CN105739650A - 用于电子设备的热量控制系统和热量控制方法 - Google Patents
用于电子设备的热量控制系统和热量控制方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种用于电子设备的热量控制系统和热量控制方法。该热量控制系统包括：集成电路、判定单元、加法单元和比例-积分-微分(PID)控制单元。判定单元用以确定集成电路的至少一个目标热量参数。加法单元耦合至集成电路和判定单元，并用以接收集成电路的目标热量参数和至少一个实际热量参数以相应地生成至少一个偏差热量参数。PID控制单元耦合至加法单元和集成电路，并用以根据偏差热量参数为集成电路生成至少一个性能水平。本发明所揭示的用于电子设备的热量控制系统和热量控制方法具有主动决策进行温度靶向的优点，并能够最大程度地利用电子设备在热封套及目标温度下的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种热量控制系统和热量控制方法，更具体地，涉及一种具有主动决策进行温度靶向优点的热量控制系统和热量控制方法，并能够最大程度地利用电子设备在热封套(thermalenvelope)及目标温度下的性能。
背景技术
通常，各种电子设备(例如，智能电视、智能电话、平板电脑或手持式计算设备)采用的常规热量控制方法利用被动式和非连续性控制机制(亦即，在一温度下被激活，而在另一温度下被关闭)。常规热量控制系统的响应速度低于热响应速度，并且功率查找表在许多情况下经常是不准确的。常规的热量控制系统具有不准确的热参数，其热参数在同一产品模型的不同部分上均不相同(例如，功转热系数(powertoheatcoefficient)、热时间常数(thermaltimeconstant)等等)。常规的热量控制方法(例如，节流(throttling)法)严重地影响上述电子设备的中央处理单元(CPU)或图形处理单元(GPU)的性能。请参照图1，图1为用于智能电话的一种常规热量控制系统的实例时序图。如图1所示，当CPU的温度低于85℃时，CPU的工作频率F仍低于该CPU的最大工作频率Fmax。此外，使用该常规的热量控制系统进行性能测试(例如，安兔兔性能测试)时，该智能电话仅获得34630分。因此，如何最大程度地利用智能电话的中央处理单元在热封套和目标温度下的性能是亟待解决的问题。
发明内容
本发明的示例性实施例提供一种热量控制系统和热量控制方法，其具有主动决策进行温度靶向的优点，并能够最大程度地利用电子设备在热封套及目标温度下的性能，用以解决上述问题。
在本发明的第一个技术方案中，提供一种用于电子设备的示例性热量控制系统。该示例性热量控制系统包括：集成电路、判定单元、加法单元和比例-积分-微分(proportional-integral-derivative,PID)控制单元。判定单元用以确定集成电路的至少一个目标热量参数。加法单元耦合至集成电路和判定单元，并用以接收集成电路的目标热量参数和至少一个实际热量参数以相应地生成至少一个偏差热量参数。PID控制单元耦合至加法单元和集成电路，并用以根据偏差热量参数为集成电路生成至少一个性能水平。
在本发明的第二个技术方案中，提供一种用于电子设备的示例性热量控制方法，其中，电子设备包括集成电路。该示例性热量控制方法包括：确定集成电路的至少一个目标热量参数；利用加法单元接收集成电路的目标热量参数和至少一个实际热量参数，用以相应地生成至少一个偏差热量参数；以及利用PID控制单元根据偏差热量参数为集成电路生成至少一个性能水平。
在本发明的第三个技术方案中，提供一种用于电子设备的示例性热量控制系统。该示例性热量控制系统包括：集成电路、判定单元、第一加法单元、第一PID控制单元、第二加法单元、第二PID控制单元。判定单元用以确定集成电路的至少第一目标热量参数。第一加法单元耦合至集成电路和判定单元，并用以接收集成电路的第一目标热量参数和至少第一实际热量参数以相应地生成至少第一偏差热量参数。第一PID控制单元耦合至第一加法单元，并用以根据第一偏差热量参数生成至少第二目标热量参数。第二加法单元耦合至集成电路和第一PID控制单元，并用以接收集成电路的第二目标热量参数和至少第二实际热量参数，用以相应地生成至少第二偏差热量参数。第二PID控制单元耦合至第二加法单元和集成电路，并用以根据第二偏差热量参数为集成电路生成至少一个性能水平。
