CN105705920B - 光检测装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 130
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000219000 Populus Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- -1 class Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012260 resinous material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0286—Constructional arrangements for compensating for fluctuations caused by temperature, humidity or pressure, or using cooling or temperature stabilization of parts of the device; Controlling the atmosphere inside a spectrometer, e.g. vacuum
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Abstract
本发明所涉及的光谱传感器(1)的特征在于:具备:配线基板(2),具有主面;光检测器(3),被配置于配线基板(2)的主面(2A)上并且与配线基板(2)相电连接;垫片(4),在配线基板的主面(2A)上被配置于光检测器(3)的周围;法布里‑珀罗干涉滤光片(10),具有光透过区域(11)并且通过垫片(4)被配置于配线基板(2)的主面(2A)上;垫片(4)在光透过区域(11)的周围区域(R1)支撑法布里‑珀罗干涉滤光片(10),垫片(4)在从光透过区域(11)中的光的透过方向看的情况下具有连通周围区域(R1)的内侧和周围区域(R1)的外侧的开口部(A1)。
Description
技术领域
本发明涉及具备法布里-珀罗干涉滤光片的光检测装置。
背景技术
例如在专利文献1中记载有现有的光检测装置。在该光检测装置中,受光元件被配置于支撑基板上。另外,在该光检测装置中,法布里-珀罗干涉滤光片通过粘结层被粘结于受光元件之上。在像这样的光检测元件中,为了电连接受光元件的键合焊垫(bonding pad)被配置于受光元件的上表面。法布里-珀罗干涉滤光片从法布里-珀罗干涉滤光片中的光的透过方向来看在受光元件的上面是从以上所述的键合焊垫分开来被配置的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利申请公开2012-173347号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而,在以上所述那样的光检测元件中,从法布里-珀罗干涉滤光片中的光的透过方向看有必要将键合焊垫配置于法布里-珀罗干涉滤光片的外侧。因此,恐怕会妨碍光检测装置的小型化。
因此,本发明的目的在于提供一种能够小型化的光检测装置。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式所涉及的光检测装置的特征在于:具备:配线基板,具有主面;光检测器,被配置于配线基板的主面上并且与配线基板相电连接;支撑构件,在配线基板的主面上被配置于光检测器的周围;法布里-珀罗干涉滤光片,具有光透过区域并且经由支撑构件被配置于配线基板的主面上;支撑构件在光透过区域的周围区域支撑法布里-珀罗干涉滤光片,支撑构件在从光透过区域中的光的透过方向来看的情况下具有连通周围区域的内侧和周围区域的外侧的开口部。
在该光检测装置中,开口部被设置于支撑构件。为此,即使是将被电连接于光检测器的键合焊垫配置于光透过区域的周围区域的情况,能够以经由支撑构件的开口部的形式设置用于电连接该键合焊垫和其他元件的配线。由此,就能够确保对于光检测器的电连接。因此,在从法布里-珀罗干涉滤光片中的光的透过方向看的情况下,没有必要将键合焊垫配置于法布里-珀罗干涉滤光片的外侧。因此,就能够将光检测装置的大小做到与法布里-珀罗干涉滤光片的大小基本相同等。因此,就能够对光检测装置实行小型化。
在此,本发明的一个方式所涉及的光检测装置进一步具备连接相对于光检测器或者法布里-珀罗干涉滤光片被电连接的引线(wire)的一端并且相对于光检测器或者法布里-珀罗干涉滤光片输入或者输出电信号的引线连接部,引线连接部的上表面也可以被配置于低于法布里-珀罗干涉滤光片的上表面的位置。根据该结构,会变得容易进行从法布里-珀罗干涉滤光片或者光检测器到引线销针的引线连接。
另外,引线连接部的上表面也可以被配置于低于支撑构件的上表面的位置。根据该结构,则会变得容易实行从法布里-珀罗干涉滤光片或者光检测器到引线销针的引线连接。
另外,也可以是,引线连接部包含被电连接于光检测器的第1引线连接部、被电连接于法布里-珀罗干涉滤光片的第2引线连接部,第1引线连接部与法布里-珀罗干涉滤光片的距离成为最短的第1方向,相对于第2引线连接部与法布里-珀罗干涉滤光片的距离成为最短的第2方向进行交叉。根据该结构,则能够防止引线的配置发生复杂化,并且能够提高引线键合的操作性。
在此,在本发明的一个方式所涉及的光检测装置中,被电连接于光检测器的键合焊垫的至少一部分也可以被配置于周围区域内。根据该结构,能够以经由支撑构件的开口部的形式设置用于电连接键合焊垫和其他元件的配线。由此,就能够确保对于光检测器的电连接。因此,与将键合焊垫配置于由支撑构件围起来的区域之外的情况相比较,为了配置键合焊垫的空间将变得不再需要。因此,就能够对光检测装置实行小型化。
另外,在本发明的一个方式所涉及的光检测装置中,也可以为,法布里-珀罗干涉滤光片具有键合焊垫,支撑构件在从透过方向看的情况下被配置于对应于法布里-珀罗干涉滤光片的键合焊垫的位置。根据该结构,在光检测装置制造时的引线键合工序中,法布里-珀罗干涉滤光片的键合焊垫被在对应于该键合焊垫的位置设置的支撑构件支撑。因此,能够提高引线键合性。
另外,在本发明的一个方式所涉及的光检测装置中,支撑构件在从透过方向看的情况下也可以与法布里-珀罗干涉滤光片的光透过区域分开。根据该结构,因为支撑构件与光透过区域分开,所以在制造光检测装置的时候,即使是在被用于粘结部的树脂等材料从粘结部溢出的情况下,也能够抑制该树脂等材料渗透侵入到光透过区域。
发明效果
根据本发明就能够提供一种能够小型化的光检测装置。
附图说明
图1是实施方式所涉及的光检测装置的分解立体图。
图2是法布里-珀罗干涉滤光片的截面图。
图3是表示光检测装置制造工序的平面图。
图4是表示延续图3的光检测装置制造工序的平面图。
图5是表示延续图4的光检测装置制造工序的平面图。
图6是对应于图5(B)的侧面图。
图7是图5(B)中的VII-VII线截面图以及放大表示其一部分的示意图。
图8是表示延续图5的光检测装置制造工序的平面图。
图9是表示光检测装置的变形例的平面图。
图10是表示光检测装置的变形例的平面。
图11是表示第1实施方式所涉及的光检测装置的变形例的平面。
具体实施方式
以下是参照附图并就本发明的优选的实施方式进行详细说明。还有,在各个附图中将相同符号标注于相同或者相当部分,并省略重复的说明。
[第1实施方式]
[光谱传感器]
如图1所示,光谱传感器(光检测装置)1具备配线基板2、光检测器3、多个垫片(支撑构件)4、法布里-珀罗干涉滤光片10。配线基板2具有主面2A。在配线基板2的主面2A上设置有安装部2a、多个电极焊垫(键合焊垫bongding pad)2b以及安装部2c。在安装部2a安装有光检测器3。在安装部2c安装有例如热敏电阻等温度补偿用元件。电极焊垫2b_1由配线2d而与安装部2a相电连接。电极焊垫2b_2(不与安装部2a相电连接的电极焊垫2b_2)由配线2d而与安装部2c相电连接。另外,电极焊垫2b_2(不与安装部2a相电连接的电极焊垫2b_2)将被安装于安装部2c的热敏电阻等与光谱传感器1的外部相电连接。光检测器3例如是红外线检测器。对于该红外线检测器来说可以列举使用了InGaAs等的量子型传感器、或使用了温差电堆(thermopile)或者辐射热测量计(bolometer)等的热型传感器。还有,在检测紫外(UV)、可见、近红外各个区域的情况下,作为光检测器3能够使用硅光电二极管等。
多个垫片4被固定于配线基板2的主面2A上。法布里-珀罗干涉滤光片10被固定于多个垫片4上。就这样多个垫片4支撑法布里-珀罗干涉滤光片10。另外,法布里-珀罗干涉滤光片10被配置于配线基板2的主面2A上。此时,为了抑制对法布里-珀罗干涉滤光片10的热应变影响,多个垫片4以及法布里-珀罗干涉滤光片10优选由粘结部来进行固定。粘结部是由具有可挠性的树脂材料构成。作为构成粘结部的树脂材料例如可以使用硅酮类、聚氨脂类、环氧类、丙烯酸类、混合树脂等各种树脂材料。作为树脂材料优选使用弹性模量(或者杨氏模量)为0.1GPa以下的材料。再有,该树脂材料最好是选自室温固化或者低温固化的树脂。
在此,作为粘结垫片4和法布里-珀罗干涉滤光片10的粘结剂的芯片键合树脂5其固化后的硬度比粘结垫片4和配线基板2的粘结剂来得软。例如,垫片4与法布里-珀罗干涉滤光片10的固定适宜用由固化后的弹性模量为小于10MPa的硅酮类树脂材料构成的粘结剂来实行。另外,垫片4与配线基板2的固定适宜用由固化后的弹性模量为100MPa以上的环氧类的树脂材料构成的粘结剂来实行。由此,一方面垫片4与配线基板2的固定被牢固地实行,另一方面能够抑制来自法布里-珀罗干涉滤光片10周边构件的热应变通过粘结剂被传递到法布里-珀罗干涉滤光片10。
另外,作为多个垫片4的材料例如能够使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。特别是在法布里-珀罗干涉滤光片10中为了缓和与接触于多个垫片4的部分的热膨胀系数差,多个垫片4的材料与法布里-珀罗干涉滤光片10的材料相比较优选其热膨胀系数相对同等或者相对较小的材料。作为一个例子在将法布里-珀罗干涉滤光片10形成于硅基板上的情况下,多个垫片4最好是用石英或者硅等热膨胀系数小的材料来进行形成。还有,也可以取代如以上所述将配线基板2和垫片4作为分别的单体来形成的结构而做成将成为垫片4的部分一体形成于配线基板2的表面上的结构。光检测器3在配线基板2与法布里-珀罗干涉滤光片10之间与法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11相对。另外,光检测器3检测透过法布里-珀罗干涉滤光片10的光。还有,也可以将热敏电阻等温度传感器设置于配线基板2上。
如后面所述配线基板2、光检测器3、多个垫片4以及法布里-珀罗干涉滤光片10被容纳于CAN封装容器(package)内。在该容纳状态下,配线基板2被固定于基座上并且法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11与间隙的光透过窗相对。配线基板2的电极焊垫2b通过引线键合而与贯通基座的各个引线销针电连接。另外,法布里-珀罗干涉滤光片10的端子12,13通过引线键合而与贯通基座的各个引线销针电连接。相对于光检测器3的电信号的输入输出等是通过引线销针、电极焊垫2b以及安装部2a来实行的。向法布里-珀罗干涉滤光片10施加电压是通过引线销针以及端子12,13来实行的。
以下是就垫片4的配置进行说明。垫片4在从法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11中的光的透过方向来看的情况下以具有连通光透过区域11的周围区域(是不包含光透过区域11的区域并且是围绕光透过区域11的区域)的内侧和该周围区域的外侧的开口部的形式配置。在此,在本说明书中所谓某一个要素(例如垫片4)具有开口部是指该要素至少在一个地方具有断开处。换言之,该要素不是无间隙地围绕某一个区域(例如光透过区域11)的环状区域。该要素与开口部的长度的关系并没有特别的限定。例如,在围绕光透过区域11的圆以及多边形等图形的一周中的一部分上设置垫片4,并且如果垫片4没有被设置于全部的话(如果存在垫片4没有被设置的部分的话)则垫片4就是具有开口部的垫片。还有,为了稳定地设置法布里-珀罗干涉滤光片10而优选垫片4在从光的透过方向来看的情况下至少被配置于光透过区域11的两侧。作为具有开口部的垫片4的具体例子有互相平行地配置以直线状进行延伸的2根垫片4的情况[参照图4(A)]。作为其他具体例子有将柱状垫片4分别配置于四边形的4个顶点的情况(参照图9)。再有,作为其他具体例子有以U字状配置垫片4的情况[参照图10(A)]等。
