CN105761760A - 实现冗余功能存储器芯片测试的方法 - Google Patents

实现冗余功能存储器芯片测试的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105761760A
CN105761760A CN201610086766.5A CN201610086766A CN105761760A CN 105761760 A CN105761760 A CN 105761760A CN 201610086766 A CN201610086766 A CN 201610086766A CN 105761760 A CN105761760 A CN 105761760A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
address
memory
sub
memory chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610086766.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105761760B (zh
Inventor
朱渊源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201610086766.5A priority Critical patent/CN105761760B/zh
Publication of CN105761760A publication Critical patent/CN105761760A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105761760B publication Critical patent/CN105761760B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本发明公开了一种实现冗余功能存储器芯片测试的方法，其把存储器芯片主区域测试向量按最小冗余单元进行分割，做成子测试向量组；针对每个测试项目分别运行子测试向量组，读出子测试向量组的每个向量的测试结果；把失效向量的序号换算成失效单元地址存放在内存变量中，不同测试项目的子测试向量组测试出的失效单元地址存放在不同的内存变量中，并累积计算每个测试项目的失效单元个数及地址；根据每个测试项目的失效单元个数及地址，统计得出存储器芯片主区域失效单元数的总和以及失效地址。本发明的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，可以利用自带数字向量发生器的数字测试机实现和存储器测试机相同的冗余功能存储器芯片测试，降低测试成本。

Description

实现冗余功能存储器芯片测试的方法
技术领域
本发明涉及芯片测试技术，特别涉及了一种实现冗余功能存储器芯片测试的方法。
背景技术
目前在测试存储器芯片(MemoryIC)时为了提高测试良品率，会增加冗余单元(RedundancySector)，作用是当检测到芯片主区域(mainarray)有失效单元(failbitcell)时，可以用冗余单元来替换主区域的失效单元，替换方式一般有硬件替换和软件替换两种，现在比较通用方法是软件替换。
要测试这类芯片一般需要用专用的存储器测试机(MemoryTester)，因为存储器测试机会带有一种特殊的RAM，用来存储被测芯片(DUT)失效单元的地址，一般简称ECR或AFM(见附图1)。这块RAM可以记录测试流程中各个测试项累计测试的失效单元地址，并在流程最后统计出失效单元数的总和以及失效地址，用冗余单元来替换失效单元。以上是存储器测试机用ECR来测试带冗余功能芯片的测试机理，非常方便，但存储器测试机一般来说价格比较昂贵，并且使用ECR或AFM需要支付一定的有偿许可(license)。
存储器测试机(MemoryTester)一测试实例如图1所示，某存储器芯片由X地址10个单元、Y地址8个单元组成，测试流程包含3个测试项，第1个项目失效单元是(0，0)、(3，2)存储地址，第2个项目失效单元是(6，2)、(4，5)存储地址，第3个项目失效单元是(3，2)、(8，7)存储地址。在实际测试过程中，存储器测试机(MemoryTester)的ECR可以记录测试流程中各个测试项累计测试的失效单元地址，第1个项目ECR记录的失效个数是2，失效单元是(0，0)、(3，2)存储地址，第2个项目ECR记录的失效个数是4，失效单元是(0，0)、(3，2)、(6，2)、(4，5)存储地址，第3个项目ECR记录的失效个数是5，失效单元是(0，0)、(3，2)、(6，2)、(4，5)、(8，7)，并在流程最后统计出失效单元数的总和以及失效地址。该实例中，因为(3，2)地址在第1个项目及第3个项目中都有失效，ECR不会重复统计，因此最后统计出的失效地址个数是5，并且(3，2)地址不会重复统计。在最后，存储器测试机(MemoryTester)会通过特殊模式用冗余单元来替换失效单元，见附图2，以确保测试通过后到后端用户处的芯片是良品。
数字测试机(DigitalTester)价格相对比较低，但数字测试机不具备ECR或AFM模块，所以要实现冗余功能测试会相当有难度，如何用数字测试机具备测试冗余单元的存储器芯片成为了测试工程师的巨大挑战。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种实现冗余功能存储器芯片测试的方法，可以利用自带数字向量发生器的数字测试机实现和存储器测试机相同的冗余功能存储器芯片测试，降低测试成本。
为解决上述技术问题，本发明提供的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，其包括以下步骤：
一、把存储器芯片主区域测试向量按最小冗余单元进行分割，做成子测试向量组；
二、针对每个测试项目分别运行子测试向量组，读出子测试向量组的每个向量的测试结果；
三、把失效向量的序号换算成失效单元地址存放在内存变量中，不同测试项目的子测试向量组测试出的失效单元地址存放在不同的内存变量中，并累积计算每个测试项目的失效单元个数及地址；
四、根据每个测试项目的失效单元个数及地址，统计得出存储器芯片主区域失效单元数的总和以及失效地址。
较佳的，利用自带数字向量发生器的数字测试机实现冗余功能存储器芯片测试。
较佳的，最小冗余单元是一个存储单元，存储器芯片由X地址10个单元、Y地址8个单元组成。
较佳的，测试项目为3个。
本发明的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，把存储器芯片主区域测试向量按最小冗余单元进行分割，做成子测试向量组，针对每个测试项目分别运行子测试向量组，读出子测试向量组每个向量的测试结果，把失效向量的序号换算成失效单元地址存放在内存变量中，不同测试项目的子测试向量组测试出的失效单元地址存放在不同的内存变量中，并累积计算每个测试项目的失效单元个数及地址，在流程最后统计得出存储器芯片的失效单元数总和以及失效地址。本发明的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，可以利用自带数字向量发生器(DigitalPatternGenerator)的数字测试机实现和存储器测试机相同的冗余功能存储器芯片测试，由于数字测试机不需要具备特殊的RAM(ECR或AFM)来存储被测存储器芯片(DUT)失效单元的地址，价格低，降低了测试成本。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是存储器测试机进行存储器芯片测试示意图；
图2是用冗余单元来替换失效单元示意图；
图3是本发明的实现冗余功能存储器芯片测试的方法一实施例流程图；
图4是本发明的实现冗余功能存储器芯片测试的方法一实施存储器芯片主区域测试向量分割成子测试向量组示意图；
图5是本发明的实现冗余功能存储器芯片测试的方法一实施用数字测试机测试示意图。
具体实施方式
实施例一
实现冗余功能存储器芯片测试的方法，如图3所示，包括以下步骤：
一、把存储器芯片主区域(mainarray)测试向量按最小冗余单元(RedundancySector)进行分割，做成子测试向量组，如图4所示；
二、针对每个测试项目分别运行子测试向量组，读出子测试向量组的每个向量的测试结果(PASS(通过)或FAIL(失效))；
三、把失效向量的序号换算成失效单元地址存放在内存变量中，不同测试项目的子测试向量组测试出的失效单元地址存放在不同的内存变量中，并累积计算每个测试项目的失效单元个数及地址；
四、根据每个测试项目的失效单元个数及地址，统计得出存储器芯片主区域失效单元数总和以及失效地址。
实施例一的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，把存储器芯片主区域测试向量按最小冗余单元进行分割，做成子测试向量组，针对每个测试项目分别运行子测试向量组，读出子测试向量组每个向量的测试结果，把失效向量的序号换算成失效单元地址存放在内存变量中，不同测试项目的子测试向量组测试出的失效单元地址存放在不同的内存变量中，并累积计算每个测试项目的失效单元个数及地址，在流程最后统计得出存储器芯片的失效单元数总和以及失效地址。实施例一的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，可以利用自带数字向量发生器(DigitalPatternGenerator)的数字测试机实现和存储器测试机相同的冗余功能存储器芯片测试，如图5所示，由于数字测试机不需要具备特殊的RAM(ECR或AFM)来存储被测存储器芯片(DUT)失效单元的地址，价格低，降低了测试成本。
实施例二
基于实施例一的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，如图4、图5所示，最小冗余单元是一个存储单元，存储器芯片由X地址10个单元、Y地址8个单元组成。
较佳的，测试流程包含3个测试项目。
实施例二的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，存储器芯片需要检测从地址(0，0)到地址(9，7)一共80个存储单元的功能，因为最小冗余单元是一个存储单元，所以把主测试向量分割成80个子测试向量，每个子测试向量分别检测1个存储单元的功能，把80个子测试向量做成子测试向量组。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种实现冗余功能存储器芯片测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、把存储器芯片主区域测试向量按最小冗余单元进行分割，做成子测试向量组；
二、针对每个测试项目分别运行子测试向量组，读出子测试向量组的每个向量的测试结果；
三、把失效向量的序号换算成失效单元地址存放在内存变量中，不同测试项目的子测试向量组测试出的失效单元地址存放在不同的内存变量中，并累积计算每个测试项目的失效单元个数及地址；
四、根据每个测试项目的失效单元个数及地址，统计得出存储器芯片主区域失效单元数的总和以及失效地址。
2.根据权利要求1所述的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，其特征在于，
利用自带数字向量发生器的数字测试机实现冗余功能存储器芯片测试。
3.根据权利要求1所述的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，其特征在于，
最小冗余单元是一个存储单元，存储器芯片由X地址10个单元、Y地址8个单元组成。
4.根据权利要求1所述的实现冗余功能存储器芯片测试的方法，其特征在于，
测试项目为3个。
CN201610086766.5A 2016-02-16 2016-02-16 实现冗余功能存储器芯片测试的方法 Active CN105761760B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610086766.5A CN105761760B (zh) 2016-02-16 2016-02-16 实现冗余功能存储器芯片测试的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610086766.5A CN105761760B (zh) 2016-02-16 2016-02-16 实现冗余功能存储器芯片测试的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105761760A true CN105761760A (zh) 2016-07-13
CN105761760B CN105761760B (zh) 2019-01-04

Family

ID=56330789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610086766.5A Active CN105761760B (zh) 2016-02-16 2016-02-16 实现冗余功能存储器芯片测试的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105761760B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039084A (zh) * 2017-03-01 2017-08-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5889936A (en) * 1995-11-22 1999-03-30 Cypress Semiconductor Corporation High speed asynchronous digital testing module
US6298458B1 (en) * 1999-01-04 2001-10-02 International Business Machines Corporation System and method for manufacturing test of a physical layer transceiver
US20090116325A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 International Business Machines Corporation On-chip characterization of noise-margins for memory arrays
CN102103643A (zh) * 2011-01-24 2011-06-22 苏州瀚瑞微电子有限公司 芯片测试中存储测试向量的方法
CN102290088A (zh) * 2011-07-04 2011-12-21 上海宏力半导体制造有限公司 存储器及其冗余替代方法
CN102967815A (zh) * 2012-11-07 2013-03-13 北京华大信安科技有限公司 芯片测试方法、自动化测试机和系统
CN103824600A (zh) * 2014-03-05 2014-05-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器测试方法及装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5889936A (en) * 1995-11-22 1999-03-30 Cypress Semiconductor Corporation High speed asynchronous digital testing module
US6298458B1 (en) * 1999-01-04 2001-10-02 International Business Machines Corporation System and method for manufacturing test of a physical layer transceiver
US20090116325A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 International Business Machines Corporation On-chip characterization of noise-margins for memory arrays
CN102103643A (zh) * 2011-01-24 2011-06-22 苏州瀚瑞微电子有限公司 芯片测试中存储测试向量的方法
CN102290088A (zh) * 2011-07-04 2011-12-21 上海宏力半导体制造有限公司 存储器及其冗余替代方法
CN102967815A (zh) * 2012-11-07 2013-03-13 北京华大信安科技有限公司 芯片测试方法、自动化测试机和系统
CN103824600A (zh) * 2014-03-05 2014-05-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器测试方法及装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039084A (zh) * 2017-03-01 2017-08-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法
CN107039084B (zh) * 2017-03-01 2020-04-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105761760B (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7984345B2 (en) Test apparatus and test method
US8605527B2 (en) Mechanisms for built-in self test and repair for memory devices
CN107039084B (zh) 带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法
US9575125B1 (en) Memory device with reduced test time
KR101133689B1 (ko) 리페어 분석 장치 및 방법
KR101211042B1 (ko) 고장 정보 저장장치 및 저장방법
CN100446129C (zh) 一种内存故障测试的方法及系统
CN104484131B (zh) 多磁盘服务器的数据处理装置及对应的处理方法
CN110148435A (zh) 一种闪存颗粒筛选分级方法
US20120036404A1 (en) Control apparatus and control method
CN101361140A (zh) 测试装置
US20210065831A1 (en) Scrub management in storage class memory
US7757134B2 (en) Test apparatus for testing a memory and electronic device housing a circuit
KR101753353B1 (ko) 반도체 시험 장치
CN112579382A (zh) 一种NVMe固态硬盘坏块解析方法、装置、终端及存储介质
CN115687951A (zh) 一种混合电子系统的可靠性评估方法及装置
CN105761760A (zh) 实现冗余功能存储器芯片测试的方法
CN103021467A (zh) 故障诊断电路
CN106326029A (zh) 一种用于电力仪表的数据存储方法
Lu et al. Synergistic reliability and yield enhancement techniques for embedded SRAMs
US20120229155A1 (en) Semiconductor integrated circuit, failure diagnosis system and failure diagnosis method
Lv et al. Efficient repair analysis algorithm exploration for memory with redundancy and in-memory ECC
US20200082902A1 (en) Semiconductor device
US20090094494A1 (en) Semiconductor integrated circuit and method of testing same
CN116631486A (zh) 一种低复杂度内存内置自测试电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant