CN105789013B - 用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置及其装载、卸载晶圆的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置及其装载、卸载晶圆的方法。待切片的晶圆随薄膜框架结构一同进入所述刻蚀装置，所述薄膜框架结构包括呈环形的框架以及安装在框架上并覆盖所述框架中心处开口的薄膜，所述晶圆安装在所述开口内所述薄膜的上表面，所述刻蚀装置包括：由顶壁、侧壁与底壁围成的反应腔室；设置在反应腔室内、用于支撑晶圆的基座；设置在基座外周、可升降的升降环，所述升降环在升降的过程中接触并抬升或沉降位于晶圆外周的框架；用于带动所述升降环作升降运动的升降杆，所述升降杆的一端用于连接所述升降环，另一端穿过反应腔室底壁上的孔洞而延伸至所述反应腔室外；位于所述反应腔室外的驱动部件，用于驱动所述升降杆。

Description

用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置及其装载、卸载晶圆的 方法

技术领域

本发明涉及利用刻蚀方法对晶圆进行切片(wafer dicing)的装置，尤其涉及在上述装置中用来装载、卸载晶圆的部件与方法。

背景技术

在半导体器件制造领域，通常都是先在同一晶圆表面上的不同区域制作出一系列相同的器件，而后将该晶圆切割成一个个独立的功能器件单元(即，芯片，DIEs)。上述切割的工艺通常被称为晶圆切片(wafer dicing)。传统的晶圆切片通常都借助切割刀具来完成。

近年来，出现了一些关于利用刻蚀方式来实现晶圆切片的研究探索，如2014年4月24日公开的专利申请WO 2014/062582 A1等。这些研究理论注意到一些可能的问题并提出了解决方法。

然而，已有的这些研究理论尚不全面。发明人注意到一个未被之前研究所认识到的、关于晶圆卸载方面的问题。具体如下：现有刻蚀装置通常都是通过设置在基座中心处下方的升举顶针(lift pin)顶起晶圆来实现晶圆的卸载。但是，切片后的晶圆已变成一个个独立的芯片，无法适应这种中心顶起的方式。

为方便对切片后的晶圆进行后续处理，晶圆的背面通常可粘附一层薄膜。切片时，晶圆连同该薄膜可被放置在刻蚀装置的基座上。利用等离子体完成切片后，分割开来的芯片仍粘附在薄膜上。该薄膜的存在可部分缓解上述问题，但仍存在重大缺陷：1)、柱状的顶针可能损伤薄膜；(2)、由于薄膜的存在，顶针可顶起薄膜及粘附在薄膜上的所有芯片，但是，顶起的过程中会使芯片排列发生错乱。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置，其中，待切片的晶圆随薄膜框架结构一同进入所述刻蚀装置，所述薄膜框架结构包括呈环形的框架以及安装在所述框架上并覆盖所述框架中心处开口的薄膜，所述晶圆安装在所述开口内所述薄膜的上表面，所述刻蚀装置包括：

由顶壁、侧壁与底壁围成的反应腔室；

设置在所述反应腔室内、用于支撑晶圆的基座；

设置在所述基座外周、可升降的升降环，所述升降环在升降的过程中接触并抬升或沉降位于晶圆外周的框架；

用于带动所述升降环作升降运动的升降杆，所述升降杆的一端用于连接所述升降环，另一端穿过反应腔室底壁上的孔洞而延伸至所述反应腔室外；

位于所述反应腔室外的驱动部件，用于驱动所述升降杆。

可选的，另包括：

覆盖环，位于所述薄膜框架结构的上方，用于遮盖所述框架与所述薄膜；

设置在所述覆盖环与所述升降环之间的覆盖环升举件，所述覆盖环升举件的上端用于支撑所述覆盖环，所述覆盖环升举件的下端安装在所述升降环上。

可选的，所述覆盖环升举件为呈杆状的顶针，所述顶针的数目为三个或更多。

可选的，所述顶针的上端支撑所述覆盖环的下表面，所述顶针的下端安装在所述升降环的上表面；所述顶针的高度决定了晶圆卸载过程中晶圆脱离所述基座后晶圆与覆盖环之间的高度差，这个高度差足以使得机械手在抓取晶圆的过程中不干扰到所述覆盖环。

