CN105633278B - 等离子体集成开关器件 - Google Patents

等离子体集成开关器件 Download PDF

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Abstract

本申请公开了等离子体集成开关器件。一种开关器件包括至少部分布置在密封室(314)内的第一电极(316)。密封室(314)封入等离子体相变材料。开关器件(300)包括至少部分布置在密封室(314)内的第二电极(318)。第二电极(318)与第一电极(316)物理分离。当经受满足阈值的信号(360/361)时，等离子体相变材料在密封室(314)内形成等离子体。当形成等离子体时，第一电极(316)经由等离子体电耦接至第二电极(318)。当没有形成等离子体时，第一电极(316)与第二电极(318)电隔离。开关器件包括电耦接至第一电极的第一连接器(404)以及电耦接至第二电极的第二连接器(406)。第一连接器、第二连接器、或者第一连接器和第二连接器均被配置为接收信号。

Description

等离子体集成开关器件
技术领域
本公开内容涉及等离子体集成开关器件。
背景技术
诸如天线和到达方向估计系统中的低噪声放大器的部件可能易受到来自位于该部件附近的其他装置的高功率微波攻击或者干扰。在相控阵天线系统和某些其他通信系统中，基于碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)或者氮化镓(GaN)的限制器可直接插入式放置以提供针对高功率信号的保护。例如，基于SiC的限制器可放置在天线和低噪声放大器之间以减少通过低噪声放大器的功率量。基于SiC的限制器可集成在相控阵天线的各个元件中。因为相控阵天线可包括成千上万的元件，所以将限制器放置在各个元件中可引入重大成本和复杂性。此外，限制器产生明显的插入损耗。
防止电子装置(诸如，低噪声放大器)暴露于高功率电磁辐射(例如，高功率微波辐射)的另一种方法可以将可切换的晶体管化网格系统放置在天线阵前面。可切换的晶体管化网格系统可包括布置在具有间断点的网格中的导体。晶体管可以位于各个间断点处。当晶体管断开(例如，像打开开关)时，电磁能量可穿过网格。当晶体管接通(例如，像闭合的开关)时，该网格是有效连续的，并且电磁能量可自网格反射。因为各个晶体管设置有用于切换的功率，通过使用此种可切换的晶体管化网格系统可增加明显的复杂性。进一步地，威胁检测、控制信号的传送、以及晶体管的切换时间会增加不可接受的延迟。
发明内容
本文公开的具体实施方式包括采用等离子体相变材料的开关器件。等离子体相变材料在第一相中可以基本上是非导电的并且在第二相中基本上是导电的。开关器件可包括位于封入等离子体相变材料的密封室内的电极。电极可以彼此物理分离。至少部分基于施加到一个或多个电极的信号特性，等离子体相变材料的相位可以转换。因此，当等离子体相变材料在第一相时，开关器件可选择性地禁止信号通过开关器件传输，但是当等离子体相变材料在第二相时，允许信号通过开关器件传输。
在具体实施方式中，开关器件包括至少部分布置在密封室内的第一电极。密封室封入一定量的等离子体相变材料(例如，气体)。开关器件包括至少部分布置在密封室内的第二电极。第二电极与第一电极物理分离。当气体经受满足阈值的信号(例如，通过将信号施加到第一电极或第二电极中的一个或多个)时，该气体在密封室内形成等离子体。当形成等离子体时，第一电极经由等离子体电耦接至第二电极。当没有形成等离子体时，第一电极与第二电极电隔离。开关器件包括电耦接至第一电极的第一连接器以及电耦接至第二电极的第二连接器。第一连接器、第二连接器、或者第一连接器和第二连接器两者被配置为接收信号。
在具体实施方式中，一种方法包括：将信号施加到开关器件的第一电极。开关器件包括至少部分布置在密封室内的第一电极。密封室封入一定量的等离子体相变材料(例如，气体)。开关器件包括至少部分布置在密封室内的第二电极。第二电极与第一电极物理分离。该方法包括当信号满足阈值时在气体中形成等离子体。当形成等离子体时，第一电极经由等离子体电耦接至第二电极。当没有形成等离子体时，第一电极与第二电极电隔离。
在另一具体实施方式中，一种系统包括：射频(RF)电路、天线接口和开关器件。开关器件包括耦接至RF电路并且至少部分布置在密封室内的第一电极。密封室封入一定量的等离子体相变材料(例如，气体)。开关器件包括耦接至天线接口并且至少部分布置在密封室内的第二电极。第二电极与第一电极物理分离。当气体经受满足阈值的信号(例如，通过将信号施加到第一电极或第二电极中的一个或多个)时，该气体在密封室内形成等离子体。当形成等离子体时，第一电极经由等离子体电耦接至第二电极。当没有形成等离子体时，第一电极与第二电极电隔离。
已经描述的特征、功能以及优点可以在各个实施方式中独立地实现或者也可以结合在其他实施方式中，将参考以下说明和附图公开更多细节。
附图说明
图1是示出了包括等离子体集成开关器件的具体实施方式的通信系统的具体实施方式的框图；
图2是示出了包括一个或多个偏置连接器的开关器件的具体实施方式的印刷电路板的具体实施方式的框图；
图3示出了包括耦接至图2的印刷电路板的具体实施方式的芯片封装件的具体实施方式的开关器件的具体实施方式；
图4示出了芯片封装件的具体实施方式的底座的立体图；
图5示出了芯片封装件的具体实施方式的盖的立体图；
图6示出了未组装的芯片封装件的具体实施方式的截面图；
图7示出了组装的芯片封装件的具体实施方式的截面图；
图8示出了组装的芯片封装件的具体实施方式的立体图；
图9示出了组装的芯片封装件的具体实施方式的立体图；
图10示出了晶片芯片封装件的具体实施方式的截面图；
图11是切换方法的具体实施方式的流程图；
图12是示出包括通信系统的具体实施方式的飞机的寿命周期的流程图，该通信系统包括开关器件的具体实施方式；以及
图13是包括通信系统的具体实施方式的飞机的示例性实施方式的框图，该通信系统包括开关器件的具体实施方式。
具体实施方式
以下将参考附图描述本公开内容的具体实施方式。在描述中，贯穿附图，共同特征通过共同的参考标号指出。
本文公开的实施方式包括采用等离子体相变材料的开关器件。等离子体相变材料可以在第一相中基本上是非导电的并且在第二相中基本上是导电的，或者反之亦然。如本文中使用的，基本上非导电材料是指几乎没有移动的带电载流子的材料，诸如，绝缘体或者电介质。因此，基本上非导电材料具有高介电常数。相反，本文中的基本上导电材料是指具有许多移动的带电载流子的材料，诸如，等离子体。为了说明，等离子体相变材料可以是经过气体到等离子体相变的气体。响应于电能(例如，电场或者电磁场)施加到气体，可以引发从第一相到第二相的相变。