在本发明的第四个技术方案中，提供一种用于电子设备的示例性热量控制方法，其中，电子设备包括集成电路。该示例性热量控制方法包括：确定集成电路的至少第一目标热量参数；利用第一加法单元接收集成电路的第一目标热量参数和至少第一实际热量参数，用以相应地生成至少第一热量偏差热量参数；利用第一PID控制单元根据第一偏差热量参数生成至少第二目标热量参数；利用第二加法单元接收集成电路的第二目标热量参数和至少第二实际热量参数，用以相应地生成第二偏差热量参数；以及利用第二PID控制单元根据第二偏差热量参数为集成电路生成至少一个性能水平。
简言之，本发明所公开的热量控制系统和热量控制方法具有主动决策进行温度靶向的优点，并能够最大程度地利用电子设备在热封套及目标温度下的性能。本发明可在其反馈环路中自动找到平衡点，且其反馈环路依据电子设备(例如，不同的智能电视、智能电话、平板电脑或手持式计算设备)进行适应、依据操作系统(例如，苹果iOS或安卓操作系统)进行适应、或者依据集成电路进行适应。此外，PID控制单元具备简易性和鲁棒性，可处理非线性度、时间依赖变量和差劣的建模系统。
在研读以下对附图所示实施例的详细描述之后，本发明实施例的这些以及其他目标对本领域普通技术人员而言无疑是显而易见的。
附图说明
图1为用于智能电话的一种常规热量控制系统的时序图；
图2为本发明第一示例性实施例所揭示的一种用于电子设备的热量控制系统的简化示意图；
图3为本发明所揭示的由图2所示的热量控制系统执行的热量控制过程的示例性实施例的时序图；
图4为本发明所揭示的基于图2所示的用于电子设备的热量控制系统的操作方案的一种热量控制方法的流程图；
图5为本发明第二示例性实施例所揭示的一种用于电子设备的热量控制系统的简化示意图；
图6为本发明所揭示的基于图5所示的用于电子设备的热量控制系统的操作方案的一种热量控制方法的流程图；
图7为本发明的PID控制单元在A级、B级和C级的智能电话上进行连续的安兔兔测试的简化示意图，其显示本发明的PID控制单元具备鲁棒性。
具体实施方式
在说明书和所附权利要求书中通篇使用了一些术语用以指代特定的元件。本领域熟练技术人员可以理解的是，制造商可使用不同的名称来指代同一个元件。本申请通过功能而非名字的差异来对元件进行区分。在以下说明书和权利要求书中，词语“包括”是开放式的，其应被理解为“包括，但不限于...”。同样，词语“耦接”意为间接或直接的电连接。因此，如果一设备耦接至另一设备，其间连接可以直接的电连接实现，或以经由其他设备和连接的间接电连接实现。
本发明的关键思想是使用基于控制论的负反馈环路(negtivefeedbackloop)来实时地调节中央处理单元和/或图形处理单元的工作点(operatingpoint)，以在热封套和目标温度下实现最大化的CPU性能和/或GPU性能。以下将对所提出的星座相位旋转(constellationphaserotation)方案进行更加详细地描述。
请参照图2，图2为本发明第一示例性实施例所揭示的一种用于电子设备200的热量控制系统100的简化示意图，其中，电子设备200可以是智能电视、智能电话、平板电脑或者手持式计算设备，并且不限制于上述设备。如图2所述，热量控制系统100包括：集成电路110、判定单元120、加法单元130和比例-积分-微分单元140，其中，集成电路110可以是电子设备的CPU或者GPU。
判定单元120用以确定集成电路110的至少一个目标热量参数r(t)。加法单元130耦合至集成电路110和判定单元120，并用以接收集成电路110的目标热量参数r(t)和至少一个实际热量参数y(t)以相应地生成至少一个偏差热量参数e(t)，其中，e(t)＝r(t)–y(t)。PID控制单元140耦合至加法单元130和集成电路110，并用以根据偏差热量参数e(t)为集成电路110生成至少一个性能水平u(t)，其中，u(t)＝Kp{e(t)}+Ki{∫e(τ)dτ}+Kd{de(t)/dt}，Kp{e(t)}为比例部分(亦即，当前或绝对偏差响应)，Ki{∫e(τ)dτ}为积分部分(亦即，长期或者慢速偏差响应)，Kd{de(t)/dt}为微分部分(亦即，短期或者快速偏差响应)，Kp为比例增益(亦即，调节参数)，Ki为积分增益(亦即，调节参数)，且Kd为微分增益(亦即，调节参数)，且t为时间或瞬时时间(亦即，当前)，且τ为积分变量，其取从时间点0到当前时间t的所有值。
