CN105674958A - 可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器、集群、应用 - Google Patents

Abstract

可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，主要由电极(600、610、620、630)、导电液体(601)、容腔(602)、电阻层(603)构成。所述姿态传感器的集群。所述姿态传感器或集群的电极合理的连接在应用电路上。本发明在电学原理上等同于由导电液体调控阻值的电阻或电阻群，主要利用姿态传感器姿态改变时导电液体的流动改变电极与电极之间电阻率的分布来表达姿态数据。本发明的有益效果：本发明结构简单、寿命长，可用于人工智能设备作为姿态感知装置。

Description

可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器、集群、应用

技术领域

本发明涉及传感器，具体涉及可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器。

背景技术

姿态传感器是指用于获取设备姿势的传感器，是智能机器人的重要感知输入设备，人工神经元网络是现有人工智能较为先进的技术。

现有技术具有以下缺点：1、现有的姿态传感器现有的姿态传感器的物理输出节点少；2、现有的姿态传感器物理制作精度要求高、成本高、输出多为数字信号，输出节点数不易扩展导致其与人工神经元硬件的连接需要复杂的电路。

为了克服以上问题，本发明提出了一种模仿人体感知器官半规管的姿态传感器。

发明内容

本发明发明了可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器结构简单、成本低廉、输出节点多。

本发明具有如下技术内容。

1、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由2个电极、导电液体、容腔、1个电阻层构成；容腔与电阻层共界面；1个电极介入容腔内；介入容腔内的电极不与电阻层相连；1个电极与电阻层的外侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体总是与容腔内电极相接触；导电液体总是与电阻层内侧相接触；导电液体体积小于容腔有效容积。

2、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由导电液体、容腔、1个电阻层、至少3个电极构成；至少1个电极介入容腔内；至少1个介入容腔的电极不与电阻层相连；容腔与电阻层共界面；电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

3、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；介入容腔的电极数量为至少1个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个。

4、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；介入容腔的电极数量为至少1个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个；至少1个电极与电阻层内侧相连。

5、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；介入容腔的电极数量为至少1个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个；至少1个与电阻层外侧相连的电极同时与电阻层内侧相连。

6、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少5个；介入容腔的电极数量为至少1个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个；至少1个介入容腔的电极与电阻层外侧相连。

7、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：至少有2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极的表面间距大于等于它们之间（同时满足连接路径和空间路径）的电阻层平均厚度的2倍。

8、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少1个电阻层构成；容腔与至少1个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的内侧相连；至少1个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

9、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少1个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连。

10、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少1个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连；至少有1个与容腔共界面的内侧与至少3个电极相连的电阻层的内侧所连接的所有电极均不与所连电阻层的外侧相连。

11、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少1个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连；所有电极均不与任何与容腔共界面的电阻层的外侧相连。

12、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少1个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连；至少1电极同时与电阻层的内侧和外侧相连。

13、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：至少有两个连接在同一电阻层上的电极它们之间的表面距离大于等于他们之间（同时满足连接路径和空间路径）的电阻层的平均厚度的2倍。

14、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少1个电阻层构成；容腔与至少1个电阻层共界面；至少有1个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少1个、至少1个电极相连；至少2个分别连接在同一电阻层内、外侧的电极不与所连电阻层上电极自身所连侧的对立侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

15、如技术内容14所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少1个、至少3个电极相连。

16、如技术内容14所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少1个、至少3个电极相连；至少1个电极介入与电阻层共界面的容腔内；至少1个介入与电阻层共界面的容腔内的电极与至少1个电阻层外侧相连但不与任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连。

17、如技术内容14所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：至少有2个连接在同一与容腔共界面的电阻层上的电极的表面间距大于等于它们之间（同时满足连接路径和空间路径）的电阻层厚度的2倍。

18、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少1个电阻层构成；容腔与至少1个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的外侧相连；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

19、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少有1个与容腔共界面的外侧与至少2个电极相连的电阻层的外侧所连接的所有电极均不与所连电阻层的内侧相连。

