JP2016111683A - プラズマ一体化切替装置 - Google Patents

プラズマ一体化切替装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016111683A
JP2016111683A JP2015193445A JP2015193445A JP2016111683A JP 2016111683 A JP2016111683 A JP 2016111683A JP 2015193445 A JP2015193445 A JP 2015193445A JP 2015193445 A JP2015193445 A JP 2015193445A JP 2016111683 A JP2016111683 A JP 2016111683A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
plasma
signal
switching device
threshold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015193445A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6685105B2 (ja
Inventor
タイ・エー・ラム
A Lam Tai
ジュリオ・ナヴァッロ
navarro Julio
クラウディオ・ジー・パラッツォーリ
Claudio G Parazzoli
ベンジャミン・イー・コルテンバー
E Koltenbah Benjamin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boeing Co
Original Assignee
Boeing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Boeing Co filed Critical Boeing Co
Publication of JP2016111683A publication Critical patent/JP2016111683A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6685105B2 publication Critical patent/JP6685105B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/002Protection against seismic waves, thermal radiation or other disturbances, e.g. nuclear explosion; Arrangements for improving the power handling capability of an antenna
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H9/00Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
    • H01H9/02Bases, casings, or covers
    • H01H9/04Dustproof, splashproof, drip-proof, waterproof, or flameproof casings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H01P5/022Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
    • H01P5/024Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between hollow waveguides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/70Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices having only two electrodes and exhibiting negative resistance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/52Generating plasma using exploding wires or spark gaps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H2223/00Casings
    • H01H2223/002Casings sealed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107Hollow-waveguide/strip-line transitions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645Radiofrequency discharges
    • H05H1/466Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
  • External Artificial Organs (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ一体化切替装置を提供する。【解決手段】切替装置は、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置されている第1の電極を含む。密封されたチャンバはプラズマ相変化材料を封入する。切替装置は、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置されている第2の電極を含む。第2の電極は、第1の電極から物理的に分離される。閾値を満たす信号を受けたとき、プラズマ相変化材料は密封されたチャンバ内部でプラズマを形成する。プラズマが形成されたとき、第1の電極はプラズマを介して第2の電極に電気的に接続される。プラズマが形成されないとき、第1の電極は第2の電極から電気的に分離される。切替装置は、第1の電極に電気的に接続された第1のコネクタ、および第2の電極に電気的に接続された第2のコネクタを含む。第1のコネクタ、第2のコネクタ、または両方は信号を受信するように構成される。【選択図】図1

