CN105607427A - 涂覆方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种涂覆方法。该方法包括：通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分；向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应。本发明提供的涂覆方法中，通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分，避免了基片的加热和冷却过程，从而缩短了工艺时间。

Description

涂覆方法
技术领域
本发明涉及涂覆技术领域，特别涉及一种涂覆方法。
背景技术
光刻胶涂覆工艺为在基片表面涂覆光刻胶，由于绝大多数的光刻胶是疏水的，而基片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和基片的黏合性较差，尤其当光刻胶是正胶时尤为明显。之后对曝光后的光刻胶进行显影时显影液会侵入光刻胶和基片的连接处，容易造成漂条、浮胶等不良，从而导致光刻图形转移的失败；同时后续进行湿法腐蚀工艺容易发生侧向腐蚀。为解决上述问题，可在基片表面均匀涂覆一层六甲基二硅氮烷(HMDS)，HMDS为增黏剂，可与基片反应生成以硅氧烷为主体的化合物，因此HMDS可成功地将基片表面由亲水变为疏水，使得基片表面的疏水基可以很好地与光刻胶结合。HMDS起着偶联剂的作用，其可以很好的改善上述问题。
但是，传统的HMDS涂覆工艺中，需要对基片进行加热以去除基片表面的水分，而后基片再自然冷却降温，从而延长了工艺时间。
发明内容
本发明提供一种涂覆方法，用于降低工艺时间。
为实现上述目的，本发明提供了一种涂覆方法，包括：
通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分；
向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应。
可选地，所述通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分包括：
对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第二设定压强；
重复执行设定次数所述对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第二设定压强的步骤。
可选地，所述向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应之后包括：
对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强；
重复执行设定次数所述对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强的步骤。
可选地，所述第一设定压强的范围为1Pa至1Kpa。
可选地，所述第一设定压强为0.5Kpa。
可选地，所述第二设定压强的范围为30KPa至标准大气压强。
可选地，所述第二设定压强为40KPa。
可选地，若不是最后一次执行对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强的步骤时，所述第三设定压强的范围为30KPa至标准大气压强；
若最后一次执行对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强的步骤时，所述第三设定压强为标准大气压强。
可选地，所述向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应包括：
对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为工艺压强；
以设定充液时间向所述反应腔室充入反应材料，以使所述反应材料与所述基片进行反应；
以设定保持时间使所述反应材料与所述基片继续进行反应。
可选地，所述设定充液时间小于或等于所述设定保持时间。
可选地，所述设定充液时间为300s，所述设定保持时间为600s。
可选地，所述反应材料为六甲基二硅氮烷。
可选地，所述对所述反应腔室进行充气处理包括：
向所述反应腔室充入惰性气体。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的涂覆方法中，通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分，避免了基片的加热和冷却过程，从而缩短了工艺时间。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种涂覆方法的流程图；
图2为本发明实施例二提供的一种涂覆方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的涂覆方法进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种涂覆方法的流程图，如图1所示，该方法包括：
步骤101、通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分。
本实施例中，基片的材料可以为硅化物或者其它高掺杂材料，例如，硅化物可以为SiOx。
步骤102、向反应腔室充入反应材料，使反应材料与基片反应。
本实施例中，反应材料可以为HMDS。
本实施例提供的涂覆方法中，通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分，避免了基片的加热和冷却过程，从而缩短了工艺时间。本实施例通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分，避免了通过加热去除基片表面水分而导致的反应材料浓度降低，从而避免了反应材料浓度降低而导致的增加反应材料用量的问题，进而降低了反应材料的用量。
图2为本发明实施例二提供的一种涂覆方法的流程图，如图2所示，该方法包括：
步骤201、对反应腔室进行抽真空处理以使反应腔室的压强为第一设定压强。
本实施例中，反应腔室内设置有基片，优选地，基片的材料可以为SiOx。具体地，在常温下，打开抽气阀门，通过真空泵对反应腔室进行抽真空处理，直至反应腔室的压强为第一设定压强。本实施例中，第一设定压强的范围可以为1Pa至1Kpa。优选地，第一设定压强为0.5Kpa。
步骤202、对反应腔室进行充气处理以使反应腔室的压强为第二设定压强。
具体地，关闭抽气阀门并打开充气阀门，向反应腔室内充入惰性气体，直至反应腔室的压强为第二设定压强。优选地，惰性气体为氮气，在实际应用中，惰性气体还可以为其它气体，例如氦气或者氩气等。本实施例中，第二设定压强的范围为30KPa至标准大气压强，其中，标准大气压强为101.325KPa。优选地，第二设定压强为40KPa。
