者也可以存在一个或者多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
为了描述或者澄清起见，可以夸大、省略或者示意地绘制在附图中示出的每个层的厚度和大小。另外，元件的大小没有真实地反映实际大小。
图1是示出根据实施例的发光器件的截面图。
参考图1，根据实施例的发光器件100可以包括：衬底110；在衬底110上的包括第一导电半导体层120、有源层130、以及第二导电半导体层140的发光结构150；在第二导电半导体层140上的欧姆接触层165；在欧姆接触层165上的第二电极160；第一导电半导体层120上的第一电极170；覆盖发光结构150、第一电极170、以及欧姆接触层165的绝缘层180；以及肖特基导环190，该肖特基导环190穿过绝缘层190形成同时被形成在绝缘层180上。
衬底110可以是由具有优异的导热性的材料形成并且可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底110可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3中的至少一个。硅(Si)衬底可以在该实施例中被使用。凹凸结构可以被形成在衬底110上，并且可以具有环形、椭圆形、或者多边形的截面，但是实施例不限于此。
在这样的情况下，缓冲层(未示出)可以被形成在衬底110上以减少在发光结构的材料和衬底110之间的晶格错配。缓冲层的材料可以包括III-V族化合物半导体中的至少一个，诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN。
发光结构150可以被设置在衬底110上。发光结构150可以包括第一导电半导体层120、有源层130、以及第二导电半导体层140。
使用被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体实现第一导电半导体层120，并且第一导电半导体层120具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式。例如，第一导电半导体层120可以包括层的层压结构，层包括化合物半导体中的至少一个，诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP。第一导电半导体层120是N型半导体层。第一导电掺杂物包括用作N型掺杂物的Si、Ge、Sn、Se、或者Te。电极可以进一步被设置在第一导电半导体层120上。
通过第一导电半导体层120注入的电子(或者空穴)与通过第二导电半导体层140注入的空穴(或者电子)的组合，由于在组成有源层130的材料之间的能带隙的差，有源层12发射光。有源层130可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构中的一个，但是实施例不限于此。
第二导电半导体层140包括被掺杂有第二导电掺杂物的半导体，并且具有例如InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式。第二导电半导体层140可以包括诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP的化合物半导体中的一个。第二导电半导体层140是P型半导体层，并且第二导电掺杂物可以包括用作P型掺杂物的Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba。
第二导电半导体层140可以包括超晶格结构。超晶格结构可以包括InGaN/GaN超晶格结构或者AlGaN/GaN超晶格结构。第二导电半导体层140的超晶格结构异常地扩展电压的电流以保护有源层。
根据实施例，发光结构150可以被设置有相对的导电层。例如，第一导电半导体层120可以被设置有用作P型半导体层的第一导电半导体层和用作N型半导体层的第二导电半导体层140。具有与第二导电半导体层140相反的极性的第一导电半导体层可以被另外设置在第二导电半导体层140上。
发光结构150可以以N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的一个被实现。在这样的情况下，P意指P型半导体，N意指N型半导体，并且-意指P型半导体层直接地或者间接地接触N型半导体层。
发光结构150可以具有水平型结构、垂直型结构或者通孔型垂直结构。
根据实施例，虽然发光结构150和衬底110已经被描述为单独的组件，但是衬底110可以被包括在发光结构150的组件中。
欧姆接触层165可以被设置在发光结构150上。欧姆接触层165可以被形成以欧姆接触发光结构150。例如，欧姆接触层165可以包括从由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、AZO(氧化锌铝)、AGZO(铝镓氧化锌)、IZTO(锌铟锡氧化物)、IAZO(铝铟氧化锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(镓铟锡氧化物)、ATO(氧化锑铟)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、以及NiO组成的组中选择的至少一个。