在具体实施方式中，当等离子体形成在导电元件之间时，等离子体可以是冷等离子体。冷等离子体可仅被部分电离。例如，在冷等离子体中，仅可以电离约1％的气体。这与热的或者热等离子体相反，其中，可以电离更高比例的气体。
在一些实施方式中，开关器件包括芯片封装件，该芯片封装件包括封入等离子体相变材料的密封室(例如，气密密封的腔)。在一些实施方式中，开关器件包括至少部分布置在密封室内的电极。该电极彼此物理分离，并且电极之间的间隙由等离子体相变材料占据。例如，电极之间的区域可包括通过等离子体相变材料填充的一个或多个间断。
如上所述，响应于电能(例如，电场或者电磁场)施加到等离子体相变材料，可以引发从第一相到第二相的相变。至少部分地响应于信号(例如，直流(DC)信号或者RF信号)施加到密封室内的一个或多个电极，该电能可施加到等离子体相变材料。可仅使等离子体相变材料经受DC信号或者RF信号(例如，通过将DC信号或者RF信号施加到一个或多个电极)，或者与其他因素协作(例如，等离子体相变材料的温度、施加到等离子体相变材料的偏置电流，施加到等离子体相变材料的另一个信号，或者将相变材料预处理或者偏置到接近相变临界点的另一个因素)使等离子体相变材料从导电相位转变为非导电相位，或者反之亦然。因此，开关器件可以至少部分基于施加到电极的信号的特性选择性地抑制电极之间的信号传输(例如，跨越间隙)。
参考图1，描述了采用包括一个或多个芯片封装件的多个开关器件的通信系统的具体实施方式并且通常指定为100。通信系统100包括第一开关器件102、第二开关器件104、偏置控制器106、RF电路108、天线接口110以及天线阵112。在一些实施方式中，通信系统100是RADAR系统，并且RF电路108、天线接口110以及第一开关器件102和第二开关器件104是RADAR系统的部件。如本文中使用的，术语射频包括具有300千兆赫(GHz)和3千赫(KHz)之间的频率的电磁信号。在一些实施方式中，天线阵112包括多个天线元件133。在一些实施方式中，RF电路108包括发送器电路128、接收器电路130，或者发送器电路128和接收器电路130两者。
在一些实施方式中，至少两个开关器件耦接至多个天线元件133中的特定天线元件。例如，第一开关器件102和第二开关器件104可耦接至多个天线元件133中的特定元件。
第一开关器件102包括芯片封装件115，该芯片封装件115包括密封室117，并且第二开关器件104包括芯片封装件113，该芯片封装件113包括密封室114。第一开关器件102的密封室117包括第一电极119和第二电极121。第二开关器件104的密封室114包括第一电极116和第二电极118。第一开关器件102的第一电极119和第二电极121彼此物理分离。第二开关器件104的第一电极116和第二电极118彼此物理分离。密封室114和117中的每一个封入等离子体相变材料。例如，第一开关器件102的第一电极119和第二电极121之间的区域可由气体占据。
第一开关器件102的第二电极121可耦接至天线接口110，并且第二开关器件104的第二电极118可耦接至天线接口110。在一些实施方式中，第一电极116和119中的一个或多个耦接至RF电路108。在一些实例中，第二开关器件104的第一电极116耦接至发送器电路128，并且第一开关器件102的第一电极119耦接至接收器电路130。至少部分基于分别施加到一个或多个电极116、118、119或121的信号136、137、138或139的特性，第一开关器件102和第二开关器件104中的一个或多个可以选择性地抑制信号136、137、138或139(例如，DC信号或者RF信号)在电极之间(例如，跨越间隙)的传输。
在一些实施方式中，当施加到第一开关器件102的第二电极121的信号139的一个或多个特性满足第一阈值时，第一开关器件102转变为基本上导电状态。可替换地或者此外，当施加到第一开关器件102的第一电极119的信号138的一个或多个特性满足第一阈值时，第一开关器件102可以转变为基本上非导电状态。在一些实施方式中，当施加到第二开关器件104的第一电极116的信号136的一个或多个特性满足第二阈值时，第二开关器件104转变为基本上导电状态。可替换地或者此外，当施加到第二开关器件104的第二电极118的信号137的一个或多个特性满足第二阈值时，第二开关器件104可以转变为基本上非导电状态。应当理解，被描述为当信号136、137、138或139的一个或多个特性满足阈值时转变为基本上导电状态的开关器件可以可替换地被配置为当信号136、137、138或139满足该阈值时转变为基本上非导电状态。第一阈值和第二阈值可以对应于功率(例如，峰值功率或者强度)阈值、频率阈值、或者功率阈值和频率阈值两者。
开关器件102和104中的每一个可以是无源开关和/或有源开关。无源开关对施加到电极的信号136、137、138或139做出响应，而有源开关可与控制等离子体相变材料的状态的其他因素协作进行操作。例如，有源开关可包括偏置连接器，诸如，偏置连接器120或123。在这个实例中，通过将一个或多个偏置信号141或142施加到耦接至一个或多个电极116、118、119和/或121的一个或多个偏置连接器120和/或123，第一阈值和/或第二阈值是可调整的(例如，可以减少或者增加)。无源开关不包括偏置连接器120/123。因此，无源开关中的等离子体相变材料可以仅响应于来自RF电路108和/或天线阵112的信号(例如，信号136、137、138或139)形成等离子体。
在接收模式操作期间，在天线阵112处可以接收信号144(诸如，RF信号)(例如，“接收信号”)。接收信号144(或者从其中得出的信号139)施加到第一开关器件102的第二电极121。信号139可包括第一特性(例如，功率或强度或频率)。当第一特性满足第一阈值，并且密封室117内的等离子体相变材料经受信号139(例如，信号139施加到一个或多个第一或第二电极119和/或121)时，密封室117内的等离子体相变材料形成耦接第一电极119和第二电极121的等离子体。当第一特性不满足第一阈值时，密封室117内的等离子体相变材料没有形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电隔离。在接收操作期间，第一开关器件102(耦接至接收器电路130)的密封室117内的等离子体相变材料可形成等离子体，并且第二开关器件104(耦接至发送器电路128)的密封室114内的等离子体相变材料不能形成等离子体。
