CN105591191A - 寄生辐射体及其双极化基站天线 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种寄生辐射体及其双极化基站天线。该寄生辐射体包括：辐射振子和支撑固定于所述辐射振子上的寄生单元；所述寄生单元包括：介质基板；以及设置于所述介质基板上的中心引向片和外围引向片；其中，所述中心引向片呈封闭圆结构，所述外围引向片数量为多个，多个所述外围引向片围合成一层或者相互间隔且呈同一形状的多层非闭合方框或圆框，围合而成的所述非闭合方框或圆框的轴心重合所述中心引向片的轴心。通过上述实施方式，能够容易的实现引向片的非连续结构，改善辐射振子在共轴或肩并肩结构中的辐射特性。

Description

寄生辐射体及其双极化基站天线
技术领域
本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种寄生辐射体及其双极化基站天线。
背景技术
移动通信技术中信号的传输与覆盖离不开基站天线，双极化基站天线是每一个通信基站不可缺少的组成部分，它的性能直接影响着通讯的质量。而天线的辐射体更是一个双极化基站天线最基本和最重要的组成部分。
然而，现有技术中，辐射体中的金属辐射引向片很难实现非连续结构，且辐射体中的辐射振子在共轴及肩并肩结构中有着辐射特性不佳的问题。
发明内容
本发明为解决上述技术问题提供一种寄生辐射体及其双极化基站天线，能够容易的实现引向片的非连续结构，改善辐射振子在共轴或肩并肩结构中的辐射特性。
为解决上述技术问题，本发明提供一种寄生辐射体，包括：辐射振子和支撑固定于所述辐射振子上的寄生单元；所述寄生单元包括：介质基板；以及设置于所述介质基板上的中心引向片和外围引向片；其中，所述中心引向片呈封闭圆结构，所述外围引向片数量为多个，多个所述外围引向片围合成一层或者相互间隔且呈同一形状的多层非闭合方框或圆框，围合而成的所述非闭合方框或圆框的轴心重合所述中心引向片的轴心。
进一步地，每四个相同的所述外围引向片围合成一层所述非闭合方框或圆框，其中，所述非闭合方框经由条状的所述外围引向片围合而成，所述非闭合圆框经由圆弧状的所述外围引向片围合而成。
进一步地，所述介质基板是高介电常数的PCB覆铜板且呈方形结构；所述外围引向片的宽度为1.5～3mm；当所述非闭合方框或圆框为多层时，相邻两层之间所述非闭合方框或圆框之间的间隔距离均为所述外围引向片的宽度的1～2倍。
进一步地，所述中心引向片的周长为1/4～1/7λ，其中，λ为所述辐射振子中心频率对应的波长。
进一步地，所述非闭合方框或圆框为一层时，所述外围引向片到所述介质基板的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，所述外围引向片的长度为1/3.5～1/5.5λ。
进一步地，所述非闭合方框或圆框为间隔设置的两层，位于外层的所述外围引向片到所述介质基板的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，且其长度为1/3.5～1/5.5λ；位于内层的所述外围引向片的长度为位于外层的所述外围引向片的0.5～1倍。
进一步地，所述非闭合方框或圆框为相互间隔设置的三层，位于最外层的所述外围引向片到所述介质基板的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，且其长度为1/3.5～1/5.5λ；位于中间层的所述外围引向片的长度为位于最外层的所述外围引向片的0.5～1倍；而位于最内层的所述外围引向片的长度为位于中间层的所述外围引向片的0.5～1倍。
进一步地，同一层所述非闭合方框或圆框中，相邻所述外围引向片之间设置有两个过渡引向片，所述过渡引向片与相邻所述外围引向片间隔设置，其中，所述过渡引向片的长度为1/9.5～1/10.5λ、宽度为1.5～3mm，相邻所述过渡引向片之间开缝的宽度为0～3mm；所述非闭合方框中的过渡引向片呈条状，所述非闭合圆框中的过渡引向片呈圆弧状。
进一步地，所述辐射振子与所述介质基板之间的距离为1/3～1/7λ。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种双极化基站天线，包括：反射板；以及安装固定于所述反射板上的多个如上述任一项实施方式所述的寄生辐射体，其中，所述寄生辐射体共轴或肩并肩设置。