在本实施方式的光谱传感器1中,作为垫片4是使用被互相平行配置的2根直线状的垫片4A,4B。这些垫片4A,4B在各个垫片4A,4B上的相同侧的端部彼此之间具有以双点划线进行表示的开口部A1。换言之,由垫片4A,4B和2个开口部A1,A1来形成围绕光透过区域11的四边形。垫片4A,4B被设置于该四边形上的2边。另外,在另外2边上不设置垫片4A,4B。在另外2边上形成开口部A1,A1。
另外,在光谱传感器1中,被连接于安装部2a的电极焊垫2b在配线基板2的主面2A上是被配置于光透过区域11的周围区域R1。该电极焊垫2b也可以其全部被配置于周围区域R1内。另外,该电极焊垫2b也可以仅仅其一部分被配置于周围区域R1。
在如以上所述进行构成的光谱传感器1中,如果测定光进行入射的话,则对应于被施加于法布里-珀罗干涉滤光片10的电压,具有规定波长的光透过法布里-珀罗干涉滤光片10。然后,透过法布里-珀罗干涉滤光片10的光被光检测器3检测出。在光谱传感器1中,通过一边使被施加于法布里-珀罗干涉滤光片10的电压变化一边用光检测器3来检测透过法布里-珀罗干涉滤光片10的光,从而就能够获得分光光谱。
[法布里-珀罗干涉滤光片]
如图2所示,法布里-珀罗干涉滤光片10具备基板14。在基板14的光入射侧的表面14a上按反射防止层15、第1层叠体30、牺牲层16以及第2层叠体40这个顺序进行层叠。在第1层叠体30与第2层叠体40之间由框状的牺牲层16而形成空隙(气隙air gap)S。在法布里-珀罗干涉滤光片10上测定光相对于第2层叠体40从基板14的相反侧进行入射。于是,具有规定波长的光透过被划定于法布里-珀罗干涉滤光片10中央部的光透过区域11。还有,基板14例如是由硅、石英、玻璃等构成。在基板14是由硅构成的情况下,反射防止层15以及牺牲层16例如是由氧化硅构成。牺牲层16的厚度为200nm~10μm。牺牲层16的厚度优选为中心透过波长(即,透过法布里-珀罗干涉滤光片10的波长的可变范围的中央的波长)的1/2的整数倍。
第1层叠体30中对应于光透过区域11的部分作为第1反射镜31而起作用。第1层叠体30通过多层多晶硅层与多层氮化硅层被一层一层交替层叠来构成。构成第1反射镜31的多晶硅层以及氮化硅层各自的光学厚度优选为中心透过波长(可变波长范围的中心波长)的1/4的整数倍。
第2层叠体40中对应于光透过区域11的部分作为第2反射镜41而起作用。第2反射镜41通过空隙S与第1反射镜31相对。第2层叠体40与第1层叠体30相同是通过多层多晶硅层与多层氮化硅层被一层一层交替层叠来进行构成的。构成第2反射镜41的多晶硅层以及氮化硅层各自的光学厚度优选为中心透过波长(可变波长范围的中心波长)的1/4的整数倍。
还有,多个贯通孔40b均匀地被分布于在第2层叠体40中对应于空隙S的部分。该贯通孔40b从第2层叠体40的表面40a延伸到空隙S。贯通孔40b是以实质上不影响到第2反射镜41的功能的程度进行形成的。贯通孔40b的直径为100nm~5μm。另外,贯通孔40b的开口面积占到第2反射镜41的面积的0.01~10%。
在法布里-珀罗干涉滤光片10中,第1反射镜31以及第2反射镜41被基板14支撑着。然后,第1反射镜31被配置于基板14的光入射侧。第2反射镜41经由空隙S被配置于第1反射镜31的光入射侧。
在第1反射镜31上以围绕光透过区域11的形式形成第1电极17。第1电极17是通过将杂质掺杂于多晶硅层并加以低电阻化来进行形成的。
在第1反射镜31上以包含光透过区域11的形式形成第2电极18。第2电极18是通过将杂质掺杂于多晶硅层并加以低电阻化来进行形成的。在多晶硅层中,第2电极18的大小优选为能够包含光透过区域11整体的大小。另外,第2电极18的大小也可以与光透过区域11的大小大致相同。
在第2反射镜41上形成第3电极19。第3电极19与第1电极17以及第2电极18相对。第3电极19是通过将杂质掺杂于多晶硅层并加以低电阻化来进行形成的。
在法布里-珀罗干涉滤光片10中,第2电极18在第1反射镜31与第2反射镜41相对的相对方向D上相对于第1电极17位于第3电极19的相反侧。即,第1电极17和第2电极18在第1反射镜31上不是被配置于同一个平面上。第2电极18比第1电极17更远离于第3电极19。
如图1以及图2所示,端子12是为了将电压施加于法布里-珀罗干涉滤光片10的端子。该端子12是以夹住光透过区域11并相对的形式被设置为一对。各个端子12被配置于从第2层叠体40的表面40a到第1层叠体30的贯通孔内。各个端子12通过配线21与第1电极17相电连接。
如图1以及图2所示,端子13是为了将电压施加于法布里-珀罗干涉滤光片10的端子。该端子13是以夹住光透过区域11并相对的形式被设置为一对。还有,一对端子12彼此相对的方向,与一对端子13彼此相对的方向相垂直。各个端子13经由配线22与第3电极19相电连接。另外,第3电极19经由配线23也与第2电极18相电连接。
如图2所示,在第1层叠体30的表面30a上设置沟槽26以及沟槽27。沟槽26是以围绕从端子13沿着相对方向D延伸的配线23的形式以环状进行延展。沟槽26与第1电极17以及配线23相电绝缘。沟槽27沿着第1电极17的内缘以环状进行延展。沟槽27与第1电极17以及第1电极17的内侧的区域相电绝缘。各个沟槽26,27内的区域既可以是绝缘材料也可以是空隙。
在第2层叠体40的表面40a上设置沟槽28。沟槽28是以围绕端子12的形式以环状进行延展。沟槽28的底面到达牺牲层16。沟槽28将端子12与第3电极19电绝缘。沟槽28内的区域既可以是绝缘材料也可以是空隙。
在基板14的光出射侧的表面14b上按反射防止层51、第3层叠体52、中间层53以及第4层叠体54这个顺序进行层叠。反射防止层51以及中间层53分别具有与反射防止层15以及牺牲层16相同的结构。第3层叠体52以及第4层叠体54分别将基板14作为基准而具有与第1层叠体30以及第2层叠体40相对称的层叠结构。由这些反射防止层51、第3层叠体52、中间层53以及第4层叠体54构成了应力调整层50。应力调整层50被配置于基板14的光出射侧并且具有抑制基板14发生翘曲的功能。在应力调整层50上以包含光透过区域11的形式设置开口50a。在应力调整层50的光出射侧的表面50b上形成遮光层29。遮光层29由铝等构成,并且具有能够对测定光实行遮光的功能。