至于无源开关，第一阈值是不可调整的。因此，至于无源开关，第一开关器件102可全部基于第一特性使第一电极119和第二电极121电耦接。然而，在包括有源开关的实施方式中，通过将偏置信号142施加到第一开关器件102的偏置连接器，第一阈值是可调整的(例如，可以减少或者增加)。例如，当第一开关器件102是有源开关时，偏置控制器106可将偏置信号142施加到第一开关器件102的偏置连接器123以调整第一开关器件102的第一阈值。因此，当不调整(例如，在无源开关或者非偏置有源开关中)时，第一特性不能满足第一阈值，从而使得等离子体相变材料保持为气体状态。然而，当在使用偏置信号142的有源开关实施方式中调整第一阈值时，第一特性可满足所调整的第一阈值，使得等离子体相变材料在密封室117内形成等离子体。因此，至于有源开关，第一开关器件102可基于第一特性以及所调整的阈值使电极119和121电耦接。
在一些实施方式中，当超过第一阈值时，满足第一阈值(例如，峰值功率电平或者频率)。例如，当第一特性(例如，施加到第一电极的信号的功率水平或者频率)大于第一阈值时，等离子体相变材料在密封室117内形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电耦接，允许信号139跨越第一电极119和第二电极121之间的间隙传导。当第一特性不超过第一阈值时，等离子体相变材料在密封室117内没有形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121彼此电隔离，防止信号139跨越该间隙传导。
如上所述，在一些实施方式中，第一阈值是可调整的。例如，当第一阈值不调整(例如，在无源开关或者非偏置有源开关中)时，第一特性不能超过第一阈值，导致等离子体相变材料在密封室117内不能形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电隔离。然而，当第一阈值被调整(例如，减少)时，第一特性可超过所调整的第一阈值，使得等离子体相变材料在密封室117内形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电耦接。如另一实例，当第一阈值不调整(例如，在无源开关或者非偏置有源开关中)时，第一特性可超过第一阈值，导致等离子体相变材料在密封室117内形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电耦接。然而，当第一阈值被调整(例如，增加)时，第一特性不能超过所调整的第一阈值，使得等离子体相变材料在密封室117内不能形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电隔离。
在其他实施方式中，当不超过第一阈值时，就满足第一阈值。例如，当第一特性不超过第一阈值时，等离子体相变材料在密封室117内形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电耦接。当第一特性确实超过第一阈值时，等离子体相变材料在密封室117内没有形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电隔离，防止信号139跨越该间隙传导。
如上所说明的，在一些实施方式中，第一阈值是可调整的。例如，当不调整(例如，在无源开关或者非调整有源开关中)时，第一特性可超过第一阈值，导致等离子体相变材料在密封室117内没有形成等离子体。然而，当第一阈值通过偏置信号142调整时，可增加第一阈值，使得第一特性不超过所调整的第一阈值，使等离子体相变材料在密封室117中形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电耦接。如另一实例，当不调整(例如，在无源开关或者非偏置有源开关中)时，第一特性不能超过第一阈值，导致等离子体相变材料在密封室117内形成等离子体。当第一阈值通过偏置信号142调整时，可减小第一阈值，使得第一特性不超过所调整的第一阈值，使等离子体相变材料在密封室117中没有形成等离子体，从而使第一电极119和第二电极121电隔离。
在一些实施方式中，与第二开关器件104相关的第二阈值对应于功率(例如，峰值功率或者强度)阈值、频率阈值、或者功率阈值和频率阈值两者，并且如以上关于第一开关器件102所描述的可以是可调整的。例如，在发送操作期间，来自发送器电路128的信号136(例如，DC信号或RF信号)可在第一电极116处施加到第二开关器件104(例如，通过天线阵112发送的)。信号136可具有第二特性(例如，功率、强度或者频率)。如参考第一开关器件102所描述的，第二开关器件104内的等离子体相变材料可基于第二特性是否满足第二阈值而在密封室114内形成等离子体。例如，当第二特性满足第二阈值时，并且当等离子体相变材料在密封室114内经受信号136(例如，通过将信号136施加到一个或多个第一电极116和第二电极118)时，密封室114内的等离子体相变材料可形成耦接第一电极116和第二电极118的等离子体。当第二特性不满足第二阈值时，密封室114内的等离子体相变材料可保持为气体状态，使第一电极116和第二电极118电隔离。
在一些实施方式中，第二开关器件104是有源开关。在此种实施方式中，通过将偏置信号141施加到第二开关器件104的偏置连接器120，第二阈值是可调整的(例如，可以减少或者增加)。例如，偏置信号141可以是DC信号或者RF信号。偏置控制器106可被配置为通过将偏置信号141施加到偏置连接器120来调整第二阈值。
例如，当没有调整第二阈值(例如，在无源开关或者非偏置有源开关中)时，第二特性不能满足(例如，如上所述，可超过或者不能超过)第二阈值，导致密封室114中的等离子体相变材料没有形成等离子体，从而使第一电极116和第二电极118电隔离。然而，当基于偏置信号141调整第二阈值(例如，如上所述，减少)时，第二特性可满足(例如，可超过)所调整的第二阈值，使密封室114内的等离子体相变材料形成等离子体，从而使第一电极116和第二电极118电耦接。如另一实例，当没有调整第二阈值(例如，在无源开关或者非偏置有源开关中)时，第二特性可满足(例如，可超过)第二阈值，导致密封室114中的等离子体相变材料形成等离子体，从而使第一电极116和第二电极118电耦接。然而，当基于偏置信号141调整第二阈值(例如，如上所述，增加)时，第二特性不能满足(例如，不能超过)所调整的第二阈值，使密封室114内的等离子体相变材料没有形成等离子体，从而使第一电极116和第二电极118电隔离。因此，对于有源开关，第二开关器件104基于信号141(例如，要传输的信号)的特性并且所调整的阈值可使电极电耦接。