20、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少2个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少2个电极相连；所有电极都不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连；所有电极都不介入容腔。

21、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少3个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少3个电极相连；所有电极都不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连；所有电极都不介入容腔。

22、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；所有电极都不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连；所有电极都不介入容腔。

23、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少1个电极介入容腔内；至少有1个介入容腔内的电极和与容腔共界面的电阻层的外侧相连；至少2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极不介入容腔；至少2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连。

24、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少1个电极和与容腔共界面的电阻层的内侧相连。

25、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少1个电极同时和同一与容腔共界面的电阻层的内、外侧相连。

26、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：电极的总数为至少4个；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少1个电极同时和同一与容腔共界面的电阻层的内、外侧相连；至少2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连。

27、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：至少有2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极的表面间距大于等于它们之间（同时满足连接路径和空间路径）的电阻层平均厚度的2倍。

28、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：在技术内容1-27中选择多种姿态传感器使它们的容腔相通或者合并它们的容腔；新容腔内导电液体的体积小于新容腔的有效容积。

29、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由任选技术内容1-28所述的1个姿态传感器、至少1个接地电阻器构成；每个接地电阻器的非接地端与姿态传感器的1个电极相连。

30、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器集群，其特征在于：主要由在技术内容1-29所述的姿态传感器中单选或多选种类地至少2个姿态传感器构成、至少1条导线构成；至少1个姿态传感器的至少1个电极与其他姿态传感器至少1个电极共连同一导电线；至少2个姿态传感器都至少有1个电极不与自身所在姿态传感器的其他电极共连同一导电线。

31、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器或其集群的应用，其特征在于：选取技术内容1-30的姿态传感器或其集群将电极合理的连接在应用电路上。

技术内容说明及其有益效果。

核心原理：本发明在电学原理上等同于由导电液体调控阻值的电阻或电阻群，主要利用姿态传感器姿态改变时导电液体的流动改变电极与电极之间电阻率的分布来表达姿态数据；改变的原理是导电液体、电阻层可以简化地视作并联在电极之间的两个电阻，导电液体与导电层表面结合后可以视作可变电阻，导电液体运动时改变电极与电阻层之间的电学连接体积、面积、长度而导致电极之间阻值变化（电阻层的连接被改变），从而影响并联总电阻，即电极间电阻；本发明提到‘导电液体体积小于容腔有效容积’，值得注意的是：本发明需要本领域技术人员在实施设计时结合公知常识、现有技术、技术惯例，根据容腔、电极、电阻层的布局来确定导电液体体积的具体值，以避免丧失或弱化技术效果（本发明中如果粗暴的使用百分比来限定导电液体体积，则难以达成良好的保护的目的，这是本领域技术人员可以理解的）。本发明的基本原理也可以理解为导电液体的流动导致了电极间电阻层表面电阻的改变。本发明相对现有技术比较显著的特征在于将大量的电极连接在同一电阻层上。

词句解释：‘容腔’是指具有容纳能力的空间，它可以是单一容器的内腔，也可以是由多个元件配合而成的容纳空间；

‘有效容积’指容腔内允许导电液体充斥的部分；

‘共界面’都是指电阻层表面也是容腔界面的一部分，也就是说容腔所在的容器可以是由电阻层单独构成，也可以由电阻层结合其他元件构成容纳空间，也可以由多个电阻层和其他原价构成；