可选的，所述升降环的上表面设有预调整部件，用于调整与升降环接触时的框架的水平度。

可选的，所述预调整部件包括垫片、限位螺丝、偏心销或偏心轴。

可选的，所述升降杆与所述底壁上的孔洞之间为气密连接。

可选的，通过套在升降杆外围的波纹管实现上述气密连接。

可选的，通过设置在升降杆与孔洞之间的密封垫实现上述气密连接。

可选的，所述反应腔室的侧壁内设有升降杆通道，所述升降杆通道分别与所述反应腔室、所述孔洞相连通；所述升降杆的至少部分容纳在所述升降杆通道内。

可选的，还包括托架，所述托架的一端位于所述升降杆通道内并安装在所述升降杆上，另一端位于所述升降环的下方，用于托举所述升降环；

所述升降杆通道通过托架通道与所述反应腔室相连通，所述托架的至少部分容纳在所述托架通道内，所述托架通道限定了所述托架运动的轨迹。

可选的，所述托盘呈平板状。

可选的，所述升降杆与所述升降杆通道均仅有一个。

可选的，所述升降杆与所述升降杆通道的数目为对称的两个或更多个。

可选的，所述驱动部件包括马达或气缸。

可选的，所述薄膜以张紧的状态粘附在所述框架的下表面，所述晶圆粘附在所述薄膜的上表面。

可选的，所述基座包括静电夹盘。

根据本发明的另一个方面，提供用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置装载晶圆的方法，包括：

将晶圆连同薄膜框架结构一起送入所述刻蚀装置的反应腔室，其中，所述薄膜框架结构包括呈环形的框架以及安装在所述框架上并覆盖所述框架中心开口的薄膜，所述晶圆安装在所述开口内所述薄膜的上表面；

利用升降环支撑所述框架的下表面，其中，所述升降环设置在基座的外周，并由升降杆带动而作升降运动，所述升降杆的一端用于接触所述升降环，另一端延伸至所述反应腔室外；

驱动所述升降杆并带动所述升降环下降，直至所述晶圆支撑在所述基座上。

可选的，还包括：

继续驱动所述升降杆并带动所述升降环下降，以使所述升降环远离所述框架。

可选的，所述反应腔室的侧壁内设有升降杆通道，所述升降杆通道与所述反应腔室相连通；所述升降杆的至少部分容纳在所述升降杆通道内。

根据本发明的再一个方面，提供用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置卸载晶圆的方法，包括：

抬升升降环，使其抬升框架，因而带动晶圆脱离基座，其中，所述框架呈环形，该环形结构的中心形成有开口，一薄膜粘附在该环形结构上并覆盖所述开口，所述晶圆的下表面粘附在位于所述开口内的所述薄膜上，所述基座支撑所述薄膜以及薄膜上方的晶圆，所述框架设置在所述基座的外周。

可选的，通过抬升升降杆来抬升所述升降环，其中，所述升降杆的一端用于接触所述升降环，另一端延伸至所述刻蚀装置的反应腔室外；

所述反应腔室的侧壁内设有升降杆通道，所述升降杆通道与所述反应腔室相连通；所述升降杆的至少部分容纳在所述升降杆通道内。

可选的，所述刻蚀装置还包括：

覆盖环，用于遮盖所述框架与所述薄膜；

设置在所述升降环上的覆盖环升举件，所述覆盖环升举件的上端用于接触并升降所述覆盖环，所述覆盖环升举件的下端安装在所述升降环上；

抬升升降环的过程中，所述覆盖环升举件接触并抬升所述覆盖环一段距离后，所述升降环才能接触到并抬升所述框架。

附图说明

图1至图2是安装在薄膜框架结构上的晶圆的结构示意图；

图3是根据本发明一个实施例的用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置的结构示意图；

图4与图5是根据本发明另一实施例的用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置的结构示意图；

图6与图7是根据本发明又一实施例的用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置及其装载、卸载晶圆的方法进行说明。需强调的是，这里仅是示例型的阐述，不排除有其它利用本发明的实施方式。