Description

本開示は、プラズマ一体化切替装置に関する。
アンテナにおける低雑音増幅器などの構成要素および到来方向推定システムが、高出力のマイクロ波の到来または構成要素の近くに配置されている他の装置からの干渉の影響を受けやすい場合がある。フェイズドアレイアンテナシステムおよび特定の他の通信システムにおいて、炭化ケイ素(SiC)、ガリウムヒ素(GaAs)、または窒化ガリウム(GaN)に基づくリミッタが、高出力信号に対する保護を提供するために直列に配置されてよい。例えば、SiC系リミッタが、低雑音増幅器を通過する電力の量を低減するために、アンテナと低雑音増幅器との間に配置されてよい。SiC系リミッタは、フェイズドアレイアンテナの各要素において一体化されてよい。フェイズドアレイアンテナは数千の要素を含み得るので、各要素にリミッタを配置することにより、多くのコストと複雑さがもたらされ得る。さらに、リミッタは明らかな挿入損失をもたらす。
例えば高出力マイクロ波放射などの高出力電磁波放射への曝露から低雑音増幅器などの電子装置を保護する他の方法は、アンテナアレイの前に、切替可能である、トランジスタを備えたメッシュシステムを配置することであってよい。切替可能である、トランジスタを備えたメッシュシステムは、不連続部を有するメッシュ内に配置されたコンダクタを含んでよい。トランジスタは、各々の不連続部に存在してよい。トランジスタがオフ(例えば、オープンスイッチのように振る舞う)であるとき、電磁エネルギーは、メッシュを通過し得る。トランジスタがオン(例えば、クローズドスイッチのように振る舞う)であるとき、メッシュは実際上連続であり、電磁エネルギーはメッシュから反射され得る。各々のトランジスタが切替のための電力を提供されるため、そのような切替可能である、トランジスタを備えたメッシュシステムを用いることによって、かなりの複雑性が加わる。さらに、脅威検出、制御信号の伝播、およびトランジスタの切替時間が、許容できない遅れを生む場合がある。
ここに開示される特定の実施形態は、プラズマ相変化材料を使用する切替装置を含む。プラズマ相変化材料は、第1の相において実質的に非導電性であり、第2の相において実質的に導電性であってよい。切替装置は、プラズマ相変化材料を封入する密封されたチャンバ内部に電極を含んでよい。電極は、互いに物理的に分離されてよい。プラズマ相変化材料の相は、1つまたは複数の電極に与えられた信号の特性に少なくとも部分的に基づいて転移されてよい。その結果、切替装置は、プラズマ相変化材料が第1の相にあるとき、切替装置を通過する信号の伝達を阻害するが、プラズマ相変化材料が第2の相にあるとき、切替装置を通過する信号の伝達を可能にする。
特定の実施形態において、切替装置は、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第1の電極を含む。密封されたチャンバは、多量のプラズマ相変化材料(例えば、ガス)を封入する。切替装置は、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第2の電極を含む。第2の電極は、第1の電極から物理的に分離される。ガスが、(例えば、1つまたは複数の第1または第2の電極に信号を与えることによって)閾値を満たす信号を受けるとき、ガスは密封されたチャンバ内部でプラズマを形成する。第1の電極は、プラズマが形成されるとき、プラズマを介して第2の電極に電気的に接続される。第1の電極は、プラズマが形成されないとき、第2の電極から電気的に分離される。切替装置は、第1の電極に電気的に接続された第1のコネクタおよび第2の電極に電気的に接続された第2のコネクタを含む。第1のコネクタ、第2のコネクタ、またはその両方は、信号を受け取るように構成される。
特定の実施形態において、この方法は、切替装置の第1の電極に信号を与える段階を含む。切替装置は、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第1の電極を含む。密封されたチャンバは、多量のプラズマ相変化材料(例えば、ガス)を封入する。切替装置は、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第2の電極を含む。第2の電極は、第1の電極から物理的に分離される。この方法は、信号が閾値を満たすとき、ガス中でプラズマを形成する段階を含む。第1の電極は、プラズマが形成されるとき、プラズマを介して第2の電極に電気的に接続される。第1の電極は、プラズマが形成されないとき、第2の電極から電気的に分離される。
他の特定の実施形態において、システムは、無線周波数(RF)回路、アンテナインターフェイス、および切替装置を含む。切替装置は、RF回路に接続され、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第1の電極を含む。密封されたチャンバは、多量のプラズマ相変化材料(例えば、ガス)を封入する。切替装置は、アンテナインターフェイスに接続され、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第2の電極を含む。第2の電極は、第1の電極から物理的に分離される。ガスが、(例えば、1つまたは複数の第1または第2の電極に信号を与えることによって)閾値を満たす信号を受けるとき、ガスは密封されたチャンバ内部でプラズマを形成する。第1の電極は、プラズマが形成されるとき、プラズマを介して第2の電極に電気的に接続される。第1の電極は、プラズマが形成されないとき、第2の電極から電気的に分離される。
前述された特徴、機能、および利点が、様々な実施形態において独立して実現されることができ、またはさらに他の実施形態と組み合わせられることができ、そのさらなる詳細は、以下の記載および図面に関連して説明される。
プラズマ一体化切替装置の特定の実施形態を含む通信システムの特定の実施形態を説明するブロック図である。 1つまたは複数のバイアスコネクタを含む切替装置の特定の実施形態のプリント回路基板の特定の実施形態を説明するブロック図である。 図2のプリント回路基板の特定の実施形態に接続されたチップパッケージの特定の実施形態を含む切替装置の特定の実施形態を説明する図である。 チップパッケージの特定の実施形態のベースの透視図である。 チップパッケージの特定の実施形態の蓋の透視図である。 組み立てられていないチップパッケージの特定の実施形態の断面図である。 組み立てられたチップパッケージの特定の実施形態の断面図である。 組み立てられたチップパッケージの特定の実施形態の透視図である。 組み立てられたチップパッケージの特定の実施形態の透視図である。 ウェハチップパッケージの特定の実施形態の断面図である。 切替方法の特定の実施形態のフローチャートである。 切替装置の特定の実施形態を含む通信システムの特定の実施形態を含む航空機のライフサイクルを説明するフローチャートである。 切替装置の特定の実施形態を含む通信システムの特定の実施形態を含む航空機の説明的実施形態のブロック図である。
本開示の特定の実施形態が、図面と関連して以下に説明される。記載の中で、共通する特徴は、図面全体を通じて共通の参照番号によって示される。
ここに開示される実施形態は、プラズマ相変化材料を用いる切替装置を含む。プラズマ相変化材料は、第1の相において実質的に非導電性であってよく、第2の相において実質的に導電性であってよく、またはその逆も同様である。ここで用いられるように、実質的に非導電性の材料は、絶縁体または誘電体など、移動可能な電荷キャリアを殆ど持たない材料を指す。結果的に、実質的に非導電性の材料は高誘電率を有する。対照的に、ここでの実質的に導電性の材料とは、プラズマなど、移動可能な電荷キャリアが豊富である材料を指す。説明のために、プラズマ相変化材料とは、ガスからプラズマへの相転移を起こすガスであってよい。第1の相から第2の相への相転移は、ガスに対する電気エネルギー(例えば、電場または電磁場)の付与に対応して引き起こされ得る。
特定の実施形態において、プラズマが導電性の要素の間に形成されるとき、プラズマはコールドプラズマであり得る。コールドプラズマは、部分的にのみイオン化され得る。例えば、コールドプラズマにおいて、約1%程度の量のガスがイオン化されてよい。これは、さらに高い比率のガスがイオン化され得る、熱プラズマまたはホットプラズマと対照的である。
ある実施形態において、切替装置は、プラズマ相変化材料を入れる密封されたチャンバ(例えば気密封止されたキャビティ)を含むチップパッケージを含む。ある実施形態において、切替装置は、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された電極を含む。電極は、互いに物理的に分離され、電極間の間隙はプラズマ相変化材料によって占められる。例えば、電極間の領域は、プラズマ相変化材料によって充填された1つまたは複数の不連続部を含んでよい。
上述のように、第1の相から第2の相への相転移は、プラズマ相変化材料に対する電気エネルギー(例えば、電場または電磁場)の付与に対応して引き起こされ得る。電気エネルギーは、密封されたチャンバ内部の1つまたは複数の電極に対する信号の適用(例えば、直流(DC)信号またはRF信号)に少なくとも部分的に応じて、プラズマ相変化材料に与えられてよい。プラズマ相変化材料にDC信号またはRF信号を与えること(例えば、1つまたは複数の電極にDC信号またはRF信号を与えることによる)は、単独で、または他の因子(例えば、プラズマ相変化材料の温度、プラズマ相変化材料に与えられたバイアス電流、プラズマ相変化材料に与えられた他の信号、または相変化材料を相転移臨界点近くへと前以て調整するまたは偏らせる他の因子)と共に、プラズマ相変化材料に導電相から非導電相への、またはその逆も同様である、転移を引き起こし得る。その結果、切替装置は、電極に与えられた信号の特性に少なくとも部分的に基づき、電極間の(例えば間隙を超えた)信号の伝達を選択的に阻害し得る。
図1を参照すると、1つまたは複数のチップパッケージを含む複数の切替装置を用いる通信システムの特定の実施形態が記載され、概して100で表される。通信システム100は、第1の切替装置102、第2の切替装置104、バイアスコントローラ106、RF回路108、アンテナインターフェイス110、およびアンテナアレイ112を含む。ある実施形態において、通信システム100はレーダーシステムであり、RF回路108、アンテナインターフェイス110、および第1および第2の切替装置102および104は、レーダーシステムの構成要素である。ここで用いられるように、無線周波数という用語は、300ギガヘルツ(GHz)と3キロヘルツ(KHz)との間の周波数を有する電磁信号を含む。ある実施形態において、アンテナアレイ112は、複数のアンテナ要素133を含む。ある実施形態において、RF回路108は、送信回路128、受信回路130、またはその両方を含む。
ある実施形態において、少なくとも2つの切替装置が、複数のアンテナ要素133の特定のアンテナ要素に接続される。例えば、第1の切替装置102および第2の切替装置104は、複数のアンテナ要素133の特定の要素に接続されてよい。
第1の切替装置102は、密封されたチャンバ117を含むチップパッケージ115を含み、第2の切替装置104は、密封されたチャンバ114を含むチップパッケージ113を含む。第1の切替装置102の密封されたチャンバ117は、第1の電極119および第2の電極121を含む。第2の切替装置104の密封されたチャンバ114は、第1の電極116および第2の電極118を含む。第1の切替装置102の第1の電極119および第2の電極121は、互いに物理的に分離される。第2の切替装置104の第1の電極116および第2の電極118は、互いに物理的に分離される。密封されたチャンバ114および117の各々は、プラズマ相変化材料を封入する。例えば、第1の切替装置102の第1の電極119と第2の電極121との間の領域は、ガスによって占められていてよい。