通过蚀刻发光结构150的一部分，第一电极170可以被设置在第一导电半导体层120上。第一电极170可以包括从由Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au、Mo、Ti/Au/Ti/Pt/Au、Ni/Au/Ti/Pt/Au、以及Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au组成的组中选择的至少一个。
第二电极160可以被设置在欧姆接触层165上以电气地连接第二导电半导体层140。第二电极160可以与外部电源连接以将电力供应到发光结构150。第二电极160可以包括从由Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au、Mo、Ti/Au/Ti/Pt/Au、Ni/Au/Ti/Pt/Au、以及Cr/Al/Ni/Cu/Ni/Au组成的组中选择的至少一个。
绝缘层180可以被设置在发光结构150、第一电极170以及欧姆接触层165上，并且可以包括氧化物和氮化物中的至少一个。例如，绝缘层180可以包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、以及AlN组成的组中选择的至少一个。
根据实施例，肖特基导环190可以包括：第一肖特基导环191，该第一肖特基导环191被设置在绝缘层180上；第二肖特基导环193，该第二肖特基导环193通过绝缘层180被形成；以及第三肖特基导环195。
第一肖特基导环191可以包括：第一金属层，该第一金属层包括Ag和Al中的至少一个；和第二金属层，该第二金属层被形成在第一金属层下面并且包括Ni。根据实施例，第一肖特基导环191的厚度W1可以是第一金属层和第二金属层的厚度之间的总和，第一金属层的厚度可以在200nm至300nm的范围内，并且第二金属层的厚度可以是在0.5nm到2nm的范围内，但是实施例不限于此。
根据实施例，第一肖特基导环191可以垂直于第二肖特基导环193和第三肖特基导环195被连接第二肖特基导环193和第三肖特基导环195。第一肖特基导环191可以在其两侧部分处具有被连接第二肖特基导环193和第三肖特基导环195的突起。各个突起的宽度W2可以是处于2μm至3μm的范围内，但是实施例不限于此。
根据实施例，第二肖特基导环193和第三肖特基导环195的高度W4可以处于0.7μm至1μm的范围内，但是实施例不限于此。
在第一电极170和第二肖特基导环193之间的间隔W3可以等于在第一电极170和第三肖特基导环195之间的间隔。根据实施例，在第一电极170和第二肖特基导环193之间的间隔W3可以是0.5μm，但是实施例不限于此。
换言之，肖特基导环190可以肖特基接触第一导电半导体层120，并且通过肖特基导环190分布被施加到第一电极170的电场的强度，使得电场的强度可以被降低。
图2是示出根据另一实施例的发光器件的截面图。
参考图2，根据实施例的发光器件100与在图1中示出的发光器件相同，不同之处在于肖特基导环190的结构，并且因此将会省略相同配置的详情。
根据实施例，肖特基导环190可以包括：被设置在绝缘层180上的第一肖特基导环191；穿过绝缘层190形成的第二肖特基导环193和第三肖特基导环195；以及第四肖特基导环197，被附加地设置在第一电极170上并且直接地连接第一肖特基导环191。
第一肖特基导环191可以包括：第一金属层，该第一金属层包括Ag和Al中的至少一个；第二金属层，该第二金属层被形成在第一金属层下面并且包括Ni。根据实施例，第一肖特基导环191的厚度W1可以是第一和第二金属层的厚度的总和，并且第一金属层的厚度可以是在200nm至300nm的范围内，并且第二金属层的厚度可以是处于0.5nm至2nm的范围内，但是实施例不限于此。
在第二肖特基导环193和第四肖特基导环197之间的间隔W6可以比在第二肖特基导环193和第一电极170之间的宽度W5宽。
换言之，肖特基导环190可以肖特基接触第一导电半导体层120，并且通过肖特基导环190可以分布被施加到第一电极170的电场的强度，使得电场的强度可以被降低。另外，第一肖特基导环191可以在其两侧部分处具有分布被连接第二肖特基导环193和第三肖特基导环195的突起，从而最小化电流集中现象。
另外，根据现有技术，虽然并行连接发光器件的齐纳二极管被安装在封装中以防止有源层由于发光器件的ESD而被损坏，但关于光吸收的问题可能出现并且由于与齐纳二极管的连接可能要求附加的工艺。相反地，在根据实施例的发光器件100中，在没有齐纳二极管的情况下免受ESD的保护是可能的，使得与光吸收有关的问题可以被解决，并且不要求附加的工艺。
图3是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。
参考图3，根据实施例的发光器件100与图1中的发光器件相同，不同之处在于肖特基导环190的结构，并且因此相同配置的详情将会被省略。
根据实施例，肖特基导环190可以包括被设置在绝缘层180上的第一肖特基导环191、以及穿过绝缘层180形成的第二肖特基导环193和第三肖特基导环195。
第一肖特基导环191可以包括：第一金属层，该第一金属层包括Ag和Al中的至少一个；和第二金属层，该第二金属层被形成在第一金属层下面并且包括Ni。根据实施例，第一肖特基导环191的厚度W1可以是在第一金属层和第二金属层的厚度之间的总和，第一金属层的厚度可以处于200nm到300nm的范围内，并且第二金属层的厚度可以是处于0.5nm至2nm的范围内，但是实施例不限于此。
第二肖特基导环193和第三肖特基导环195可以被电气地连接第一电极170并且绝缘层180可以被设置在第一电极170的上部分处。
换言之，肖特基导环190可以肖特基接触第一导电半导体层120，并且通过肖特基导环190分布被施加到第一电极170的电场的强度，使得电场的强度可以被降低。
图4是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。
参考图4，根据实施例的发光器件100是与在图1中示出的发光器件的相同，不同之处在于肖特基导环190的结构，但是因此相同配置的详情将会被省略。
根据实施例，肖特基导环190可以包括围绕第一电极170的第一肖特基导环191、第二肖特基导环193、以及第三肖特基导环195。
第一肖特基导环191可以包括：第一金属层，该第一金属层包括Ag和Al中的至少一个；和第二金属层，该第二金属层被形成在第一金属层下面并且包括Ni。根据实施例，第一肖特基导环191的厚度W1可以是在第一金属层和第二金属层的厚度之间的总和，第一金属层的厚度可以处于200nm到300nm的范围内，并且第二金属层的厚度可以是处于0.5nm至2nm的范围内，但是实施例不限于此。
第二肖特基导环193和第三肖特基导环195可以直接地接触第一电极170并且绝缘层180可以被设置在第一电极170上。
换言之，肖特基导环190可以肖特基接触第一导电半导体层120，并且通过肖特基导环190分布被施加到第一电极170的电场的强度，使得电场的强度可以被降低。
图5是根据又一实施例的发光器件的截面图。
参考图5，根据实施例的发光器件100可以包括：衬底110；被形成在衬底110上并且包括第一导电半导体层120、有源层130、以及第二导电半导体层140的发光结构150；在第一导电半导体层120上的第一电极170；直接连接第一导电半导体层120并且围绕第一电极170的肖特基导环190；被设置在第一电极170和肖特基导环190之间的第一绝缘层180；以及被设置在第一绝缘层180上的第二绝缘层185。
肖特基导环190可以包括在第一绝缘层180上的第一肖特基导环191、穿过第一绝缘层180形成并且垂直地连接第一肖特基导环191的第二肖特基导环193和第三肖特基导环195、穿过第二绝缘层185形成并且垂直地连接第一肖特基导环191的第五肖特基导环198、以及被设置在第二绝缘层185并且垂直地连接第五肖特基导环198的第六肖特基导环199。
第一肖特基导环191可以包括：第一金属层，包括Ag和Al中的至少一个；和被形成在第一金属层下面并且包括Ni的第二金属层。根据实施例，第一肖特基导环191的厚度W1可以是在第一金属层和第二金属层的厚度之间的总和，并且第一金属层的厚度可以处于200nm至300nm的范围内，并且第二金属层的厚度可以是处于0.5nm至2nm的范围内，但是实施例不限于此。
第二肖特基导环193和第三肖特基导环195可以直接地接触第一电极170，并且第一绝缘层180可以被设置在第一电极170上。
根据实施例，第五肖特基导环198的宽度可以等于第一电极170的宽度，但是实施例不限于此。
换言之，肖特基导环190可以肖特基接触第一导电半导体层120，并且通过肖特基导环190分布被施加到第一电极170的电场的强度，使得电场的强度可以被降低。
图6至图8是示出根据实施例的包括发光器件的照明系统的实施例的分解透视图。
图6是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。
根据实施例的发光器件封装可以具有以上述结构的发光器件。
发光器件封装200包括：封装主体205；被设置在封装主体205上的第三电极层213和第四电极层214；发光器件100，该发光器件100被设置在封装主体205上并且被电气地连接第三电极层213和第四电极层214；以及模制构件230，该模制构件230围绕发光器件100。
封装主体205可以包括硅材料、合成树脂材料、或者金属材料，或者可以具有被形成在发光器件100的周围的倾斜表面。
第三电极层213和第四电极层214被相互电气地绝缘并且将电力供应到发光器件100。另外，第三电极层213和第四电极层214可以反射从发光器件100发射的光以增加光效率，并且可以将从发光器件100发射的热排放到外部。
发光器件100可以被设置在封装主体205上或可以被设置在第三电极层213和第四电极层214上。
