CN105655494A - 有机发光二极管的基底及其制作方法、有机发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光二极管的基底,其包括:柔性衬底(10);金属层(20),形成在所述柔性衬底(10)的第一表面上;第一钝化层(30),形成在所述金属层(20)的背向所述第一表面的表面上;第二钝化层(40),形成在所述柔性衬底(10)的第二表面上;其中,所述第二表面与所述第一表面相对。本发明还公开了一种有机发光二极管的基底的制作方法、有机发光二极管。本发明的有机发光二极管(OLED)的基底及其制作方法,与现有技术的OLED的基底相比,能够提高柔性衬底的水氧阻挡能力,且还能降低柔性衬底的上表面的粗糙度,同时又能提高柔性衬底的散热性。
Description
技术领域
本发明属于光电技术领域,具体地讲,涉及一种有机发光二极管的基底及其制作方法、有机发光二极管。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示技术与传统的LCD显示技术不同,其无需背光灯,且具有自发光的特性,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。而且屏可以做得更轻更薄,可视角度更大,并且能够显著节省电能。
目前,制备柔性OLED器件的衬底主要是聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或者聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。然而这些塑料衬底具有的水氧阻挡性较差,并且这些塑料衬底不耐高温,表面粗糙度大,故利用这些塑料衬底制备的柔性OLED器件的性能较差。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种有机发光二极管的基底,其包括:柔性衬底;金属层,形成在所述柔性衬底的第一表面上;第一钝化层,形成在所述金属层的背向所述第一表面的表面上;第二钝化层,形成在所述柔性衬底的第二表面上;其中,所述第二表面与所述第一表面相对。
进一步地,所述金属层通过溅射或者蒸镀的方法形成。
进一步地,所述第一钝化层和/或所述第二钝化层通过化学气相沉淀或原子层沉积的方法形成。
本发明的另一目的还在于提供一种有机发光二极管的基底的制作方法,其包括:提供一柔性衬底;在所述柔性衬底的第一表面上形成金属层;在所述金属层的背向所述第一表面的表面上形成第一钝化层;在所述柔性衬底的第二表面上形成第二钝化层;其中,所述第二表面与所述第一表面相对。
进一步地,利用溅射或者蒸镀的方法在所述柔性衬底的第一表面上形成金属层。
进一步地,利用化学气相沉淀或原子层沉积的方法在所述金属层的背向所述第一表面的表面上形成第一钝化层。
进一步地,利用化学气相沉淀或原子层沉积的方法在所述柔性衬底的第二表面上形成第一钝化层。
本发明的又一目的又在于提供一种有机发光二极管,其包括:柔性衬底;在所述柔性衬底的第一表面上的金属层;在所述金属层的背向所述第一表面的表面上的第一钝化层;在所述柔性衬底的第二表面上的第二钝化层;依次在所述第二钝化层的背向所述第二表面的表面上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层;其中,所述第二表面与所述第一表面相对。
本发明的有益效果:本发明的有机发光二极管(OLED)的基底及其制作方法,与现有技术的OLED的基底相比,能够提高柔性衬底的水氧阻挡能力,且还能降低柔性衬底的上表面的粗糙度,同时又能提高柔性衬底的散热性。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是根据本发明的实施例的用于有机发光二极管(OLED)的基底的结构示意图;
图2是根据本发明的实施例的用于有机发光二极管(OLED)的基底的制作方法的流程图;
图3是根据本发明的实施例的有机发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
以下,将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中,为了清楚元器件,夸大了层和区域的厚度。相同的标号在附图中始终表示相同的元件。
将理解的是,尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。
也将理解的是,在一层或元件被称为在或形成在另一层或基板“之上”或“之下”时,它可以直接在或形成在该另一层或基板上或下,或者也可以存在中间层或中间元件。
图1是根据本发明的实施例的用于有机发光二极管(OLED)的基底的结构示意图。图2是根据本发明的实施例的用于有机发光二极管(OLED)的基底的制作方法的流程图。
参照图1和图2,在步骤210中,提供一柔性衬底10。这里,柔性衬底10可采用适当的柔性材料制成,例如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或者聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),但本发明并不限制于此。
在步骤220中,在柔性衬底10的第一表面上形成金属层20。这里,柔性衬底10的第一表面指的是柔性衬底10的下表面,但本发明并不限制于此。金属层20的设置,能够提高柔性衬底10的水氧阻挡能力,同时提高柔性衬底10的散热性。
进一步地,利用溅射或者蒸镀的方法在柔性衬底10的下表面上形成金属层20。在本实施例中,金属层20可以由金属单质(例如铝、铬等)、不锈钢、金属合金等材料制成,但本发明并不限制于此。需要说明的是,金属层20的厚度可以在15nm~40nm之间。
在步骤230中,在金属层20的背向柔性衬底10的第一表面的表面上形成第一钝化层30。这里,金属层20的背向柔性衬底10的第一表面的表面指的是金属层20的下表面。第一钝化层30的设置,能够提高柔性衬底10的水氧阻挡能力,同时能够保护金属层20,防止金属层20被氧化或损伤。
进一步地,利用化学气相沉淀或原子层沉积的方法在金属层20的下面上形成第一钝化层30。在本实施例中,第一钝化层30可以由氮化硅、二氧化硅或者氧化铝等材料制成,但本发明并不限制于此。需要说明的是,第一钝化层30的厚度可以在200nm~500nm之间。
在步骤240中,在柔性衬底10的第二表面上形成第二钝化层40。这里,柔性衬底10的第二表面指的是柔性衬底10的上表面,其与柔性衬底10的第一表面(即上表面)相对。第二钝化层40的设置,能够提高柔性衬底10的水氧阻挡能力,同时降低柔性衬底10的上表面的粗糙度。
进一步地,利用化学气相沉淀或原子层沉积的方法在柔性衬底10的第二表面上形成第二钝化层40。在本实施例中,第二钝化层40可以由氮化硅、二氧化硅或者氧化铝等材料制成,但本发明并不限制于此。需要说明的是,第二钝化层40的厚度可以在50nm~150nm之间。
此外,需要注意的是,第一钝化层30和第二钝化层40可以采用相同的材料制成,例如二者均采用氮化硅制成,也可以采用不同的材料制成,例如,第一钝化层30采用氮化硅制成,而第二钝化层40采用二氧化硅制成。
本实施例提供的有机发光二极管(OLED)的基底及其制作方法,与现有技术的OLED的基底相比,能够提高柔性衬底10的水氧阻挡能力,且还能降低柔性衬底10的上表面的粗糙度,同时又能提高柔性衬底10的散热性。
图3是根据本发明的实施例的有机发光二极管的结构示意图。