集成电路110、加法单元130和PID控制单元140运行于反馈环路(feedbackloop)中，且集成电路110的实际热量参数y(t)将根据性能水平u(t)进行调节。举例而言，但并不限于，当电子设备200包括CPU、GPU、电池和/或电子设备外壳时，目标热量参数r(t)可以是CPU的温度、GPU的温度、电池的温度或者电子外壳的温度，实际热量参数y(t)可以是CPU的温度、GPU的温度、电池的温度或者电子外壳的温度，而偏差热量参数e(t)可以是CPU的温度、GPU的温度、电池的温度或者电子外壳的温度，且性能水平u(t)可以是CPU的当前动态电压频率调节(dynamicvoltagefrequencyscaling,DVFS)点、CPU的当前工作频率、GPU的当前DVFS限制、GPU的当前电压供给水平(voltagesupplylevel)或者可用的CPU核心数量。举例而言，当并不限于，如果目标热量参数r(t)为CPU的温度85℃，实际热量参数y(t)为CPU的温度70℃，则偏差热量参数e(t)为15℃，并且PID控制单元140将根据偏差热量参数e(t)(15℃)从而生成性能水平u(t)亦即CPU的当前工作频率2000MHz(亦即，CPU的工作频率F等于CPU的最大工作频率Fmax)。按照这种方式，CPU的性能可以被最大限度地利用。请参照图3，图3为本发明所揭示的由图2所示的用于电子设备200的热量控制系统100执行的热量控制过程的示例性实施例的时序图。如图3所示，当实际热量参数y(t)(亦即，CPU的温度)低于目标热量参数r(t)(亦即，CPU的温度)时，那么性能水平u(t)(亦即，CPU的当前工作频率)可被最大限度地利用(亦即，2000MHz)。此外，通过使用热量控制系统100，该智能电话获得的安兔兔得分为36949，其明显高于图1所示的基于现有技术所获得的分数。因此，对比于图1所示的现有技术，本发明所公开的热量控制系统100具有主动决策进行温度靶向的优点，并能够最大限度地利用在热封套和目标温度下的性能。本发明可在其反馈环路中自动找到平衡点，且其反馈环路依据电子设备(例如，不同的智能电视、智能电话、平板电脑或手持式计算设备)进行适应、依据操作系统(例如，苹果iOS或安卓操作系统)进行适应、或者依据集成电路进行适应。此外，PID控制单元140具备简易性和鲁棒性，可处理非线性度、时间依赖变量和差劣的建模系统。本发明可根据模式/标准(例如，功率)从而选择性地开启/关闭PID控制单元140。例如，当CPU上的负载较重时，PID控制单元140将被开启，当智能电话处于深度空闲时，PID控制单元140即被关闭，以此节省电力。请注意，上述实施例仅用于阐释，因而不应被理解为对本发明的限制。
请参照图4，图4为基于上述实施例中用于电子设备200的热量控制系统100的操作方案的一种热量控制方法的流程图。对于图4所示步骤，若其结果实质上相同的话，则不必按照图4所示顺序执行所述步骤。本发明基于以上实施例所描述的热量控制系统100的一种热量控制方法包括以下步骤：
步骤400：开始。
步骤410：确定集成电路的至少一个目标热量参数。
步骤420：利用加法单元接收集成电路的目标热量参数和至少一个实际热量参数，用以相应地生成至少一个偏差热量参数。
步骤430：利用PID控制单元根据偏差热量参数为集成电路生成至少一个性能水平。
步骤440：根据性能水平调节集成电路的实际热量参数。
请注意，以上所描述的实施例仅用于阐释，因此不应被理解为对本发明的限制。例如，加法单元和PID控制单元的数量可根据不同的设计要求进行变化。
请参照图5，图5为本发明第二示例性实施例所揭示的一种用于电子设备600的热量控制系统500的简化示意图，其中，电子设备600可以是智能电视、智能电话、平板电脑或者手持式计算设备。如图5所示，热量控制系统500包括：集成电路510、判定单元520、第一加法单元530、第一PID控制单元540、第二加法单元550和第二PID控制单元560，其中，集成电路510可以是电子设备600的CPU或GPU。