图3是根据本发明一个实施例的用于晶圆切片(wafer dicing)的等离子体刻蚀装置的结构示意图。在该装置内，晶圆上相邻芯片(或者说晶粒，DIEs)之间的粘连材料被以等离子刻蚀的方法去除，形成一个个分割槽，从而使得芯片之间相互独立。为防止切分芯片的过程中损伤芯片本身的结构，可在芯片区域的表面涂覆掩膜层，比如光刻胶等，该掩膜层不覆盖芯片之间的粘连材料。作为一种特殊的切片方式，在切片的过程中，可利用该用于切片的等离子体在芯片区域的表面刻蚀形成孔或槽等结构，该孔或槽结构为形成该芯片所必需的功能器件的必要组成部分。即，切片可与芯片的某道制作工艺同步完成。

切片前，待切片的晶圆被预先固定在薄膜框架结构上。固定后的结构如图1至2所示，所述薄膜框架结构包括框架F与薄膜M。其中，框架F呈环形，包括实体的环形结构以及由该环形结构的内侧表面所限定的圆形开口。已张紧的薄膜M以粘附的方式安装在框架F的下表面(在其它实施例中，薄膜M也可粘附在框架F的上表面)，并完全覆盖框架F中心处的所述开口。晶圆W以粘附的方式安装在位于所述开口内的所述薄膜M的上表面。在需切片时，已固定的晶圆W随薄膜框架结构被一同送入等离子刻蚀装置。在具体实施时，框架F的材质可选为金属(如不锈钢)或石英等。为增强抗蚀性能，还可在其表面涂覆抗蚀层。薄膜M可选用具一定抗蚀性的材质。假如薄膜M是以粘附的方式安装，可在薄膜M的一面或两面涂覆胶层。

如图中所示，框架F中心开口的直径通常大于晶圆W的直径，因而，固定后的晶圆W与框架F之间通常存在间隙，该间隙内的薄膜M未被晶圆W覆盖而裸露在外。

如图3所示，用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置100包括：

由顶壁21、侧壁23与底壁25围成的反应腔室2；

设置在反应腔室2内的基座3，用于支撑晶圆W；

设置在所述基座3外周的升降环4，所述升降环4位于框架F的下方并可作升降运动，用于接触并抬升或沉降位于晶圆W外周的框架F；

用于带动所述升降环4作升降运动的升降杆6，所述升降杆6的一端(图中的上端)用于连接所述升降环4，另一端(图中的下端)穿过反应腔室2底壁25上的孔洞256而延伸至所述反应腔室2外；

位于所述反应腔室2外的驱动部件8，用于驱动所述升降杆6作升降运动。

需切片时，将晶圆W连同薄膜框架结构一同送入所述刻蚀装置100的反应腔室2，其中，晶圆W被基座3支撑，位于晶圆W外周的框架F超出基座3的边界而未被基座3支撑。切片过程中，由刻蚀装置100生成的等离子体作用在晶圆W上表面的裸露区域，将其分割成一个个独立的芯片。

切片结束后，抬升升降环4，使其抬升框架F，进而可带动晶圆W脱离基座3。在晶圆W抬升的过程中，由于切片后的晶圆W及下方的薄膜M不被直接以硬物作用，因而分割后的芯片不会发生位置偏移而排列混乱，方便后续的工艺处理。不仅如此，也可防止薄膜M因被尖物接触而破损的风险。

反应腔室2的侧壁23上通常还设有进出通道231，该进出通道231可藉由一闸门开启或关闭。晶圆W被抬升至一预定高度时，升降环4可停止上升；随后，一机械手(图中未显示)会运动至晶圆W下方并抓取该晶圆W，而后将其自所述进出通道231移出。该机械手通常被设定为只在一个高度内作直线运动。

所述基座3通常可以是静电夹盘，其以静电吸引的方式固定晶圆W。抬升升降环4以卸载晶圆W前，通常可先施加反向电压至静电夹盘，消除该静电吸力。

为防止设备体积的过度增大，升降杆6可设置在反应腔室2的侧壁23内。如图中所示，反应腔室2的侧壁23内设有升降杆通道236，所述升降杆通道236分别与所述反应腔室2、所述孔洞256相连通；所述升降杆6的至少部分容纳在所述升降杆通道236内。

用于反应的等离子体通常被集中在反应腔室2的中央区域(即基座3上方的区域)，能进入侧壁23内升降杆通道236的等离子体只占少数，因而设置在侧壁23内也可降低升降杆6被等离子体腐蚀的几率和程度。另外，通过优化升降杆通道236及其与反应腔室2连通处的开口等两处的尺寸，可使进入其内的等离子体熄灭，避免其对升降杆6的损伤。不仅如此，也可增强升降杆6本身的抗腐蚀性能(措施包括：升降杆6本身选用抗腐蚀的材质；在升降杆6表面镀抗蚀膜层)，以应对上述可能的损伤。

等离子体刻蚀装置100还可包括用于连接升降环4与升降杆6的托架46。托架46的一端(图中的右端)延伸入升降杆通道236内，并安装在升降杆6上，另一端(图中的左端)位于所述升降环4的下方，用于支撑托举所述升降环4。在图中所示的实施例中，托架46呈平板状，不同于升降环4环绕整个基座3的设置方式，托架46只是设置于基座3的一侧。另外，托架46的进入升降杆通道236的一端设置有安装孔(图中未标号)，升降杆6的上端以过盈配合地方式容纳在该安装孔内，从而实现了托架46与升降杆6的固定。托架46的设置在升降环4下方的一端的上表面与升降环4的下表面固定(固定的方式可为粘贴、锁扣等常见方式)。说明一点，托架46也可不单独设置，而作为升降环4的一部分或升降杆6的一部分而存在。

由于托架46可能会暴露在等离子体环境中，因而，与升降环4与升降杆6相似，也可通过选用特别的材质或在其表面涂覆抗腐蚀层以增强托架46的抗蚀性能。

升降杆通道236与反应腔室2相连通的开口2362作为托架通道2362，用于容纳所述托架46的至少部分。所述托架通道2362(尤其是托架通道2362在竖直方向上的尺寸)限定了托架46升降运动的轨迹。

在图中所示的实施例中，所述升降杆6与所述升降杆通道236均仅有一个。在其它实施例中，所述升降杆6与所述升降杆通道236的数目可以为对称的两个或更多个。比如，可在对称的位置处增设一个相同的升降杆6与升降杆通道236，以使得反应腔室2内的等离子体分布得更加均匀。

为保证反应腔室2的封闭性，所述升降杆6与所述底壁25上的孔洞256之间为气密连接。该连接既要保证密封性，也要不影响升降杆6的升降动作。实现上述气密连接的方式可以为：(1)通过套在升降杆6外围的波纹管(bellows)7。比如，波纹管7的上端可密封安装在孔洞256的下方，波纹管7的下端可密封固定在驱动部件8的输出轴86上。在升降杆6上升过程中，波纹管7的皱纹片(图中未标示)不断折叠；在升降杆6下降过程中，波纹管7的皱纹片不断展开。不管是折叠还是展开，波纹管7都保证了孔洞256处的封闭性。或者，(2)通过设置在升降杆6与孔洞256之间的密封垫(图中未显示)。

所述驱动部件8可以是马达或气缸等。若驱动部件8为马达，通过控制马达转动的方向，可实现对升降方向的控制；通过控制马达的转动量，可实现对升降高度的控制，进而可控制升降杆6停留在任意高度。若驱动部件8为气缸，该气缸的活塞杆作为输出轴连接升降杆6。通过控制气缸内活塞两侧缸体的进出气可控制升降杆6的升降。

图4与图5是根据本发明另一实施例的用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置的结构示意图。该实施例中的等离子体刻蚀装置200具有前面实施例刻蚀装置100的所有结构，这些相同结构的细节这里不再重复描述。两者的区别主要在于，刻蚀装置200还包括：

位于所述薄膜框架结构上方的覆盖环C，用于遮盖所述框架F与所述薄膜M，保护它们不被等离子体腐蚀；

设置在所述覆盖环C与所述升降环4之间的覆盖环升举件41，所述覆盖环升举件41的上端用于支撑所述覆盖环C，所述覆盖环升举件41的下端安装在所述升降环4上。

在本实施例中，所述覆盖环升举件41为呈杆状的顶针41，且顶针41的数目为沿圆周均匀排布的三个或更多。所述顶针41的上端支撑所述覆盖环C的下表面，所述顶针41的下端安装在所述升降环4的上表面；所述顶针41的高度决定了晶圆卸载过程中晶圆W脱离所述基座3后晶圆W与覆盖环C之间的高度差，这个高度差足以使得机械手在抓取晶圆的过程中不干扰到所述覆盖环。在其它实施例中，覆盖环升举件41也可以是呈环状的支撑件，这样的话，仅需一个即可支撑起覆盖环C。

切片成功的晶圆W需卸载时，抬升升降环4及其上方的覆盖环升举件41。在上述过程中，覆盖环升举件41会先一步接触到覆盖环C的下表面，并带动覆盖环C上升，如图4所示。在覆盖环C上升的初期，由于升降环4尚未接触框架F，因而框架F及晶圆W在该过程中保持静止。因此，在上述过程中，覆盖环C与框架F(或者晶圆W)之间在竖直方向产生高度差(或者称之为“间隙”)，并且这个高度差不断扩大。

在覆盖环C上升到一定高度(在本实施例中，这个高度与覆盖环升举件41竖直方向的长度相等)后，升降环4会开始接触并抬升框架F，从而使得晶圆W脱离基座3。在这个过程中，覆盖环C与晶圆W被同步抬升，因而它们之间的高度差保持不变。

在晶圆W被抬升至一预定高度后，升降环4可停止上升。随后，一机械手会运动至晶圆W处并抓取该晶圆W，而后将其自进出通道231移出。由于晶圆W与覆盖环C之间存在高度差(间隙)，因而，晶圆W移动的过程中不会影响到覆盖环C。

图6与图7是根据本发明又一实施例的用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置的结构示意图。该实施例中的等离子体刻蚀装置300具有前面实施例刻蚀装置200的所有结构，这些相同结构的细节这里不再重复描述。两者的区别主要在于，刻蚀装置300还包括：

设置在升降环4上表面的预调整部件9，用于调整与升降环4接触时的框架F的水平度，进而使抬升或沉降过程中的晶圆W保持水平。

在本实施例中，所述预调整部件9为垫片。在其它实施例中，其也可以是限位螺丝(可调螺丝)、偏心轴与偏心销等。

在发现升降环4表面不平时，可通过调整各个区域处的预调整部件9使得其平整。具体可以是，加厚低洼处的垫片，调高低洼处的限位螺丝、偏心轴、偏心销等。

图6与图7分别展示了刻蚀装置300卸载晶圆的两个阶段，整个卸载过程与刻蚀装置200类似，这里不再详述。

在半导体制作领域，晶圆卸载与装载通常采用同一套装置(或部件)来完成，装载与卸载互为逆向操作。本说明书给出的本发明各个实施例即与此相符。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (23)

1.用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置，其中，待切片的晶圆随薄膜框架结构一同进入所述刻蚀装置，所述薄膜框架结构包括呈环形的框架以及安装在所述框架下方并覆盖所述框架中心处开口的薄膜，所述晶圆安装在所述开口内所述薄膜的上表面，所述刻蚀装置包括：

由顶壁、侧壁与底壁围成的反应腔室；

设置在所述反应腔室内、用于支撑晶圆的基座；

设置在所述基座外周、可升降的升降环，所述升降环在升降的过程中接触并抬升或沉降位于晶圆外周的框架；

用于带动所述升降环作升降运动的升降杆，所述升降杆的一端用于连接所述升降环，另一端穿过反应腔室底壁上的孔洞而延伸至所述反应腔室外；

位于所述反应腔室外的驱动部件，用于驱动所述升降杆。

2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，另包括：

覆盖环，位于所述薄膜框架结构的上方，用于遮盖所述框架与所述薄膜；

设置在所述覆盖环与所述升降环之间的覆盖环升举件，所述覆盖环升举件的上端用于支撑所述覆盖环，所述覆盖环升举件的下端安装在所述升降环上。

3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述覆盖环升举件为呈杆状的顶针，所述顶针的数目为三个或更多。