‘电阻层’是指具有电子流动阻碍能力的层，本发明中电阻层优选为薄膜（比如碳电阻膜、金属电阻膜）、薄片（比如片状电阻材料）、薄层（比如气相沉积产生的层）状，但也不排除其它形状(比如,使用一块很厚的电阻层,将电极从外侧深度介入电阻层中使电极到电阻层内侧的距离小于电阻层的厚度)；电阻层可以是良导体也可以是半导体，电阻层不包括超导体和绝缘体（不包括薄到可以构成电子隧道结而被电子穿越的绝缘材料薄层），电阻层可以是单一物质构成也可以是混合物构成（比如多种物质混合制作、又比如在以半导体材料制成的电阻层上进行局部或全部的参杂），电阻层可以是单层结构也可以是多层结构（应保证内外表面之间导电），电阻层表面可以是平整的也可以是不平整的（比如可以加工的形状、蚀刻，比如加工中自然产生的毛刺、微凸），本发明的电阻层可以是单个也可以是多个（比如：一个电阻层同时与多个容腔共界面、一个同时与多个电阻层共界面、一个容腔与一个电阻层共界面），本发明中‘电阻层’可以具有少量的绝缘层，但不可让绝缘层将电阻层全面覆盖，而要使电阻层内侧表面能够接触到导电液体,值得注意的是绝缘材料制成的层全面覆盖电阻层但薄到可以构成电子隧道结可以被电子穿越的情况属于本发明的可行方案；

‘电阻层的外侧’是指电阻层不与容腔共界面的部分；

‘电阻层的内侧’是指电阻层与容腔界面的公共表面；

‘接地电阻器’是指电子学中常用的一端连接在电路中地点（GND）的电阻器，可以是阻值固定不变的电阻器，也可以是电阻值可调的电阻器（非随时随意变化，即调整后长时间保持电阻值无大变化的电阻器）；接地电阻器可以集成在姿态传感器中（非容腔内），也可以独立安放在应用电路中的；

‘电极’是指用导电性能优于电阻层的良导体材料制成的连接物，电极可以是任意形状、任意形态，电极优选高导电材料进行制作，在不破坏本发明的可行性、稳定性的情况下电极的导电性能越强越好，电极可以与导线是一体的，本发明对电极与电阻层连接关系的描述是忽略导电液体的情况下进行的；

‘电极介入容腔’是指电极与容腔共界面，即电极表面与成为容腔界面的一部分（包括伸入容腔内部）

‘导电液体’是指具有较好导电能力的高流动性物质，导电液体可以是单质也可以是混合物，比如液态金属、电解液、多种物质组成的具有导电能力的液体等；

‘导电液体总是与容腔内电极相接触；导电液体总是与电阻层内侧相接触’指容腔、容腔内电极、电阻层、导电液体三者的结构、数量、体积配置满足‘处于任意姿态导电液体都同时与容腔内电极、导电液体相接触’的技术条件，本发明对电极与电阻层连接关系的描述是忽略导电液体的情况下进行的；

‘导电液体能够接触到电阻层内侧’是指电阻层、导电液体、容腔三者结构、数量、体积配置满足‘至少有一种姿态会使导电液体与电阻层内侧相连’的技术条件，包含了‘导电液体与电阻层内侧一直相连、导电液体与电阻层内侧时连时断’两种情况。

特别说明1：本发明一般选择导电性能劣于导电液体的材料（混合物或单质）作为电阻层，以便姿态变换时获得较大的电阻变化速率和梯度；使用导电性能优于导电液体的材料作为电阻层的情况，姿态变换时获得的电阻变化速率和梯度较小。

特别说明2：相邻电极表面距离影响电阻变化的垮度，一般情况下相邻电极的表面距离越大电阻变化垮度较大，方便利用；相邻电极表面间距较小的情况下，电阻率改变的速率不高，但同等体积下可以提供更多的输入节点（电源相连点）或输出节点（输出信号点）；对于处于同一与容腔共界面的电阻层上（尤其是同处于外侧）的两个电极而言，电极表面距离大于等于电极之间电阻层平均厚度2倍，可以获得电阻变化跨度较大。

特别说明3：本发明主要为具有机器学习能力人工神经元硬件而创造；但不排除用于其他电路。

特别说明4：在电极少于4的情况下，本发明可以有效感应的姿态较少（电极数量大于4的方案中将3个作为输出电极布置在三维坐标轴上，并结合公知常识、现有技术恰当的配置容腔形状、导电液体数量可以做到3个方向的感应），但将它们进行有效集群（至少有3个单元在同一截面中他们截面的图形平移后不重合），同样可以起到很好的效果（比如使用半导体元器件加工工艺在同一衬底上制作大量的电极少于3的姿态传感器集群使用）。