第1の切替装置102の第2の電極121は、アンテナインターフェイス110に接続されてよく、第2の切替装置104の第2の電極118は、アンテナインターフェイス110に接続されてよい。ある実施形態において、1つまたは複数の第1の電極116および119が、RF回路108に接続される。ある実施形態において、第2の切替装置104の第1の電極116は、送信回路128に接続され、第1の切替装置102の第1の電極119は、受信回路130に接続される。第1および第2の切替装置102および104の1つ以上が、1つまたは複数の電極116、118、119、または121に対して与えられた信号136、137、138、または139の特性に少なくとも部分的に基づき、電極間の(例えば間隙を横切る)信号136、137、138、または139(例えば、DC信号、またはRF信号)の伝達を選択的に阻害し得る。
ある実施形態において、第1の切替装置102は、第1の切替装置102の第2の電極121に与えられた信号139の1つまたは複数の特性が第1の閾値を満たすとき、実質的に導電性の状態に遷移する。或いは、または更には、第1の切替装置102は、第1の切替装置102の第1の電極119に与えられた信号138の1つまたは複数の特性が第1の閾値を満たすとき、実質的に非導電性の状態に遷移し得る。ある実施形態において、第2の切替装置104は、第2の切替装置104の第1の電極116に与えられた信号136の1つまたは複数の特性が第2の閾値を満たすとき、実質的に導電性の状態に遷移する。或いは、または更には、第2の切替装置104は、第2の切替装置104の第2の電極118に与えられた信号137の1つまたは複数の特性が第2の閾値を満たすとき、実質的に非導電性の状態に遷移し得る。信号136、137、138、または139の1つまたは複数の特性が閾値を満たすとき、実質的に導電性の状態に遷移するとして記載される切替装置が、別法として、信号136、137、138、または139の1つまたは複数の特性が閾値を満たすとき、実質的に非導電性の状態に遷移するように構成されてよいことは理解されるだろう。第1および第2の閾値は、出力(例えば、ピーク出力または強度)閾値、周波数閾値、またはその両方に対応してよい。
切替装置102および104の各々は、受動スイッチおよび/または能動スイッチであってよい。受動スイッチは、電極に与えられる信号136、137、138、または139に応答し、一方で能動スイッチはプラズマ相変化材料の状態を制御する他の因子と共に働いてよい。例えば、能動スイッチは、バイアスコネクタ120または123などのバイアスコネクタを含んでよい。この例において、第1のおよび/または第2の閾値は、1つまたは複数の電極116、118、119、および/または121に接続された1つまたは複数のバイアスコネクタ120および/または123に対して1つまたは複数のバイアス信号141または142を与えることによって、調整可能である(例えば、下げられてよく、または増やされてよい)。受動スイッチはバイアスコネクタ120/123を含まない場合がある。したがって、受動スイッチ内のプラズマ相変化材料は、RF回路108および/またはアンテナアレイ112からの信号(例えば、信号136、137、138、または139)のみに応答してプラズマを形成してよい。
受動モードにおける運転の間、RF信号などの信号144は、アンテナアレイ112において受け取られてよい(例えば「受信された信号」)。受信された信号144(またはそれに由来する信号139)は、第1の切替装置102の第2電極121に与えられる。信号139は、第1の特性を含んでよい(例えば、出力または強度または周波数)。第1の特性が第1の閾値を満たすとき、密封されたチャンバ117内部のプラズマ相変化材料は信号139を受け(例えば、信号139が1つまたは複数の第1または第2の電極119および/または121に与えられ)、密封されたチャンバ117内部のプラズマ相変化材料は、第1の電極119と第2の電極121とを接続するプラズマを形成する。第1の特性が第1の閾値を満たさないとき、密封されたチャンバ117内部のプラズマ相変化材料はプラズマを形成せず、したがって第1の電極119と第2の電極121とは電気的に分離される。受信操作の間、(受信回路130に接続された)第1の切替装置102の密封されたチャンバ117内部のプラズマ相変化材料はプラズマを形成してよく、第2の切替装置104の密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料はプラズマを形成しなくてよい。
受動スイッチに関して、第1の閾値は調整可能でなくてよい。したがって、受動スイッチに関して、第1の切替装置102は、第1の特性に全般的に基づき、第1および第2の電極119、121に電気的に接続されてよい。しかしながら、能動スイッチを含む実施形態において、第1の閾値は、第1の切替装置102のバイアスコネクタにバイアス信号142を与えることによって調整可能(例えば、下げられてよく、または増やされてよい)であってよい。例えば、第1の切替装置102が能動スイッチである場合、バイアスコントローラ106が、第1の切替装置102の第1の閾値を調整するために、第1の切替装置102のバイアスコネクタ123にバイアス信号142を与えてよい。その結果、調整されないとき(例えば、受動スイッチまたは非バイアス能動スイッチ)、第1の特性は第1の閾値を満足しない場合があり、それによってプラズマ相変化材料がガス状態で残るようになる。しかしながら、バイアス信号142を用いた能動スイッチ実施形態において第1の閾値が調整されるとき、第1の特性は、調整された第1の閾値を満たしてよく、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成するようにする。したがって、能動スイッチに関して、第1の切替装置102は、第1の特性および調整された閾値の両方に基づいて電極119および121に電気的に接続され得る。
ある実施形態において、それを超えるとき第1の閾値(例えば、ピーク出力レベル、または周波数)が満たされる。例えば、第1の特性(例えば、第1の電極に与えられた信号の出力レベルまたは周波数)が第1の閾値と比較して大きいとき、プラズマ相変化材料は、密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成し、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に接続して、第1および第2の電極119および121の間の間隙を横切る信号139の伝達を可能にする。第1の特性が第1の閾値を超えないとき、プラズマ相変化材料は、密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成せず、したがって第1および第2の電極119および121を互いに電気的に分離し、信号139が間隙を横切って伝達することを防ぐ。
上述のように、ある実施形態において、第1の閾値は調整可能である。例えば、第1の閾値が調整されないとき(例えば、受動スイッチまたは非バイアス能動スイッチにおいて)、第1の特性は第1の閾値を超えない場合があり、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成しないようにして、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に分離する。しかしながら、第1の閾値が調整される(例えば、下げられる)とき、第1の特性は調整された第1の閾値を超えてよく、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成するようにして、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に接続する。他の例として、第1の閾値が調整されないとき(例えば、受動スイッチまたは非バイアス能動スイッチにおいて)、第1の特性が第1の閾値を超える場合があり、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成するようにして、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に接続する。しかしながら、第1の閾値が調整される(例えば、増やされる)とき、第1の特性は調整された第1の閾値を超えない場合があり、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成せず、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に分離する。
他の実施形態において、それを超えないとき第1の閾値が満たされる。例えば、第1の特性が第1の閾値を超えないとき、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成して、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に接続する。第1の特性が第1の閾値を超えるとき、プラズマ相変化材料は密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成せず、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に分離し、間隙を横切る信号139の伝達を防ぐ。
既に説明したように、ある実施形態において、第1の閾値は調整可能である。例えば、調整されないとき(例えば受動スイッチまたは非調整能動スイッチにおいて)、第1の特性が第1の閾値を超えてよく、密封されたチャンバ117内部でプラズマ相変化材料がプラズマを形成しないようにする。しかしながら、第1の閾値がバイアス信号142によって調整されるとき、第1の閾値は、第1の特性が調整された第1の閾値を超えないように増やされてよく、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成するようにして、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に接続する。他の例として、調整されないとき(例えば受動スイッチまたは非バイアス能動スイッチにおいて)、第1の特性が第1の閾値を超えない場合があり、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成する。第1の閾値がバイアス信号142によって調整されるとき、第1の閾値は、第1の特性が調整された第1の閾値を超えるように下げられてよく、プラズマ相変化材料が密封されたチャンバ117内部でプラズマを形成しないようにして、それによって第1および第2の電極119および121を電気的に分離する。
ある実施形態において、第2の切替装置104に関連する第2の閾値は、出力(例えばピーク出力または強度)閾値、周波数閾値、または両方に対応し、第1の切替装置102に関して上述したように調整可能であってよい。例えば、送信操作の間、送信回路128からの信号136(例えばDC信号またはRF信号)が、第1の電極116において第2の切替装置104に与えられてよい(例えばアンテナアレイ112によって送信される)。信号136は第2の特性を有してよい(例えば、出力、強度、または周波数)。第2の切替装置104内部のプラズマ相変化材料は、第1の切替装置102に関連して上述されたように、第2の特性が第2の閾値を満たすか否かに基づいて、密封されたチャンバ114内部でプラズマを形成してよい。例えば、第2の特性が第2の閾値を満たすとき、および密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料が信号136を受けるとき(例えば、1つまたは複数の第1および第2の電極116および118に信号136を与えることによって)、密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料は、第1の電極116と第2の電極118とを接続するプラズマを形成し得る。第2の特性が第2の閾値を満たさないとき、密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料は、ガス状態で残る場合があり、第1の電極116と第2の電極118とを電気的に分離する。
ある実施形態において、第2の切替装置104は能動スイッチである。そのような実施形態において、第2の閾値は、第2の切替装置104のバイアスコネクタ120にバイアス信号141を与えることによって、調整可能(例えば、下げることができ、または増やすことができる)である。例えば、バイアス信号141はDC信号またはRF信号であってよい。バイアスコントローラ106は、バイアスコネクタ120にバイアス信号141を与えることによって、第2の閾値を調整するように構成されてよい。