4.如权利要求3所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述顶针的上端支撑所述覆盖环的下表面，所述顶针的下端安装在所述升降环的上表面；所述顶针的高度决定了晶圆卸载过程中晶圆脱离所述基座后晶圆与覆盖环之间的高度差，这个高度差足以使得机械手在抓取晶圆的过程中不干扰到所述覆盖环。

5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述升降环的上表面设有预调整部件，用于调整与升降环接触时的框架的水平度。

6.如权利要求5所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述预调整部件包括垫片、限位螺丝、偏心销或偏心轴。

7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述升降杆与所述底壁上的孔洞之间为气密连接。

8.如权利要求7所述的等离子体刻蚀装置，其中，通过套在升降杆外围的波纹管实现上述气密连接。

9.如权利要求7所述的等离子体刻蚀装置，其中，通过设置在升降杆与孔洞之间的密封垫实现上述气密连接。

10.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述反应腔室的侧壁内设有升降杆通道，所述升降杆通道分别与所述反应腔室、所述孔洞相连通；所述升降杆的至少部分容纳在所述升降杆通道内。

11.如权利要求10所述的等离子体刻蚀装置，还包括托架，所述托架的一端位于所述升降杆通道内并安装在所述升降杆上，另一端位于所述升降环的下方，用于托举所述升降环；

所述升降杆通道通过托架通道与所述反应腔室相连通，所述托架的至少部分容纳在所述托架通道内，所述托架通道限定了所述托架运动的轨迹。

12.如权利要求11所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述托架呈平板状。

13.如权利要求12所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述升降杆与所述升降杆通道均仅有一个。

14.如权利要求12所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述升降杆与所述升降杆通道的数目为对称的两个或更多个。

15.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述驱动部件包括马达或气缸。

16.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述薄膜以张紧的状态粘附在所述框架的下表面，所述晶圆粘附在所述薄膜的上表面。

17.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其中，所述基座包括静电夹盘。

18.用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置装载晶圆的方法，包括：

将晶圆连同薄膜框架结构一起送入所述刻蚀装置的反应腔室，其中，所述薄膜框架结构包括呈环形的框架以及安装在所述框架下方并覆盖所述框架中心开口的薄膜，所述晶圆安装在所述开口内所述薄膜的上表面；

利用升降环支撑所述框架的下表面，其中，所述升降环设置在基座的外周，并由升降杆带动而作升降运动，所述升降杆的一端用于接触所述升降环，另一端延伸至所述反应腔室外；

驱动所述升降杆并带动所述升降环下降，直至所述晶圆支撑在所述基座上。

19.如权利要求18所述的方法，还包括：

继续驱动所述升降杆并带动所述升降环下降，以使所述升降环远离所述框架。

20.如权利要求18所述的方法，其中，所述反应腔室的侧壁内设有升降杆通道，所述升降杆通道与所述反应腔室相连通；所述升降杆的至少部分容纳在所述升降杆通道内。

21.用于晶圆切片的等离子体刻蚀装置卸载晶圆的方法，包括：

抬升升降环，使其抬升框架，因而带动晶圆脱离基座，其中，所述框架呈环形，该环形结构的中心形成有开口，一薄膜粘附在该环形结构上并覆盖所述开口，所述晶圆的下表面粘附在位于所述开口内的所述薄膜上，所述基座支撑所述薄膜以及薄膜上方的晶圆，所述框架设置在所述基座的外周。

22.如权利要求21所述的方法，通过抬升升降杆来抬升所述升降环，其中，所述升降杆的一端用于接触所述升降环，另一端延伸至所述刻蚀装置的反应腔室外；

所述反应腔室的侧壁内设有升降杆通道，所述升降杆通道与所述反应腔室相连通；所述升降杆的至少部分容纳在所述升降杆通道内。

23.如权利要求21所述的方法，所述刻蚀装置还包括：

覆盖环，用于遮盖所述框架与所述薄膜；

设置在所述升降环上的覆盖环升举件，所述覆盖环升举件的上端用于接触并升降所述覆盖环，所述覆盖环升举件的下端安装在所述升降环上；

抬升升降环的过程中，所述覆盖环升举件接触并抬升所述覆盖环一段距离后，所述升降环才能接触到并抬升所述框架。