步骤203、重复执行设定次数步骤201和步骤202。
其中，设定次数可根据需要进行设置，设定次数可以为一次或者多次。本实施例中，设定次数为一次，即：重复执行一次步骤201和步骤202。
执行步骤201至步骤203，实现了去除反应腔室内的基片表面的水分的目的。同时，在执行步骤201的过程中可将反应腔室内的气体排出。
步骤204、对反应腔室进行抽真空处理以使反应腔室的压强为工艺压强。
具体地，打开抽气阀门，通过真空泵对反应腔室进行抽真空处理，直至反应腔室的压强为工艺压强。优选地，该工艺压强可以为0.5KPa。
本步骤中，对反应腔室进行抽真空处理，可以将反应腔室内的气体排出。
步骤205、以设定充液时间向反应腔室充入反应材料，以使反应材料与基片进行反应。
本实施例中，反应材料为HMDS。
步骤206、以设定保持时间使反应材料与基片继续进行反应。
在完成步骤205的充入反应材料阶段之后进入本步骤的工艺保持阶段。在工艺保持阶段，可以使反应材料与基片继续进行反应，从而使得反应材料与基片之间的反应更加充分。
本实施例中，设定充液时间小于或者等于设定保持时间。优选地，设定充液时间小于设定保持时间，例如：设定充液时间为300s，设定保持时间为600s。在实际应用中，设定充液时间和设定保持时间均可根据生产需要进行设置。
步骤207、对反应腔室进行抽真空处理以使反应腔室的压强为第一设定压强。
具体地，打开抽气阀门，通过真空泵对反应腔室进行抽真空处理，直至反应腔室的压强为第一设定压强。本实施例中，第一设定压强的范围可以为1Pa至1Kpa。优选地，第一设定压强为0.5Kpa。
步骤208、对反应腔室进行充气处理以使反应腔室的压强为第三设定压强。
具体地，关闭抽气阀门并打开充气阀门，向反应腔室内充入惰性气体，直至反应腔室的压强为第三设定压强。优选地，惰性气体为氮气，在实际应用中，惰性气体还可以为其它气体，例如氦气或者氩气等。本实施例中，第三设定压强的范围为30KPa至标准大气压强，其中，标准大气压强为101.325KPa。优选地，第三设定压强为40KPa。
步骤209、重复执行设定次数步骤207和步骤208。
其中，设定次数可根据需要进行设置，设定次数可以为一次或者多次。本实施例中，设定次数为一次，即：重复执行一次步骤207和步骤208。
本实施例中，在执行步骤207的过程中，可将反应腔室内的剩余的反应材料排出。具体地，将反应腔室内的剩余的反应材料排至专用废气收集管道。
需要说明的是：最后一次执行步骤208时第三设定压强为标准大气压强，以便于将工艺腔室的门打开，从而能够将基片从工艺腔室中取出。
步骤210、在涂覆有反应材料的基片之上涂覆光刻胶。
本实施例中，步骤209之后可将基片从工艺腔室中取出，而后放入另一个工艺腔室执行涂覆光刻胶的工艺。
本实施例中的涂覆方法可应用于离线(off-line)模式或者在线(in-line)模式的HMDS涂覆工艺中。
本实施例提供的涂覆方法中，通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分，在常温条件下即可完成基片上反应材料的涂覆过程，避免了基片的加热和冷却过程，从而缩短了工艺时间。本实施例通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分，避免了通过加热去除基片表面水分而导致的反应材料浓度降低，从而避免了反应材料浓度降低而导致的增加反应材料用量的问题，进而降低了反应材料的用量。本实施例中，设定充液时间小于设定保持时间，相对较长的设定保持时间保证了反应材料与基片的反应效果，而相对较短的设定充液时间又降低了反应材料的用量。本实施例通过加压干燥工艺去除基片表面的水分，从而使得去除水分的效果好。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种涂覆方法，其特征在于，包括：
通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分；
向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应。
2.根据权利要求1所述的涂覆方法，其特征在于，所述通过减压干燥工艺去除反应腔室内的基片表面的水分包括：
对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第二设定压强；
重复执行设定次数所述对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第二设定压强的步骤。
3.根据权利要求1所述的涂覆方法，其特征在于，所述向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应之后包括：
对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强；
重复执行设定次数所述对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为第一设定压强，对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强的步骤。
4.根据权利要求2或3所述的涂覆方法，其特征在于，所述第一设定压强的范围为1Pa至1Kpa。
5.根据权利要求4所述的涂覆方法，其特征在于，所述第一设定压强为0.5Kpa。
6.根据权利要求2所述的涂覆方法，其特征在于，所述第二设定压强的范围为30KPa至标准大气压强。
7.根据权利要求6所述的涂覆方法，其特征在于，所述第二设定压强为40KPa。
8.根据权利要求3所述的涂覆方法，其特征在于，若不是最后一次执行对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强的步骤时，所述第三设定压强的范围为30KPa至标准大气压强；
若最后一次执行对所述反应腔室进行充气处理以使所述反应腔室的压强为第三设定压强的步骤时，所述第三设定压强为标准大气压强。
9.根据权利要求1所述的涂覆方法，其特征在于，所述向所述反应腔室充入反应材料，使所述反应材料与所述基片反应包括：
对所述反应腔室进行抽真空处理以使所述反应腔室的压强为工艺压强；
以设定充液时间向所述反应腔室充入反应材料，以使所述反应材料与所述基片进行反应；
以设定保持时间使所述反应材料与所述基片继续进行反应。
10.根据权利要求9所述的涂覆方法，其特征在于，所述设定充液时间小于或等于所述设定保持时间。
11.根据权利要求10所述的涂覆方法，其特征在于，所述设定充液时间为300s，所述设定保持时间为600s。
12.根据权利要求1至3任一所述的涂覆方法，其特征在于，所述反应材料为六甲基二硅氮烷。
13.根据权利要求2或3所述的涂覆方法，其特征在于，所述对所述反应腔室进行充气处理包括：
向所述反应腔室充入惰性气体。
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