本发明实施方式的寄生辐射体及其双极化基站天线，通过将设置在介质基板上的中心引向片设置为封闭园，并以中心引向片的轴心为轴心设置外围引向片围合而成非闭合方框或圆框，较容易的实现了引向片的非连续结构，并能够优化辐射阵子的辐射特性，包括3dB及10dB半功率角收敛性，轴向及±60°交叉极化，辐射对称性的收敛性，以及前后比等，解决了辐射振子在共轴及肩并肩结构中辐射特性不佳的问题。
附图说明
图1是本发明寄生辐射体中设置一层非闭合方框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图2是本发明寄生辐射体中设置一层非闭合方框且包括过渡引向片的结构示意图。
图3是本发明寄生辐射体中设置两层非闭合方框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图4是本发明寄生辐射体中设置两层非闭合方框且包括过渡引向片的结构示意图。
图5是本发明寄生辐射体中设置三层非闭合方框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图6是本发明寄生辐射体中设置三层非闭合方框且包括过渡引向片的结构示意图。
图7是本发明寄生辐射体另一实施方式中设置两层非闭合方框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图8是本发明寄生辐射体另一实施方式中设置两层非闭合方框且包括过渡引向片的结构示意图。
图9是本发明寄生辐射体中设置一层非闭合圆框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图10是本发明寄生辐射体中设置一层非闭合圆框且包括过渡引向片的结构示意图。
图11是本发明寄生辐射体中设置两层非闭合圆框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图12是本发明寄生辐射体中设置两层非闭合圆框且包括过渡引向片的结构示意图。
图13是本发明寄生辐射体中设置三层非闭合圆框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图14是本发明寄生辐射体中设置三层非闭合圆框且包括过渡引向片的结构示意图。
图15是本发明寄生辐射体另一实施方式中设置两层非闭合圆框且不包括过渡引向片的结构示意图。
图16是本发明寄生辐射体另一实施方式中设置两层非闭合圆框且包括过渡引向片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。
结合图1至图16进行参阅，本发明提供一种寄生辐射体，包括：辐射振子6和支撑固定于辐射振子6上的寄生单元。具体而言，寄生单元包括：介质基板7；以及设置于介质基板7上的中心引向片5和外围引向片1（或2或3）；其中，中心引向片5呈封闭圆结构，外围引向片1（或2或3）数量为多个，多个外围引向片1（或2或3）围合成一层或者相互间隔且呈同一形状的多层非闭合方框或圆框，围合而成的非闭合方框或圆框的轴心重合中心引向片5的轴心。其中，围合成非闭合方框或圆框中的非闭合，指，该层中涉及到的任意相邻的外围引向片1（或2或3）之间均间隔设置而并未连接在一起。
优选地，任意外围引向片1（或2或3）能够以中心引向片5的轴心为中心对称点实现中心对称，这样能够使得辐射振子6的辐射特性更优。
该介质基板7可以采用高介电常数的PCB覆铜板，通过设计不同厚度及宽度可对辐射振子6的驻波及3dB半功率脚收敛性进行优化。中心引向片5及外围引向片1（或2或3）可粘附于该介质基板7上，更优地，可通过蚀刻的方式形成于该介质基板7上。
该介质基板7可以采用规则或不规则图形结构，较佳的，可以采用方形或者圆形等中心对称结构，使得中心引向片5能够合理设置在介质基板7上，设置中心引向片5时，只需要使中心引向片5的轴心重合在介质基板7的轴心即可。
辐射振子6举例可采用四个辐射片组成，四个辐射片两两对称且正交分布，形成两队正交的对称辐射组合。寄生单元可以通过支撑件（图未示）固定于辐射振子6上。优选地，辐射振子6与介质基板7之间的距离为1/3～1/7λ，λ为辐射振子6中心频率所对应的波长。
