CN105743488A - 一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路 - Google Patents

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CN105743488A CN201610048457.9A CN201610048457A CN105743488A CN 105743488 A CN105743488 A CN 105743488A CN 201610048457 A CN201610048457 A CN 201610048457A CN 105743488 A CN105743488 A CN 105743488A
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Abstract

本发明公开了一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路，用于实现高电平不同的多个设备之间的双向电平转换。方法包括：当第一设备输出电平信号时，根据电平信号判断双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通；当N_MOS场效应管被截止时，利用第一设备总线上连接的上拉电阻将第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；当N_MOS场效应管导通时，将第二设备的电平下拉至低电平。该技术方案实现了仅通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管即可达到双向电平转换的目的，且无需采用集成电路，降低了双向电平转换的成本。

Description

一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路。
背景技术
电子线路常会有某些信号为实现特定功能而要求其逻辑电平能够在高低之间进行转换。目前，许多MID互联网装置、通信设备及智能家居的设计中，高低电平之间的转换通常采用电平转换集成电路来完成，这种集成电路成本较高，且实现起来较为复杂。
发明内容
本发明实施例提供一种双向电平转换方法、装置及双向电平转换电路，用于实现高电平不同的多个设备之间的双向电平转换。
一种双向电平转换方法，应用于双向电平转换电路，包括以下步骤：
当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电平；
当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；
当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；
其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。
本发明实施例的一些有益效果可以包括：
上述技术方案，通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管，使得N_MOS场效应管被截止时能够将第一设备和第二设备的电平上拉至高电平，并在N_MOS场效应管导通时将第二设备的电平下拉至低电平，实现了仅通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管即可达到双向电平转换的目的，且无需采用集成电路，降低了双向电平转换的成本。
在一个实施例中，所述第一预设高电平和所述第二预设高电平的电平值不同。
在一个实施例中，所述根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，包括：
根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差；
判断所述压差是否大于或等于预设压差阈值；
当所述压差大于或等于预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管导通；
当所述压差小于所述预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管被截止。
该实施例中，能够通过N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差来确定N_MOS场效应管是否导通，使得N_MOS场效应管的导通与否的确定更加简便准确，从而有效地实现两个设备间的双向电平转换。
在一个实施例中，所述根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：
当所述电平信号为所述第一预设高电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；
确定所述压差小于所述预设压差阈值。
该实施例中，能够在第一设备输出的电平信号为第一预设高电平时确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零，从而确定N_MOS场效应管被截止，从而使得N_MOS场效应管的导通与否的确定更加简便准确，从而有效地实现两个设备间的双向电平转换。
在一个实施例中，所述第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于所述预设压差阈值；所述第一预设高电平大于或等于所述预设压差阈值；根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：
当所述电平信号为所述低电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压为所述第三预设高电平，并确定所述N_MOS场效应管的源极电压为低电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为所述第三预设高电平；
确定所述压差大于或等于所述预设压差阈值。