特别说明5：无论姿态传感器的设计者、生产者、使用者有意或无意在集群单元中设置劣、无效电极、坏单元（比如某集群的某容腔中不设置某一组件使该容腔失去功能或效果削弱），只要其姿态传感器中部分单元具有本发明的技术方案，则应视为本发明的技术方案。

特别说明6：由于汉语的复杂灵活的特点，发明人的意图和阅读者的理解难免出现偏差，作为对本领域技术人员的善意提醒：本发明最终技术目的是设计一个‘电阻率或电阻率分布随姿态变化而变化的姿态传感器’，在应用设计本发明时要结合现有技术、公知常识进行设计，而不是死板的按照本发明的字面意思来实施{又比如：本发明应用设计时应注意材料之间的化学、电化学关系；又比如：本发明应用设计时应注意减小电极与电阻层所构成连接的接触电阻；又比如本发明的增加单个电阻层外侧连接的电极数量，提高精度越高、增加可感知姿态；又比如根据电极、容腔的结构、数量、形状布局正确配置导电液体的体积;又比如：在电阻层外施加绝缘外壳、电磁屏蔽外壳、外壳、在电阻层外增加加强层；等等}；也就是说本发明申请文件的阅读应该站在具有公知常识、懂得现有技术、明白技术惯例的本领域技术人员的角度，在不违背本发明最终技术目的的前提上理解本发明申请文件。

本发明的有益效果：本发明结构简单、寿命长、成本低廉、可用于人工智能设备作为姿态感知装置。

附图说明

图1是本发明一个实施实例的示意图。

图2是本发明一个实施实例的示意图。

图3是本发明一个实施实例的示意图。

图4是本发明一个实施实例的示意图。

图5是本发明一个实施实例的示意图。

图6是本发明一个实施实例的示意图。

图7为本发明一个实施实例的示意图。

图8为本发明一个实施实例的示意图。

图9为本发明一个实施实例的示意图。

图10为本发明一个实施实例的示意图。

图11为本发明一个实施实例的示意图。

图12为本发明一个实施实例的示意图。

图13为本发明一个实施实例的示意图。

图14为本发明一个实施实例的示意图。

图15为本发明一个实施实例的示意图。

图16为本发明一个实施实例的示意图。

图17为本发明一个实施实例的示意图。

具体实施方式

下面结合实施实例对本发明作进一步说明。

实施实例1、如图1中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极100、电极110、导电液体101、容腔102、电阻层103、绝缘层104构成；容腔102由电阻层103、绝缘层104配合构成；电极100介入容腔中央；电极110与电阻层外侧；导电液体101装载在容腔102内；导电液体体积101小于容腔102的有效容积；导电液体101总是和电极100接触；导电液体101总是与电阻层103接触；

如图1中d为本实施实例的简单等效电路图（以下简称1.d）；

1.d中R11代表导电液体101运动导致的电极100、电极110之间的电阻变化的简单等效可变电阻；

1.d中R110为电阻层103在电极100、电极110之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

1.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V110为输出信号；

1.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例2、如图2中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极200、电极210、电极220、导电液体201、容腔202、电阻层203、绝缘层204构成；容腔202由电阻层203、绝缘层204配合构成；电极200介入容腔中央；电极210、电极220连接在电阻层203外侧；

如图2中d为本实施实例的简单等效电路图（以下简称2.d）；

2.d中R21代表导电液体201运动所导致的电极200、电极210之间的电阻变化的简单等效可变电阻；

2.d中R22代表导电液体201运动所导致的电极200、电极220之间的简单等效可变电阻；

2.d中R210为电阻层203在电极200、电极210之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

2.d中R220为电阻层203在电极200、电极220之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

2.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V210、V220为输出信号；

2.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例3、如图3中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极300、电极310、导电液体301、容腔302、电阻层303、绝缘层304构成；绝缘层304为T型在传感器姿态为正立时可以隔断导电液体301；容腔302由电阻层303、绝缘层304配合构成；电极300、电极310介入容腔内；电极300、电极310都连接在电阻层303内侧；

