CN105776123A - 微机电系统元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种微机电系统元件及其制造方法，其步骤如下。在微机电系统结构上形成顶盖层。微机电系统结构中具有多数个牺牲结构。顶盖层具有多数个释放孔。释放孔位于牺牲结构上。在顶盖层上形成介电层，其中介电层填入释放孔中。对介电层进行平坦化工艺。然后，移除牺牲结构，以在微机电系统结构中形成至少一空腔。

Description

微机电系统元件及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种电子元件及其制造方法，且特别是有关于一种微机电系统元件及其制造方法。

背景技术

微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem，简称：MEMS)是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术。微机电系统元件可包括极小的电子机械元件(例如开关、镜面、电容器、加速度计、传感器、电容传感器或引动器等)，其可与集成电路集成在芯片(Chip)中。然而，微机电系统元件在整个封装结构的巨观世界中是极为脆弱的，随时都可能被微小的静电或表面张力影响而造成故障。因此，为了避免微机电系统元件受到污染或损害，通常会将微机电系统元件密封于芯片与非原位式顶盖(Ex-situCap)之间。

然而，利用非原位式顶盖来保护微机电系统元件，可能造成封装难度增加。另一方面，即使利用原位式顶盖来保护微机电系统元件，也可能在进行平坦化工艺时，容易因为中空的微机电系统结构的机械强度不足，进而造成所属元件良率偏低等问题。

发明内容

本发明提供一种微机电系统元件及其制造方法，其可省去非原位式顶盖工艺，以减少芯片面积，进而降低成本。

本发明提供一种微机电系统元件及其制造方法，其可增加所属微机电系统元件的机械强度，以提高工艺良率。

本发明提供一种微机电系统元件及其制造方法，其可减少所属微机电系统元件的高度与厚度，以提升封装工艺的弹性。

本发明提供一种微机电系统元件的制造方法，其步骤如下。形成微机电系统结构在衬底上。上述微机电系统结构具有至少一空腔。形成第一介电层，覆盖在微机电系统结构上，并填入在至少一空腔中。形成顶盖层在第一介电层上。上述顶盖层具有多数个释放孔，其中释放孔位于微机电系统结构上。形成第二介电层在顶盖层上。第二介电层填入释放孔中。对第二介电层进行平坦化工艺，以形成平坦化的第二介电层。上述第一介电层仍在微机电系统结构上以及至少一空腔中。进行释放工艺，以移除释放孔上方的平坦化的第二介电层以及下方的第一介电层。

在本发明的一实施例中，在形成上述微机电系统结构之前，还包括在对应于微机电系统结构下方的衬底上形成停止层。

在本发明的一实施例中，还包括在上述微机电系统结构中形成多数个支撑结构，其分别连接顶盖层与微机电系统结构下方的导体层。

在本发明的一实施例中，上述释放工艺包括蚀刻工艺。此蚀刻工艺包括气相蚀刻工艺、液相蚀刻工艺或其组合。

在本发明的一实施例中，还包括在进行上述释放工艺之后，形成密封层覆盖微机电系统结构。

在本发明的一实施例中，还包括在进行上述释放工艺之前，形成导体垫在平坦化的介电层上。上述导体垫与顶盖层连接。

在本发明的一实施例中，还包括在形成上述导体垫之后，形成钝化层在平坦化的第二介电层上。钝化层覆盖部分导体垫。而且，钝化层具有开口，此开口暴露出部分释放孔上的平坦化的第二介电层。

在本发明的一实施例中，上述钝化层的材料包括氮化硅、氮化钛、非晶硅或其组合。

在本发明的一实施例中，上述平坦化工艺包括化学机械研磨工艺(CMP)、回蚀刻或其组合。

本发明提供一种微机电系统元件，包括微机电系统结构、周边结构、顶盖层、导体垫以及密封层。微机电系统结构位于衬底上。上述微机电系统结构中具有至少一空腔。周边结构位于微机电系统结构一侧的衬底上。顶盖层位于微机电系统结构与周边结构上。导体垫位于周边结构的顶盖层上。上述导体垫通过顶盖层与周边结构电性连接。密封层覆盖上述微机电系统结构，且覆盖部分导体垫。