该实施例中，能够在第一设备输出的电平信号为低电平时确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差大于或等于预设压差阈值，从而确定N_MOS场效应管导通，从而使得N_MOS场效应管的导通与否的确定更加简便准确，从而有效地实现两个设备间的双向电平转换。
一种双向电平转换装置，应用于双向电平转换电路，所述装置包括：
判断模块，用于当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电平；
上拉模块，用于当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；
下拉模块，用于当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；
其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。
在一个实施例中，所述判断模块包括：
第一确定子模块，用于根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差；
判断子模块，用于判断所述压差是否大于或等于预设压差阈值；
第二确定子模块，用于当所述压差大于或等于预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管导通；
第三确定子模块，用于当所述压差小于所述预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管被截止。
在一个实施例中，所述第一确定子模块包括：
第一确定单元，用于当所述电平信号为所述第一预设高电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
第二确定单元，用于确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；
第三确定单元，用于确定所述压差小于所述预设压差阈值。
在一个实施例中，所述第一确定子模块包括：
第四确定单元，用于当所述电平信号为所述低电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压为所述第三预设高电平，并确定所述N_MOS场效应管的源极电压为低电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
第五确定单元，用于确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为所述第三预设高电平；
第六确定单元，用于确定所述压差大于或等于所述预设压差阈值；
其中，所述第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于所述预设压差阈值。
一种双向双向电平转换电路，包括第一设备、第二设备以及串联于所述第一设备和所述第二设备之间的N_MOS场效应管；其中，所述第一设备和所述第二设备的总线上分别连接有上拉电阻，所述N_MOS场效应管被截止时，所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，所述第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备的电平上拉至第二预设高电平，所述N_MOS场效应管导通时，所述第二设备的电平被下拉至低电平。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中一种双向电平转换方法的流程图；
图2为本发明实施例中一种双向电平转换方法中N_MOS场效应管的结构示意图；
图3为本发明实施例中一种双向电平转换方法中步骤S11的流程图；
图4为本发明实施例中一种双向电平转换方法中步骤S31的流程图；
图5为本发明实施例中一种双向电平转换方法中步骤S31的流程图；
图6为本发明实施例中一种双向电平转换装置的框图；
图7为本发明实施例中一种双向电平转换装置中判断模块的框图；
图8为本发明实施例中一种双向电平转换装置中第一确定子模块的框图；
图9为本发明实施例中一种双向电平转换装置中第一确定子模块的框图；
图10为本发明实施例中一种双向双向电平转换电路的框图；
图11为本发明一具体实施例示出的一种双向电平转换电路的电路结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
图1为本发明实施例提供的一种双向电平转换方法的流程图。该双向电平转换方法应用于双向电平转换电路中，其中，双向电平转换电路包括第一设备、第二设备以及N_MOS场效应管，第一设备和第二设备的总线上分别连接有上拉电阻，N_MOS场效应管串联于第一设备和第二设备之间。如图1所示，该方法包括以下步骤S11-S13：
步骤S11，当第一设备输出电平信号时，根据电平信号判断双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通。
其中，第一设备输出的电平信号为第一预设高电平或者低电平。
步骤S12，当N_MOS场效应管被截止时，利用第一设备总线上连接的上拉电阻将第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平。
步骤S13，当N_MOS场效应管导通时，将第二设备的电平下拉至低电平。
本实施例中，低电平即为零电平。
为实现双向电平转换功能，第一预设高电平和第二预设高电平的电平值应不同。
本发明实施例的一些有益效果可以包括：
上述技术方案，通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管，使得N_MOS场效应管被截止时能够将第一设备和第二设备的电平上拉至高电平，并在N_MOS场效应管导通时将第二设备的电平下拉至低电平，实现了仅通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管即可达到双向电平转换的目的，且无需采用集成电路，降低了双向电平转换的成本。