如图3中d为本实施实例的简单等效电路图（以下简称3.d）；

3.d中R31代表导电液体301运动所导致的电极300、电极310之间的电阻变化的简单等效可变电阻；

3.d中R310为电阻层303在电极300、电极310之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

3.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V310为输出信号；

3.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例4、如图4中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极400、电极410、导电液体401、容腔402、电阻层403、绝缘层404构成；容腔402由电阻层403、绝缘层404配合构成；电极400介入容腔中央，电极400与电阻层403内侧相连；电极410与电阻层403外侧相连；导电液体401装载在容腔402内；导电液体401体积小于容腔402的有效容积的50%；导电液体401能够与电阻层403接触；

如图4中d为本实施实例的简单等效电路图（以下简称4.d）；

4.d中R41代表导电液体401运动所导致的电极400、电极410之间的电阻变化的简单等效可变电阻；

4.d中R410为电阻层403在电极400、电极410之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

4.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V410为输出信号；

4.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例5、如图5中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极500、电极510、导电液体501、容腔502、电阻层503构成；容腔502由电阻层503单独构成；电极500、电极510都与电阻层503外侧相连；导电液体501装载在容腔502内；导电液体体积501小于容腔502的有效容积；

如图5中d为本实施实例的简单等效电路图（以下简称5.d）；

5.d中R51代表导电液体501运动所导致的电极500、电极510之间的电阻变化的简单等效可变电阻；

5.d中R510为电阻层503在电极500、电极510之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

5.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V510为输出信号；

5.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例6、如图6中a所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极600、电极610、电极620、电极630、导电液体601、容腔602、电阻层603构成；容腔602由电阻层603单独构成；电极600、电极610、电极620、电极630都与电阻层603外侧相连；导电液体601装载在容腔602内；导电液体体积601小于容腔602的有效容积；

如图6中b为本实施实例的简单等效电路图（以下简称6.b）：

6.b中R61代表导电液体601运动所导致电极600、电极610之间的电阻变动的简单等效可变电阻；

6.b中R62代表导电液体601运动所导致电极600、电极620之间的电阻变动的简单等效可变电阻；

6.b中R63代表导电液体601运动所导致电极600、电极630之间的电阻变动的简单等效可变电阻；

6.b中R61为电阻层603在电极600、电极610之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

6.b中R62为电阻层603在电极600、电极620之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

6.b中R63为电阻层603在电极600、电极630之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

6.b中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V610、V620、V630为输出信号;

6.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例7、如图7中a所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由选自实施实例5的2个姿态传感器51、姿态传感器52构成；姿态传感器51、姿态传感器52的各有一个电极共导线连接到VCC；

如图7中b为本实施实例的简单等效电路图（以下简称7.b）；

7.b中R51代表导电液体运动所导致姿态传感器51两个电极之间的简单等效可变电阻；

7.b中R52代表导电液体运动所导致姿态传感器52两个电极之间的简单等效可变电阻；

7.b中R510为电阻层在姿态传感器51的两个电极之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

7.b中R520为电阻层在姿态传感器52的两个电极之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

7.b中R为接地电阻，VCC为电源，GND为地点；V510、V520为输出信号;

7.b是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例8、如图8中a所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由选自实施实例3的1个姿态传感器31、选自实施实例5的1个姿态传感器52构成；姿态传感器31、姿态传感器51的各有一个电极共导线连接到VCC；

如图8中b为本实施实例的简单等效电路图（以下简称8.b）；

8.b中R31代表导电液体运动所导致姿态传感器31两个电极之间的简单等效可变电阻；

8.b中R51代表导电液体运动所导致姿态传感器51两个电极之间的简单等效可变电阻；

8.b中R310为电阻层在姿态传感器31两个电极之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

8.b中R510为电阻层在姿态传感器51两个电极之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

8.b中R为接地电阻，VCC为电源，GND为地点；V310、V510为输出信号;