在一些实例中，在发送操作期间，第一开关器件102(耦接至接收器电路130)的等离子体相变材料没有形成等离子体，并且第二开关器件104(耦接至发送器电路128)的等离子体相变材料形成等离子体。在这个实例中，第一开关器件102处于打开(例如，不导电)状态，并且第二开关器件104处于关闭(例如，导电)状态。
响应于通过偏置电路131施加的偏置信号141或142，第一阈值和第二阈值可以是彼此独立可调整的。例如，在一些实施方式中，偏置电路131被配置为调整第一阈值而不调整第二阈值，或者反之亦然。在一些实例中，此外或者可替代地，偏置电路131被配置为反向调整第一阈值和第二阈值(例如，增加第一阈值而减小第二阈值)，或者将第一阈值和第二阈值调整为不同的量。
图2描述了印刷电路板装置200，其包括芯片封装件(例如，图1的芯片封装件113和/或115)的电极被配置为耦接至的连接器(例如，微带或者其他传输线)。印刷电路板装置200包括第一印刷电路板连接器(例如，第一长度的微带)236以及第二印刷电路板连接器(例如，第二长度的微带)238。一个或多个信号(例如，图1的信号136、137、138或139)经由一个或多个印刷电路板连接器236、238可以提供至开关器件(例如，图1的第一开关器件102或第二开关器件104)。第一印刷电路板连接器236包括第一端237和第二端239。第二印刷电路板连接器238包括第一端241和第二端243。在一些实例中，第一印刷电路板连接器236和第二印刷电路板连接器238在印刷电路板装置200上线性排列，其中，第一印刷电路板连接器236的第二端239与第二印刷电路板连接器238的第二端243分开间隙242。
在一些实施方式(例如，当使用有源开关器件时)中，印刷电路板装置200包括一个或多个附加连接器(例如，微带或其他传输线)244和/或246。一个或多个附加连接器244和/或246可包括偏置连接器。以上所描述的第一阈值和/或第二阈值可基于施加到一个或多个偏置连接器的偏置信号是可调整的。一个或多个附加连接器244中的第一个包括第一端245和第二端247。在一些实例中，第二端247连接至第一印刷电路板连接器236。一个或多个附加连接器246中的第二个包括第一端249和第二端251。在一些实例中，第二端251连接至第二印刷电路板连接器238。
图3描述了包括耦接至图2的印刷电路板200的芯片封装件302的开关器件300。芯片封装件302可对应于图1的芯片封装件113和/或115。开关器件300可对应于图1的第一开关器件102或者第二开关器件104。开关器件300包括至少部分布置在密封室314内的第一电极316和第二电极318。第一电极316可对应于图1的一个或多个第一电极116/119，以及第二电极318可对应于图1的一个或多个第二电极118/121。密封室314可对应于图1的一个或多个密封室114或117。
第一电极316与第二电极318物理分离。当经受满足阈值(例如，以上所描述的第一阈值或第二阈值)的信号360时，密封室314内的气体在密封室314内形成等离子体，从而使第一电极316耦接至第二电极318。此外或可替换地，当经受满足阈值(例如，以上所描述的第一阈值或第二阈值)的信号361时，密封室314内的气体在密封室314内形成等离子体，从而使第一电极316耦接至第二电极318。当在密封室314内没有形成等离子体时，第一电极316与第二电极318电隔离。
开关器件300包括分别耦接至第一电极316和第二电极318的连接器(例如，图4的第一连接器404和第二连接器406)。在一些实例中，一个或多个第一印刷电路板连接器236或第二印刷电路板连接器238耦接至第一连接器404或第二连接器406。第一连接器或第二连接器被配置为经由一个或多个印刷电路板连接器236和/或238接收信号360或361，并且将信号360或361施加到第一电极316和/或第二电极318。
在一些实例中，开关器件300包括如上所述的一个或多个附加连接器(例如，一个或多个偏置连接器)244和/或246。例如，一个或多个附加连接器244和/或246可对应于图1的偏置连接器120或123。一个或多个附加连接器244和/或246中的一个或多个可耦接至第一电极316、第二电极318、或者第一电极316和第二电极318。为了说明，第一电极316经由第一印刷电路板连接器236(其可耦接至图4的第一连接器404)可耦接至附加连接器244(例如，第一偏置连接器)。可替代地，或者此外，第二电极318经由印刷电路板连接器238(其可耦接至图4的第二连接器406)可耦接至附加连接器246(例如，第二偏置连接器)。一个或多个附加连接器244和/或246可连接至偏置控制器(例如，图1的偏置控制器106)，而一个或多个附加连接器244和/或246中不同的一个可耦接至地。可通过将一个或多个偏置信号362或363施加到连接至偏置控制器(例如，图1的偏置控制器106)的一个或多个附加连接器244和/或246，来调整以上所描述的第一阈值和/或第二阈值。
第一印刷电路板连接器236的第一端237可耦接至RF电路(例如，图1的RF电路108的发送器电路128或接收器电路130)，并且第二印刷电路板连接器238的第一端241可连接至天线接口(例如，图1的天线接口110)。当第一印刷电路板连接器236的第一端237耦接至发送器电路(例如，图1的发送器电路128)时，第一印刷电路板连接器236被配置为接收来自发送器电路128的信号360(例如，发送信号)并且将信号360传导/施加到第一电极316。在一些实例中，通过将一个或多个偏置信号362或363经由一个或多个附加连接器244和246中的一个或多个施加到第一电极316或第二电极318，可调整阈值(例如，以上所描述的第一阈值或第二阈值)。当施加到第一电极316的信号360的一个或多个特性满足阈值时，等离子体相变材料在密封室314内形成等离子体。在一些实例中，一个或多个偏置信号362或363是DC信号或RF信号，并且信号360是DC信号或RF信号。如上所述，当在密封室314中形成等离子体时，信号360跨越间隙242从第一电极316传导至第二电极318。然后信号360可以沿着第二印刷电路板连接器238朝向天线接口(例如，图1的天线接口110)传导。