图2为本发明实施例中N_MOS场效应管的结构示意图。如图2所示，G为N_MOS场效应管的栅极，S为N_MOS场效应管的源极，D为N_MOS场效应管的漏极。该N_MOS场效应管中连接有体二极管，如图2所示，体二极管的一端与N_MOS场效应管的漏极连接，另一端与N_MOS场效应管的源极连接。该N_MOS场效应管的工作原理为：如果栅极和源极之间的压差VGS达到预设压差阈值，则N_MOS场效应管导通；反之，如果栅极和源极之间的压差VGS未达到预设压差阈值，则N_MOS场效应管被截止。因此，步骤S11可实施为如图3所示的步骤S31-S34：
步骤S31，根据电平信号，确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差。
步骤S32，判断压差是否大于或等于预设压差阈值。当压差大于或等于预设压差阈值时，执行步骤S33；当压差小于预设压差阈值时，执行步骤S34。
其中，由电子元器件特性可知，N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的预设压差阈值位于0.65V～1.2V之间。
步骤S33，确定N_MOS场效应管导通。
步骤S34，确定N_MOS场效应管被截止。
在双向电平转换电路中，第一设备对应的第一预设高电平和第二设备对应的第二预设高电平的电平值不同，N_MOS场效应管的漏极与二者之中较高的预设高电平对应的设备的总线连接，源极与二者之中较低的预设高电平对应的设备的总线连接，栅极则连接至二者之中较低的预设高电平对应的设备的预设高电平电压。举例而言，如果第一设备对应的第一预设高电平高于第二设备对应的第二预设高电平，则N_MOS场效应管的漏极与第一设备上的总线连接，源极与第二设备上的总线连接，栅极则连接至第二设备的第二预设高电平电压。
基于上述的连接方式，下面分别针对第一设备输出的电平信号是高电平还是低电平，来说明如何根据第一设备输出的高电平判断N_MOS场效应管是否导通。
在一个实施例中，第一设备输出高电平，如图4所示，步骤S31可实施为以下步骤S41-S43：
步骤S41，当电平信号为第一预设高电平时，确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平；其中，第三预设高电平为第一预设高电平和第二预设高电平中电平值较低的预设高电平。
步骤S42，确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零。
步骤S43，确定压差小于预设压差阈值。
也就是说，当第一设备输出第一预设高电平时，N_MOS场效应管被截止，又由于N_MOS场效应管内部体二极管的单向导电性，使得第一设备总线上连接的上拉电阻将第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，且第二设备总线上连接的上拉电阻将第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平，进而实现第一设备和第二设备之间双向电平的转换。
举例而言，当第一预设高电平高于第二预设高电平时，N_MOS场效应管的漏极与第一设备上的总线连接，源极与第二设备上的总线连接，栅极则连接至第二设备的第二预设高电平电压，且第三预设高电平等于第二预设高电平。此时，当第一设备输出第一预设高电平时，N_MOS场效应管的源极电压被第二设备上的上拉电阻上拉至第二预设高电平，栅极由于连接至第二预设高电平电压，因此栅极电压也为第二预设高电平电压。因此，源极电压和栅极电压之间的压差VGS为零，必然小于预设压差阈值，N_MOS场效应管被截止。
再例如，当第一预设高电平低于第二预设高电平时，N_MOS场效应管的漏极与第二设备上的总线连接，源极与第一设备上的总线连接，栅极则连接至第一设备的第一预设高电平电压，且第三预设高电平等于第一预设高电平。此时，当第一设备输出第一预设高电平时，N_MOS场效应管的源极电压被第一设备上的上拉电阻上拉至第一预设高电平，栅极由于连接至第一预设高电平电压，因此栅极电压也为第一预设高电平电压。因此，源极电压和栅极电压之间的压差VGS为零，必然小于预设压差阈值，N_MOS场效应管被截止。
由此可见，无论是第一设备还是第二设备输出高电平，都可使二者之间连接的N_MOS场效应管被截止，从而使第一设备和第二设备总线上的电平均被各自的上拉电阻拉至高电平，即，第一设备总线上的电平被上拉至第一预设高电平，第二设备总线上的电平被上拉至第二预设高电平，从而实现了双向电平的转换。
在一个实施例中，第一设备输出低电平，第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于预设压差阈值。如图5所示，步骤S31还可实施为以下步骤S51-S53：
步骤S51，当电平信号为低电平时，确定N_MOS场效应管的栅极电压为第三预设高电平，并确定N_MOS场效应管的源极电压为低电平；其中，第三预设高电平为第一预设高电平和第二预设高电平中电平值较低的预设高电平。
步骤S52，确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为第三预设高电平。
步骤S53，确定压差大于或等于预设压差阈值。
也就是说，当第一设备输出低电平时，N_MOS场效应管导通，又由于N_MOS场效应管内部体二极管的单向导电性，使得第二设备的电平被下拉至低电平，即，其中一个设备输出低电平时，另一设备的电平也被下拉至低电平，从而实现第一设备和第二设备之间的“线与”的功能。
举例而言，当第一预设高电平高于第二预设高电平时，N_MOS场效应管的漏极与第一设备上的总线连接，源极与第二设备上的总线连接，栅极则连接至第二设备的第二预设高电平电压，且第三预设高电平等于第二预设高电平。此时，当第一设备输出低电平时，N_MOS场效应管的漏极电压被下拉，使得源极电压也被下拉至低电平，即第二设备总线上的电平被下拉至低电平，而栅极由于连接至第二预设高电平电压，因此栅极电压仍为第二预设高电平电压，因此，栅极电压和源极电压之间的压差VGS为第二预设高电平，大于或等于预设压差阈值，N_MOS场效应管导通。