外围引向片1（或2或3）的数量通常为4的整数倍。其中，每4个相同的外围引向片1（或2或3）围合成一层非闭合方框或圆框。进一步地，视围合而成的图形结构决定外围引向片1（或2或3）自身的图形结构，具体的，如果需要围合而成的图形结构是非闭合方框，则选择条状的外围引向片1（或2或3）围合而成该图形结构；如果需要围合而成的图形结构是非闭合圆框，则选择圆弧状的外围引向片1（或2或3）围合而成。
分别例举如下三种较佳的实施例：
<实施例一>
如图1和图9所示，非闭合方框或圆框为一层时，外围引向片1到介质基板7的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，外围引向片1的长度为1/3.5～1/5.5λ。
<实施例二>
如图3和图11所示，非闭合方框或圆框为间隔设置的两层，位于外层的外围引向片1到介质基板7的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，且其长度为1/3.5～1/5.5λ；位于内层的外围引向片2的长度为位于外层的外围引向片1的0.5～1倍。
<实施例三>
如图5和图13所示，非闭合方框或圆框为相互间隔设置的三层，位于最外层的外围引向片1到介质基板7的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，且其长度为1/3.5～1/5.5λ；位于中间层的外围引向片2的长度为位于最外层的外围引向片1的0.5～1倍；而位于最内层的外围引向片3的长度为位于中间层的外围引向片2的0.5～1倍。
上述三种实施例中，各实施例中的外围引向片的宽度均可以设置为1.5～3mm。尤其是在实施例二和实施例三中，非闭合方框或圆框为多层时，相邻两层之间非闭合方框或圆框之间的间隔距离均为外围引向片1（或2或3）的宽度的1～2倍。优选地，上述三种实施例中，中心引向片5的周长为1/4～1/7λ。
当然，可以以实施例三为基础，任意选择其中一层或两层非闭合方框或圆框设置于介质基板7上。举例而言，具体可如图7和图15所示，在图7和图15中，可选择由外围引向片1和外围引向片3围合而成两层非闭合方框或圆框设置在介质基板7上。另外，也可以依据此原理设置超过三层的非闭合方框或圆框，此处不作一一列举。
在另一较佳实施例中，请参阅图2、图4、图6、图8、图10、图12、图14以及图16所示，在同一层非闭合方框或圆框中，相邻外围引向片1（或2或3）之间设置有两个过渡引向片4，过渡引向片4与相邻外围引向片1（或2或3）间隔设置，其中，过渡引向片4的长度为1/9.5～1/10.5λ、宽度也为1.5～3mm，相邻过渡引向片4之间开缝的宽度为0～3mm，相邻两层非闭合方框或圆框中的过渡引向片4之间的距离也可以均为外围引向片1（或2或3）的宽度的1～2倍。另外，非闭合方框中的过渡引向片4呈条状，非闭合圆框中的过渡引向片4呈圆弧状，以更好地配合非闭合方框或非闭合圆框的结构以带来更优的辐射特性。该过度引向片4也可采用蚀刻或粘贴的方式设置于介质基板7上。
上述实施方式中，如果各引向片采用粘贴的方式设置于介质基板7上，则各引向片需要采用金属材质制成。
本发明的寄生辐射体，通过将设置在介质基板7上的中心引向片5设置为封闭园，并以中心引向片5的轴心为轴心设置外围引向片1（或2或3）围合而成非闭合方框或圆框，较容易的实现了引向片的非连续结构，并能够优化辐射阵子的辐射特性，包括3dB及10dB半功率角收敛性，轴向及±60°交叉极化，辐射对称性的收敛性，以及前后比等，解决了辐射振子6在共轴及肩并肩结构中辐射特性不佳的问题。
本发明还提供一种双极化基站天线，包括：反射板（图未示）；以及安装固定于反射板上的多个如上述任一项实施方式的寄生辐射体，其中，寄生辐射体共轴或肩并肩设置。
以上仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种寄生辐射体，其特征在于，包括：
辐射振子和支撑固定于所述辐射振子上的寄生单元；
所述寄生单元包括：
介质基板；
以及设置于所述介质基板上的中心引向片和外围引向片；