在本发明的一实施例中，还包括多数个支撑结构位于上述微机电系统结构中。支撑结构分别连接顶盖层与微机电系统结构下方的导体层。

在本发明的一实施例中，上述支撑结构的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合。

在本发明的一实施例中，还包括钝化层覆盖部分导体垫，且钝化层位于导体垫与密封层之间。

在本发明的一实施例中，上述钝化层的材料包括氮化硅、氮化钛、非晶硅或其组合。

在本发明的一实施例中，上述微机电系统结构的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合。

在本发明的一实施例中，上述顶盖层的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合。

在本发明的一实施例中，上述密封层的材料包括氮化硅、氧化硅或其组合。

本发明提供另一种微机电系统元件的制造方法，其步骤如下。在微机电系统结构上依次形成顶盖层与介电层。微机电系统结构中具有多数个牺牲结构。顶盖层具有多数个释放孔，其中释放孔位于牺牲结构上。对介电层进行平坦化工艺。移除牺牲结构，以在微机电系统结构中形成至少一空腔。

在本发明的一实施例中，还包括在上述顶盖层上形成密封层。密封层填入顶盖层的释放孔中，以密封微机电系统结构。

在本发明的一实施例中，还包括在上述微机电系统结构中形成多数个支撑结构。

基于上述，本发明的微机电系统元件利用原位式顶盖层(In-situCapLayer)，其可省去非原位式顶盖工艺，以减少芯片面积，进而降低成本。另一方面，相较于非原位式顶盖，本发明利用原位式顶盖层可降低所属微机电系统元件的高度与厚度，藉此提升封装工艺的弹性。此外，本发明在进行平坦化工艺之后才释放微机电系统结构，其可避免中空的微机电系统结构的机械强度不足，进而造成所属元件良率偏低的问题。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1J为依照本发明的一实施例所示出的微机电系统元件的制造流程的剖面示意图；

图2是依照本发明的另一实施例所示出的微机电系统元件的剖面示意图。

附图标记说明：

10、20、30、206：接触窗开口；

10a、20a、30a、206a：接触窗；

40：凸块开口；

40a：凸块；

50a、50b、60、70、80：开口；

100：衬底；

102、106、112、204、212：介电层；

104、110：导体层；

108：停止层；

200、200a-200h：微机电系统结构；

202a-202g、220、222、224：空腔；

208：顶盖层；

210：释放孔；

212a：平坦化的介电层；

214：导体垫；

216：钝化层；

218：密封层；

300、400：微机电系统元件；

310、410：微机电系统结构；

320、420：周边结构；

412a、412b、412c：支撑结构；

414a、414b、414c、416a、416b、416c：接触窗；

R1：第一区；

R2：第二区；

S1：正面；

S2：背面。

具体实施方式

图1A至图1J为依照本发明的一实施例所示出的微机电系统元件的制造流程的剖面示意图。

请参照图1A，本发明提供一种微机电系统元件的制造方法，其步骤如下。首先，提供衬底100。衬底100例如为半导体衬底、半导体化合物衬底或是绝缘层上有半导体衬底(SemiconductorOverInsulator，简称：SOI)。半导体例如是IVA族的原子，例如硅或锗。半导体化合物例如是IVA族的原子所形成的半导体化合物，例如是碳化硅或是硅化锗，或是IIIA族原子与VA族原子所形成的半导体化合物，例如是砷化镓。衬底100具有第一区R1与第二区R2。在本实施例中，第一区R1可例如是周边区(PeripheryRegion)，而第二区R2可例如是释放区(ReleaseRegion)。

接着，在衬底100的正面S1上依次形成介电层102、导体层104以及介电层106。介电层106覆盖导体层104以及介电层102的表面。在本实施例中，介电层102位于衬底100上，其可减少所属电子元件产生寄生电容馈通(Feed-through)的情况。介电层102以及介电层106的材料可例如是氧化硅、氮化硅或其组合，其形成方法可以是化学气相沉积法、热氧化法等。导体层104覆盖部分介电层102的表面，且横越第一区R1与第二区R2。导体层104的形成方法可以是介电层102上形成导体材料层，再通过光刻与蚀刻工艺图案化。导体材料可例如是掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合，其形成方法可以利用化学气相沉积法。

