CN105592632A - 一种改善pcb板离子迁移的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种改善PCB板离子迁移的方法,包括:(1)PCB板钻孔后对板体烘烤一段时间,烘靠温度大于板体的TG值,让板体内树脂融化回缩,增加板体内孔壁树脂的致密性,减小板体内玻璃纤维束中的空洞;(2)对板体烘烤完成后,采用plasma等离子物理除胶方法去除板体内胶渣,即将板体置于真空室中,然后向真空室内通入一定量的氮气N2、氧气O2、四氟化碳CF4、氢气H2,并由电源装置向真空室内通入正、负电荷,使真空室内各气体发生电离,进而形成混合物形式的等离子体来去除板体内胶渣;(3)除胶渣后直接进入沉铜工序。该方法可减小板体内玻璃纤维束中的空洞,减少玻纤纱末端出现不良通道,进而改善PCB板离子迁移现象。
Description
技术领域
本发明属于印制电路板(简称PCB板)制作技术领域,具体涉及一种改善PCB板离子迁移的方法。
背景技术
在电子设备领域,以汽车电子或某些军工装备为例,其对耐高温高湿环境的要求越来越高,随着此类产品向着高密度化发展,孔间距越来越小,这使得印制电路板(简称PCB板)对孔的可靠性要求也相应提高。当PCB板/PCBA板在高温高湿的环境下带电工作时,两绝缘导体间可能会产生严重的沿着树脂或玻纤界面生长的导电阳极丝(俗称离子迁移,全称:ConductiveAnodicFilament,以下简称CAF),此现象将最终导致绝缘不良,甚至短路失效,印制电路板产生的CAF就成为影响产品可靠性的重要因素。CAF是指PCB板内部铜离子从阳极(高电压)沿着玻纤丝间的微裂通道,向阴极(低电压)迁移过程中发生的铜与铜盐的漏电行为。
PCB板产生CAF的主要原因是玻纤纱末端出现不良通道(即铜离子迁移的通道),而造成不良通道的主要原因是钻孔及除胶渣工序过度拉松介面,具体如下:
1.PCB板在钻孔时因高速旋转,导致孔内温度过高而融化了板中的树脂,玻璃纤维束中会产生空洞。
2.现有除胶渣工序采用常规desmear除胶渣方法,该方法造成的玻纤纱之渗铜最少会达到25-50um,IPC-6012标准为小于100um,不能满足高密度化PCB板发展的要求。
3.desmear除胶渣属于化学方法,desmear除胶渣工艺使用的为强腐蚀性药水,环保处理成本高,人体接触后伤害大。
发明内容
针对上述现有技术之不足,本发明提供一种可减小板体内玻璃纤维束中的空洞,减少玻纤纱末端出现不良通道,进而改善PCB板离子迁移的方法。
本发明的目的通过以下技术方案予以实现:
一种改善PCB板离子迁移的方法,包括:
(1)PCB板钻孔后对板体烘烤一段时间,烘靠温度大于板体的TG值,让板体内树脂融化回缩,增加板体内孔壁树脂的致密性,减小板体内玻璃纤维束中的空洞;
(2)对板体烘烤完成后,采用plasma等离子物理除胶方法去除板体内胶渣,即将板体置于真空室中,然后向真空室内通入一定量的氮气N2、氧气O2、四氟化碳CF4、氢气H2,并由电源装置向真空室内通入正、负电荷,使真空室内各气体发生电离,进而形成混合物形式的等离子体来去除板体内胶渣;
(3)除胶渣后直接进入沉铜工序。
进一步的,步骤(1)中对板体的烘烤时间为3小时。
进一步的,步骤(1)中对板体的烘烤温度大于板体TG值10℃。
进一步的,步骤(2)中氮气N2和氧气O2的流量为300ml/min,四氟化碳CF4的流量为100ml/min,氢气H2的流量为600ml/min。
进一步的,步骤(2)所述plasma等离子物理除胶的处理时间为30分钟。
进一步的,步骤(2)中电源装置的功率为2500W。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
1.技术能力更先进,对玻璃纤维无损伤,只清洁板体表面杂质,可满足孔壁间距为0.30mm的耐CAF能力,而传统化学除胶只能做到孔壁间距为0.50mm的耐CAF能力。
2.属干式处理可替代传统化学湿法处理,省能源,无公害,不需要额外处理环保问题。
3.处理时间短,提高了生产效率。
4.材料表面处理的均匀性好,材料表面能改善的同时,基本性能不受影响。
附图说明
图1是本发明中plasma等离子物理除胶系统建立过程示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出的实施例对本发明作进一步详细说明。
一种改善PCB板离子迁移的方法,包括:
(1)PCB板钻孔后对板体烘烤3小时,烘靠温度大于板体的TG值10℃,让板体内树脂融化回缩,增加板体内孔壁树脂的致密性,减小板体内玻璃纤维束中的空洞。
(2)对板体烘烤完成后,采用plasma等离子物理除胶方法(如图1所示)去除板体内胶渣,即将板体置于真空室中,然后向真空室内通入一定量的氮气N2、氧气O2、四氟化碳CF4、氢气H2,并由电源装置向真空室内通入正、负电荷,使真空室内各气体发生电离,进而形成混合物形式的等离子体来去除板体内胶渣。优选的,所述氮气N2和氧气O2的流量为300ml/min,所述四氟化碳CF4的流量为100ml/min,所述氢气H2的流量为600ml/min;所述plasma等离子物理除胶的处理时间为30分钟;所述电源装置的功率为2500W。
(3)除胶渣后直接进入沉铜工序。
以上所述者,仅为本发明的较佳实施例而已,当不能以此限定本发明实施的范围,即大凡依本发明申请专利范围及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本发明专利涵盖的范围内。
Claims (6)
1.一种改善PCB板离子迁移的方法,其特征在于,包括:
(1)PCB板钻孔后对板体烘烤一段时间,烘靠温度大于板体的TG值,让板体内树脂融化回缩,增加板体内孔壁树脂的致密性,减小板体内玻璃纤维束中的空洞;
(2)对板体烘烤完成后,采用plasma等离子物理除胶方法去除板体内胶渣,即将板体置于真空室中,然后向真空室内通入一定量的氮气N2、氧气O2、四氟化碳CF4、氢气H2,并由电源装置向真空室内通入正、负电荷,使真空室内各气体发生电离,进而形成混合物形式的等离子体来去除板体内胶渣;
(3)除胶渣后直接进入沉铜工序。
2.根据权利要求1所述一种改善PCB板离子迁移的方法,其特征在于:步骤(1)中对板体的烘烤时间为3小时。
3.根据权利要求1所述一种改善PCB板离子迁移的方法,其特征在于:步骤(1)中对板体的烘烤温度大于板体TG值10℃。
4.根据权利要求1所述一种改善PCB板离子迁移的方法,其特征在于:步骤(2)中氮气N2和氧气O2的流量为300ml/min,四氟化碳CF4的流量为100ml/min,氢气H2的流量为600ml/min。
5.根据权利要求1所述一种改善PCB板离子迁移的方法,其特征在于:步骤(2)所述plasma等离子物理除胶的处理时间为30分钟。
6.根据权利要求1所述一种改善PCB板离子迁移的方法,其特征在于:步骤(2)中电源装置的功率为2500W。
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