在以以上所述形式进行构成的法布里-珀罗干涉滤光片10中,如果通过端子12,13将电压施加于第1电极17与第3电极19之间的话,则对应于该电压的静电力将会产生于第1电极17与第3电极19之间。第2反射镜41由该静电力而以被吸引到在基板14上固定的第1反射镜31侧的形式被驱动。由该驱动来调整第1反射镜31与第2反射镜41的距离。透过法布里-珀罗干涉滤光片10的光的波长依存于光透过区域11中的第1反射镜31与第2反射镜41的距离。因此,通过调整施加于第1电极17与第3电极19之间的电压,从而就能够适宜选择进行透过的光的波长。此时,第2电极18成为与被电连接的第3电极19相同电位。因此,第2电极18作为用于在光透过区域11平坦地保持第1反射镜31以及第2反射镜41的补偿电极而起作用。
[光谱传感器的制造工序]
接着,参照附图3~8并就本实施方式所涉及的光谱传感器的制造工序作如下说明。图3~5以及图8是为了表示制造工序的平面图。图6是对应于图5(B)的侧面图。图7是图5(B)中的VII-VII线截面图以及其一部分的放大图。如图3(A)所示,首先准备基座6。基座6例如是TO-CAN基座。基座6具备具有导电性的引线销针6b贯通于圆盘状基底6a的结构。
接着,如图3(B)所示将配线基板2配置于基座6的基底6a之上。然后,用树脂将配线基板2粘结于基底6a。在配线基板2之上配置安装部2a、多个电极焊垫2b(键合焊垫bondingpad)、安装部2c。安装部2a是用于固定光检测器3的部位。安装部2c是用于配置热敏电阻7的部位。安装部2a,2c由配线2d而与各个分别的电极焊垫2b相电连接。还有,在图3(B)中配线基板2是作为具有正方形平面形状的配线基板来进行表示的,但是并限定于此,例如如图11所示配线基板2B也可以具有在与光检测器3相连接的引线销针6b与法布里-珀罗干涉滤光片10的距离成为最短的方向上为长边的长方形平面形状。根据该结构,引线销针6b与被配置于配线基板2的上表面的光检测器3等元件的电连接将会变得容易。
接着,如图4(A)所示在配线基板2的安装部2a上配置光检测器3。另外,在配线基板2的安装部2c上配置热敏电阻7。另外,在配线基板2上以互相平行地进行延伸的形式配置2根棒状构件即垫片4A,4B。垫片4在从法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11中的光的透过方向(垂直于纸面的方向)来看的情况下是以具有2个开口部A1,A1的形式进行设置的。开口部A1,A1连通光透过区域11的周围区域R1的内侧和周围区域R1的外侧。被电连接于安装有光检测器3的安装部2a的电极焊垫2b在配线基板2的主面2A上是被配置于光透过区域11的周围区域R1内。
2根垫片4A,4B在从法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11中的光的透过方向来看的情况下是被配置于光透过区域11的周围区域。即,垫片4A,4B在从光透过区域11中的光的透过方向来看的情况下是与光透过区域11分开而进行配置的。还有,关于热敏电阻7可以进行省略。
接着,如图4(B)所示使用引线(wire)8并由引线键合来电连接光检测器3、热敏电阻7、电极焊垫2b_1,2b_2、基座6的引线销针6b_1(第1引线连接部)。引线8的材质例如为金(Au)。
在此,被电连接于光检测器3的电极焊垫2b在配线基板2的主面2A上是被配置于光透过区域11的周围区域R1内。另外,在被电连接于光检测器3的电极焊垫2b上进行连接的引线8经由被形成于垫片4A,4B之间的开口部A1被连接于基座6的引线销针6b。另外,被载置于配线基板2的上表面的光检测器3和被连接于热敏电阻7的引线8经由被形成于垫片4A,4B之间的开口部A1被连接于基座6的引线销针6b_1。
接着,如图5(A)所示将芯片键合树脂5涂布于垫片4。在此,芯片键合树脂5在从光透过区域11中的光的透过方向来看的情况下是以具有连通光透过区域11的周围区域的内侧和该周围区域的外侧的开口部的形式进行设置的。在此,所谓芯片键合树脂5具有开口部是指芯片键合树脂5成为有断开处的环状,并且包含与先前关于垫片4进行例示的情况相同的形状。具体地来说芯片键合树脂5在从法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11中的光的透过方向来看的情况下是以只被配置于法布里-珀罗干涉滤光片10的两侧的形式被涂布。在为图5(A)所表示的例子的情况下,芯片键合树脂5是遍布于垫片4A,4B的上面大致全长来进行涂布的。
接着,如图5(B)所示将法布里-珀罗干涉滤光片10配置于垫片4之上。由此,法布里-珀罗干涉滤光片10通过芯片键合树脂5被固定于垫片4之上(与光检测器3之上分开配置法布里-珀罗干涉滤光片10)。此时,在对应于端子12,13的位置上配置垫片4。该端子12,13作为法布里-珀罗干涉滤光片10的键合焊垫而起作用。再有,由引线8将法布里-珀罗干涉滤光片10的端子12,13电连接于基座6的引线销针6b_2(第2引线连接部)。引线8的材质例如为金(Au)。
在此,法布里-珀罗干涉滤光片10与引线销针6b_2的连接方向(被连接于法布里-珀罗干涉滤光片10的引线销针6b_2与法布里-珀罗干涉滤光片10的距离成为最短的第2方向)同光检测器3与引线销针6b_1的连接方向(被连接于光检测器3的引线销针6b与法布里-珀罗干涉滤光片10的距离成为最短的第1方向)相交叉。根据该结构,能够防止引线8的配置发生复杂化并且能够提高引线键合的操作性。
将对应于图5(B)的侧面图表示于图6。法布里-珀罗干涉滤光片10与垫片4A,4B之间是由芯片键合树脂5来进行粘结的。
再有,将图5中的VII-VII线截面图表示于图7(A)。将相当于由图7(A)中的椭圆EB进行围绕的部分的放大图表示于图7(B)。
垫片4A以及4B与法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11分开。另外,垫片4A,4B位于对应于法布里-珀罗干涉滤光片10的端子12,13的位置。具体地来说垫片4A,4B位于端子12,13正下方。法布里-珀罗干涉滤光片10以垫片4A,4B的上表面与法布里-珀罗干涉滤光片10的遮光层29进行接触的形式被粘结于垫片4A,4B的上表面。再有,如图7(B)所示垫片4A的外侧面4Aa与法布里-珀罗干涉滤光片10的外侧面10a相比较相对只有一点点位于外侧。在1个实施方式中,如图7(A)所示沿着光的透过方向的配线基板2的厚度为0.3mm,垫片4B的高度为0.4mm,法布里-珀罗干涉滤光片10的厚度为0.6mm。另外,引线销针6b从基底6a的上表面突出的部分的高度为0.5mm。即,引线销针6b的上表面6c是处于比法布里-珀罗干涉滤光片10的上表面10b来得低的位置。另外,引线销针6b的上表面6c是处于比垫片4A,4B的上表面4Ab,4Bb来得低的位置。由此,变得容易实行从法布里-珀罗干涉滤光片10或者从光检测器3到引线销针6b的引线的连接。