参照图3,根据本发明的实施例的有机发光二极管包括:柔性衬底10;在柔性衬底10的第一表面上的金属层20;在金属层20的背向柔性衬底10的第一表面的表面上的第一钝化层30;在柔性衬底20的第二表面上的第二钝化层40;依次在第二钝化层40的背向柔性衬底20的第二表面的表面上的阳极层50、空穴注入层(HoleInjectLayer;HIL)60、空穴传输层(HoleTransportLayer;HTL)70、有机发光层(EML)80、电子传输层(ElectronTransportLayer;ETL)90、电子注入层(ElectronInjectLayer;EIL)100及阴极层110。
这里,第二钝化层40的背向柔性衬底20的第二表面的表面指的是第二钝化层40的上表面。
在本实施例中,阳极层50可以由氧化铟锡(ITO)制成,但本发明并不限制于此。阴极层110可以由导电金属制成,但本发明并不限制于此。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下,可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管的基底,其特征在于,包括:
柔性衬底(10);
金属层(20),形成在所述柔性衬底(10)的第一表面上;
第一钝化层(30),形成在所述金属层(20)的背向所述第一表面的表面上;
第二钝化层(40),形成在所述柔性衬底(10)的第二表面上;
其中,所述第二表面与所述第一表面相对。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管的基底,其特征在于,所述金属层(20)通过溅射或者蒸镀的方法形成。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管的基底,其特征在于,所述第一钝化层(30)和/或所述第二钝化层(40)通过化学气相沉淀或原子层沉积的方法形成。
4.一种有机发光二极管的基底的制作方法,其特征在于,包括:
提供一柔性衬底(10);
在所述柔性衬底(10)的第一表面上形成金属层(20);
在所述金属层(20)的背向所述第一表面的表面上形成第一钝化层(30);
在所述柔性衬底(10)的第二表面上形成第二钝化层(40);其中,所述第二表面与所述第一表面相对。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管的基底的制作方法,其特征在于,利用溅射或者蒸镀的方法在所述柔性衬底(10)的第一表面上形成金属层(20)。
6.根据权利要求4或5所述的有机发光二极管的基底的制作方法,其特征在于,利用化学气相沉淀或原子层沉积的方法在所述金属层(20)的背向所述第一表面的表面上形成第一钝化层(30)。
7.根据权利要求4或5所述的有机发光二极管的基底的制作方法,其特征在于,利用化学气相沉淀或原子层沉积的方法在所述柔性衬底(10)的第二表面上形成第一钝化层(30)。
8.一种有机发光二极管,其特征在于,包括:
柔性衬底(10);
在所述柔性衬底(10)的第一表面上的金属层(20);
在所述金属层(20)的背向所述第一表面的表面上的第一钝化层(30);
在所述柔性衬底(10)的第二表面上的第二钝化层(40);
依次在所述第二钝化层(40)的背向所述第二表面的表面上的阳极层(50)、空穴注入层(60)、空穴传输层(70)、有机发光层(80)、电子传输层(90)、电子注入层(100)及阴极层(120);其中,所述第二表面与所述第一表面相对。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管,其特征在于,其特征在于,所述金属层(20)通过溅射或者蒸镀的方法形成。
10.根据权利要求8或9所述的有机发光二极管,其特征在于,所述第一钝化层(30)和/或所述第二钝化层(40)通过化学气相沉淀或原子层沉积的方法形成。
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WO (1) | WO2017156819A1 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108666341A (zh) * | 2017-03-30 | 2018-10-16 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
CN109390499A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-26 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板及移动终端 |
CN110350104A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及电子设备 |
WO2019237506A1 (zh) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管的基底及其制作方法 |
US11289687B2 (en) | 2019-07-04 | 2022-03-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode (OLED) display panel and electronic device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10637005B2 (en) * | 2016-08-26 | 2020-04-28 | Osram Oled Gmbh | Method of producing a component module and component module |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020140347A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-03 | Weaver Michael Stuart | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers |
US7026759B2 (en) * | 2002-03-25 | 2006-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting device having specific linear thermal expansion coefficient and gas barrier properties |
CN1895003A (zh) * | 2003-12-30 | 2007-01-10 | 新加坡科技研究局 | 可挠性电致发光元件 |
CN101236346A (zh) * | 2006-12-12 | 2008-08-06 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 柔性基板以及具有该柔性基板的柔性显示器件 |
CN101982012A (zh) * | 2008-03-31 | 2011-02-23 | 住友化学株式会社 | 有机电致发光元件 |
CN103096615A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-05-08 | 南京市江宁区丁卯电子科技中心 | 一种安装有发光二极管的柔性电路板 |
CN103548135A (zh) * | 2011-03-23 | 2014-01-29 | 大日本印刷株式会社 | 散热基板及使用其的元件 |
CN105122941A (zh) * | 2013-04-05 | 2015-12-02 | 日东电工株式会社 | 有机电致发光器件、和其制造方法 |