例えば、調整されないとき(例えば受動スイッチまたは非バイアス能動スイッチにおいて)、第2の特性は第2の閾値を満たさない場合があり(例えば上述のように、超える場合があり、または超えない場合がある)、密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料がプラズマを形成せず、その結果第1の電極116と第2の電極118とを電気的に分離する。しかしながら、第2の閾値がバイアス信号141に基づいて調整されるとき(例えば、上述のように下げられる)、第2の特性が調整された第2の閾値を満たす場合があり(例えば超えてよい)、密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料がプラズマを形成するようにし、その結果第1の電極116と第2の電極118とを電気的に接続する。他の例として、調整されないとき(例えば受動スイッチまたは非バイアス能動スイッチにおいて)、第2の特性が第2の閾値を満たす場合があり(例えば超えてよい)、密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料がプラズマを形成するようにし、その結果第1の電極116と第2の電極118とを電気的に接続する。しかしながら、第2の閾値がバイアス信号141に基づいて調整されるとき(例えば、上述のように増やされる)、第2の特性が調整された第2の閾値を満たさない場合があり(例えば超えなくてよい)、密封されたチャンバ114内部のプラズマ相変化材料がプラズマを形成しないようにし、その結果第1の電極116と第2の電極118とを電気的に分離する。結果的に、能動スイッチに関して、第2の切替装置104が、信号141の特性(例えば、送信される信号)に基づき、および調整された閾値に基づき、電極に電気的に接続されてよい。
ある実施形態において、送信操作の間、(受信回路130に接続された)第1の切替装置102のプラズマ相変化材料はプラズマを形成せず、(送信回路128に接続された)第2の切替装置104のプラズマ相変化材料はプラズマを形成する。この例において、第1の切替装置102は開(例えば非導電性)状態であり、第2の切替装置104は閉(例えば導電性)状態である。
第1の閾値および第2の閾値は、バイアス回路131によって与えられるバイアス信号141または142に応じて互いに独立に調整可能であってよい。例えば、ある実施形態において、バイアス回路131は、第2の閾値を調整することなく第1の閾値を調整するように構成され、逆もまた同様である。ある実施形態において、バイアス回路131が、さらに、または別法として、第1および第2の閾値を逆に調整するように構成され(例えば、第1の閾値を増やし、一方で第2の閾値を減らす)、または第1および第2の閾値を異なる量に調整する。
チップパッケージ(例えば図1のチップパッケージ113および/または115)の電極が接続されるように構成されたコネクタ(例えばマイクロストリップまたは他の送信ライン)を含むプリント回路基板装置200が、図2に示される。プリント回路基板装置200は、第1のプリント回路基板コネクタ(例えば第1の長さのマイクロストリップ)236および第2のプリント回路基板コネクタ(例えば第2の長さのマイクロストリップ)238を含む。1つまたは複数の信号(例えば、図1の信号136、137、138、または139)が、1つまたは複数のプリント回路基板コネクタ236、238を介して切替装置(例えば、図1の第1の切替装置102または第2の切替装置104)に提供されてよい。第1のプリント回路基板コネクタ236は、第1の端部237および第2の端部239を含む。第2のプリント回路基板コネクタ238は第1の端部241および第2の端部243を含む。ある実施形態において、第1のプリント回路基板コネクタ236および第2のプリント回路基板コネクタ238はプリント回路基板装置200上で直線的に配置され、第1のプリント回路基板コネクタ236の第2の端部239は、間隙242によって第2のプリント回路基板コネクタ238の第2の端部243から分離される。
ある実施形態(例えば、能動切替装置が使用される場合)において、プリント回路基板装置200は1つまたは複数の追加のコネクタ(例えばマイクロストリップまたは他の送信ライン)244および/または246を含む。1つまたは複数の追加のコネクタ244および/または246は、バイアスコネクタを含んでよい。上述の第1の閾値および/または第2の閾値は、1つまたは複数のバイアスコネクタに与えられるバイアス信号に基づいて調整可能であってよい。第1の1つまたは複数の追加のコネクタ244は、第1の端部245および第2の端部247を含む。ある実施形態において、第2の端部247は、第1のプリント回路基板コネクタ236に接続される。第2の1つまたは複数の追加のコネクタ246は、第1の端部249および第2の端部251を含む。ある実施形態において、第2の端部251は、第2のプリント回路基板コネクタ238に接続される。
図2のプリント回路基板200に接続されたチップパッケージ302を含む切替装置300が図3に示される。チップパッケージ302は、図1のチップパッケージ113および/または115に対応し得る。切替装置300は、図1の第1の切替装置102または第2の切替装置104に対応し得る。切替装置300は、密封されたチャンバ314内部に少なくとも部分的に配置された第1の電極316および第2の電極318を含む。第1の電極316は、図1の1つまたは複数の電極116/119に対応することができ、第2の電極318は図1の1つまたは複数の第2の電極118/121に対応することができる。密封されたチャンバ314は、図1の1つまたは複数の密封されたチャンバ114または117に対応し得る。
第1の電極316は、第2の電極318から物理的に分離される。閾値(例えば、上述の第1の閾値または第2の閾値)を満たす信号360を受けたとき、密封されたチャンバ314内部のガスが密封されたチャンバ314内部にプラズマを形成し、それによって第1の電極316を第2の電極318に結合する。さらに、または別法として、閾値(例えば、上述の第1の閾値または第2の閾値)を満たす信号361を受けるとき、密封されたチャンバ314内部のガスが密封されたチャンバ314内部にプラズマを形成し、それによって第1の電極316を第2の電極318に結合する。密封されたチャンバ314内部にプラズマが形成されないとき、第1の電極316が第2の電極318から電気的に分離される。
切替装置300が、各々第1および第2の電極316および318に接続されたコネクタ(例えば、図4の第1のコネクタ404および第2のコネクタ406)を含む。ある実施形態において、1つまたは複数の第1および第2のプリント回路基板コネクタ236または238は、第1または第2のコネクタ404または406に接続される。第1または第2のコネクタは、1つまたは複数のプリント回路基板コネクタ236および/または238を介して信号360または361を受け取り、かつ信号360または361を第1および/または第2の電極316および/または318に与えるように構成される。
ある実施形態において、切替装置300は、上述の、1つまたは複数の追加のコネクタ(例えば、1つまたは複数のバイアスコネクタ)244および/または246を含む。例えば、1つまたは複数の追加のコネクタ244および/または246は、図1のバイアスコネクタ120または123のどちらかに対応し得る。1つまたは複数の追加のコネクタ244および/または246の1つまたは複数は、第1の電極316、第2の電極318、または両方に接続され得る。説明のために、第1の電極316は、第1のプリント回路基板コネクタ236(これは図4の第1のコネクタ404に接続されてよい)を介して、追加のコネクタ244(例えば第1のバイアスコネクタ)に接続されてよい。或いは、またはそれに加えて、第2の電極318が、プリント回路基板コネクタ238(これは図4の第2のコネクタ406に接続されてよい)を介して、追加のコネクタ246(例えば第2のバイアスコネクタ)に接続されてよい。追加のコネクタ244および/または246の1つまたは複数は、バイアスコントローラ(例えば、図1のバイアスコントローラ106)に接続されてよく、一方で1つまたは複数の追加のコネクタ244および/または246の異なる1つは接地されてよい。上述の第1および/または第2の閾値は、バイアスコントローラ(例えば、図1のバイアスコントローラ106)に接続された1つまたは複数の追加のコネクタ244および/または246に1つまたは複数のバイアス信号362または363を与えることによって調整されてよい。
第1のプリント回路基板コネクタ236の第1の端部237は、RF回路(例えば、図1のRF回路108の送信回路128または受信回路130)と接続されてよく、第2のプリント回路基板コネクタ238の第1の端部241はアンテナインターフェイス(例えば、図1のアンテナインターフェイス110)に接続されてよい。第1のプリント回路基板コネクタ236の第1の端部237が送信回路(例えば、図1の送信回路128)に接続されるとき、第1のプリント回路基板コネクタ236は、送信回路128からの信号360(例えば、送信信号)を受け取るように、および第1の電極316に信号360を伝達するまたは与えるように、構成される。ある実施例において、閾値(例えば、上述の第1または第2の閾値)は、1つまたは複数の追加のコネクタ244および246の1つまたは複数を介して第1の電極316または第2の電極318に1つまたは複数のバイアス信号362または363を与えることによって調整することができる。第1の電極316に適用される信号360の1つまたは複数の特性が閾値を満たすとき、プラズマ相変化材料は密封されたチャンバ314内部でプラズマを形成する。ある実施形態において、1つまたは複数のバイアス信号362または363はDC信号またはRF信号であり、信号360はDC信号またはRF信号である。上述のように、プラズマが密封されたチャンバ314内で形成されるとき、信号360は間隙242を横切って第1の電極316から第2の電極318に伝達される。その後信号360は、第2のプリント回路基板コネクタ238に沿って、アンテナインターフェイス(例えば、図1のアンテナインターフェイス110)に向かって伝達され得る。
第1のプリント回路基板コネクタ236の第1の端部237が受信回路(例えば、図1の受信回路130)に接続されるとき、第2のプリント回路基板コネクタ238は、アンテナインターフェイス(例えば、図1のアンテナインターフェイス110)から信号361(例えば、受信信号)を受け取るように、および/または第2の電極318に信号361を伝達するまたは与えるように構成される。ある実施形態において、閾値(上述の第1または第2の閾値)は、1つまたは複数の追加のコネクタ244および246の1つまたは複数を介して第1の電極316または第2の電極318に1つまたは複数のバイアス信号362または363を与えることによって調整することができる。第2の電極318に与えられる信号361の1つまたは複数の特性が閾値を満たすとき、プラズマ相変化材料は密封されたチャンバ314内部でプラズマを形成する。ある実施形態において、1つまたは複数のバイアス信号362または363はDC信号またはRF信号であり、信号361はDC信号またはRF信号である。上述のように、プラズマが密封されたチャンバ314内で形成されるとき、信号361は間隙242を横切って第2の電極318から第1の電極316に伝達される。その後信号361は、第1のプリント回路基板コネクタ236に沿って、図1の受信回路130に向かって伝達され得る。
チップパッケージ部分が図4に示される。チップパッケージ部分は、ベース400を含む。ベース400は、例えばセラミック材料、ポリマー材料、ガラス、ケイ素、窒化アルミニウム、またはそれらの組み合わせなどの非導電性材料または誘電材料で少なくとも部分的に形成された基板(非導電性基板)402を含んでよい。ある実施形態において、基板402は、所定の構造安定性を提供するのに十分な厚みを有する。