将连续于图5(B)的工序表示于图8。如图8所示在基座6的基底6a之上安装由金属构成的帽子9。由该帽子9的安装就能够封闭法布里-珀罗干涉滤光片10以及光检测器3等。帽子9为大致圆柱状,在其上表面具备圆形的透过窗9a。透过窗9a也可以是使用了对应于光谱传感器1适用波长范围的材料的透过窗。作为该材料可以列举玻璃或硅、锗等。另外,透过窗9a也可以是附有反射防止膜的窗或者也可以是限制适用波长范围的带通滤波器。参照图3~8并由以上所述的制造工序来制得光谱传感器1。
在本实施方式的光谱传感器1中,连通光透过区域11的周围区域R1的内侧和周围区域R1的外侧的开口部A1,A2被设置于垫片4A,4B。为此,即使是将被电连接于光检测器3的电极焊垫2b配置于由光透过区域11的周围区域的垫片4A,4B围起来的区域的内侧的情况,能够以经由垫片4A,4B的开口部A1的形式设置用于电连接该电极焊垫2b和其他元件的引线8。由此,就能够确保对于光检测器3的电连接。因此,在从法布里-珀罗干涉滤光片10中的光的透过方向来看的情况下,没有必要将被电连接于光检测器3的电极焊垫2b配置于法布里-珀罗干涉滤光片10的外侧。因此,就能够将光谱传感器1的大小做到与法布里-珀罗干涉滤光片10的大小基本相同等。因此,就能够对光谱传感器1实行小型化。
另外,垫片4A,4B具有开口部A1,A1。由此,被密闭的空间不会由法布里-珀罗干涉滤光片10和垫片4A以及芯片键合树脂5来进行形成。因此,在光谱传感器1制造过程的热固化芯片键合树脂5的时候被法布里-珀罗干涉滤光片10、垫片4以及芯片键合树脂5围起来的空气发生热膨胀而使芯片键合树脂5破裂的情况变得不存在。由此,法布里-珀罗干涉滤光片10的定位发生偏移而使光学特性降低的情况能够抑制。再有,作为光检测器3例如在使用具有温差电堆(thermopile)等膜结构的元件的情况下,能够防止光检测器3的膜结构由于空气的热膨胀而发生破损。
另外,将被电连接于光检测器3的电极焊垫2b配置于光透过区域11的周围区域R1内的由垫片4A,4B围起来的区域的内侧。为此,能够以经由垫片4A,4B的开口部A1的形式设置用于电连接该电极焊垫2b和其他元件的配线。由此,就能够确保对于光检测器3的电连接。因此,与将电极焊垫2b配置于由垫片4A,4B围起来的区域之外的情况相比较,用于配置电极焊垫2b的空间变得不再需要。因此,就能够对光谱传感器1实行小型化。
另外,法布里-珀罗干涉滤光片10具有端子12,13。垫片4A,4B在从法布里-珀罗干涉滤光片10中的光的透过方向来看的情况下是被配置于对应于法布里-珀罗干涉滤光片10的端子12,13的位置。为此,在光谱传感器1制造过程的引线键合工序中,法布里-珀罗干涉滤光片10的端子12,13由被设置于对应于端子12,13的位置的垫片4A,4B而被支撑。因此,能够提高引线键合性。
另外,法布里-珀罗干涉滤光片10具有光透过区域11。垫片4A,4B在从法布里-珀罗干涉滤光片10中的光的透过方向来看的情况下与法布里-珀罗干涉滤光片10的光透过区域11分开。因此,因为垫片4A,4B与光透过区域11分开所以在制造光谱传感器1的时候即使是在芯片键合树脂5溢出的情况下也能够抑制芯片键合树脂5渗透侵入到光透过区域11。假如即使是芯片键合树脂5被过度涂布的情况,那么多余的芯片键合树脂5变得会向垫片4A,4B的下侧顺延流动。由此,就能够防止芯片键合树脂5顺延流动到光透过区域11。
另外,如图7(B)所示垫片4A的外侧面与法布里-珀罗干涉滤光片10的外侧面相比较相对只有一点点位于外侧。因此,因为形成了芯片键合树脂5的树脂圆角(fillet)所以能够确实地实现粘结。
[变形例]
还有,关于参照图4(B)来进行说明的垫片4的配置以及参照5(A)来进行说明的芯片键合树脂5的配置,能够实行各种各样的变形。例如,如图9所示分别在矩形配线基板2的4个顶点的近旁配置柱状垫片4C。然后,也可以分别在4根垫片4C的上表面将芯片键合树脂5涂布成点状。
另外,如图10(A)所示将U字状的垫片4D固定于配线基板2上。然后,也可以遍布该U字状的垫片4D的上面的大致全长来涂布芯片键合树脂5。
另外,如图10(B)所示将L字型的垫片4E固定于配线基板2的4个顶点当中位于配线基板2的对角线上的2个顶点。然后,也可以遍布该垫片4E的上表面来涂布芯片键合树脂5。
另外,在以上所述的实施方式中如图2所示光透过区域11当作为是比开口50a窄的区域而作了说明。但是,本发明并不限定于像这样的方式。在将宽度预先被缩小的光作为入射光来进行导入的情况下,如图2所示光透过区域11成为比开口50a来得窄。然而,例如在将比开口50a宽广的光作为入射光来进行导入的情况下,开口50a划定光透过区域11。本发明也能够适用于像这样的方式。
产业上的利用可能性
根据本发明的一个方式所涉及的光检测装置,能够进行小型化。
符号说明
1.光谱传感器(光检测装置)
2.配线基板
2A.主面
2b.电极焊垫(键合焊垫)
3.光检测器
4,4A~4E.垫片(支撑构件)
10.法布里-珀罗干涉滤光片
11.光透过区域
12,13.端子(键合焊垫)
A1.开口部
R1.光透过区域11的周围区域
Claims (6)
1.一种光检测装置,其特征在于:
具备:
配线基板,具有主面;
光检测器,被配置于所述配线基板的所述主面上并且与所述配线基板电连接;
支撑构件,在所述配线基板的所述主面上被配置于所述光检测器的周围;
法布里-珀罗干涉滤光片,具有光透过区域并且经由所述支撑构件被配置于所述配线基板的所述主面上;
所述支撑构件在所述光透过区域的周围区域支撑所述法布里-珀罗干涉滤光片,
在从所述光透过区域中的光的透过方向看的情况下,所述支撑构件形成连通由所述周围区域包围的所述光透过区域和所述周围区域中与所述光透过区域分开配置的所述支撑构件的外侧的开口部,
相对于所述光检测器被电连接的第1引线以经由所述支撑构件的所述开口部的方式设置。
2.如权利要求1所述的光检测装置,其特征在于:
进一步具备引线连接部,其连接于所述第1引线的一端或者连接于相对于所述法布里-珀罗干涉滤光片被电连接的第2引线的一端,并且相对于所述光检测器或者所述法布里-珀罗干涉滤光片输入或者输出电信号,
所述引线连接部的上表面被配置于低于所述法布里-珀罗干涉滤光片的上表面的位置。
3.如权利要求2所述的光检测装置,其特征在于:
所述引线连接部的上表面被配置于低于所述支撑构件的上表面的位置。
4.如权利要求2或者3所述的光检测装置,其特征在于:
所述引线连接部包含被电连接于所述光检测器的第1引线连接部和被电连接于所述法布里-珀罗干涉滤光片的第2引线连接部,
所述第1引线连接部与所述法布里-珀罗干涉滤光片的距离成为最短的第1方向,相对于所述第2引线连接部与所述法布里-珀罗干涉滤光片的距离成为最短的第2方向交叉。
5.如权利要求1~4中任意一项所述的光检测装置,其特征在于:
被电连接于所述光检测器的键合焊垫的至少一部分被配置于所述周围区域内。
6.如权利要求1~5中任意一项所述的光检测装置,其特征在于:
所述法布里-珀罗干涉滤光片具有键合焊垫,在从所述透过方向看的情况下,所述支撑构件被配置于对应于所述法布里-珀罗干涉滤光片的键合焊垫的位置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-227287 | 2013-10-31 | ||
JP2013227287A JP6290594B2 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 光検出装置 |
PCT/JP2014/079106 WO2015064750A1 (ja) | 2013-10-31 | 2014-10-31 | 光検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105705920A CN105705920A (zh) | 2016-06-22 |
CN105705920B true CN105705920B (zh) | 2019-06-07 |
Family
ID=53004345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480059055.8A Active CN105705920B (zh) | 2013-10-31 | 2014-10-31 | 光检测装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10066995B2 (zh) |
EP (1) | EP3064912B1 (zh) |
JP (1) | JP6290594B2 (zh) |
KR (1) | KR102273849B1 (zh) |
CN (1) | CN105705920B (zh) |
WO (1) | WO2015064750A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6290594B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2018-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
CN108139270B (zh) | 2015-10-02 | 2021-06-08 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置 |
FR3050526B1 (fr) * | 2016-04-25 | 2018-05-25 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de detection de rayonnement electromagnetique a structure d’encapsulation comportant au moins un filtre interferentiel |
US10110338B2 (en) * | 2016-06-24 | 2018-10-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method for detecting optical signal |
JP6899314B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2021-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 吸着方法 |
JP7313115B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2023-07-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検査装置及び光検査方法 |
WO2019199936A1 (en) * | 2018-04-12 | 2019-10-17 | Raytheon Company | Integrated optical resonant detector |
AU2019253437B2 (en) | 2018-04-12 | 2021-10-28 | Raytheon Company | Phase change detection in optical signals |
JP7351610B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2023-09-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
DE102019207383A1 (de) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213284A1 (de) | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213287A1 (de) | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213285A1 (de) | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213286A1 (de) | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Spektrometer-Package mit MEMS Fabry-Pérot-Interferometer |