当第一印刷电路板连接器236的第一端237耦接至接收器电路(例如，图1的接收器电路130)时，第二印刷电路板连接器238被配置为接收来自天线接口(例如，图1的天线接口110)的信号361(例如，接收信号)，和/或将信号361传导/施加到第二电极318。在一些实例中，通过将一个或多个偏置信号362或363经由一个或多个附加连接器244和246中的一个或多个施加到第一电极316或第二电极318，可调整阈值(例如，以上所描述的第一阈值或第二阈值)。当施加到第二电极318的信号361的一个或多个特性满足阈值时，等离子体相变材料在密封室314内形成等离子体。在一些实例中，一个或多个偏置信号362或363是DC信号或RF信号，并且信号361是DC信号或RF信号。如上所述，当在密封室314中形成等离子体时，信号361跨越间隙242从第二电极318传导至第一电极316。信号361然后可以沿着第一印刷电路板连接器236朝向图1的接收器电路130传导。
图4描述了芯片封装件的一部分。芯片封装件的该部分包括底座400。底座400可包括基板(例如，非导电基板)402，该基板至少部分由非导电或者介电材料形成，诸如，陶瓷材料、聚合材料、玻璃、硅、氮化铝或者它们的组合物。在一些实例中，基板402具有足以提供期望的结构稳定性的厚度。
芯片封装件包括至少部分延伸通过基板402的第一连接器404和第二连接器406。在一些实例中，第一连接器404和第二连接器406是通孔，并且可由一层或多层形成。第一导电体404和第二导电体406可以从基板402的第一端或者表面(例如，底部)延伸至相对端或者表面。第一连接器404和第二连接器406可延伸超过一个或多个相对表面。例如，第一导电体404和第二导电体406可各自包括沿图4中示出的方位延伸超过基板402的顶端或者表面的至少一部分。
芯片封装件包括分别耦接至第一连接器404和第二连接器406的第一电极416和第二电极418。在一些实例中，第一电极416和第二电极418对应于图1的第一电极116、119和第二电极118、121和/或图3的第一电极316和第二电极318。第一电极416和第二电极418可包括任何合适的导电材料或者由任何合适的导电材料形成，诸如，银、金、铜、钨、铝或者选择用于特定应用的其他金属或者导电体。在具体实施方式中，用于形成基板402、第一连接器404和第二连接器406、和/或第一电极416和第二电极418中的一个或多个的材料被选定为有利于低成本制造。例如，可以选择材料以使用通常用于制造集成电路以及其他电子装置的相对廉价的制造技术便于制造底座400。为了说明，可以选择材料以使用用于制造电子器件和集成电路的湿蚀刻、干蚀刻、沉积、光刻法、压印光刻法、化学机械抛光、印制、或者其他加成过程或减除过程能够制造底座400。在其他实例中，可以使用其他低成本工艺浇铸、模制、机器加工(例如，钻孔)、印制或者制造底座400。
第一电极416和第二电极418彼此物理分离。间隙408位于第一电极416和第二电极418之间。如上所述，该间隙408由相变材料填充(例如，占据)。因此，当间隙408中的气体(非导电)转变为等离子体态(导电)时，等离子体提供在电极416和电极418之间电传导信号所经由的导电介质。
底座400可包括腔411。腔411可被配置为减少在等离子体相变材料转变期间产生的位移电流。
图5描述了包括腔504的盖(例如，“覆盖板”或者“气密密封帽”)500。腔504至少部分地限定完整芯片封装件的室。例如，腔504与图4的腔411一起可对应于图1的密封室114/117和/或图3的密封室314。盖500被配置为耦接(例如，通过结合)到图4的底座400以形成包括密封室的芯片封装件。在一些实例中，当耦接至图4的底座400时，盖500气密密封该室。当盖500耦接至底座400时，连接器404和406以及第一电极416和第二电极418的一个或多个部分延伸入腔504中。
图6描述了在被组装以形成完整的芯片封装件之前的底座400和盖500的截面图。第一连接器404和第二连接器406以及第一电极416和第二电极418中的一个或多个部分可延伸入腔504中。例如，当底座400耦接至盖500时，第一连接器404和第二连接器406以及第一电极416和第二电极418的部分452和454可延伸入腔504中。
图7描述了组装的芯片封装件700的截面图。在一些实例中，当组装时，盖500(图6中所示)的表面502耦接至底座400的表面403以形成密封室714。密封室714可对应于图1的密封室114/117或者图3的密封室314。密封室714包括第一电极416和第二电极418的至少一部分以及等离子体相变材料。因此，如上所述，当密封室714内的等离子体相变材料经受满足特定阈值(例如，如上所述的第一阈值或第二阈值)的电能时，等离子体相变材料电耦接第一电极416和第二电极418以允许跨越间隙导电。
图8描述了组装的芯片封装件800的立体图。当盖500耦接至底座400时，形成密封室714。在一些实例中，通过盖500的腔504和底座的腔411至少部分限定室714。盖500可结合到图4的底座400以形成芯片封装件800。底座400和盖500可以合作以气密密封该室714。
图9描述了组装的芯片封装件800的底部立体图。导电体404和406延伸通过芯片封装件800的底表面以暴露第一连接器404和第二连接器406的底表面905和907。因此导电体404和406可以耦接(例如，在底表面905和907处)至一个或多个通信线，诸如，图2的一个或多个印刷电路板连接器236、238和/或图2的一个或多个附加连接器244、246。例如，底表面905和907可焊接至图2的一个或多个印刷电路板连接器236、238和/或图2的一个或多个附加连接器244、246。
图10描述了包括等离子体相变层1002的装置1000的截面图。装置1000可对应于图1的第一开关器件102和/或第二开关器件104。装置1000包括在电子器件1012和1014之间形成的等离子体相变层1002以及天线集成印刷线路板1004。天线集成印刷线路板1004可包括将相应的电子器件1012和1014耦接至天线元件(例如，图1的天线元件133)的耦接结构1003和1005。电子器件1012和1014可对应于图1的发送器电路128和/或对应于接收器电路130。装置1000可包括天线集成印刷线路板1004和宽角阻抗匹配层1008之间的蜂窝1006。等离子体相变层1002可对应于开关器件阵列，诸如，图1的一个或多个第一开关器件102或第二开关器件104。等离子体相变层1002的开关器件阵列中的各个开关器件可耦接至特定接收器电路(例如，图1的接收器电路130)或者特定发送器电路(例如，图1的发送器电路128)，和/或耦接至特定天线元件(例如，图1的天线元件133)。