再例如，当第一预设高电平低于第二预设高电平时，N_MOS场效应管的漏极与第二设备上的总线连接，源极与第一设备上的总线连接，栅极则连接至第一设备的第一预设高电平电压，且第三预设高电平等于第一预设高电平。此时，当第一设备输出低电平时，N_MOS场效应管的源极电压被下拉至低电平，即第一设备总线上的电平被下拉至低电平，而栅极由于连接至第一预设高电平电压，因此栅极电压仍为第一预设高电平电压，因此，栅极电压和源极电压之间的压差VGS为第一预设高电平，大于或等于预设压差阈值，N_MOS场效应管导通。
由此可见，无论是第一设备还是第二设备输出低电平，都可使二者之间连接的N_MOS场效应管导通，从而使第一设备输出低电平时，第二设备总线上的电平被下拉至低电平，第二设备输出低电平时，第一设备总线上的电平也被下拉至低电平，从而在第一设备和第二设备之间实现了“线与”的功能。
对应于上述实施例中的双向电平转换方法，本发明还提供一种双向电平转换装置，用于执行上述方法。
图6为本发明实施例中一种双向电平转换装置的框图。如图6所示，该装置应用于双向电平转换电路，包括：
判断模块61，用于当第一设备输出电平信号时，根据电平信号判断双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，电平信号为第一预设高电平或者低电平；
上拉模块62，用于当N_MOS场效应管被截止时，利用第一设备总线上连接的上拉电阻将第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；
下拉模块63，用于当N_MOS场效应管导通时，将第二设备的电平下拉至低电平；
其中，N_MOS场效应管串联于第一设备和第二设备之间。
在一个实施例中，如图7所示，判断模块61包括：
第一确定子模块611，用于根据电平信号，确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差；
判断子模块612，用于判断压差是否大于或等于预设压差阈值；
第二确定子模块613，用于当压差大于或等于预设压差阈值时，确定N_MOS场效应管导通；
第三确定子模块614，用于当压差小于预设压差阈值时，确定N_MOS场效应管被截止。
在一个实施例中，如图8所示，第一确定子模块611包括：
第一确定单元6111，用于当电平信号为第一预设高电平时，确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平，第三预设高电平为第一预设高电平和第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
第二确定单元6112，用于确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；
第三确定单元6113，用于确定压差小于预设压差阈值。
在一个实施例中，如图9所示，第一确定子模块611包括：
第四确定单元6114，用于当电平信号为低电平时，确定N_MOS场效应管的栅极电压为第三预设高电平，并确定N_MOS场效应管的源极电压为低电平，第三预设高电平为第一预设高电平和第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
第五确定单元6115，用于确定N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为第三预设高电平；
第六确定单元6116，用于确定压差大于或等于预设压差阈值；
其中，第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于预设压差阈值。
本发明实施例的一些有益效果可以包括：
上述装置，通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管，使得N_MOS场效应管被截止时能够将第一设备和第二设备的电平上拉至高电平，并在N_MOS场效应管导通时将第二设备的电平下拉至低电平，实现了仅通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管即可达到双向电平转换的目的，且无需采用集成电路，降低了双向电平转换的成本。
图10为本发明实施例提供的一种双向双向电平转换电路的框图。如图10所示，双向双向电平转换电路100包括：第一设备101、第二设备102以及串联于第一设备101和第二设备102之间的N_MOS场效应管103；其中，第一设备101和第二设备102的总线上分别连接有上拉电阻，N_MOS场效应管103被截止时，第一设备101总线上连接的上拉电阻将第一设备101总线上的电平上拉至第一预设高电平，第二设备102总线上连接的上拉电阻将第二设备102的电平上拉至第二预设高电平，N_MOS场效应管103导通时，第二设备102的电平被下拉至低电平。
图11为本发明一具体实施例示出的一种双向电平转换电路的电路结构图。如图11所示，当第一设备为左侧的5V设备时，第一预设高电平为5V，第二设备则为右侧的3V设备，且第二预设高电平为3V；当第一设备为右侧的3V设备时，第一预设高电平为3V，第二设备则为左侧的5V设备，且第二预设高电平为5V。
Q6和Q7分别为两个N_MOS场效应管。
总线EXT_RXD为5V设备的串行接收端，总线EXT_TXD为5V设备的串行发送端，其串行接收端和串行发送端上分别连接有上拉电阻R797和R802，使得总线上的电平可被上拉至高电平5V。
总线UART2-RX为3V设备的串行接收端，总线UART2-TX为3V设备的串行发送端，其串行接收端和串行发送端上分别连接有上拉电阻R798和R799，使得总线上的电平可被上拉至高电平3V。