DE102019213292A1 (de) | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019126050A1 (de) | 2019-09-26 | 2021-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Miniaturisierte Spektrometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer miniaturisierten Spektrometereinrichtung |
CN118258488A (zh) | 2019-10-09 | 2024-06-28 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01136035A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 焦電型検出素子の製造方法 |
JPH0766982B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1995-07-19 | シャープ株式会社 | 波長選択性受光素子 |
JPH0792022A (ja) | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Kurabo Ind Ltd | 光検出器 |
US5550373A (en) | 1994-12-30 | 1996-08-27 | Honeywell Inc. | Fabry-Perot micro filter-detector |
US5584117A (en) * | 1995-12-11 | 1996-12-17 | Industrial Technology Research Institute | Method of making an interferometer-based bolometer |
JPH1090576A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学部材の固定構造 |
JP2000275488A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学部材固定方法及び光学部材の支持部材 |
EP1456702A1 (en) | 2001-11-28 | 2004-09-15 | Aegis Semiconductor, Inc. | Package for electro-optical components |
US6770882B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-08-03 | Multispectral Imaging, Inc. | Micromachined pyro-optical structure |
US7145143B2 (en) * | 2002-03-18 | 2006-12-05 | Honeywell International Inc. | Tunable sensor |
US7470894B2 (en) * | 2002-03-18 | 2008-12-30 | Honeywell International Inc. | Multi-substrate package assembly |
JP2004251742A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2006114661A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2006194791A (ja) | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Denso Corp | 赤外線センサ装置 |
DE102006034731A1 (de) | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Infratec Gmbh Infrarotsensorik Und Messtechnik | Durchstimmbares Dualband-Fabry-Perot-Filter |
JP5048992B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-10-17 | オリンパス株式会社 | 可変分光素子および、それを備えた内視鏡システム |
JP5230952B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2013-07-10 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用可変分光素子、分光装置および内視鏡システム |
US7911623B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-03-22 | Xerox Corporation | Fabry-Perot piezoelectric tunable filter |
JP5135983B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-02-06 | コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 | 定着装置 |
JP5050922B2 (ja) | 2008-02-27 | 2012-10-17 | 株式会社デンソー | ファブリペロー干渉計 |
JP2009210312A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Denso Corp | ファブリペロー干渉計およびその製造方法 |
FI125817B (fi) * | 2009-01-27 | 2016-02-29 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Parannettu sähköisesti säädettävä Fabry-Perot-interferometri, välituote, elektrodijärjestely ja menetelmä sähköisesti säädettävän Fabry-Perot-interferometrin tuottamiseksi |