CN105390621A (zh) * | 2014-08-21 | 2016-03-09 | 环球展览公司 | 用于衬底和装置的薄膜渗透屏障系统和制造所述薄膜渗透屏障系统的方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10142489A1 (de) * | 2000-09-15 | 2002-04-04 | Leica Microsys Lithography Ltd | Sechsachsiges Positioniersystem mit magnetfeldfreiem Raum |
EP2186345B1 (en) * | 2007-09-14 | 2019-04-17 | Ricoh Company, Ltd. | Imaging apparatus and imaging method |
US7816856B2 (en) * | 2009-02-25 | 2010-10-19 | Global Oled Technology Llc | Flexible oled display with chiplets |
KR101074813B1 (ko) * | 2010-01-07 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN202145468U (zh) * | 2011-05-06 | 2012-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性有机电致发光器件 |
US9758426B2 (en) * | 2011-06-29 | 2017-09-12 | Vitro, S.A.B. De C.V. | Reflective article having a sacrificial cathodic layer |
US9518920B2 (en) * | 2013-06-26 | 2016-12-13 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for microscopy |
JP2016163933A (ja) * | 2013-07-02 | 2016-09-08 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルムの製造方法 |
KR101673016B1 (ko) * | 2013-08-27 | 2016-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 |
-
2016
- 2016-03-18 CN CN201610154829.6A patent/CN105655494B/zh active Active
- 2016-04-15 WO PCT/CN2016/079464 patent/WO2017156819A1/zh active Application Filing
- 2016-04-15 US US15/100,348 patent/US20180090697A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020140347A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-03 | Weaver Michael Stuart | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers |
US7026759B2 (en) * | 2002-03-25 | 2006-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting device having specific linear thermal expansion coefficient and gas barrier properties |
CN1895003A (zh) * | 2003-12-30 | 2007-01-10 | 新加坡科技研究局 | 可挠性电致发光元件 |
CN101236346A (zh) * | 2006-12-12 | 2008-08-06 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 柔性基板以及具有该柔性基板的柔性显示器件 |
CN101982012A (zh) * | 2008-03-31 | 2011-02-23 | 住友化学株式会社 | 有机电致发光元件 |
CN103548135A (zh) * | 2011-03-23 | 2014-01-29 | 大日本印刷株式会社 | 散热基板及使用其的元件 |
CN103096615A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-05-08 | 南京市江宁区丁卯电子科技中心 | 一种安装有发光二极管的柔性电路板 |
CN105122941A (zh) * | 2013-04-05 | 2015-12-02 | 日东电工株式会社 | 有机电致发光器件、和其制造方法 |
CN105390621A (zh) * | 2014-08-21 | 2016-03-09 | 环球展览公司 | 用于衬底和装置的薄膜渗透屏障系统和制造所述薄膜渗透屏障系统的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
MYEON-CHEON CHOI: "Polymers for flexible displays From material selection to device applications", 《PROGRESS IN POLYMER SCIENCE》 * |
冯魏良: "柔性显示衬底的研究及进展", 《液晶与显示》 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108666341A (zh) * | 2017-03-30 | 2018-10-16 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
CN108666341B (zh) * | 2017-03-30 | 2021-04-02 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
WO2019237506A1 (zh) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管的基底及其制作方法 |
CN109390499A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-26 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板及移动终端 |
CN110350104A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及电子设备 |
US11289687B2 (en) | 2019-07-04 | 2022-03-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode (OLED) display panel and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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