8.b是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例9、如图9所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极900、电极910、电极920、电极930、导电液体901、容腔902、电阻层903构成；容腔902由电阻层903单独构成；电极900、电极910都与电阻层903外侧相连；导电液体901装载在容腔902内；导电液体体积901小于容腔902的有效容积；电阻层903为半导体沉积层，在电阻层903内腔对应电极的位置具有局部参杂区909、919、929、939。

实施实例10、如图10中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极A00、电极A10、电极A20、导电液体A01、容腔A02、电阻层A03、电阻层A031、绝缘层A04构成；容腔A02由电阻层A03、电阻层A031、绝缘层A04配合构成；电极A00介入容腔中央；电极A10连接在电阻层A03外侧；电极A20连接在电阻层A031外侧；

如图10中d为本实施实例的简单等效电路图（以下简称10.d）；

10.d中RA1代表导电液体A01运动所导致的电极A00、电极A10之间的电阻变化的简单等效可变电阻；

10.d中RA2代表导电液体A01运动所导致的电极A00、电极A20之间的简单等效可变电阻；

10.d中RA10为电阻层A03在电极A00、电极A10之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

10.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，VA10、VA20为输出信号；

10.是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例11、如图11中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极B00、电极B10、电极B20、导电液体B01、容腔B02、电阻层B03、电阻层B031、绝缘层B04构成；容腔B02由电阻层B03、电阻层B031、绝缘层B04配合构成；电极B00介入容腔中央；电极B10连接在电阻层B03外侧；电极B20连接在电阻层B031外侧；

如图11中d为本实施实例的简单等效电路图（以下简称11.d）；

11.d中RB1代表导电液体B01运动所导致的电极B00、电极B10之间的电阻变化的简单等效可变电阻；

11.d中RB2代表导电液体B01运动所导致的电极B00、电极B20之间的简单等效可变电阻；

11.d中RB10为电阻层B03在电极B00、电极B10之间产生的等效固定阻值（无视导电液体）；

11.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，VB10、VB20为输出信号；

11.是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。

实施实例12、如图12所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极C00、电极C10、电极C20、电极C30、导电液体C01、容腔C02、电阻层C03、绝缘体C04构成；容腔C02由电阻层C03和绝缘体C04构成；电极C10、电极C00、电极C30都同时与电阻层C03内侧、外侧相连，电极C20穿过绝缘体C04介入容腔C02内；导电液体C01装载在容腔C02内；导电液体体积C01小于容腔C02的有效容积。

实施实例13、如图13所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极D00、电极D10、电极D20、电极D30、导电液体D01、容腔D02、电阻层D03、绝缘体D04构成；容腔D02由电阻层D03和绝缘体D04构成；电极D00、电极D10、电极D30与电阻层D03外侧相连;电极D20介入容腔D02；导电液体D01装载在容腔D02内；导电液体体积D01小于容腔D02的有效容积。

实施实例14、如图14所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极E00、电极E10、电极E20、电极E30、导电液体E01、容腔E02、电阻层E03、绝缘体E04构成；容腔E02由电阻层E03构成；电极E00、电极E10、电极E30与电阻层E03外侧相连，电极E20与电阻层E03内、外侧相连；导电液体E01装载在容腔E02内；导电液体体积E01小于容腔E02的有效容积。

实施实例15、如图15所示，如图15所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极F00、电极F10、电极F20、电极F30、导电液体F01、容腔F02、电阻层F03构成；容腔F02由电阻层F03构成；电极F00、电极F10、电极F20、电极F30与电阻层F03外侧相连；容腔F02为环状；导电液体F01装载在容腔F02内；导电液体体积F01小于容腔F02的有效容积。

实施实例16、如图16所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极G00、电极G20、电极G30、导电液体G01、容腔G02、电阻层G03、绝缘体G04构成；容腔G02由电阻层G03和绝缘体G04构成；电极G20、电极G00、电极G30都与电阻层C03外侧相连，电极G20穿透绝缘体G04介入容腔G02内，G20是异形电极；导电液体G01装载在容腔G02内；导电液体体积G01小于容腔G02的有效容积。