判定单元520用以确定集成电路510的至少第一目标热量参数r(t)。第一加法单元530耦合至集成电路510和判定单元520，并用以接收集成电路510的第一目标热量参数r(t)和至少第一实际热量参数y(t)以相应地生成至少第一偏差热量参数e(t)，其中，e(t)＝r(t)–y(t)。第一PID控制单元540耦合至第一加法单元530，并用以根据第一偏差热量参数e(t)从而生成集成电路510的第二目标热量参数r'(t)，其中，r'(t)＝Kp{e(t)}+Ki{∫e(τ)dτ}+Kd{de(t)/dt}，Kp{e(t)}为比例部分(亦即，当前或绝对偏差响应)，Ki{∫e(τ)dτ}为积分部分(亦即，长期或者慢速偏差响应)，Kd{de(t)/dt}为微分部分(亦即，短期或者快速偏差响应)，Kp为比例增益(亦即，调节参数)，Ki为积分增益(亦即，调节参数)，且Kd为微分增益(亦即，调节参数)，且t为时间或瞬时时间(亦即，当前)，且τ为积分变量，其取从时间点0到当前时间t的所有值。第二加法单元550耦合至集成电路510和第一PID控制单元540，并用以接收集成电路510的第二目标热量参数r'(t)和第二实际热量参数y'(t)以相应地生成第二偏差热量参数e'(t)，其中，e'(t)＝r'(t)–y'(t)。第二PID控制单元560耦合至第二加法单元550和集成电路510，并用以根据第二偏差热量参数e'(t)为集成电路510生成至少一个性能水平u(t)，其中，u(t)＝K'p{e'(t)}+K'i{∫e'(τ)dτ}+K'd{de'(t)/dt}，且K'p{e'(t)}为比例部分(亦即，当前或绝对偏差响应)，K'i{∫e'(τ)dτ}为积分部分(亦即，长期或者慢速偏差响应)，K'd{de'(t)/dt}为微分部分(亦即，短期或者快速偏差响应，K'p为比例增益(亦即，调节参数)，K'i为积分增益(亦即，调节参数)，且K'd为微分增益(亦即，调节参数)，且t为时间或瞬时时间(亦即，当前)，且τ为积分变量，其取从时间点0到当前时间t的所有值。
集成电路510、第一加法单元530、第一PID控制单元540、第二加法单元550和第二PID控制单元560运行于反馈环路中，且集成电路510的第一实际热量参数y(t)和第二实际热量参数y'(t)将根据性能水平u(t)进行调节。举例而言，但并不限于，当电子设备600包括CPU、GPU、电池和电子设备外壳时，第一目标热量参数r(t)可以是电池的温度或者电子外壳的温度，第二目标热量参数r'(t)可以是CPU的温度或者GPU的温度，第一实际热量参数y(t)可以是电池的温度或者电子设备外壳的温度，第二实际热量参数y'(t)可以是CPU的温度或者GPU的温度，因而第一偏差热量参数e(t)可以是电池的温度或者电子设备外壳的温度，第二偏差热量参数e'(t)可以是CPU的温度或者GPU的温度。性能水平u(t)可以是CPU的当前动态电压频率调节(DVFS)点、CPU的当前工作频率、GPU的当前DVFS限制、GPU的当前电压供给水平或者可用的CPU核心数量。举例而言，但并不限于，如果第一目标热量参数r(t)为电子设备外壳的温度40℃、第一实际热量参数y(t)为电子设备外壳的温度30℃，则第一偏差热量参数e(t)为10℃，并且第一PID控制单元540将根据第一偏差热量参数e(t)(10℃)生成第二目标热量参数亦即CPU的温度85℃。如果第二实际热量参数y'(t)为CPU的温度70℃，则第二偏差热量参数e'(t)为15℃，则第二PID控制单元560将根据第二偏差热量参数e'(t)(15℃)从而生成性能水平u(t)亦即CPU的当前工作频率2000MHz(也就是说，CPU的工作频率F等于CPU的最大工作频率Fmax)。通过这种方式，可结合多个热量参数和/或多个性能水平以最大限度地利用CPU/GPU的性能，并可利用多个环路(嵌套的或以其他方式)对该多个热量参数同时进行优化/控制。此外，对比于图1所示的现有技术，本发明所公开的热量控制系统500具有主动决策进行温度靶向的优点，并能够最大限度地利用在热封套和目标温度下的性能。本发明可在其反馈环路中自动找到平衡点，且其反馈环路依据电子设备(例如，不同的智能电视、智能电话、平板电脑或手持式计算设备)进行适应、依据操作系统(例如，苹果iOS或安卓操作系统)进行适应、或者依据集成电路进行适应。此外，PID控制单元540具有简易性和鲁棒性，可处理非线性度、时间依赖变量和差劣的建模系统。本发明可根据模式/标准(例如，功率)从而选择性地开启/关闭PID控制单元540。例如，当CPU上的负载较重时，PID控制单元540将被开启，当智能电话处于深度空闲时，PID控制单元540即被关闭，以此节省电力。请注意，以上所描述的实施例仅用于阐释，因此不应被理解为对本发明的限制。
请参照图6，图6为基于上述实施例中用于电子设备600的热量控制系统500的操作方案的一种热量控制方法的流程图。对于图6所示的步骤，若其结果实质上相同的话，则不必按照图4所示的顺序执行所述步骤。本发明基于以上实施例所描述的热量控制系统500的一种热量控制方法包括以下步骤：
步骤700：开始。
步骤710：确定集成电路的至少第一目标热量参数。
步骤720：利用第一加法单元接收集成电路的第一目标热量参数和至少第一实际热量参数，用以相应地生成至少第一偏差热量参数。
步骤730：利用第一PID控制单元而根据第一偏差热量参数生成至少第二目标热量参数。
步骤740：利用第二加法单元接收集成电路的第二目标热量参数和至少第二实际热量参数，用以相应地生成至少第二偏差热量参数。
步骤750：利用第二PID控制单元根据第二偏差热量参数为集成电路生成至少一个性能水平。
步骤760：根据性能水平调节集成电路的第一实际热量参数和第二实际热量参数。
应当注意的是，以上所描述的实施例仅用于阐释，因而不应被理解为对本发明的限制。例如，加法单元和PID控制单元的数量可根据不同的设计要求进行变化。
简言之，本发明所公开的热量控制系统和热量控制方法具有主动决策进行温度靶向的优点，并能够最大限度地利用电子设备在热封套及目标温度下的性能。本发明可在其反馈环路中自动找到平衡点，且其反馈环路依据电子设备(例如，不同的智能电视、智能电话、平板电脑或手持式计算设备)进行适应、依据操作系统(例如，苹果iOS或安卓操作系统)进行适应、或者依据集成电路进行适应。此外，PID控制单元540具备简易性和鲁棒性，可处理非线性度、时间依赖变量和差劣的建模系统。请参照图7所示的示例，图7为PID控制单元540在A级、B级和C级的智能电话上进行连续的安兔兔测试的简化示意图，其显示本发明的PID控制单元540具备鲁棒性。
本领域熟练技术人员将很容易发现，可在保留本发明的教导内容的前提下对本发明所提出的装置和方法做出大量的修改和替换。因此，上述公开内容的内涵应仅通过所附权利要求书的界限和范围来进行限定。
Claims (32)
1.一种用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述热量控制系统包括：
判定单元，用以确定集成电路的至少一个目标热量参数；
加法单元，其耦合至所述集成电路和所述判定单元，并用以接收所述集成电路的所述目标热量参数和至少一个实际热量参数以相应地生成至少一个偏差热量参数；
比例-积分-微分控制单元，其耦合至所述加法单元和所述集成电路，用以根据所述偏差热量参数为所述集成电路生成至少一个性能水平。
2.根据权利要求1所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述集成电路、所述加法单元和所述比例-积分-微分控制单元运行在反馈回路中，且所述集成电路的所述实际热量参数根据前一环路中的所述性能水平进行调节。
3.根据权利要求1所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述电子设备包括中央处理单元、图形处理单元、电池和电子设备外壳。
4.根据权利要求3所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述集成电路是所述电子设备的中央处理单元或图形处理单元。
5.根据权利要求3所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述目标热量参数是所述中央处理单元、所述图形处理单元、所述电池或所述电子设备外壳的目标温度。
6.根据权利要求3所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述实际热量参数是在当前环路中的所述中央处理单元、所述图形处理单元、所述电池或所述电子设备外壳的实际温度。
7.根据权利要求3所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述偏差热量参数是在当前环路中的所述中央处理单元、所述图形处理单元、所述电池或所述电子设备外壳的目标温度和实际温度之间的温度差异。
8.根据权利要求3所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述性能水平是所述中央处理单元的当前动态电压频率调节点、所述中央处理单元的当前工作频率、所述图形处理单元的当前动态电压频率调节限制、所述图形处理单元的当前电压供给水平、或所述中央处理单元核心的可用数量。
9.一种用于电子设备的热量控制方法，所述电子设备包括集成电路，其特征在于，所述热量控制方法包括：