请参照图1B，在介电层106上形成停止层108。停止层108位于第二区R2的介电层106上，其与导体层104部分重叠。停止层108可用以当作后续释放微机电系统结构200的蚀刻停止层(如图1I所示)，以下段落会详细说明。停止层108的形成方法可以在介电层106上形成停止材料层，之后利用光刻与蚀刻工艺图案化。停止材料层可例如是氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)、碳化硅(SiC)或其组合，其形成方法可以利用化学气相沉积法。在一实施例中，停止层108的厚度例如是50nm至200nm。

请参照图1C，在停止层108上形成导体层110。导体层110位于停止层108上。导体层110的形成方法可以在停止层108上形成导体材料层，之后利用光刻与蚀刻工艺图案化。导体材料层的材料可例如是掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合，其形成方法可以利用化学气相沉积法。之后，在衬底100上形成介电层112。介电层112覆盖导体层110、停止层108以及介电层106的表面。介电层112的材料可例如是氧化硅、氮化硅或其组合，其形成方法可以是化学气相沉积法、热氧化法等。

请参照图1D，在第一区R1形成接触窗开口10，并在第二区R2形成接触窗开口20、接触窗开口30以及凸块开口40。凸块开口40位于接触窗开口20与接触窗开口30之间。在一实施例中，接触窗开口10、接触窗开口20、接触窗开口30以及凸块开口40可利用三次图案化工艺来形成，其中接触窗开口10与接触窗开口20可利用同一次图案化工艺来形成。详细地说，利用第一光刻与蚀刻工艺，在第一区R1的介电层106与介电层112中形成暴露出导体层104表面的接触窗开口10，并在第二区R2的介电层106、停止层108以及介电层112中形成暴露出导体层104的接触窗开口20。利用第二光刻与蚀刻工艺，在第二区R2的介电层112中形成接触窗开口30，以暴露导体层110的表面。利用第三光刻与蚀刻工艺，在第二区R2的介电层112中形成凸块开口40。

请参照图1E，在介电层112上形成微机电系统结构200。微机电系统结构200具有多数个空腔202a-202g。具体来说，先在介电层112上形成微机电系统结构材料层(未示出)，微机电系统结构材料层分别填入接触窗开口10、接触窗开口20、接触窗开口30以及凸块开口40中，以分别形成接触窗10a、接触窗20a、接触窗30a以及凸块40a。然后，图案化微机电系统结构材料层，以在微机电系统结构材料层中形成多数个空腔202a-202g。空腔202a-202g分别暴露介电层112的表面。空腔202a-202g与接触窗10a、接触窗20a、接触窗30a以及凸块40a并不重叠。空腔202a、202b位于第一区R1的微机电系统结构200中；而空腔202c-202g则位于第二区R2的微机电系统结构200中。空腔202a-202g分别定义出微机电系统结构200a-200h。在本实施例中，微机电系统结构200b可通过接触窗10a、导体层104以及接触窗20a，与微机电系统结构200d电性连接。微机电系统结构200f则可通过接触窗30a与导体层110电性连接。在一实施例中，微机电系统结构200d与微机电系统结构200f可用以当作所属微机电系统元件的锚定构件(Anchor)。而位于微机电系统结构200d、200f之间的微机电系统结构200e则可用以当作所属微机电系统元件的可动构件。微机电系统结构200的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合，其形成方法可以利用化学气相沉积法来形成。在一实施例中，微机电系统结构200的厚度例如是6μm至9μm。微机电系统结构200的底面与停止层108的顶面之间的距离例如是2μm至3μm。上述距离可视为本实施例的微机电系统结构200e(也即可动构件)的机械运动空间。此外，虽然图1E所示出的微机电系统结构200具有多数个空腔202a-202g，但本发明并不以此为限。在一实施例中，微机电系统结构也可具有至少一空腔。

请参照图1F，在空腔202a-202g中填入介电层204。在本实施例中，介电层204可称为第一介电层。详细地说，先在微机电系统结构200上形成介电材料层(未示出)，介电材料层填入在空腔202a-202g之中。接着，图案化介电材料层，以在第一区R1的介电层204中形成多数个接触窗开口206。介电层204的材料包括硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、旋涂式玻璃(SOG)、高密度电浆氧化物(HDP-Oxide)或其组合，其可以利用化学气相沉积法来形成。介电层204的材料并不限于此，只要具有高填沟(GapFilling)能力的材料均是本发明涵盖的范围。

之后，在介电层204上形成顶盖层208。顶盖层208的形成方法包括在介电层204上形成顶盖材料层(未示出)。顶盖材料层还填入接触窗开口206中，在第一区R1的介电层204中形成多数个接触窗206a。之后，图案化顶盖材料层，以在顶盖层208中形成两个开口50a、50b以及多数个释放孔210。开口50a、50b位于第一区R1的顶盖层208中，位于接触窗206a的两侧。换言之，接触窗206a位于开口50a、50b之间。释放孔210位于第二区R2的顶盖层208中，其暴露出介电层204的表面。在本实施例中，释放孔210与空腔202c-202f可以是部分重叠。而填入空腔202c-202f的介电材料层可视为牺牲结构，其在后续微机电系统结构200的释放工艺(如图1I所示)中被移除，以下段落会详细说明。顶盖层208的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合，其可以利用化学气相沉积法来形成。接着，在顶盖层208上形成介电层212。在本实施例中，介电层212可称为第二介电层。介电层212填入在开口50a、50b以及释放孔210中。介电层212的材料可例如是氧化硅、氮化硅或其组合，其形成方法可以是化学气相沉积法、热氧化法等。

请参照图1G，对介电层212进行平坦化工艺，以形成平坦化的介电层212a。在本实施例中，平坦化工艺可例如是化学机械研磨工艺、回蚀刻或其组合。此外，在进行平坦化工艺之后，也可对衬底100的背面S2进行薄化工艺。此薄化工艺可减少微机电系统元件的厚度，其使得所属微机电系统元件更加轻薄。由于在进行平坦化工艺或薄化工艺的过程中，微机电系统结构200的空腔202a-202g中都有介电层204，因此可以提供微机电系统结构200足够的机械强度。相较于现有微机电系统结构，本实施例的微机电系统结构200的机械强度足以抵抗上述平坦化工艺与薄化工艺的压力，以避免微机电系统结构200的损害或崩塌。因此，本发明可提升所属微机电系统元件良率，以增加其产品的可靠度。在本实施例中，本发明的所属微机电系统元件的良率可达到50％至80％。

请参照图1H，在第一区R1形成与顶盖层208接触的导体垫214。详细地说，首先，图案化平坦化的介电层212a，以形成开口60。开口60暴露出第一区R1的部分顶盖层208的表面。接着，在平坦化的介电层212a与顶盖层208上形成导体材料层(未示出)，导体材料层填入开口60。然后，图案化导体材料层，以在第一区R1的顶盖层208上形成导体垫214。导体材料层的材料包括铜、铝、金、银或其组合，其可以利用物理或化学气相沉积法来形成。导体垫214可通过顶盖层208、接触窗206a、微机电系统结构200b、接触窗10a、导体层104以及接触窗20a，与微机电系统结构200d电性连接。由此可知，本实施例可在导体垫214施加电源，藉此控制微机电系统结构200d、200e、200f的操作。

之后，在导体垫214以及平坦化的介电层212a上形成钝化层216。钝化层216具有开口70。开口70暴露出释放孔210上的平坦化的介电层212a。形成钝化层216的形成方法例如是先在衬底100上形成钝化材料层。接着，利用光刻与蚀刻工艺，图案化钝化材料层。钝化材料层可以是介电材料或是半导体材料，例如是氮化硅、氮化钛、非晶硅或其组合，其可以利用化学气相沉积法来形成。

请参照图1I，进行释放工艺，以移除开口70下方的平坦化的介电层212a以及释放孔210下方的介电层204、介电层112，以释放微机电系统结构200d、200e、200f。释放工艺可以通过蚀刻工艺来进行。在一实施例中，蚀刻工艺包括气相蚀刻工艺、液相蚀刻工艺或其组合。在进行蚀刻的过程中，可以利用停止层108做为蚀刻停止层，以进一步移除微机电系统结构200d、200e、200f下方的介电层112，而形成空腔220、222、224。空腔220与空腔202c相通；空腔222与空腔202d、202e相通；而空腔224与空腔202f相通。换言之，上述蚀刻工艺可做为微机电系统结构200d、200e、200f的释放工艺，其通过移除部分介电层112、204、212，使得微机电系统结构200中的可动构件可以在空腔202c-202f以及空腔220、222、224中进行机械运动。在本实施例中，上述可动构件可例如是微机电系统结构200e，但本发明不限于此，使用者可依设计需求来进行调整。