发光器件100可以通过布线方案、倒装芯片方案、或者管芯结合方案中的一个被电气地连接第三电极层213和/或第四电极层214。根据实施例，虽然为了说明性用途发光器件100通过电线被电气地连接第三电极层213和第四电极层214，但是实施例不限于此。
模制构件230围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，荧光体232被包含在模制构件230中以改变从发光器件100发射的光的波长。
图7和图8是示出根据实施例的照明系统的视图。
如在图7中所示，根据实施例的照明系统可以包括盖2100、光源模块2200、辐射器2400、电源部2600、内壳2700、以及插座2800。另外，根据实施例的照明系统可以进一步包括构件2300和固定器2500中的至少一个。光源模块2200可以包括根据实施例的发光器件100或者发光器件封装200。
例如，盖2100可以具有灯泡的形状、半球的形状、部分敞开的中空形状。盖2100可以被光学地耦合到光源模块2200。例如，盖2100可以漫射、散射、或者激励从光源模块2200提供的光。盖2100可以是一种光学构件。盖2100可以被耦合到辐射器2400。盖2100可以包括被耦合到辐射器2400的耦合部。
盖2100可以包括涂覆有乳白的涂料的内表面。乳白的涂料可以包括漫射光的漫射材料。盖2100可以具有其表面粗糙大于其外表面的内表面。为了充分地散射和漫射来自于光源模块220的光提供表面粗糙。
例如，盖2100的材料可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、以及聚碳酸酯(PC)。在上述材料当中聚碳酸酯(PC)具有优异的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以是透明的使得用户可以从外部看到光源模块2200，或者不透明的。盖2100可以通过吹塑方案被形成。
光源模块2200可以被设置在辐射器2400的一个表面处。因此，来自于光源模块220的热被传导到辐射器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230、以及连接器2250。
构件2300被设置在辐射器2400的顶表面处，并且包括多个光源2210和连接器2250被插入进的导向凹槽2310。导向凹槽2310对应于光源2210和连接器2250的衬底。
光反射材料可以被应用到或者被涂覆在构件2300的表面上。例如，白色的涂料可以被应用到或者被涂覆在构件2300的表面上。构件2300再次将通过盖2100的内表面反射并且返回到光源模块2200的方向的光反射到盖2100的方向。因此，根据实施例的照明系统的光效率可以被改进。
例如，构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，辐射器2400可以被电连接到连接板2230。构件2230可以包括绝缘材料，从而防止连接板2230与辐射器2400电短路。辐射器2400从光源模块2200和电源部2600接收热并且辐射热。
固定器2500覆盖内壳2700的绝缘部2710的容纳凹槽2719。因此，容纳在内壳2700的绝缘部2710中的电源部2600被密封。固定器2500具有导向突起2510。导向突起2510具有穿过电源部2600的突起2610的孔。
电力供应部2600对接收到的外部电信号进行处理或转换并且向光源模块2200提供处理的或转换的电信号。电力供应部2600被容纳在内壳2700的容纳凹槽中，并通过保持器2500密封在内壳2700内。
电力供应部2600可以包括突起2610、引导部2630、底座2650和延伸部2670。
引导部2630具有从底座2650的一侧向外突起的形状。引导部2630可以被插入固定器2500中。可以将多个组件设置在底座2650的一个表面上。例如，组件可以包括：DC转换器，其将从外部电源提供的AC电力转换为DC电力；驱动芯片，其控制光源模块2200的驱动；和ESD保护装置，其保护光源模块2200，但本实施例不限制于此。
延伸部2670具有从底座2650的相对侧向外突出的形状。延伸部2670被插入到内壳2700的连接部2750的内部，并接收外部电信号。例如，延伸部2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部2750的宽度。“+电线”的一端和“-电线”的一端可以被电连接到延伸部2670，并且“+电线”和“-电线”的相对端可以被电连接到插座2800。
内壳2700可以包括模制部和电源部2600。通过硬化模制液体来形成模制部，并且电源部2600通过模制部可以固定到内壳2700。
如在图8中所示，根据实施例的照明系统可以包括盖3100、光源部3200、辐射器3300、电路部3400、内壳3500、以及插座3600。光源部3200可以包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装。
盖3100可以在中空结构中具有灯泡的形状。盖3100具有开口3110。光源部3200和构件3350可以穿过开口3110被插入。
盖3100可以被耦合到辐射器3300，并且可以围绕光源部3200和构件3350。可以通过在盖3100和辐射器3300之间的耦合从外部阻挡光源部3200和构件3350。通过粘合剂或者诸如旋转耦合方案和钩耦合方案的各种方案盖3100可以被耦合到辐射器3300。旋转耦合方案是盖3100的螺纹被耦合到辐射器3300的螺旋凹槽，并且通过盖3100的旋转盖3100被耦合到辐射器3300的方案。钩耦合方案是盖3100的台阶被插入到辐射器3300的凹槽使得盖3100被耦合到辐射器3300的方案。
盖3100可以被光学地耦合到光源部3200。详细地，盖3100可以漫射、散射、或者激励从光源部3200的发光器件3230提供的光。盖3100可以是一种光学构件。盖3100可以在其内/外表面或者其内部处被设有荧光体以便于激励从光源部3200供应的光。
盖3100可以包括涂覆有乳白的涂料的内表面。乳白的涂料可以包括漫射光的漫射材料。盖3100可以具有其表面粗糙大于其外表面的内表面。为了充分地散射和漫射来自于光源部3200的光提供表面粗糙。
盖3100的材料可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、以及聚碳酸酯(PC)。在上述材料当中聚碳酸酯(PC)具有优异的耐光性、耐热性和强度。盖3100可以包括允许用户从外部看到光源部3200和构件3350的透明材料，或者防止光源部3200和构件3350被看到的不透明的材料。盖3100可以通过吹塑方案被形成。
光源模块3200可以被设置在辐射器3300的构件3350处，并且可以提供多个光源部。详细地，光源部3200可以被设置在构件3350的多个横向侧的至少一个上。另外，光源部3200可以被设置在构件3350的横向侧的上端上。
光源部3200可以被设置在构件3350的六个横向侧的三个处，但是实施例不限于此。换言之，光源部3200可以被设置在构件3350的所有横向侧处。光源部3200可以包括衬底3210和发光器件3230。发光器件3230可以被设置在衬底3210的一个表面上。
衬底3210具有矩形板的形状，但是实施例不限于此。衬底3210可以具有各种形状。例如，衬底3210可以具有环形板或者多边形板的形状。可以通过将电路图案印制在绝缘体上提供衬底3210。例如，衬底3210可以包括典型的印制电路板(PCB)、金属核PCB、柔性的PCB、以及陶瓷PCB。另外，衬底可以具有其中没有被封装的LED芯片被直接结合在PCB上的COB(板上芯片)型。另外，衬底3210可以包括有效地反射光的材料，或者衬底的表可以具有诸如金色或者银色的颜色，以有效地反射光。衬底3210可以被电连接到在辐射器3300中容纳的电路板3400。例如，衬底3210和电路部3400可以通过电线被相互连接。电线可以穿过辐射器300相互连接衬底3210和电路部3400。
发光器件3230可以包括发射红、绿、以及蓝光的发光器件芯片或者发射UV的发光器件芯片。发光器件芯片可以具有横向型或者垂直型。发光器件芯片可以发射蓝、红、黄以及蓝光的中的一个。
发光器件3200可以具有荧光体。荧光体可以包括石榴石基荧光体(YAG或者TAG)、硅基荧光体、氮基荧光体、以及氧氮化物基荧光体中的至少一个。荧光体可以包括黄、绿以及红色荧光体中的至少一个。
辐射器3300被耦合到盖3100以辐射来自于光源部3200的热。辐射器3300具有预先确定的体积，并且包括顶表面3310和横向侧3330。构件3350可以被设置在辐射器3310的顶表面3310上。辐射器3300的顶表面3310可以被耦合到盖3100。辐射器3300的顶表面3310可以具有与盖3100的开口3110相对应的形状。
可以将多个热辐射销3370设置在辐射器3300的横向侧3330处。热辐射销3370可以从辐射器3300的横向侧3330向外延伸或可以连接到辐射器3300的横向侧3330。通过扩宽辐射器3300的热辐射面积，热辐射销3370可以提高热辐射效率。横向侧3330可以不包含热辐射销3370。
构件3350可以设置在辐射器3300的顶面上。构件3350可以与辐射器3300的顶面3310集成或耦合。构件3350可以具有多边形棱镜的形状。详细地，构件3350可以具有六边形棱镜的形状。具有六边形棱镜形状的构件3350包括顶表面、底表面和六个横向侧。构件3350可以具有圆形棱镜的形状或椭圆形棱镜的形状以及六边形棱镜的形状。当构件3350具有圆形棱镜的形状或椭圆形棱镜的形状时，光源部3200的衬底3210可以为柔性衬底。
光源部3200可以设置在构件3350的六个横向侧处。光源部3200可以设置在构件3350的六个横向侧的全部或一部分处。光源部3200被设置在如在构件3350的六个横向侧中的三个处，如图8中所示。
衬底3210被设置在构件3350的横向侧处。构件3350的横向侧可以与辐射器3300的顶表面3310基本垂直。因此，衬底3210和辐射器3300的顶表面相互基本垂直。