实施实例17、如图17所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极H00、电极H10、电极H20、H21、H22、电极H30、导电液体H01、容腔H02、电阻层H03、绝缘体H04构成；容腔H02主要由电阻层H03和绝缘体H04构成；电极H00、电极H10、电极H30与电阻层H03外侧相连;电极H20、H21、H22介入容腔H02与电阻层H03内侧相连；导电液体H01装载在容腔H02内；导电液体体积H01小于容腔H02的有效容积。

实施实例18、在实施实例2的基础上改进，增加1个电极、1个接地电阻、1个输出信号，将增加的电极连接到电阻层的外侧表面，增加的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的电极与输出信号相连。

实施实例19、在实施实例2的基础上改进，增加2个电极、2个接地电阻、2个输出信号，将增加的电极连接到电阻层的外侧表面，增加的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连。

实施实例20、在实施实例2的基础上改进，增加2个电极、1个接地电阻、1个输出信号，将1个增加的电极连接到电阻层的外侧表面，将1个增加的电极介入容腔内，将增加的与电阻层外侧相连的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连，将增加的介入容腔内的电极与电源VCC相连。

实施实例21、在实施实例3的基础上改进，增加1个电极、1个接地电阻、1个输出信号，将增加的电极介入容腔内，将增加的电极连接到电阻层的内侧表面，将增加的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连。

实施实例22、在实施实例3的基础上改进，增加2个电极、1个接地电阻、1个输出信号；将增加的电极介入容腔内；将增加的电极连接到电阻层的外侧表面，将增加的1个电极与增加的接地电阻的非地端相连，将增加的另1个连接到电源VCC；将增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连。

以上实施实例是本发明的可行方案，但不是对本发明的保护范围的限定，本发明所包含的技术方案虽多，这些各个方案的不同之处主要是电极与电阻层连接的分布上，本领域技术人员在理解本发明的核心内容后能够依照本发明的核心原理根据逻辑来推理他们的特征，故不赘述，本领域技术人员通过本发明所给的技术启示，结合‘公知常识’、‘现有技术’进行的可正常、良性运行的实施设计均应算作本发明的范畴。

Claims (9)

1.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由2个电极、导电液体、容腔、1个电阻层构成；容腔与电阻层共界面；1个电极介入容腔内；介入容腔内的电极不与电阻层相连；1个电极与电阻层的外侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体总是与容腔内电极相接触；导电液体总是与电阻层内侧相接触；导电液体体积小于容腔有效容积。

2.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由导电液体、容腔、1个电阻层、至少3个电极构成；至少1个电极介入容腔内；至少1个介入容腔的电极不与电阻层相连；容腔与电阻层共界面；电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

3.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少1个电阻层构成；容腔与至少1个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的内侧相连；至少1个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

4.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少1个电阻层构成；容腔与至少1个电阻层共界面；至少有1个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少1个、至少1个电极相连；至少2个分别连接在同一电阻层内、外侧的电极不与所连电阻层上电极自身所连侧的对立侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

5.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少1个电阻层构成；容腔与至少1个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的外侧相连；至少有1个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。

6.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：在技术内容1-5中选择多种姿态传感器使它们的容腔相通或者合并它们的容腔；新容腔内导电液体的体积小于新容腔的有效容积。

7.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于：主要由任选技术内容1-6所述的1个姿态传感器、至少1个接地电阻器构成；每个接地电阻器的非接地端与姿态传感器的1个电极相连。

8.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器集群，其特征在于：主要由在技术内容1-7所述的姿态传感器中单选或多选种类地至少2个姿态传感器构成、至少1条导线构成；至少1个姿态传感器的至少1个电极与其他姿态传感器至少1个电极共连同一导电线；至少2个姿态传感器都至少有1个电极不与自身所在姿态传感器的其他电极共连同一导电线。

9.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器或其集群的应用，其特征在于：选取技术内容1-8的姿态传感器或其集群将电极合理的连接在应用电路上。