CN105733010A - 一种低角度依赖高饱和度红色ps胶体晶体膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,属于光子晶体结构色制备技术领域。取平均粒径为440±10nm的PS微球母液,稀释为PS微球浓度为0.1wt?0.5wt%的乳液,超声分散,将超声清洗过的基片垂直固定在PS乳液中,放入烘箱中干燥,烘干温度为40℃?65℃;采用蒸镀仪在组装好的PS胶体晶体膜表面镀厚度为5?10nm的碳膜,采用真空离子溅射法在碳膜表面再镀一层厚度为5?10nm的铂金膜;碳膜提供了光吸收背景,使其在光子禁带的反射率增强,对禁带以外波长的反射率降低,吸收了杂散光,铂金膜使其在光子禁带的反射强度进一步增强,宏观上呈色表现出低角度依赖性,色饱和度显著提高,呈现绚丽的单一红色。
Description
技术领域
本发明属于光子晶体结构色制备技术领域,特别涉及一种低角度依赖高饱和度红色聚苯乙烯(PS)胶体晶体膜的制备方法。
背景技术
传统色剂的生产会引起水资源的大量消耗,造成环境污染,有些色剂还有毒、不可降解和易褪色。PS胶体晶体结构色膜具有高亮度、永不褪色、虹彩现象、持久性和环境友好性,有望取代传统色剂而日益受到国内外学者的广泛关注。
目前,PS胶体晶体的制备方法主要有电子微加工法、激光全息法和胶体自组装法等。物理制备方法一般较为复杂、费时、成本高,又需要多个步骤才能完成。相比之下,胶体自组装法是一种简单、快速和廉价的化学制备方法。然而,胶体自组装法制备的PS胶体晶体不可避免的会引入一些随机的缺陷,比如堆垛层错、粒子的缺失、取向的不可控制和位错等,这些随机缺陷会降低禁带的反射率,散射禁带以外波长的光。
目前,人工合成的PS胶体晶体膜通常呈色微弱,在特定的角度反射出彩虹色,有一定的角度依赖性,也就是说PS胶体晶体膜的颜色不是一成不变的,会根据观察者入射光角度的不同而呈现不同的颜色。在自然光的条件下,只有有经验的人在特定的角度才可以察觉到颜色,而且颜色不够绚丽,色饱和度低,因而限制了它在防伪和装饰领域的应用。如何降低PS胶体晶体膜呈色的角度依赖性,获得明确的、呈色明亮的、单一颜色的PS胶体晶体膜,而不是彩虹色,成为今后的一个研究热门。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,以解决目前PS胶体晶体膜呈现微弱彩虹色,色饱和度低,呈色具有角度依赖性,不能获得明确的、呈色绚丽的、单一红色的问题。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)采用乳液聚合法制备平均粒径为440±10nm的PS微球母液,以去离子水为溶剂,直接稀释为PS微球浓度为0.1wt-0.5wt%的乳液,置于30-100mL玻璃器皿中超声分散30-60min。
(2)用去离子水清洗基片,然后分别在乙醇和去离子水中超声清洗30-90min后烘干备用,将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的PS乳液中,放入烘箱中9-12h缓慢烘干得到组装好的PS胶体晶体膜,烘干温度为40-65℃;
(3)将从烘箱中取出的PS胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜,使PS胶体晶体膜表面的碳膜厚度为5-10nm;
(4)在已经镀过碳膜的PS胶体晶体膜表面,采用真空离子溅射法在碳膜表面再镀一层厚度为5-10nm的铂金膜,即得低角度依赖高饱和度呈色明亮的单一红色PS胶体晶体膜。
所述基片为玻璃基片、金属基片、有机基片等。
所述步骤(3)中,通过控制镀膜电流和碳丝的粗细实现对碳膜厚度的控制;所述步骤(4)中,通过控制镀膜电流和时间实现对铂金膜厚度的控制。例如,所述步骤(3)中,设置镀膜电流为60mA;所述步骤(4)中,设置镀膜电流为10mA,镀膜时间为50-100s。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)本发明所得的红色PS胶体晶体膜微观上呈现高质量的密排六方结构,由于该胶体晶体膜表面喷涂了一层很薄的碳膜,提供了一种有助于增强该材料呈色饱和度的光吸收背景,使其在光子禁带的反射率增强,对禁带以外波长的反射率降低,宏观上呈现明亮的单一红色(R:229G:70B70;C:0%M:85%Y:70%K:0%),不再是彩虹色,红色饱和度得到了显著的提高。
(2)本发明所得的红色PS胶体晶体膜在表面镀碳膜的基础上又镀了一层铂金膜,使其在降低禁带以外波长反射率的同时,禁带的反射率进一步增强,从而,红色饱和度进一步提高。
(3)本发明所得的红色PS胶体晶体膜无论从那个角度观察都呈现单一的红色,呈色角度依赖性大大降低。
附图说明
图1是本发明组装前所用的PS微球形貌图。
图2是本发明组装后的红色PS胶体晶体膜微观形貌图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例详细说明本发明的实施方式。
本发明一种低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)采用乳液聚合法制备单分散性、均一性良好的平均粒径为440±10nm的PS微球母液,以去离子水为溶剂,将其稀释为PS微球浓度为0.1-0.5wt%的乳液,置于30-100mL玻璃器皿中超声分散30-60min。
(2)用去离子水清洗基片,然后分别在乙醇和去离子水中超声清洗30-90min后烘干备用。将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的PS乳液中,放入烘箱中9-12h缓慢烘干,控制烘干温度为40-65℃。
(3)将从烘箱中取出的已经组装好的PS胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜,设置镀膜电流为60mA,通过碳丝的粗细来调整碳膜的厚度,使PS胶体晶体膜表面的碳膜厚度为5-10nm;
(4)将已经镀过碳膜的PS胶体晶体膜取出,改变靶材为铂金,采用真空离子溅射法镀铂金膜,设置镀膜电流为10mA,镀膜时间为50-100s,在碳膜的表面再镀一层厚度为5-10nm的铂金膜,即可得到低角度依赖高饱和度呈色明亮的单一红色PS胶体晶体膜。
本发明组装前所用的PS微球如图1所示,其粒径均匀。组装后的低角度依赖高饱和度呈色明亮的单一红色PS胶体晶体膜如图2所示,可见其微观上呈现高质量的密排六方结构,宏观上呈色表现出低角度依赖性,色饱和度显著提高,呈现绚丽的单一红色,不再是彩虹色。
Claims (4)
1.一种低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)采用乳液聚合法制备平均粒径为440±10nm的PS微球母液,以去离子水为溶剂,直接稀释为PS微球浓度为0.1wt-0.5wt%的乳液,置于30-100mL玻璃器皿中超声分散30-60min。
(2)用去离子水清洗基片,分别在乙醇和去离子水中超声清洗30-90min后烘干备用,将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的PS乳液中,放入烘箱中9-12h缓慢烘干得到组装好的PS胶体晶体膜,烘干温度为40℃-65℃;
(3)将从烘箱中取出的PS胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜,使PS胶体晶体膜表面的碳膜厚度为5-10nm;
(4)在已经镀过碳膜的PS胶体晶体膜表面,采用真空离子溅射法在碳膜表面再镀一层厚度为5-10nm的铂金膜,即得低角度依赖高饱和度呈色明亮的单一红色PS胶体晶体膜。
2.根据权利要求1所述低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,其特征在于,所述基片为玻璃基片、金属基片或有机基片。
3.根据权利要求1所述低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,通过控制镀膜电流和碳丝的粗细实现对碳膜厚度的控制;所述步骤(4)中,通过控制镀膜电流和时间实现对铂金膜厚度的控制。
4.根据权利要求1所述低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,设置镀膜电流为60mA;所述步骤(4)中,设置镀膜电流为10mA,镀膜时间为50-100s。
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CN105175015A (zh) * | 2015-09-21 | 2015-12-23 | 陕西科技大学 | 一种低角度依赖性紫色硫化锌结构色薄膜及其制备方法 |
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