チップパッケージは、基板402を少なくとも部分的に通過して延在する第1のコネクタ404および第2のコネクタ406を含む。ある実施形態において、第1のコネクタ404および第2のコネクタ406はバイアスであり、1つまたは複数の層で形成されてよい。第1および第2のコネクタ404および406は、基板402の第1の端部または表面(例えば底部)から反対の端部または表面へと延在してよい。第1および第2のコネクタ404および406は、1つまたは複数の反対の表面を超えて延在してよい。例えば、第1および第2のコネクタ404および406は、図4に説明される方向に基板402の上端または表面の上方に延在する少なくとも一部を各々含んでよい。
チップパッケージは、各々第1および第2のコネクタ404および406に接続された第1および第2の電極416および418を含む。ある実施例において、第1および第2の電極416および418は、図1の第1および第2の電極116、119および118、121、および/または図3の第1および第2の電極316および318に対応する。第1および第2の電極416および418は、特定の用途に応じて選択された、任意の適切な、銀、金、銅、タングステン、アルミニウムなどの導電性材料、または他の金属、または導電体を含んでよく、またはそれで形成されてよい。特定の実施形態において、1つまたは複数の基板402、第1および第2のコネクタ404および406、および/または第1および第2の電極416および418を形成するために使用された材料は、低コストの製造を容易にするように選択される。例えば、材料は、集積回路および他の電子装置を製造するために通常使用される比較的安価な製造方法を用いてベース400を製造することを容易にするように選択されてよい。説明のために、材料は、電子装置または集積回路を製造するために使用される、ウェットエッチ、ドライエッチ、蒸着、フォトリソグラフィー、インプリントリソグラフィー、化学機械研磨、印刷、または他のアディティブ法またはサブトラクティブ法を用いたベース400の製造を可能にするように選択されてよい。他の実施例において、ベース400は、キャストされ、成形され、機械加工され(例えば、穿孔され)、印刷され、または他の低コスト法を用いて製造されてよい。
第1および第2の電極416および418は、互いに物理的に分離される。間隙408は、第1および第2の電極416および418の間に配置される。間隙408は、上述のように相変化材料で充填される(相変化材料によって占められる)。間隙408内のガス(非導電性)がプラズマ状態(導電性)に遷移するとき、プラズマは、信号がそれを介して電極416および418の間を電気的に伝導し得る伝導性媒体を提供する。
ベース400はキャビティ411を含んでよい。キャビティ411は、プラズマ相変化材料遷移の間に生じる変位電流を低減するように構成されてよい。
キャビティ504を含む蓋(例えば、「上蓋」または「気密キャップ」)500が、図5に記載される。キャビティ504は、完成されたチップパッケージのチャンバを少なくとも部分的に画定する。例えば、図4のキャビティ411と共にキャビティ504は、図1の密封されたチャンバ114/117および/または図3の密封されたチャンバ314に対応し得る。蓋500は、密封されたチャンバを含むチップパッケージを形成するために図4のベース400に(例えば接着によって)結合するように構成される。ある実施形態において、図4のベース400に結合されたとき、蓋500はチャンバを密封する。蓋500がベース400に結合されるとき、コネクタ404および406および第1および第2の電極416および418の1つまたは複数の部分は、キャビティ504内部に延在する。
完成されたチップパッケージを形成するために組み立てられる前のベース400および蓋500の断面図が図6に示される。第1および第2のコネクタ404および406および第1および第2の電極416および418の1つまたは複数の部分は、キャビティ504内部に延在し得る。例えば、ベース400が蓋500に結合されるとき、第1および第2のコネクタ404および406および第1および第2の電極416および418の部分452および454は、キャビティ504内部に延在してよい。
組み立てられたチップパッケージ700の断面図が図7に示される。ある実施形態において、組み立てられたとき、蓋500の表面502(図6に示される)が、密封されたチャンバ714を形成するベース400の表面403に結合される。密封されたチャンバ714は、図1の密封されたチャンバ114/117または図3の314に対応し得る。密封されたチャンバ714は、第1および第2の電極416および418の少なくとも一部並びにプラズマ相変化材料を含む。その結果、密封されたチャンバ714内部のプラズマ相変化材料が、特定の閾値(例えば、上述の第1または第2の閾値)を満たす電気エネルギーを受けるとき、プラズマ相変化材料は第1および第2の電極416および418を電気的に接続し、上述のように、間隙を横切る伝達を可能にする。
組み立てられたチップパッケージ800の透視図が図8に示される。蓋500がベース400に結合されるとき、密封されたチャンバ714が形成される。ある実施形態において、チャンバ714は、蓋500のキャビティ504およびベースのキャビティ411によって少なくとも部分的に画定される。蓋500は、チップパッケージ800を形成するために図4のベース400に結合され得る。ベース400および蓋500は、チャンバ714を密封するように共に働いてよい。
組み立てられたチップパッケージ800の底部透視図が図9に示される。コンダクタ404および406が、第1および第2のコネクタ404および406の底部表面905および907を露出するチップパッケージ800の底部表面を通って延在する。コンダクタ404および406は、結果的に、1つまたは複数の図2のプリント回路基板コネクタ236、238および/または1つまたは複数の図2の追加のコネクタ244、246など、(例えば、底部表面905および907において)1つまたは複数の通信ラインに接続されてよい。例えば、底部表面905および907は、図2の1つまたは複数のプリント回路基板コネクタ236、238、および/または図2の1つまたは複数の追加のコネクタ244、246にはんだ付けされてよい。
プラズマ相変化層1002を含む装置1000の断面図が、図10に示される。装置1000は、図1の第1の切替装置102および/または第2の切替装置104に対応し得る。装置1000は、電子装置1012および1014、およびアンテナ一体化プリント配線板1004の間に形成されたプラズマ相変化層1002を含む。アンテナ一体化プリント配線板1004は、対応する電子装置1012および1014をアンテナ要素(例えば、図1のアンテナ要素133)に接続する接続構造体1003および1005を含んでよい。電子装置1012および1014は、図1の送信回路128および/または受信回路130に対応し得る。装置1000は、アンテナ一体化プリント配線板1004と広角インピーダンス・マッチング層1008との間にハニカム1006を含んでよい。プラズマ相変化層1002は、図1の第1および第2の切替装置102または104の1つまたは複数など、切替装置のアレイに対応し得る。プラズマ相変化層1002の切替装置のアレイの各々の切替装置は、特定の受信回路(例えば、図1の受信回路130)または特定の送信回路(例えば、図1の送信回路128)、および/または特定のアンテナ要素(例えば、図1のアンテナ要素133)に接続されてよい。
運転の間、バイアス信号は、1つまたは複数の電子装置1012および1014の間のプラズマ相変化層1002に与えられてよく、1つまたは複数の電子装置1012および1014が、対応する接続構造体1003および1005に電気的に接続され、または電気的な接続が切り離されるようにする。プラズマ相変化層1002の切替装置の各々は、バイアス信号1020によって独立して制御可能であってよい。或いは、またはそれに加えて、プラズマ相変化層1002の切替装置は、グループとして制御可能であってよい。例えば、特定のバイアス信号1020が、受信回路(例えば、図1の受信回路130)に接続されたプラズマ相変化層1002の切替装置のグループにプラズマを生じさせ、その結果受信された信号を対応する要素(例えば、図1のアンテナ要素133)から図1の対応する受信回路130に伝達する、バイアスコントローラ1022によって、プラズマ相変化層1002に与えられてよい。他の例として、特定のバイアス信号1020が、送信回路(例えば、図1の送信回路128)に接続されたプラズマ相変化層1002の切替装置のグループにプラズマを生じさせ、その結果送信される信号を図1の対応する送信回路128から対応するアンテナ要素(例えば、図1のアンテナ要素133)に伝達する、バイアスコントローラ1022によって、プラズマ相変化層1002に与えられてよい。装置1000は、迅速な切替、低い損失、低いコスト、小さなフォームファクタ、またはそれらの組み合わせを提供し得る。
図11を参照すると、切替方法1100の特定の実施形態のフローチャートが示される。方法1100は、図1の切替装置102または104を用いて実施されてよい。方法1100は、上述のように、1102において、信号(例えば、DC信号またはRF信号)を、切替装置の第1の電極に与える段階を含む。第1の電極は、図1の電極116、118、119、または121、図3の電極316または318、または図4〜9の電極416または418の何れかに対応し得る。第1の電極は、上述のように、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置される。密封されたチャンバは、図1の密封されたチャンバ114または117、図3の密封されたチャンバ314、または図7または8の密封されたチャンバ714の1つまたは複数に対応し得る。密封されたチャンバは、上述のように、多量のガスを封入してよい。切替装置は、上述のように、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第2の電極を含む。ある実施形態において、第2の電極は、図1の電極116、118、119、または121、図3の電極316または318、または図4〜9の電極416または418の何れかに対応する。上述のように、第2の電極は、第1の電極から物理的に分離される。
方法1100は、1106において、上述のように、信号が閾値を満たすとき(例えば、第1の閾値、第2の閾値、調整された第1の閾値、または調整された第2の閾値)、ガス中にプラズマを形成する段階をさらに含む。プラズマが形成されたとき、第1の電極は、プラズマを介して第2の電極に電気的に結合される。プラズマが形成されないとき、第1の電極は、第2の電極から電気的に分離される。
方法1100は、上述のように、能動または受動スイッチを使用して用いられてよい。能動スイッチが使用されるとき、方法1100は、1104において、第1の電極、第2の電極、または両方に、バイアス信号(例えば、直流信号)を与える段階をさらに含む。バイアス信号は、図1のバイアスコントローラ106を用いて与えられてよい。バイアス信号を与えることで、上述のように、閾値を調整し得る。
図11の方法1100は、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)装置、特定用途向け集積回路(ASIC)、中央処理装置(CPU)などの処理装置、デジタル信号プロセッサ(DSP)、コントローラ(例えば、図1のバイアスコントローラ106)、他のハードウェアデバイス、ファームウェア装置、またはその任意の組み合わせによって、開始され、または制御されてよい。一例として、方法1100は、1つまたは複数のプロセッサによって開始または制御され得る。
図12を参照すると、通信システムを含む航空機のライフサイクルを説明するフローチャートが示され、1200と示される。量産試作の間、例示的方法1200は、1202において、図13に関連して記載される航空機1202など、航空機の仕様書および設計を含む。航空機の仕様および設計の間、方法1200は、1220において、1つまたは複数の切替装置を含む通信システムの仕様および設計を含み得る。例えば、1つまたは複数の切替装置は、1つまたは複数の図1の切替装置102または104、図3の302、図8の800、または図10の1000を含んでよい。通信システムは、図1のシステムに対応してよい。1204において、方法1200は、材料調達を含む。1230において、方法1200は、切替装置の材料など、通信システムのための材料(例えば、アクチュエータ、センサーなど)を調達する段階を含む。
製造の間、方法1200は、1206において、構成要素及び部分組立品の製造を含み、1208において、航空機のシステムインテグレーションを含む。方法1200は、1240において、通信システムの構成要素及び部分組立品の製造(例えば、1つまたは複数の切替装置を製造する段階)を含んでよく、1250において、通信システムのシステムインテグレーション(例えば、切替装置を1つまたは複数のRF回路、アンテナインターフェイス、またはバイアス信号コントローラに接続する段階)を含んでよい。1210において、方法1200は、航空機の認証および搬送を含み、1212において航空機を就航させる。認証および搬送は、1260において、通信システムを認証する段階を含んでよい。1270において、方法1200は航空機の就航を含む。顧客による就航の一方で、航空機は定期的な整備及び保守点検(変更、再構成、改修などを含んでもよい)が予定されてよい。1214において、方法1200は、航空機の整備及び保守点検を実施する段階を含む。1280において、方法1200は、通信システムの整備及び保守点検を実施する段階を含む。例えば、通信システムの整備及び保守点検は、1つまたは複数の切替装置を交換する段階を含んでよい。
方法1200の工程の各々は、システムインテグレーター、第三者、および/または運用者(例えば、顧客)によって実施または実行することができる。本明細書の目的において、システムインテグレーターは、これらに限られるわけではないが、任意の数の航空機メーカーおよび主要なシステムの下請け業者を含むことができ、第三者は、これらに限られるわけではないが、任意の数の製造供給元、下請け業者、およびサプライヤーを含むことができ、運用者は、航空会社、リース企業、軍、サービス組織、などであってよい。
図13を参照すると、通信システムを含む航空機の例示の実施形態のブロック図が示され、1300とされている。図13に示されるように、方法1200によって製造される航空機1302は、複数のシステム1302および内部1322を備えた機体1318を含んでよい。高レベルシステム1320の例として、1つまたは複数の推進システム1324、電気システム1326、油圧システム1328、環境システム1330、および通信システム1350が含まれる。通信システム1350は、図1に関して記載される通信システムを含んでよく、または対応してよく、およびバイアスコントローラ1340、1つまたは複数のアンテナ1352、電子装置1354、および1つまたは複数の切替装置1356を含んでよい。バイアスコントローラ1340は、プロセッサ1342およびメモリ1344を含んでよい。実施例において、バイアスコントローラ1340は、図1のバイアスコントローラ106を含んでよく、または対応してよい。メモリ1344は指示1346およびデータベース1348を含んでよい。実施例において、データベース1348は、バイアス信号情報を含んでよい。プロセッサ1342は、切替装置1356にバイアス信号を与えるかを決定するための、バイアス信号の特性を決定するための、および/またはバイアス信号処理時期を決定するための、指示1346を実行してよい。任意の数の他のシステムが含まれてよい。航空宇宙の実施例が示されるが、本明細書に記載される実施例は自動車産業など、他の産業に適用されてよい。
本明細書において具現化される装置および方法が、方法1200の1つまたは複数の段階の何れかの間、使用されてよい。例えば、航空機1302が、例えば非制限的に、1212で、就航中である間、製造工程1208に対応する構成要素または部分組立品が、製造される構成要素または部分組立品と同様の方法で組み立てられてよく、または製造されてよい。また、1つまたは複数の装置の実施形態、方法の実施形態、またはそれらの組み合わせは、製造段階(例えば、方法1200の要素1202−1210)の間、例えば航空機1302の組み立てを実質的に促進することによって、またはコストを低減することによって、使用されてよい。同様に、1つまたは複数の装置の実施形態、方法の実施形態、またはそれらの組み合わせは、例えば非制限的に、1212で、航空機1302が就航中である間、1214において整備及び保守点検のために使用されてよい。
上述の実施例は、本開示を説明するが、制限しない。本開示の原則に従って多くの修正および変更が可能であるとも理解されるだろう。したがって、本開示の範囲は以下の請求項およびその等価物によって規定される。
本明細書に記載される実施例の説明は、様々な実施形態の構造の全体的な理解を提供することを意図している。説明は、本明細書に記載される構造または方法を使用する装置およびシステムの全ての要素および特徴の完全な記載として働くことを意図されていない。多くの他の実施形態が、本開示を概観するとき当業者には明らかであり得る。他の実施形態が、構造的および論理的置換および変更が本開示の範囲から逸脱することなく行われ得るように、使用されてよく、本開示から導き出されてよい。例えば、方法の段階が、図面に示されるものとは異なる順番で実施されてよく、1つまたは複数の方法の段階が削除されてよい。したがって、本開示および図面は、限定ではなくむしろ説明であるとみなされる。
さらに、特定の実施形態が本明細書に説明されかつ記載されているが、同じまたは類似する結果を実現するように意図される任意の連続する配置が、示された特定の実施形態に関して置換され得ることは理解されるだろう。本開示は、任意のおよび全ての改変または様々な実施形態の変化を含むように意図される。上述の実施形態、および本明細書に具体的に記載されない他の実施形態の組み合わせは、本明細書を概観するとき当業者にはあきらかだろう。
さらに、本開示は、以下の項に記載の実施形態を含む。
項1.
多量のガスを封入する密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置されている第1の電極と、
密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置されており、第1の電極から物理的に分離されている第2の電極であって、ガスが閾値を満たす信号を受けたとき、ガスが密封されたチャンバ内部でプラズマを形成し、プラズマが形成されたとき、第1の電極はプラズマを介して第2の電極に電気的に接続され、プラズマが形成されないとき、第1の電極は第2の電極から電気的に分離される、第2の電極と、
第1の電極に電気的に接続された第1のコネクタおよび第2の電極に電気的に接続された第2のコネクタであって、第1または第2の電極に信号を与えるように構成された第1のコネクタおよび第2のコネクタと、
を含む、切替装置。
項2.
第1の電極、第2の電極、または両方に電気的に接続された少なくとも1つのバイアスコネクタをさらに含み、閾値が、バイアスコネクタに与えられたバイアス信号に基づき調整可能である、
項1に記載の切替装置。
項3.
バイアス信号が直流信号または無線周波数信号であり、信号が直流信号または無線周波数信号である、
項2に記載の切替装置。
項4.
閾値が、出力閾値、周波数閾値、または両方を含む、
項1に記載の切替装置。
項5.
密封されたチャンバが、蓋およびベースによって画定され、蓋、ベース、または両方がキャビティを画定し、蓋はベースに気密に封止されガスを封入する、
項1に記載の切替装置。
項6.
第1のコネクタおよび第2のコネクタが、電気回路に接続され、電気回路からの信号を受け取るように構成される、
項1に記載の切替装置。
項7.
電気回路が、送信回路、受信回路、または両方を含む、
項6に記載の切替装置。
項8.
無線周波数(RF)回路と、
アンテナインターフェイスと、
切替装置であって、
RF回路に接続され、多量のガスを封入する密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された、第1の電極、および
アンテナインターフェイスに接続されており、密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置された第2の電極であって、第1の電極から物理的に分離されており、閾値を満たす信号を受けたとき、ガスが密封されたチャンバ内部でプラズマを形成し、プラズマが形成されたとき、第1の電極はプラズマを介して第2の電極に電気的に接続され、プラズマが形成されないとき、第1の電極は第2の電極から電気的に分離される、第2の電極、
を含む切替装置と、
を含むシステム。
項9.
RF回路が、送信回路を含む、項1に記載のシステム。
項10.
RF回路が、受信回路を含む、項1に記載のシステム。
項11.
RF回路、アンテナインターフェイス、および切替装置が、レーダーシステムの構成要素である、項1に記載のシステム。
項12.
切替装置に接続されたバイアス回路をさらに含み、切替装置の第1の電極、第2の電極、または両方に、バイアス回路によって与えられたバイアス信号に基づいて、閾値が調整可能である、項1に記載のシステム。
項13.
アンテナインターフェイスに接続されたアンテナアレイをさらに含み、アンテナアレイが複数のアンテナ要素を含む、項1に記載のシステム。
項14.
少なくとも2つの切替装置が、複数のアンテナ要素の特定のアンテナ要素に接続されており、少なくとも2つの切替装置が、
特定のアンテナ要素と、特定のアンテナ要素に関連する受信回路との間に電気的に接続された第1の切替装置と、
特定のアンテナ要素と、特定のアンテナ要素に関連する送信回路との間に電気的に接続された第2の切替装置と、を含む
項13に記載のシステム。
項15.
受信操作の間、プラズマが第1の切替装置内で形成され、プラズマが第2の切替装置内で形成されない、項14に記載のシステム。
項16.
送信操作の間、プラズマが第2の切替装置内で形成され、プラズマが第1の切替装置内で形成されない、項14に記載のシステム。
項17.
基板をさらに含み、前記切替装置を含む、複数の切替装置が、基板内または基板上に形成される、項1に記載のシステム。
項18.
基板が、ガラスまたはシリコンを含む、項17に記載のシステム。
項19.
複数の切替装置の第1の切替装置に接続されたバイアス回路をさらに含み、第1の切替装置のプラズマを形成するための第1の閾値が、複数の切替装置の第2の切替装置のプラズマを形成するための第2の閾値と独立に調整可能である、項18に記載のシステム。
項20.
切替装置の第1の電極に信号を与える段階を含み、
切替装置が、
多量のガスを封入する密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置される、第1の電極と、
密封されたチャンバ内部に少なくとも部分的に配置されており、第1の電極から物理的に分離されている第2の電極であって、信号が閾値を満たすとき、密封されたチャンバ内部でプラズマを形成し、プラズマが形成されたとき、第1の電極はプラズマを介して第2の電極に電気的に接続され、プラズマが形成されないとき、第1の電極は第2の電極から電気的に分離される、第2の電極と、を含む、
方法。
項21.
第1の電極、第2の電極、または両方にバイアス信号を与える段階をさらに含み、バイアス信号が閾値を変更する、項8に記載の方法。
項22.
バイアス信号が直流信号であり、信号が無線周波数信号である、項9に記載の方法。
本開示の要約は、請求項の範囲または意味を解釈または制限するために使用されないという理解と共に提出される。さらに、前述の詳細な説明において、様々な特徴が互いにグループ化される場合があり、または本開示の効率化のために単一の実施形態において記載される場合がある。特許請求の範囲が示すように、請求項に記載の主題事項が開示された実施例の何れかの特徴の全てに関していなくてよい。
200 プリント回路基板装置
236 第1のプリント回路基板コネクタ
237 第1の端部
238 第2のプリント回路基板コネクタ
239 第2の端部
241 第1の端部
242 間隙
243 第2の端部
244、246 コネクタ
245 第1の端部
247 第2の端部
249 第1の端部
251 第2の端部
300 切替装置
302 チップパッケージ
314 密封されたチャンバ
316 第1の電極
318 第2の電極
360、361 信号
362、363 バイアス信号
400 ベース
402 基板
403 表面
404 第1のコネクタ
406 第2のコネクタ
408 間隙
411 キャビティ
416 第1の電極
418 第2の電極
452、454 部分
500 蓋
502 表面
504 キャビティ
700 組み立てられたチップパッケージ
714 密封されたチャンバ
800 組み立てられたチップパッケージ