在操作期间，偏置信号可施加到一个或多个电子器件1012和1014之间的等离子体相变层1002，使得一个或多个电子器件1012或者1014电耦接至相应的耦接结构1003和1005或者从相应的耦接结构1003和1005断开。等离子体相变层1002的开关器件中的每一个可通过偏置信号1020单独控制。可替代地，或者此外，等离子体相变层1002的开关器件可以是成组可控的。例如，特定偏置信号1020可通过偏置控制器1022施加到等离子体相变层1002，以使等离子体相变层1002的一组开关器件(耦接至接收器电路(例如，图1的接收器电路130))形成等离子体，并且因此，将来自相应元件(例如，图1的天线元件133)的接收信号引导至图1的相应接收器电路130。如另一实例，特定偏置信号1020可通过偏置控制器1022施加到等离子体相变层1002，以使等离子体相变层1002的一组开关器件(耦接至发送器电路(例如，图1的发送器电路128))形成等离子体，并且因此，将要从图1的相应发送器电路128发送的信号引导至相应天线元件(例如，图1的天线元件133)。装置1000可提供快速切换、低损耗、低成本、小形状因数、或者它们的组合。
参考图11，描述了切换方法1100的具体实施方式的流程图。可以使用图1的开关器件102或104执行方法1100。如上所述，方法1100包括：在1102中将信号(例如，DC信号或RF信号)施加到开关器件的第一电极。第一电极可对应于图1的电极116、118、119或121、图3的电极316或318、者图4至图9的电极416或418中的任一个。如上所述，第一电极至少部分布置在密封室内。密封室可对应于图1的密封室114或117、图3的密封室314、或者图7或图8的密封室714中的一个或多个。如上所述，密封室可以封入一些气体。如上所述，开关器件包括至少部分布置在密封室内的第二电极。在一些实例中，第二电极对应于图1的电极116、118、119或121、图3的电极316或318、或者图4至图9的电极416或418中的任一个。如上所述，第二电极与第一电极物理分离。
如上所述，方法1100进一步包括在1106中，当信号满足阈值(例如，第一阈值、第二阈值、所调整的第一阈值、或者所调整的第二阈值)时在气体中形成等离子体。当形成等离子体时，第一电极经由等离子体电耦接至第二电极。当没有形成等离子体时，第一电极与第二电极电隔离。
如上所述，方法1100可采用有源或无源开关。当采用有源开关时，方法1100进一步包括在1104中将偏置信号(例如，直流信号)施加到第一电极、第二电极、或者第一电极和第二电极。使用图1的偏置控制器106可施加偏置信号。如上所述，偏置信号的施加可调整阈值。
可由现场可编程门阵列(FPGA)装置、专用集成电路(ASIC)、诸如中央处理单元(CPU)的处理单元、数字信号处理器(DSP)、控制器(例如，图1的偏置控制器106)、其他硬件装置、固件装置、或它们的组合来开始或控制图11的方法1100。例如，可通过一个或多个处理器开始或者控制方法1100。
参考图12，示出了包括通信系统的飞机的寿命周期的流程示意图并且指定为1200。在预生产期间，示例性方法1200包括：在1202中，飞机(诸如，参考图13描述的飞机1202)的规格和设计。在飞机的规格和设计期间，方法1200可包括在1220中，包括一个或多个开关器件的通信系统的规格和设计。例如，一个或多个开关器件可包括图1的开关器件102或104，图3的302，图8的800，或者图10的1000中的一个或多个。通信系统可对应于图1的系统。在1204中，方法1200包括材料采购。在1230中，方法1200包括为通信系统购买材料(例如，致动器、传感器等)，诸如，用于开关器件的材料。
在生产期间，方法1200包括在1206中，部件和子组件制造，以及在1208中，飞机的系统集成。方法1200可包括在1240中，通信系统的部件和子组件制造(例如，生产一个或多个开关器件)，在1250中，通信系统的系统集成(例如，将开关器件耦接至一个或多个RF电路、天线接口或者偏置信号控制器)。在1210中，方法1200包括飞机的验证和交付，在1212中，投入使用飞机。在1260中，验证和交付可包括验证通信系统。在1270中，方法1200包括投入使用飞机。在客户使用时，可安排对飞机进行例行维护和保养(其还可包括改造、重新配置、翻新等)。在1214中，方法1200包括飞机上的运行维护和保养。在1280中，方法1200包括通信系统的运行维护和保养。例如，通信系统的维修与保养可包括更换一个或多个开关器件。
可通过系统集成商、第三方和/或运营商(例如，客户)来执行或者实施方法1200的各个过程。为了该描述的目的，系统集成商可包括但不限于任意数量的飞机制造商和主系统分包商；第三方可包括但不限于任意数量的承包商、分包商以及供应商；并且运营商可以是航空公司、租赁公司、军事企业、服务机构等。
参考图13，示出了包括通信系统的飞机的示例性实施方式的框图并且指定为1300。如图13所示，通过方法1200生产的飞机1302可包括具有多个系统1320和内部结构1322的机身1318。高级系统1320的实例包括推进系统1324、电力系统1326、液压系统1328、环境系统1330以及通信系统1350中的一个或多个。通信系统1350可包括或者对应于参考图1描述的通信系统100并且可包括偏置控制器1340、一个或多个天线1352、电子装置1354以及一个或多个开关器件1356。偏置控制器1340可包括处理器1342和存储器1344。在实施方式中，偏置控制器1340可包括或者对应于图1的偏置控制器106。存储器1344可包括指令1346和数据库1348。在实施方式中，数据库1348可包括偏置信号信息。处理器1342可执行指令1346以确定是否将偏置信号施加到开关器件1356，确定偏置信号特性，和/或确定偏置信号施加时间。可以包括任意数量的其他系统。尽管示出了航天实例，本文描述的实施方式可应用于其他工业，诸如，汽车工业。
本文所包含的设备和方法可在方法1200的任何一个或多个阶段采用。例如，对应于生产过程1208的部件或子组件可以类似于在1212中例如但不限于使用飞机1302时生产的部件或子组件的方式制作或制造。另外，可以在生产阶段(例如，方法1200的元件1202-1210)期间通过基本上加速飞机1302的组装或者降低飞机1302的成本来利用一个或多个设备实施方式、方法实施方式或者它们的组合。类似地，在1212中，在使用飞机1302时，一个或多个设备实施方式、方法实施方式、或者它们的组合可以在1214中例如但不限于用于维护和服务。
以上描述的实例是示意性的但并不限制本公开内容。应当理解的是，根据本公开内容的原理能够有许多修改和变化。因此，本公开内容的范围由所附权利要求及其等同物来限定。
本文中描述中的实例的说明旨在提供对各种实施方式的结构的总体理解。该说明不旨在用作对使用本文中描述的结构或方法的设备和系统的所有元件和特征的完整描述。在阅读本公开内容之后，许多其他实施方式对本领域技术人员来说可能是显而易见的。可以使用利用并且从本公开得出其他实施方式，使得可以在不背离本公开内容的范围的情况下可进行结构和逻辑的替代和改变。例如，可以以与图中所示的不同顺序执行方法步骤或者可以省去一个或多个方法步骤。因此，本公开内容和附图被视为说明性的而不是限制性的。
此外，尽管在本文中已经示出和描述了具体实例，但是应当理解，被设计成实现相同或相似结果的任何后续布置可以替代示出的具体实施方式。本公开内容旨在涵盖各种实施方式的任何以及全部的后续改编或变化。在阅读本说明书之后，在本文中未具体描述的上述实施方式的组合以及其他实施方式对本领域技术人员来说将是显而易见的。
进一步地，本公开内容包括根据下列项的实施方式：
项1：一种开关器件，包括：
第一电极，至少部分布置在密封室内，该密封室封入一些气体；
第二电极，至少部分布置在密封室内，所述第二电极与第一电极物理分离，其中，当气体经受满足阈值的信号时，气体在密封室内形成等离子体，其中，当形成等离子体时，第一电极经由等离子体电耦接至第二电极，并且其中，当没有形成等离子体时，第一电极与第二电极电隔离；以及
电耦接至第一电极的第一连接器以及电耦接至第二电极的第二连接器，其中，第一连接器或者第二连接器被配置为将信号提供到第一电极或者第二电极。
项2：根据项1所述的开关器件，进一步包括电耦接至第一电极、第二电极、或者第一电极和第二电极的至少一个偏置连接器，其中，基于施加到偏置连接器的偏置信号，该阈值是可调整的。
项3：根据项2所述的开关器件，其中，偏置信号是直流信号或者射频信号并且该信号是直流信号或者射频信号。
项4：根据项1所述的开关器件，其中，阈值包括功率阈值、频率阈值、或者功率阈值和频率阈值。
项5：根据项1所述的开关器件，其中，密封室由盖和底座限定，其中，所述盖、底座、或者盖和底座限定腔，并且其中，盖气密密封到底座以封闭气体。
项6：根据项1所述的开关器件，其中，第一连接器和第二连接器被配置为耦接至电路并且从电路接收信号。
项7：根据项6所述的开关器件，其中，该电路包括发送器电路、接收器电路、或者发送器电路和接收器电路。
项8：一种系统包括：
射频(RF)电路；
天线接口；以及
开关器件，包括：
第一电极，耦接至RF电路并且至少部分布置在密封室内，所述密封室封入一些气体；以及
第二电极，耦接至天线接口并且至少部分布置在密封室内，第二电极与第一电极物理分离；并且
其中，当经受满足阈值的信号时，该气体在密封室内形成等离子体，其中，当形成等离子体时，第一电极经由等离子体电耦接至第二电极，并且其中，当没有形成等离子体时，第一电极与第二电极电隔离。
项9：根据项8所述的系统，其中，RF电路包括发送器电路。
项10：根据项8所述的系统，其中，RF电路包括接收器电路。
项11：根据项8所述的系统，其中，射频电路、天线接口和开关器件是雷达系统的部件。
项12：根据项8所述的系统，进一步包括耦接至开关器件的偏置电路，其中，基于通过偏置电路施加到开关器件的第一电极、第二电极或者第一电极和第二电极的偏置信号，该阈值是可调整的。
项13：根据项8所述的系统，进一步包括耦接至天线接口的天线阵，该天线阵包括多个天线元件。
项14：根据项13所述的系统，其中，至少两个开关器件耦接至多个天线元件的特定天线元件，至少两个开关器件包括：
第一开关器件，电耦接在特定天线元件与特定天线元件相关的接收器电路之间；以及
第二开关器件，电耦接在特定天线元件与特定天线元件相关的发送器电路之间。
项15：根据项14所述的系统，其中，在接收操作期间，在第一开关器件中形成等离子体并且在第二开关器件中没有形成等离子体。
项16：根据项14所述的系统，其中，在发送操作期间，在第二开关器件中形成等离子体并且在第一开关器件中没有形成等离子体。
项17：根据项8所述的系统，进一步包括基板，其中，包括所述开关器件的多个开关器件形成在基板中或者基板上。
项18：根据项17所述的系统，其中，基板包括玻璃或者硅。
项19：根据项18所述的系统，进一步包括耦接至多个开关器件中的第一开关器件的偏置电路，其中，用于形成第一开关器件的等离子体的第一阈值独立于用于形成多个开关器件中的第二开关器件的等离子体的第二阈值是可调整的。
项20：一种方法，包括：
将信号施加到开关器件的第一电极，所述开关器件包括：
第一电极，至少部分布置在密封室内，该密封室封入一些气体；以及
第二电极，至少部分布置在密封室内，第二电极与第一电极物理分离；以及
当信号满足阈值时，在密封室内形成等离子体，
其中，当形成等离子体时，第一电极经由等离子体电耦接至第二电极，并且其中，当没有形成等离子体时，第一电极与第二电极电隔离。
项21：根据项20所述的方法，进一步包括将偏置信号施加到第一电极、第二电极、或者第一电极和第二电极，其中，偏置信号改变该阈值。
项22：根据项21所述的方法，其中，偏置信号是直流信号并且施加到开关器件的第一电极的信号是射频信号。
应当理解，提交的本公开内容的摘要将不用于解释或者限制权利要求的范围或者含义。此外，在上述具体实施方式中，为了简化本公开内容的目的，各种特征可以被组合到一起描述或者在单个实施方式中描述。如所附权利要求反映的，所要求保护的主题可针对少于任何所公开实例中的全部特征的特征。

Claims (21)

1.一种开关器件（300），包括：
第一电极（316），至少部分布置在密封室（314）内，所述密封室（314）封入一些气体，所述密封室包括底座（400），所述底座包括由非导电或介电材料形成的基板（402）；
第二电极（318），至少部分布置在所述密封室（314）内，所述第二电极（318）与所述第一电极（316）物理分离，其中，当所述气体经受满足阈值的信号（360/361）时，所述气体在所述密封室（314）内形成等离子体，其中，当形成所述等离子体时，所述第一电极（316）经由所述等离子体电耦接至所述第二电极（318），并且其中，当没有形成所述等离子体时，所述第一电极（316）与所述第二电极（318）电隔离；以及
第一连接器（404），电耦接至所述第一电极（316）并至少部分延伸穿过所述基板并且被配置为耦接至电路以从所述电路接收所述信号或者向所述电路发送所述信号；以及
第二连接器（406），电耦接至所述第二电极（318）并且至少部分延伸穿过所述基板并且被配置为耦接至天线接口（110）以从所述天线接口接收所述信号或者向所述天线接口发送所述信号，其中，所述第一连接器（404）被配置为将所述信号（360/361）提供给所述第一电极或者所述第二连接器（406）被配置为将所述信号（360/361）提供给所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的开关器件（300），进一步包括电耦接至所述第一电极（316）、所述第二电极（318）、或者所述第一电极（316）和所述第二电极（318）两者的至少一个偏置连接器（120/123），其中，所述阈值基于施加到所述偏置连接器（120/123）的偏置信号（142/144）是能调整的。
3.根据权利要求2所述的开关器件（300），其中，所述偏置信号（142/144）是直流信号或者射频信号，并且提供给所述第一电极的所述信号（360/361）或提供给所述第二电极的所述信号（360/361）是直流信号或者射频信号。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的开关器件（300），其中，所述阈值包括功率阈值、频率阈值、或者功率阈值和频率阈值两者。
5.根据权利要求1所述的开关器件（300），其中，所述密封室（314）由盖（500）和所述底座（400）限定，其中，所述盖（500）、所述底座（400）、或者所述盖（500）和所述底座（400）两者限定腔（411），并且其中，所述盖（500）气密密封到所述底座（400）以封闭所述气体。
6.根据权利要求1所述的开关器件（300），其中，所述电路（128/130）包括发送器电路（128）、接收器电路（130）、或者所述发送器电路（128）和所述接收器电路（130）两者。
7.根据权利要求2所述的开关器件（300），进一步包括处理器，电耦接至配置有指令的存储器，所述指令用于通过向所述偏置连接器施加偏置信号以调整所述阈值，其中，所述偏置信号基于在与所述处理器和所述存储器通信时存储在数据库的信息，其中，所述数据库包括有关是否施加所述偏置信号的信息、有关偏置信号特性的信息或有关偏置信号施加时间的信息。
8.一种切换方法（1100），包括：
提供根据权利要求1至7中任一项所述的开关器件，
将信号（360/361）施加到所述开关器件（300）的所述第一电极（316）或所述第二电极，以及
当所述信号（360/361）满足阈值时，在所述密封室（314）内形成（1106）等离子体。
9.根据权利要求8所述的切换方法（1100），进一步包括将偏置信号（142/144）施加到所述第一电极（316）、所述第二电极（318）、或者所述第一电极（316）和所述第二电极（318）两者，其中，所述偏置信号改变所述阈值。
10.根据权利要求9所述的切换方法（1100），其中，所述偏置信号（142/144）是直流信号并且施加到所述开关器件（300）的第一电极（316）的所述信号（360/361）是射频信号。
11.一种通信系统，包括：
射频电路；
天线；以及
第一开关器件，耦接在所述射频电路与所述天线之间，所述第一开关器件包括：
第一电极，至少部分布置在第一密封室内，其中，所述第一密封室包括第一底座，所述第一底座包括由非导电或介电材料形成的第一基板；
第一连接器，至少部分延伸穿过所述第一基板，电连接至所述第一电极并且被配置为将所述第一电极电耦接至所述射频电路；
第二电极，耦接至所述天线并且至少部分布置在所述第一密封室内，所述第二电极与所述第一电极物理分离；以及
第二连接器，至少部分延伸穿过所述第一基板，电连接至所述第二电极，并且被配置为将所述第二电极电耦接至所述天线，并且
第一气体，布置在所述第一密封室内，所述第一气体被配置为当经受具有特定特性的电磁辐射时形成等离子体，其中，当形成等离子体时，能够经由所述第一电极、所述等离子体以及所述第二电极在所述天线与所述射频电路之间传送通信信号，以及，其中，当未形成等离子体时，不能经由所述第一电极和所述第二电极在所述天线与所述射频电路之间传送通信信号。
12.根据权利要求11所述的通信系统，其中，所述射频电路包括发送器电路和接收器电路，其中，所述第一连接器耦接至所述发送器电路，所述通信系统还包括：
第二开关器件，耦接在所述射频电路与所述天线之间，所述第二开关器件包括：
第三电极，至少部分设置在第二密封室；
第三连接器，在所述第二密封室外部延伸，电连接至所述第三电极以及被配置为将所述第三电极电耦接至所述接收器电路；
第四电极，至少部分设置在所述第二密封室内，所述第四电极与所述第三电极物理分离；
第四连接器，在所述第二密封室外部延伸，电连接至所述第四电极以及被配置为将所述第四电极电耦接至所述天线；以及
第二气体，布置在所述第二密封室内，所述第二气体被配置为当经受具有特定特性的电磁辐射时形成等离子体，其中，当形成所述等离子体时，能够经由所述第三电极、所述等离子体以及所述第四电极在所述天线与所述接收器电路之间传送通信信号，以及，其中，当未形成所述等离子体时，不能经由所述第三电极和所述第四电极在所述天线与所述接收器电路之间传送通信信号。
13.根据权利要求11所述的通信系统，其中，所述射频电路、所述天线以及所述第一开关器件是雷达系统的部件。
14.根据权利要求11所述的通信系统，其中，所述天线包括耦接至所述第二连接器的天线阵，所述天线阵包括多个天线元件。
15.根据权利要求12所述的通信系统，其中，在接收操作期间，在所述第二开关器件中形成所述等离子体并且在所述第一开关器件中没有形成等离子体。
16.根据权利要求12所述的通信系统，其中，在发送操作期间，在所述第二开关器件中未形成等离子体并且在所述第一开关器件中形成等离子体。
17.根据权利要求12所述的通信系统，进一步包括基板，其中，所述第一开关器件和所述第二开关器件形成在所述基板中或者所述基板上。
18.根据权利要求17所述的通信系统，其中，所述基板包括玻璃或者硅。
19.根据权利要求12所述的通信系统，其中，偏置电路经由第一偏置连接器耦接至所述第一开关器件并且经由第二偏置连接器耦接至所述第二开关器件，所述偏置电路被配置为向所述第一开关器件施加第一偏置信号以调整第一电磁阈值并且向所述第二开关器件施加第二偏置信号以调整第二电磁阈值，其中，用于形成所述第一开关器件的等离子体的所述第一电磁阈值独立于用于形成所述第二开关器件的等离子体的所述第二电磁阈值是可调整的。
20.根据权利要求12所述的通信系统，其中，所述第一开关器件与所述第二开关器件分开控制。
21.根据权利要求19所述的通信系统，进一步包括处理器，电耦接至配置有指令的存储器，所述指令用于通过所述第一偏置信号调整所述第一电磁阈值以及通过所述第二偏置信号调整所述第二电磁阈值，其中，所述第一偏置信号和所述第二偏置信号基于在与所述处理器和所述存储器通信时存储在数据库的信息，其中，所述数据库包括有关是否施加所述第一偏置信号和所述第二偏置信号的信息、有关第一偏置信号特性的信息、有关第二偏置信号特性的信息、有关所述第一偏置信号的第一偏置信号施加时间的信息或有关所述第二偏置信号的第二偏置信号施加时间的信息。
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