其中，所述中心引向片呈封闭圆结构，所述外围引向片数量为多个，多个所述外围引向片围合成一层或者相互间隔且呈同一形状的多层非闭合方框或圆框，围合而成的所述非闭合方框或圆框的轴心重合所述中心引向片的轴心。
2.根据权利要求1所述的寄生辐射体，其特征在于：
每四个相同的所述外围引向片围合成一层所述非闭合方框或圆框，其中，所述非闭合方框经由条状的所述外围引向片围合而成，所述非闭合圆框经由圆弧状的所述外围引向片围合而成。
3.根据权利要求1所述的寄生辐射体，其特征在于：
所述介质基板是高介电常数的PCB覆铜板且呈方形结构；
所述外围引向片的宽度为1.5～3mm；
当所述非闭合方框或圆框为多层时，相邻两层之间所述非闭合方框或圆框之间的间隔距离均为所述外围引向片的宽度的1～2倍。
4.根据权利要求1所述的寄生辐射体，其特征在于：
所述中心引向片的周长为1/4～1/7λ，其中，λ为所述辐射振子中心频率对应的波长。
5.根据权利要求4所述的寄生辐射体，其特征在于：
所述非闭合方框或圆框为一层时，所述外围引向片到所述介质基板的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，所述外围引向片的长度为1/3.5～1/5.5λ。
6.根据权利要求4所述的寄生辐射体，其特征在于：
所述非闭合方框或圆框为间隔设置的两层，位于外层的所述外围引向片到所述介质基板的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，且其长度为1/3.5～1/5.5λ；位于内层的所述外围引向片的长度为位于外层的所述外围引向片的0.5～1倍。
7.根据权利要求4所述的寄生辐射体，其特征在于：
所述非闭合方框或圆框为相互间隔设置的三层，位于最外层的所述外围引向片到所述介质基板的轴心的距离为1/3.5～1/4.5λ，且其长度为1/3.5～1/5.5λ；位于中间层的所述外围引向片的长度为位于最外层的所述外围引向片的0.5～1倍；而位于最内层的所述外围引向片的长度为位于中间层的所述外围引向片的0.5～1倍。
8.根据权利要求4所述的寄生辐射体，其特征在于：
同一层所述非闭合方框或圆框中，相邻所述外围引向片之间设置有两个过渡引向片，所述过渡引向片与相邻所述外围引向片间隔设置，其中，所述过渡引向片的长度为1/9.5～1/10.5λ、宽度为1.5～3mm，相邻所述过渡引向片之间开缝的宽度为0～3mm；
所述非闭合方框中的过渡引向片呈条状，所述非闭合圆框中的过渡引向片呈圆弧状。
9.根据权利要求4所述的寄生辐射体，其特征在于：
所述辐射振子与所述介质基板之间的距离为1/3～1/7λ。
10.一种双极化基站天线，其特征在于，包括：
反射板；
以及安装固定于所述反射板上的多个如权利要求1～9任一项所述的寄生辐射体，其中，所述寄生辐射体共轴或肩并肩设置。
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Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Su Guocheng

Inventor after: Yue Cailong

Inventor after: Wu Zheng

Inventor after: Han Bo

Inventor after: Shi Lei

Inventor after: Fu Cong

Inventor after: Fang Tieyong

Inventor after: Cao Linli

Inventor after: Liu Mulin

Inventor before: Yue Cailong

Inventor before: Wu Zheng

Inventor before: Han Bo

Inventor before: Shi Lei

Inventor before: Fu Cong

Inventor before: Fang Tieyong

Inventor before: Cao Linli

Inventor before: Liu Mulin

COR Change of bibliographic data
GR01 Patent grant
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