Claims (10)

  1. 多量のガスを封入する密封されたチャンバ(314)内部に少なくとも部分的に配置されている第1の電極(316)と、
    密封されたチャンバ(314)内部に少なくとも部分的に配置されており、第1の電極(316)から物理的に分離されている第2の電極(318)であって、ガスが閾値を満たす信号(360/361)を受けたとき、ガスが密封されたチャンバ(314)内部でプラズマを形成し、プラズマが形成されたとき、第1の電極(316)はプラズマを介して第2の電極(318)に電気的に接続され、プラズマが形成されないとき、第1の電極(316)は第2の電極(318)から電気的に分離される、第2の電極(318)と、
    第1の電極(316)に電気的に接続された第1のコネクタ(404)および第2の電極(318)に電気的に接続された第2のコネクタ(406)であって、第1のコネクタまたは第2のコネクタ(404/406)が第1または第2の電極に信号(360/361)を与えるように構成された、第1のコネクタおよび第2のコネクタ(404/406)と、
    を含む、切替装置(300)。
  2. 第1の電極(316)、第2の電極(318)、または両方に電気的に接続された少なくとも1つのバイアスコネクタ(120/123)をさらに含み、閾値が、バイアスコネクタ(120/123)に与えられたバイアス信号(142/144)に基づき調整可能である、
    請求項1に記載の切替装置(300)。
  3. バイアス信号(142/144)が直流信号または無線周波数信号であり、信号(360/361)が直流信号または無線周波数信号である、
    請求項2に記載の切替装置(300)。
  4. 閾値が、出力閾値、周波数閾値、または両方を含む、
    請求項1から3の何れか1項に記載の切替装置(300)。
  5. 密封されたチャンバ(314)が、蓋(500)およびベース(400)によって画定され、蓋(500)、ベース(400)、または両方がキャビティ(411)を画定し、蓋(500)はベース(400)に気密に封止されガスを封入する、
    請求項1から4の何れか1項に記載の切替装置(300)。
  6. 第1のコネクタ(404)および第2のコネクタ(406)が、電気回路(128/130)に接続され、電気回路からの信号を受け取るように構成される、
    請求項1から5の何れか1項に記載の切替装置(300)。
  7. 電気回路が、送信回路、受信回路、または両方を含む、
    請求項6に記載の切替装置(300)。
  8. 切替装置(300)の第1の電極(316)に信号(360/361)を与える段階(1102)と、
    ここで、切替装置(300)が、
    多量のガスを封入する密封されたチャンバ(314)内部に少なくとも部分的に配置される、第1の電極(316)、および
    密封されたチャンバ(314)内部に少なくとも部分的に配置されており、第1の電極(316)から物理的に分離されている第2の電極(318)、を含み、
    信号(360/361)が閾値を満たすとき、密封されたチャンバ318内部にプラズマを形成する段階(1106)と、を含み、
    プラズマが形成されたとき、第1の電極(316)はプラズマを介して第2の電極(318)に電気的に接続され、プラズマが形成されないとき、第1の電極(316)は第2の電極(318)から電気的に分離される、
    方法(1100)。
  9. 第1の電極(316)、第2の電極(318)、または両方にバイアス信号(142/144)を与える段階(1104)をさらに含み、バイアス信号が閾値を変更する、請求項8に記載の方法(1100)。
  10. バイアス信号(142/144)が直流信号であり、信号が無線周波数信号である、請求項9に記載の方法(1100)。
JP2015193445A 2014-11-20 2015-09-30 プラズマ一体化切替装置 Active JP6685105B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/549,230 US9728835B2 (en) 2014-11-20 2014-11-20 Plasma-integrated switching devices
US14/549,230 2014-11-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016111683A true JP2016111683A (ja) 2016-06-20
JP6685105B2 JP6685105B2 (ja) 2020-04-22