确定所述集成电路的至少一个目标热量参数；
利用加法单元接收所述集成电路的所述目标热量参数和至少一个实际热量参数，用以相应地生成至少一个偏差热量参数；以及
利用比例-积分-微分控制单元以根据所述偏差热量参数为所述集成电路生成至少一个性能水平。
10.根据权利要求9所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述集成电路、所述加法单元和所述比例-积分-微分控制单元运行在反馈回路中，且所述热量控制方法进一步包括：
根据前一环路中的所述性能水平来调节所述集成电路的所述实际热量参数。
11.根据权利要求9所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述电子设备包括中央处理单元、图形处理单元、电池和电子设备外壳。
12.根据权利要求11所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述集成电路是所述电子设备的中央处理单元或图形处理单元。
13.根据权利要求11所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述目标热量参数是所述中央处理单元的目标温度、所述图形处理单元的目标温度、所述电池的目标温度或所述电子设备外壳的目标温度。
14.根据权利要求11所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述实际参数是在当前环路中的所述中央处理单元的实际温度、所述图形处理单元的实际温度、所述电池的实际温度、或所述电子外壳的实际温度。
15.根据权利要求11所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述偏差热量参数是在当前回路中的所述中央处理单元的目标温度和实际温度之间的温度差异、所述图形处理单元的目标温度和实际温度之间的温度差异、所述电池的目标温度和实际温度之间的温度差异、或所述电子设备外壳的目标温度和实际温度之间的温度差异。
16.根据权利要求11所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述性能水平是所述中央处理单元的当前动态电压频率调节点、所述中央处理单元的当前工作频率、所述图形处理单元的当前动态电压频率调节限制、所述图形处理单元的当前电压供给水平、或所述中央处理单元核心的可用数量。
17.一种用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述热量控制系统包括：
判定单元，用以确定集成电路的至少第一目标热量参数；
第一加法单元，其耦合至所述集成电路和所述判定单元，并用以接收所述集成电路的所述第一目标热量参数和至少第一实际热量参数以相应地生成至少第一偏差热量参数；
第一比例-积分-微分控制单元，其耦合至所述第一加法单元，并用以根据所述第一偏差热量参数生成至少第二目标热量参数；
第二加法单元，其耦合至所述集成电路和所述第一比例-积分-微分控制单元，并用以接收所述集成电路的所述第二目标热量参数和至少第二实际热量参数，用以相应地生成至少第二偏差热量参数；以及
第二比例-积分-微分控制单元，其耦合至所述第二加法单元和所述集成电路，并用以根据所述第二偏差热量参数生成至少一个性能水平。
18.根据权利要求17所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述集成电路、所述第一加法单元、所述第一比例-积分-微分控制单元、所述第二加法单元、所述第二比例-积分-微分控制单元运行在反馈环路中，且所述集成电路的所述第一实际热量参数和所述第二实际热量参数根据前一环路中的所述性能水平进行调节。
19.根据权利要求17所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述电子设备包括中央处理单元、图形处理单元、电池、或电子设备外壳。
20.根据权利要求19所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述集成电路是所述电子设备的中央处理单元或图形处理单元。
21.根据权利要求19所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述第一目标热量参数是所述电池的目标温度或所述电子设备外壳的目标温度，所述第二目标热量参数是所述中央处理单元的目标温度或所述图形处理单元的目标温度。
22.根据权利要求19所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述第一实际热量参数是当前回路中所述电池的实际温度或所述电子设备外壳的实际温度，所述第二实际热量参数是所述当前回路中所述中央处理单元的实际温度或所述图形处理单元的实际温度。
23.根据权利要求19所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述第一偏差热量参数是在当前回路中所述电池的目标温度和实际温度之间的温度差异、所述电子设备外壳的目标温度和实际温度之间的温度差异，所述第二偏差热量参数是在所述当前回路中所述中央处理单元的目标温度和实际温度之间的差异、或所述图形处理单元的目标温度和实际温度之间的温度差异。
24.根据权利要求19所述的用于电子设备的热量控制系统，其特征在于，所述性能水平是所述中央处理单元的当前动态电压频率调节点、所述中央处理单元的当前工作频率、所述图形处理单元的当前动态电压频率调节限制、所述图形处理单元的当前电压供给水平、或所述中央处理单元核心的可用数量。
25.一种用于电子设备的热量控制方法，所述电子设备包括集成电路，其特征在于，所述热量控制方法包括：
确定所述集成电路的至少第一目标热量参数；
利用第一加法单元接收所述集成电路的所述第一目标热量参数和至少第一实际热量参数，用以相应地生成至少第一偏差热量参数；
利用第一比例-积分-微分控制单元以根据所述第一偏差热量参数生成至少第二目标热量参数；
利用第二加法单元接收所述集成电路的所述第二目标热量参数和至少第二实际热量参数，用以相应地生成至少第二偏差热量参数；以及
利用第二比例-积分-微分控制单元以根据所述第二偏差热量参数为所述集成电路生成至少一个性能水平。
26.根据权利要求25所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述集成电路、所述第一加法单元、所述第一比例-积分-微分控制单元、所述第二加法单元、所述第二比例-积分-微分控制单元运行在反馈环路中，并且所述热量控制方法进一步包括：
根据前一环路中的所述性能水平来调节所述集成电路的所述第一实际热量参数和所述第二实际热量参数。
27.根据权利要求25所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述电子设备包括中央处理单元、图形处理单元、电池和电子设备外壳。
28.根据权利要求27所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述集成电路是所述电子设备的中央处理单元或图形处理单元。
29.根据权利要求27所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述第一目标热量参数是所述电池的目标温度或所述电子设备外壳的目标温度，所述第二目标热量参数是所述中央处理单元的目标温度或所述图形处理单元的目标温度。
30.根据权利要求27所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述第一实际热量参数是当前回路中所述电池的实际温度或所述电子设备外壳的实际温度，所述第二实际热量参数是在所述当前回路中所述中央处理单元的实际温度或所述图形处理单元的实际温度。
31.根据权利要求27所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述第一偏差热量参数是在当前回路中所述电池的目标温度和实际温度之间的温度差异、所述电子设备外壳的目标温度和实际温度之间的温度差异，所述第二偏差热量参数是在所述当前回路中所述中央处理单元的目标温度和实际温度之间的差异、或所述图形处理单元的目标温度和实际温度之间的温度差异。
32.根据权利要求27所述的用于电子设备的热量控制方法，其特征在于，所述性能水平是所述中央处理单元的当前动态电压频率调节点、所述中央处理单元的当前工作频率、所述图形处理单元的当前动态电压频率调节限制、所述图形处理单元的当前电压供给水平、或所述中央处理单元核心的可用数量。
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