请参照图1J，在微机电系统结构200上形成密封层218。具体来说，先在钝化层216上形成密封材料层(未示出)。密封材料层填入在释放孔210以及开口70中。在一实施例中，密封层218的材料包括氮化硅、氧化硅或其组合。接着，图案化密封材料层与钝化层216，以形成开口80。开口80暴露出部分导体垫214的表面。钝化层216覆盖部分导体垫214，且位于密封层218与导体垫214之间、以及密封层218与平坦化的介电层212a之间。密封层218可保护下方的微机电系统结构200，以避免微机电系统结构200受到外部环境温度与湿度的影响，进而导致微机电系统结构200腐蚀或损害。另外，被开口80所暴露的导体垫214可用以后续封装工艺中的引线焊接(WireBonding)、共晶、焊接以及芯片倒装焊接(FlipChipBonding)等。

请继续参照图1J，本发明提供一种微机电系统元件300，其包括衬底100、微机电系统结构310、周边结构320、顶盖层208、导体垫214以及密封层218。微机电系统结构310位于衬底100上。微机电系统结构310具有多数个空腔202c-202f。空腔202c-202f将微机电系统结构310分隔成多数个微机电系统结构200d、200e、200f。虽然图1J所示出的微机电系统结构310具有多数个空腔202c-202f，但本发明并不以此为限。在一实施例中，微机电系统结构也可具有至少一空腔。在本实施例中，微机电系统结构200d、200f可例如是所属微机电系统元件300的锚定构件，而微机电系统结构200e则可例如是所属微机电系统元件300的可动构件。微机电系统结构200e可以在空腔202c-202f以及空腔220、222、224中进行机械运动。顶盖层208位于微机电系统结构310与周边结构320上。顶盖层208具有多数个释放孔210。释放孔210位于空腔202c-202f上。密封层218位于微机电系统结构310与周边结构320上。密封层218可保护其下方的微机电系统结构310，以避免外部环境的影响。

导体垫214与周边结构320位于微机电系统结构310一侧的衬底100上。导体垫214位于周边结构320的顶盖层208上。导体垫214可通过顶盖层208和接触窗206a，与周边结构320电性连接。周边结构320可通过接触窗10a、导体层104以及接触窗20a，与微机电系统结构310电性连接。换言之，导体垫214与周边结构320以及微机电系统结构310电性连接。未被密封层218覆盖的导体垫214则可用于后续封装工艺。另外，本实施例的微机电系统元件300还包括钝化层216，其覆盖部分导体垫214，且位于密封层218与导体垫214、平坦化的介电层212a之间。

图2是依照本发明的另一实施例所示出的微机电系统元件的剖面示意图。

请参照图2，图2的微机电系统元件400与图1J的微机电系统元件300相似，其不同之处在于：图2的微机电系统元件400还包括支撑结构412a。详细地说，支撑结构412a穿插在微机电系统结构410中，通过接触窗414a与导体层104连接，又通过接触窗416a与顶盖层208连接，以强化微机电系统结构410与顶盖层208的机械强度。在另一实施例中，微机电系统元件400中可以还包括支撑结构412b、支撑结构412c或其二者。更具体地说，支撑结构412b通过接触窗414b与导体层110连接，又通过接触窗416b与顶盖层208连接。支撑结构412c通过接触窗414c与导体层110连接，又通过接触窗416c与顶盖层208连接。因此，在形成密封层218之后，对微机电系统元件400进行大晶片切割工艺与封装工艺时，支撑结构412a-412c可以更进一步强化微机电系统结构410的机械强度，以避免其损害或崩塌。

综上所述，本发明的微机电系统元件利用原位式顶盖层，可减少芯片面积，进而降低成本。另一方面，相较于非原位式顶盖，本发明利用原位式顶盖层可降低所属微机电系统元件的高度与厚度，藉此提升封装工艺的弹性。

此外，本发明在进行平坦化工艺与薄化工艺之后才释放微机电系统结构。由于在进行平坦化工艺之前，微机电系统结构的空腔中具有介电层，因此，介电层可提升本发明的微机电系统结构的机械强度，以抵抗上述平坦化工艺与薄化工艺的压力，避免微机电系统结构的损害或崩塌。如此一来，便可提升所属微机电系统元件的良率，以增加其产品的可靠度。另外，本发明的微机电系统元件还包括多数个支撑结构。此支撑结构穿插在微机电系统结构中，其可更加强化本发明的微机电系统结构与顶盖层的机械强度，以避免本发明的微机电系统结构在进行后续晶片(Wafer)切割工艺与封装工艺时发生损害或崩塌的情况。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种微机电系统元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成微机电系统结构在衬底上，所述微机电系统结构具有至少一空腔；

形成第一介电层，覆盖在所述微机电系统结构上，并填入在所述至少一空腔中；

形成顶盖层在所述第一介电层上，所述顶盖层具有多数个释放孔，其中所述释放孔位于所述微机电系统结构上；

形成第二介电层在所述顶盖层上，所述第二介电层填入在所述释放孔中；

对所述第二介电层进行平坦化工艺，以形成平坦化的第二介电层，其中所述第一介电层仍在所述微机电系统结构上以及所述至少一空腔中；以及

进行释放工艺，以移除所述释放孔上方的所述平坦化的第二介电层以及下方的所述第一介电层。

2.根据权利要求1所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，在形成所述微机电系统结构之前，还包括在对应于所述微机电系统结构下方的所述衬底上形成停止层。

3.根据权利要求1所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，还包括在所述微机电系统结构中形成多数个支撑结构，分别连接所述顶盖层与所述微机电系统结构下方的导体层。

4.根据权利要求1所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，所述释放工艺包括蚀刻工艺，所述蚀刻工艺包括气相蚀刻工艺、液相蚀刻工艺或其组合。

5.根据权利要求1所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，还包括在进行所述释放工艺之后，形成密封层覆盖所述微机电系统结构。

6.根据权利要求1所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，还包括在进行所述释放工艺之前，形成导体垫在所述平坦化的介电层上，所述导体垫与所述顶盖层连接。

7.根据权利要求6所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，还包括在形成所述导体垫之后，形成钝化层在所述平坦化的第二介电层上，所述钝化层覆盖部分所述导体垫，且所述钝化层具有开口，暴露出部分所述释放孔上的所述平坦化的第二介电层。

8.根据权利要求7所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、氮化钛、非晶硅或其组合。

9.根据权利要求1所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，所述平坦化工艺包括化学机械研磨工艺、回蚀刻或其组合。

10.一种微机电系统元件，其特征在于，包括：

微机电系统结构，位于衬底上，所述微机电系统结构中具有至少一空腔；

周边结构，位于所述微机电系统结构一侧的所述衬底上；

顶盖层，位于所述微机电系统结构与所述周边结构上；

导体垫，位于所述周边结构的所述顶盖层上，其通过所述顶盖层与所述周边结构电性连接；以及

密封层，覆盖所述微机电系统结构，且覆盖部分所述导体垫。

11.根据权利要求10所述的微机电系统元件，其特征在于，还包括多数个支撑结构，位于所述微机电系统结构中，分别连接所述顶盖层与所述微机电系统结构下方的导体层。

12.根据权利要求11所述的微机电系统元件，其特征在于，所述支撑结构的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合。

13.根据权利要求10所述的微机电系统元件，其特征在于，还包括钝化层，覆盖部分所述导体垫，且位于所述导体垫与所述密封层之间。

14.根据权利要求13所述的微机电系统元件，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、氮化钛、非晶硅或其组合。

15.根据权利要求10所述的微机电系统元件，其特征在于，所述微机电系统结构的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合。

16.根据权利要求10所述的微机电系统元件，其特征在于，所述顶盖层的材料包括掺杂多晶硅、非掺杂多晶硅、单晶硅或其组合。

17.根据权利要求10所述的微机电系统元件，其特征在于，所述密封层的材料包括氮化硅、氧化硅或其组合。

18.一种微机电系统元件的制造方法，其特征在于，包括：

依次形成顶盖层与介电层在微机电系统结构上，所述微机电系统结构中具有多数个牺牲结构，而所述顶盖层具有多数个释放孔，其中所述释放孔位于所述牺牲结构上；

对所述介电层进行平坦化工艺，其中所述牺牲结构位于所述微机电系统结构中；以及

移除所述牺牲结构，以在所述微机电系统结构中形成至少一空腔。

19.根据权利要求18所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，还包括形成密封层在所述顶盖层上，所述密封层填入所述顶盖层的所述释放孔中，以密封所述微机电系统结构。

20.根据权利要求18所述的微机电系统元件的制造方法，其特征在于，还包括形成多数个支撑结构在所述微机电系统结构中。