上述双向电平转换电路，通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管，使得N_MOS场效应管被截止时能够将第一设备和第二设备的电平上拉至高电平，并在N_MOS场效应管导通时将第二设备的电平下拉至低电平，实现了仅通过在第一设备和第二设备之间连接N_MOS场效应管即可达到双向电平转换的目的，且无需采用集成电路，降低了双向电平转换的成本。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种双向电平转换方法，其特征在于，应用于双向电平转换电路，所述方法包括：
当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电平；
当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；
当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；
其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设高电平和所述第二预设高电平的电平值不同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，包括：
根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差；
判断所述压差是否大于或等于预设压差阈值；
当所述压差大于或等于预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管导通；
当所述压差小于所述预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管被截止。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：
当所述电平信号为所述第一预设高电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；
确定所述压差小于所述预设压差阈值。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于所述预设压差阈值；根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差，包括：
当所述电平信号为所述低电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压为所述第三预设高电平，并确定所述N_MOS场效应管的源极电压为低电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为所述第三预设高电平；
确定所述压差大于或等于所述预设压差阈值。
6.一种双向电平转换装置，其特征在于，应用于双向电平转换电路，所述装置包括：
判断模块，用于当第一设备输出电平信号时，根据所述电平信号判断所述双向电平转换电路中的N_MOS场效应管是否导通，所述电平信号为第一预设高电平或者低电平；
上拉模块，用于当所述N_MOS场效应管被截止时，利用所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，并利用第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备总线上的电平上拉至第二预设高电平；
下拉模块，用于当所述N_MOS场效应管导通时，将所述第二设备的电平下拉至低电平；
其中，所述N_MOS场效应管串联于所述第一设备和所述第二设备之间。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述判断模块包括：
第一确定子模块，用于根据所述电平信号，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差；
判断子模块，用于判断所述压差是否大于或等于预设压差阈值；
第二确定子模块，用于当所述压差大于或等于预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管导通；
第三确定子模块，用于当所述压差小于所述预设压差阈值时，确定所述N_MOS场效应管被截止。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一确定子模块包括：
第一确定单元，用于当所述电平信号为所述第一预设高电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压为第三预设高电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
第二确定单元，用于确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为零；
第三确定单元，用于确定所述压差小于所述预设压差阈值。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一确定子模块包括：
第四确定单元，用于当所述电平信号为所述低电平时，确定所述N_MOS场效应管的栅极电压为所述第三预设高电平，并确定所述N_MOS场效应管的源极电压为低电平，所述第三预设高电平为所述第一预设高电平和所述第二预设高电平中电平值较低的预设高电平；
第五确定单元，用于确定所述N_MOS场效应管的栅极电压和源极电压之间的压差为所述第三预设高电平；
第六确定单元，用于确定所述压差大于或等于所述预设压差阈值；
其中，所述第一预设高电平和第二预设高电平均大于或等于所述预设压差阈值。
10.一种双向双向电平转换电路，其特征在于，包括第一设备、第二设备以及串联于所述第一设备和所述第二设备之间的N_MOS场效应管；其中，所述第一设备和所述第二设备的总线上分别连接有上拉电阻，所述N_MOS场效应管被截止时，所述第一设备总线上连接的上拉电阻将所述第一设备总线上的电平上拉至第一预设高电平，所述第二设备总线上连接的上拉电阻将所述第二设备的电平上拉至第二预设高电平，所述N_MOS场效应管导通时，所述第二设备的电平被下拉至低电平。
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