构件3350可以包括呈现导热性的材料。由此，源自光源部3200的热能够快速传递到构件3350。例如，用于构件3350的材料可以包括铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、镁(Mg)、银(Ag)、锡(Sn)以及其合金。构件3350可以包括具有导热性的塑料。具有导热性的塑料比金属轻并且在单一方向上具有导热性。
电路部3400接收外部电力，并且转换适合于光源部3200的接收到的电力。电路部3400将转换的电力提供给光源部3200。电路部3400可以设置在辐射器3300中。详细地，电路部3400可以被容纳在内壳3500中，或者可以与内壳3500一起被容纳在辐射器3300中。电路部3400可以包括电路衬底3410和安装在电路衬底3410上的多个组件3430。
电路板3410具有圆形板的形状，但实施例不限制于此。例如，电路板3410可以具有椭圆板的形状或多边形板的形状。电路板3410可以通过将电路图案印刷在绝缘体上来提供。
电路板3410被电连接到光源部3200的衬底3210。例如，电路板3410和衬底3210可以通过电线相互电连接。电线可以设置在辐射器3300内部以将衬底3210与电路板3410相连接。
例如，多个组件3430可以包括：直流转换器，以将由外部电源提供的AC电力转换为DC电力；驱动芯片，其控制光源部3200的驱动；和ESD保护装置，其保护光源部3200。
内壳3500在其中容纳电路部3400。内壳3500可以包括容纳部3510以容纳电路部3400。
例如，容纳部3510可以具有圆柱形形状。容纳部3510的形状可以根据辐射器3300的形状而变化。内壳3500可以被容纳在辐射器3300中。内壳3500的容纳部3510可以被容纳在被形成在辐射器3300底表面处的容纳部中。
内壳3500可以与插座3600耦合。内壳3500可以包括耦合到插座3600的连接部3530。连接部3530可以具有与插座3600的螺旋凹槽结构相对应的螺纹结构。内壳3500是绝缘体。因此，内壳3500防止电路部3400与辐射器3300之间的电短路。例如，内壳3500可以包括塑料或树脂材料。
插座3600可以被耦合到内壳3500。详细地，插座3600可以被耦合到内壳3500的连接部3530。插座3600可以具有与传统的白炽光灯泡相同的结构。插座3600被电连接到电路部3400。例如，电路部3400和插座3600可以通过电线被相互电连接。如果将外部电力施加到插座3600，则外部电力可以传递到电路部3400。插座3600可以具有与连接部3550的螺纹结构相对应的螺旋凹槽结构。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的任何引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其他实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
尽管参考其大量的说明性实施例已经描述实施例，但是应理解的是，本领域的技术人员能够设计将会落入本公开的原理的范围和精神内的其他修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图、以及随附的权利要求的范围内的组件和/或主题组合布置的布置中各种变化和修改是可能的。除了组件和/或布置中的变化和修改之外，对本领域的技术人员来说替代使用将会也是显而易见的。

Claims (4)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的第一电极；
肖特基导环，所述肖特基导环围绕所述第一电极并且与所述第一导电半导体层直接地连接；
在所述第一电极和所述肖特基导环之间的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及
所述第二导电半导体层上的第二电极，
其中，所述肖特基导环包括在所述第一绝缘层上的第一肖特基导环、穿过所述第一绝缘层形成并且垂直地连接所述第一肖特基导环的第二肖特基导环和第三肖特基导环，
其中，所述第二肖特基导环和所述第三肖特基导环直接地接触所述第一电极，
其中，所述第一肖特基导环包括金属层，
其中，所述第一电极与第一接触焊盘电连接，
其中，所述第二电极与第二接触焊盘电连接，
其中，所述肖特基导环与所述第一导电半导体层进行肖特基接触，以及
其中，所述第一电极与所述第一导电半导体层接触。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括第五肖特基导环，所述第五肖特基导环穿过所述第二绝缘层并且与所述第一肖特基导环垂直地连接。
3.根据权利要求2所述的发光器件，进一步包括第六肖特基导环，所述第六肖特基导环被设置在所述第二绝缘层上并且与所述第五肖特基导环垂直地连接。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第五肖特基导环具有等于所述第一电极的宽度的宽度。
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