Family

ID=54477830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015193445A Active JP6685105B2 (ja) 2014-11-20 2015-09-30 プラズマ一体化切替装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9728835B2 (ja)
EP (1) EP3024086B1 (ja)
JP (1) JP6685105B2 (ja)
CN (1) CN105633278B (ja)
BR (1) BR102015028995B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018182723A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company プラズマスイッチ型アレイアンテナ
JP2019208202A (ja) * 2018-03-30 2019-12-05 ザ・ボーイング・カンパニーTheBoeing Company Rf用マイクロプラズマリミッタ、及びマイクロ波回路保護
JP2021524999A (ja) * 2018-05-10 2021-09-16 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド コンパクトなミリメートル波システム

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10290949B2 (en) 2017-09-07 2019-05-14 The Boeing Company Passively switched resonant chamber
CN112928072B (zh) * 2021-01-29 2023-09-19 重庆两江卫星移动通信有限公司 一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件
CN112992384A (zh) * 2021-02-07 2021-06-18 中国科学院合肥物质科学研究院 一种碳纤维增强复合材料cfc保护限制器
US20230307808A1 (en) * 2022-03-25 2023-09-28 Rockwell Collins, Inc. Microscale plasma limiter integrated into thick film interconnect

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5329205A (en) 1992-06-19 1994-07-12 Hughes Aircraft Company High voltage crossed-field plasma switch
JP3173691B2 (ja) 1993-10-04 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5608297A (en) 1994-12-27 1997-03-04 Hughes Electronics Plasma switch and switching method with fault current interruption
US6046659A (en) 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
US6396449B1 (en) 2001-03-15 2002-05-28 The Boeing Company Layered electronically scanned antenna and method therefor
WO2002096166A1 (en) 2001-05-18 2002-11-28 Corporation For National Research Initiatives Radio frequency microelectromechanical systems (mems) devices on low-temperature co-fired ceramic (ltcc) substrates
US7145512B2 (en) * 2005-03-30 2006-12-05 Lucent Technologies Inc. Reconfigurable plasma antenna with interconnected gas enclosures
CN101707270A (zh) * 2009-11-27 2010-05-12 北京理工大学 等离子体微带开关
US8325495B2 (en) 2010-08-16 2012-12-04 The Boeing Company Electronic device protection
US8575844B1 (en) * 2011-08-18 2013-11-05 Rockwell Collins, Inc. Plasma klystron switch
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
CN103219566B (zh) * 2012-01-19 2016-08-03 三星电机株式会社 高频开关

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018182723A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company プラズマスイッチ型アレイアンテナ
JP7066428B2 (ja) 2017-04-18 2022-05-13 ザ・ボーイング・カンパニー プラズマスイッチ型アレイアンテナ
JP2019208202A (ja) * 2018-03-30 2019-12-05 ザ・ボーイング・カンパニーTheBoeing Company Rf用マイクロプラズマリミッタ、及びマイクロ波回路保護
JP7471055B2 (ja) 2018-03-30 2024-04-19 ザ・ボーイング・カンパニー Rf用マイクロプラズマリミッタ、及びマイクロ波回路保護
JP2021524999A (ja) * 2018-05-10 2021-09-16 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド コンパクトなミリメートル波システム
JP7277008B2 (ja) 2018-05-10 2023-05-18 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド コンパクトなミリメートル波システム

Also Published As

Publication number Publication date
BR102015028995A2 (pt) 2016-07-12
BR102015028995B1 (pt) 2022-05-24
JP6685105B2 (ja) 2020-04-22
US9728835B2 (en) 2017-08-08
CN105633278A (zh) 2016-06-01
CN105633278B (zh) 2019-12-27
EP3024086A1 (en) 2016-05-25
US20160149287A1 (en) 2016-05-26
EP3024086B1 (en) 2023-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6685105B2 (ja) プラズマ一体化切替装置
FI124145B (fi) Järjestelmät, menetelmä ja laitteet suuritehoisia CMOS-antennikytkimiä varten, joissa käytetään rungonkytkentätekniikkaa ja substraattiliitosdiodin ohjausta pinorakenteessa
US7863998B2 (en) Method and system for processing signals via directional couplers embedded in an integrated circuit package
CN106165193B (zh) 使用电介质波导的毫米波通信的频率选择器
US9160050B2 (en) Planar balun transformer device
Zhang et al. Slot-coupled directional filters in multilayer LCP substrates at 95 GHz
Shairi et al. Bandstop to allpass reconfigurable filter technique in SPDT switch design
Sahu et al. Advanced technologies for next‐generation RF front‐end modules
TWI409986B (zh) 功率分配器及雙輸出之無線訊號發射器
US20240039148A1 (en) Devices with Radiating Systems Proximate to Conductive Bodies
CN112166526B (zh) 用于基于光控制电磁波的传输的方法及其设备
Wu Substrate integrated waveguide antenna applications
US9979096B2 (en) System and method for a mobile antenna with adjustable resonant frequencies and radiation pattern
Nawaz et al. High isolation slot coupled antenna with integrated tunable self‐interference cancellation circuitry
KR20220091403A (ko) 스위칭식 송신 라인 부하를 갖는 위상 이동기
JP4680763B2 (ja) 電子装置および半導体装置
US10218404B2 (en) Interconnect element circuitry for RF electronics
WO2020014891A1 (en) Balun and method for manufacturing the same
Figur et al. RF MEMS variable matching networks for multi-band and multi-mode GaN power amplifiers
Hoel et al. High power properties of 3D printed antennas
Lee et al. A 1‐W Ka‐band power amplifier using 0.15‐μm InGaAs/GaAs E‐mode pHEMT technology
Wane et al. Energy-Efficient RF-Optics Multi-Beam Systems Using Correlation Technologies: Toward Hybrid GaN-FDSOI Front-End-Modules
Devi et al. Simulation and performance comparison of H-EBG structure with and without vias
Singh et al. NOTCH IMPLEMENTED DUAL BEHAVIOR RESONATOR FILTER AND DIPLEXER AT KU-BAND.
Cetiner et al. Microwave laminate PCB compatible RF MEMS technology for wireless communication systems

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180904

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200302

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200331

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6685105

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250