JP2011117884A (ja) | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Hioki Ee Corp | 分光測定器 |
JP5381884B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2014-01-08 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルターの製造方法 |
JP5601190B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2014-10-08 | 株式会社デンソー | 波長選択型赤外線検出装置 |
JP5708009B2 (ja) | 2011-02-17 | 2015-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光モジュールおよび電子機器 |
JP5767883B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
JP5875936B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2016-03-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光センサ |
JP6211833B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-10-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | ファブリペロー干渉フィルタ |
WO2015064749A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP6290594B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2018-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP6356427B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2018-07-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | ファブリペロー干渉フィルタ |
-
2013
- 2013-10-31 JP JP2013227287A patent/JP6290594B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-31 WO PCT/JP2014/079106 patent/WO2015064750A1/ja active Application Filing
- 2014-10-31 CN CN201480059055.8A patent/CN105705920B/zh active Active
- 2014-10-31 EP EP14857161.5A patent/EP3064912B1/en active Active
- 2014-10-31 US US15/031,925 patent/US10066995B2/en active Active
- 2014-10-31 KR KR1020167005472A patent/KR102273849B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-08-09 US US16/059,744 patent/US10775238B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-24 US US16/662,448 patent/US10895501B2/en active Active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Miniaturized Spectrometer Technologies;ANTILA J;《INFORMATION OPTICS(WIO)》;20100712;Section II.A,Section III、IV及图1、5 |
Tunable infrared detector with integrated micromachined Fabry-Perot filter;Norbert Neumann et al;《J.Micro/Nanolith.MEMS MOEMS》;20080401;第7卷(第2期);Section 2、4及图2、10 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160079768A (ko) | 2016-07-06 |
US10775238B2 (en) | 2020-09-15 |
US20160282181A1 (en) | 2016-09-29 |
WO2015064750A1 (ja) | 2015-05-07 |
JP2015087318A (ja) | 2015-05-07 |
EP3064912B1 (en) | 2021-07-07 |
JP6290594B2 (ja) | 2018-03-07 |
US10895501B2 (en) | 2021-01-19 |
US20200056940A1 (en) | 2020-02-20 |
US10066995B2 (en) | 2018-09-04 |
US20180348054A1 (en) | 2018-12-06 |
EP3064912A1 (en) | 2016-09-07 |
KR102273849B1 (ko) | 2021-07-05 |
CN105705920A (zh) | 2016-06-22 |
EP3064912A4 (en) | 2017-09-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |