CN105813369A - 软性电子装置 - Google Patents

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CN105813369A
CN105813369A CN201410834333.4A CN201410834333A CN105813369A CN 105813369 A CN105813369 A CN 105813369A CN 201410834333 A CN201410834333 A CN 201410834333A CN 105813369 A CN105813369 A CN 105813369A
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Abstract

本发明公开一种软性电子装置。上述电子装置包括软性基板、至少一构件以及至少一应力缓冲物。构件配置于软性基板上,且具有一侧表面。应力缓冲物邻近于构件的侧表面,且朝构件方向具有逐渐增大的刚性。

Description

软性电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置,特别是涉及一种软性电子装置。
背景技术
软性电子装置的制造方法可包括以下步骤。首先,在载体上形成软性基板,载体可例如是玻璃基板,再于软性基板上形成构件。之后,软性基板从载体上剥离。一般而言,构件的刚性会大于软性基板,因此当软性基板进行剥离时,易因构件的刚性大于软性基板而导致软性基板产生破裂。
发明内容
为解决上述问题,本发明一实施例提供一种软性电子装置,包括:软性基板、至少一构件以及至少一应力缓冲物。构件配置于软性基板上,且具有一侧表面;应力缓冲物邻近于构件的侧表面,且应力缓冲物的刚性朝构件方向逐渐增大。
本发明另一实施例提供一种软性电子装置,包括:软性基板、第一构件、第二构件以及第一应力缓冲物。第一构件配置于软性基板上,且具有一第一侧表面;第二构件配置于软性基板上,且具有一第二侧表面;第一应力缓冲物,邻近于第一构件的第一侧表面,且第一应力缓冲物的刚性朝第一构件方向逐渐增大。
为让本发明能更明显易懂,下文特举非限制性的实施例,并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明一实施例的软性电子装置形成于载体上的上视图;
图1B为图1A的软性电子装置沿1B-1B’方向的剖视图;
图2为无应力缓冲物的软性电子装置从载体上剥离的剖视图;
图3为图1B的软性电子装置从载体上剥离的剖视图;
图4为软性基板与构件之间的离型力的示意图;
图5至图7为本发明多个实施例的软性电子装置的上视图;
图8与图10为本发明其他多个实施例的软性电子装置的上视图;
图11A为本发明另一实施例的软性电子装置的上视图;
图11B为图11A的软性电子装置沿11B-11B’方向的剖视图;
图12为图11B的软性电子装置从载体上剥离的剖视图;
图13为本发明另一实施例的软性电子装置的剖视图;
图14为本发明又一实施例的软性电子装置的剖视图;
图15为本发明再一实施例的软性电子装置的剖视图;
图16为本发明另一实施例的软性电子装置的剖视图;
图17为本发明又一实施例的软性电子装置的剖视图;
图18为本发明再一实施例的软性电子装置的剖视图;
图19为本发明另一实施例的软性电子装置的剖视图;
图20A为本发明又一实施例的软性电子装置的上视图;
图20B为图20A的软性电子装置沿20B-20B’方向的剖视图;
图21A为本发明再一实施例的软性电子装置的上视图;
图21B为图21A的软性电子装置沿21B-21B’方向的剖视图。
符号说明
10:载体
100、200、300、400、500、600、700、800、900:软性电子装置
110:软性基板
110s、130s、230s、231s、430s、530s、730s:侧表面
120:电子元件
130、330、430、530、630、730:构件
130u、231u:上表面
131:边缘
140、240、340、440、540、640、740:应力缓冲物
141、4411、5411、641、7411:前缘
142、4412、5412、7412:后缘
230:第一构件
231:第二构件
240s、340s:外表面
331:芯片
332:模塑化合物
340b:下表面
441:软性结构
442:黏着物
541、741:缓冲体
542、543、742:孔隙
840:第一应力缓冲物
841:第二应力缓冲物
A1:显示区
C1、C2:曲线
D1、t1:距离
G1:间隙
L1:间隔
P1:点
S1:剥离方向
T1、T2:厚度
W1:宽度
具体实施方式
由以下的详细描述中,出于解释的目的,对诸多细节进行了阐述,以便提供彻底理解所公开的实施例。然而清楚的,一个或多个实施例可以在没有全部这些细节的情况下被实践。在其他实例中,公知的结构和装置以简化附图示意性地示出。
请参考图1A与图1B,图1A所示者为本发明一实施例的软性电子装置形成于载体上的上视图;图1B所示者为图1A的软性电子装置沿1B-1B’方向的剖视图。
软性电子装置100可例如是一显示面板、一光电模块、一感测器等。在载体10上形成软性电子装置100。软性电子装置100可包括一软性基板110、至少一电子元件120(未绘示于图1A)、一构件130以及多个应力缓冲物140。
软性基板110可例如由聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚间苯二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate,PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚丙烯(polypropylene,PP)、超薄玻璃(ultrathinglass,UTG)、玻璃纤维强化塑胶(fiberglassreinforcedplastic,FRP)或其他适合的材料所制成。
电子元件120可例如是电致发光装置(electroluminescencedevice,ELdevice)、薄膜晶体管(thin-filmtransistor,TFT)、太阳能电池、触控感测器、彩色滤光片、光学膜等。在软性电子装置100为显示面板的情况下,软性基板110可具有一显示区A1,电子元件120形成于软性基板110的显示区A1上且被构件130所环绕。在本实施例中,构件130可例如是用于防止湿气破坏电子元件120的密封材料(sealingmaterialorsealant)或填充材料(fillingmaterial)。其他实施例中,构件130可为有机发光显示面板的侧向阻气物(sidewallbarrier)。
此外,可于构件130的侧表面130s形成应力缓冲物140。在本实施例中,整个应力缓冲物140可形成于构件130的侧表面130s,亦即,应力缓冲物140不形成于构件130的上表面130u,可由此降低载体10与软性基板110之间的离型力,以使软性基板110易于从载体10上剥离。
如图1B所示,应力缓冲物140可与构件130接触。此外,每一应力缓冲物140的刚性可为渐变,其中“刚性(stiffness)”是指一实体基于材料、形状或边界条件所具有的外延性质。在一实施例中,应力缓冲物140的刚性小于等于软性基板110的刚性,且小于构件130的刚性。如图1A所示,每一应力缓冲物140具有一宽度W1,且宽度W1可朝构件130方向逐渐增大,通过使应力缓冲物140的刚性朝构件130的方向逐渐增大。因此,当软性基板110沿着软性基板110的侧表面110s朝向构件130的一剥离方向S1而从载体10上剥离时,软性基板110可自载体10上完整剥离,故软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)可因而避免产生裂痕或破损。
请参考图2,为无应力缓冲物的软性电子装置从载体上剥离的剖视图。软性基板110可沿着剥离方向S1从载体10上剥离,当软性基板110从载体10上剥离时,在软性基板110与载体10之间形成一间隙G1。如图2所示,在无应力缓冲物140的情况下,软性基板110从载体10上剥离时,在P1点的弯曲曲率(1/R’,R’为曲率半径)相对较大,且于P1点的离型力也变大,其中P1点为构件30的侧表面130s与软性基板110之间的一接触点。
请参考图3,为图1B的软性电子装置从载体上剥离的剖视图。应力缓冲物140包括一前端部分141与一后端部分142,其中剥离方向S1是指由前端部分141朝向后端部分142的方向。通过应力缓冲物140的设计,P1点的弯曲曲率(1/R,R为曲率半径)可因而变小,以降低软性基板110与构件130之间的剥离应力(例如,P1点的剥离应力),避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
此外,其他实施例中,软性电子装置100的应力缓冲物140可由下述的应力缓冲物240至840、841其中之一者所取代,以获取降低剥离应力的效果。
请参考图3与图4,图4为软性基板与载体之间的离型力的示意图。曲线C1表示为软性基板110与载体10之间的离型力,曲线C2表示为软性基板110与载体10之间在无应力缓冲物140时的离型力。由曲线C1以及C2所示,最大离型力会发生在软性基板110与构件130的侧表面130s之间的P1点(如图1B或图3所示)附近。在图4所示的符号D1如图1B的P1点与软性基板110的侧表面110s之间的距离。与曲线C2相比较,由于应力缓冲物140的设计,曲线C1于P1点或其附近的离型力是较低的,因此可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
在本实施例中,应力缓冲物140的数量为二(如图1A所示),两应力缓冲物140位于构件130的边缘131的两端。此外,每一应力缓冲物140可例如是三角柱。如图1A所示,在上视图中,每一应力缓冲物140的轮廓可为三角形。
请参考图5至图7,为本发明多个实施例的软性电子装置的上视图。如图5所示,应力缓冲物140沿着构件130的边缘131排列,且邻近的两应力缓冲物140可相互接触。在其他实施例中,邻近的两应力缓冲物140可相互分离。另外,如图6所示,在上视图中,每一应力缓冲物140的轮廓可为弧形。再者,如图7所示,应力缓冲物140的数量可为单一,且对应配置于整个边缘131或部分边缘131。
请参考图8至图10,为本发明其他多个实施例的软性电子装置的上视图。如图8至图10所示,至少一应力缓冲物140可与构件130分隔,例如图8所示,所有的应力缓冲物140与构件130分隔。此外,当应力缓冲物140与构件130分隔时,介于应力缓冲物140与构件130之间的间隔L1可小于或等于构件130的厚度T1(如图1B所示),用于减少剥离应力的影响。如图9所示,一些应力缓冲物140可与构件130接触,另一些应力缓冲物140可与构件130分隔。在其他实施例中,仅单一应力缓冲物140与构件130接触,或仅单一应力缓冲物140与构件130分隔。如图10所示,应力缓冲物140与构件130分隔,在上视图中,每一应力缓冲物140的轮廓可为弧形。
如上所述,应力缓冲物140的数量可为一或多个,在上视图中,应力缓冲物140的轮廓,可例如是直线、曲线或其组合。举例来说,在上视图中,应力缓冲物140的轮廓可为弧形、半圆形、椭圆形、三角形、矩形、梯形等。此外,两应力缓冲物140的形状可为相同、相似或不同。应力缓冲物140可沿着构件130的至少一边缘配置,两应力缓冲物140可相互接触或分离。应力缓冲物140可例如由光致抗蚀剂、发泡材料、固化胶材或其组合的材料所制成,而就应力缓冲物140可为复合材料而言,该些材料可相互堆迭或配置于同一水平面上。
请参考图11A与图11B,图11A所示者为本发明另一实施例的软性电子装置的上视图,图11B所示者为图11A的软性电子装置沿11B-11B’方向的剖视图。
软性电子装置200可包括软性基板110、至少一电子元件120、第一构件230、第二构件231以及一应力缓冲物240。第二构件231可为一电子构件,例如是芯片(chip)。
在本实施例中,应力缓冲物240邻近于第二构件231的侧表面231s,应力缓冲物240具有一外表面240s,外表面240s可例如是具有相同曲率或变化曲率的曲面,举例来说,应力缓冲物240具有相同曲率的四分之一圆柱体。
如图11B所示,当应力缓冲物240朝第二构件231方向具有逐渐增大的一厚度T2,在外表面240s与软性基板110之间具有朝第二构件231方向逐渐减小的一距离t1,则应力缓冲物240的刚性具有朝第二构件231方向逐渐增大。由此,当软性基板110沿着剥离方向S1自载体10上剥离时(绘示于图12),可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
关于在第二构件231的侧表面231s形成应力缓冲物240。在本实施例中,整个应力缓冲物240可形成于第二构件231的侧表面231s,亦即,应力缓冲物240不形成于第二构件231的上表面231u,由此降低载体10与软性基板110之间的离型力,以使软性基板110易于从载体10上剥离。此外,与无应力缓冲物240的设计相比较,如图11B的P1点或其附近的剥离应力可减少约33~43%。
在一实施例中,应力缓冲物240的数量可与第二构件231相同,例如第二构件231的数量为多个,在此设计下,应力缓冲物240的数量也可为多个。在其他实施例,数个应力缓冲物240可对应一个第二构件231。或者,一个应力缓冲物240对应数个第二构件231。此外,制成应力缓冲物240的材料可与应力缓冲物140类似。在另一实施例中,软性电子装置200的应力缓冲物240可如上述被应力缓冲物140所取代。在其他实施例中,软性电子装置200还包括应力缓冲物140邻近于第一构件230的侧表面230s。
图12所示者为图11B的软性电子装置从载体上剥离的剖视图。当应力缓冲物240朝第二构件231方向具有渐大的厚度T2,软性基板110沿着剥离方向S1从载体10上剥离时,可减少软性基板110的最大弯曲曲率(1/R,R为曲率半径),若无应力缓冲物240,最大弯曲曲率(1/R)会较大。由此,当软性基板110沿着剥离方向S1自载体10上剥离时,可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
图13所示者为本发明另一实施例的软性电子装置的剖视图。在本实施例中,应力缓冲物340为一三角柱,且应力缓冲物340的外表面340s为平面。
在一实施例中,当应力缓冲物340的刚性朝构件330方向逐渐增大,软性基板110沿着剥离方向S1从载体10上剥离时的剥离应力可被减少,且软性基板110可自载体10上完整剥离,由此,可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
图14所示者为本发明又一实施例的软性电子装置的剖视图。在本实施例中,应力缓冲物340为一三角柱且具有一下表面340b,其中整个下表面340b可与软性基板110接触。在一实施例中,与无应力缓冲物340的设计相比较,如图14的P1点或其附近的剥离应力可减少约6~16%。
图15所示者为本发明再一实施例的软性电子装置的剖视图。软性电子装置300可包括软性基板110、至少一电子元件120(未绘示)、构件330以及应力缓冲物240。在本实施例中,构件330可为包括一芯片331以及封装芯片的一模塑化合物332的电子构件,其中应力缓冲物240可为模塑化合物332的一部分,意即,应力缓冲物240可与模塑化合物332在相同封装制作工艺中形成。
图16所示者为本发明另一实施例的软性电子装置的剖视图。软性电子装置400可包括软性基板110、至少一电子元件120(未绘示)、构件430以及应力缓冲物440。在本实施例中,应力缓冲物440邻近于构件430的侧表面430s,且应力缓冲物440包括一软性结构441以及一黏着物442,其中黏着物442配置于软性基板110与软性结构441之间。
软性结构441包括前端部分4411与后端部分4412,其中剥离方向S1由前端部分4411朝向后端部分4412的方向,黏着物442配置于软性结构441的后端部分4412,且在软性结构441的前端部分4411与软性基板110之间形成一空间,使得应力缓冲物440的刚性由前端部分4411朝后端部分4412的方向逐渐增大。由此,软性基板110自载体10上剥离时,可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
在一实施例中,制成软性结构441的材料可与应力缓冲物140类似。此外,软性结构441的构造形状可与应力缓冲物140、240类似。应力缓冲物440的数量可与构件430相同。另一实施例中,构件430的数量可为多个,在此设计下,应力缓冲物440的数量也可为多个。另外,数个应力缓冲物440可对应一个构件430。亦或者,一个应力缓冲物440对应数个构件430。
图17所示者为本发明又一实施例的软性电子装置的剖视图。软性电子装置500可包括软性基板110、至少一电子元件120(未绘示)、构件530以及应力缓冲物540。在本实施例中,应力缓冲物540邻近于构件530的侧表面530s,且应力缓冲物540包括一缓冲体541、多个孔隙542以及多个较小的孔隙543。
缓冲体541包括前端部分5411以及后端部分5412,其中剥离方向S1由前端部分5411朝向后端部分5412的方向。孔隙542与较小的孔隙543分布于缓冲体541内,其中这些孔隙542分布于缓冲体541的前端部分5411,且这些较小孔隙543分布于541缓冲体的后端部分5412,使得应力缓冲物540的刚性由前端部分5411朝后端部分5412的方向逐渐增大。由此,本实施例的软性基板110自载体10上剥离时,可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
应力缓冲物540的数量可与构件530相同。另一实施例中,构件530的数量可为多个,在此设计下,应力缓冲物540的数量也可为多个。或者,数个应力缓冲物540对应一个构件530。亦或者,一个应力缓冲物540对应数个构件530。另外,制成缓冲体541的材料可与应力缓冲物140相似。
图18所示者为本发明再一实施例的软性电子装置的剖视图。软性电子装置600可包括软性基板110、至少一电子元件120(未绘示)、构件630以及应力缓冲物640。
应力缓冲物640的硬度朝构件630方向逐渐增大,使得应力缓冲物640的刚性由应力缓冲物640的前端部分641朝构件630方向逐渐增大。由此,软性基板110自载体10上剥离时,可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生破裂。
此外,应力缓冲物640的数量可与构件630相同。另一实施例中,构件630的数量可为多个,在此设计下,应力缓冲物640的数量也可为多个。或者,数个应力缓冲物640可对应一个构件630。亦或者,一个应力缓冲物640对应数个构件630。另外,制成应力缓冲物640的材料可与应力缓冲物140相似。
图19所示者为本发明另一实施例的软性电子装置的剖视图。软性电子装置700可包括软性基板110、至少一电子元件120(未绘示)、构件730以及应力缓冲物740。在本实施例中,应力缓冲物740邻近于构件730的侧表面730s,且应力缓冲物740包括一缓冲体741、多个分布于缓冲体741内的孔隙742。
孔隙742分布在缓冲体741后端部分7412的密度大于分布在缓冲体741前端部分7411的密度,使得应力缓冲物740的刚性朝构件730方向逐渐增大。由此,软性基板110自载体10上剥离时,可避免软性基板110以及形成于其上的导线(未绘示)产生裂痕或破损。
此外,应力缓冲物740的数量可与构件730相同。另一实施例中,构件730的数量可为多个,在此设计下,应力缓冲物740的数量也可为多个。或者,数个应力缓冲物740可对应一个构件730。亦或者,一个应力缓冲物740对应数个构件730。
请参考图20A与图20B,图20A所示者为本发明又一实施例的软性电子装置的上视图,图20B所示者为图20A的软性电子装置沿20B-20B’方向的剖视图。
软性电子装置800可包括软性基板110、至少一电子元件120、第一构件230、第一应力缓冲物840、第二构件231以及第二应力缓冲物841。在本实施例中,软性电子装置800可包括第一应力缓冲物840邻近于第一构件230,以及第二应力缓冲物841邻近于第二构件231,其中第二构件231的刚性可大于第一构件230的刚性。在其他实施例中,也可视需要省略第一应力缓冲物840,而在邻近于第二构件231具有第二应力缓冲物841。
请参考图21A与图21B,图21A所示者为本发明再一实施例的软性电子装置的上视图,图21B所示者为图21A的软性电子装置沿21B-21B’方向的剖视图。
软性电子装置900可包括软性基板110、至少一电子元件120(未绘示)、第一构件230、第二构件231以及应力缓冲物240。在本实施例中,应力缓冲物240邻近于第二构件231的侧表面231s,由上视图所示,应力缓冲物240可例如为半圆形,其中第二构件231的刚性可大于第一构件230的刚性。一实施例中,与无应力缓冲物240的设计相比较,如图21B的P1点或其附近的剥离应力可减少约60~70%。
很明显,可以对本发明的实施例进行各种修改与变更。上述说明以及实施例仅用以示例性说明,本发明真实的权利保护范围,如所附的权利要求及其均等范围所列示者。

Claims (20)

1.一种软性电子装置,包括:
软性基板;
至少一构件,配置于该软性基板上,且具有侧表面;
至少一应力缓冲物,邻近于该构件的该侧表面,且该应力缓冲物的刚性朝该构件方向逐渐增大。
2.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该构件是电子构件。
3.如权利要求2所述的软性电子装置,其中该电子构件包括芯片与封装该芯片的模塑化合物,且该应力缓冲物是该模塑化合物的一部分。
4.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该构件包括密封材料、填充材料或侧向阻气物。
5.如权利要求4所述的软性电子装置,其中该软性基板具有显示区,且该构件环绕该显示区。
6.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物接触该构件。
7.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物与该构件分隔,在该构件的侧表面与该应力缓冲物之间具有间隔,且该间隔小于或等于该构件的厚度。
8.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物具有宽度,且该宽度朝该构件方向逐渐增大。
9.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物具有厚度,且该厚度朝该构件方向逐渐增大。
10.如权利要求9所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物具有外表面,且在该外表面与该软性基板之间的距离朝该构件方向逐渐变小。
11.如权利要求10所述的软性电子装置,其中该外表面是曲面或是平面。
12.如权利要求9所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物具有下表面,且整个该下表面接触该软性基板。
13.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物包括缓冲体、多个孔隙以及多个较小的孔隙,其中该缓冲体包括前端部分以及后端部分,该后端部分相较该前端部分更靠近该构件,该些孔隙分布于该缓冲体的该前端部分,且该些较小孔隙分布于该缓冲体的该后端部分。
14.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物包括缓冲体,该缓冲体包括前端部分、后端部分、多个孔隙分布于该缓冲体内,该后端部分相较该前端部分更靠近该构件,且该些孔隙分布于该缓冲体的该后端部分的密度大于该些孔隙分布于该缓冲体的该前端部分的密度。
15.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物具有硬度,且该硬度朝该构件方向逐渐增大。
16.如权利要求1所述的软性电子装置,其中该应力缓冲物包括软性结构以及黏着物,且该黏着物配置于该软性结构以及该软性基板之间。
17.如权利要求16所述的软性电子装置,其中该黏着物配置于该软性结构的后端部分,且在该软性结构的前端部分与该软性基板之间形成空间。
18.一种软性电子装置,包括:
软性基板;
第一构件,配置于该软性基板上,且具有第一侧表面;
第二构件,配置于该软性基板上,且具有第二侧表面;
第一应力缓冲物,邻近于该第一构件的该第一侧表面,且该第一应力缓冲物的刚性朝该第一构件方向逐渐增大。
19.如权利要求18所述的软性电子装置,其中该第一应力缓冲物配置于该第一构件以及该第二构件之间。
20.如权利要求19述的软性电子装置,还包括第二应力缓冲物,邻近于该第二构件的该第二侧表面。
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