CN105575658B - 功率半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种功率半导体装置(1)，其带有功率半导体结构元件(2)、基体(3)和沿第一方向(X)依次布置的电容器(6)，这些电容器与功率半导体结构元件导电地连接，其中，功率半导体装置具有电容器紧固器件(7)，其具有一体式构造的第一紧固体(4)和一体式构造的第二紧固体(5)，其中，第一紧固体具有沿第一方向(X)依次布置的第一框架元件(8)，并且第二紧固体具有沿第一方向(X)依次布置的第二框架元件(9)，其中，第一和第二框架元件相对置地布置并且在侧面框住电容器，并且具有与电容器的机械接触，其中，第一紧固体借助第一和第二扣合连接(32)与第二紧固体连接，其中，第一和第二紧固体直接或间接地与基体连接。

Description

功率半导体装置
技术领域
本发明涉及一种功率半导体装置。
背景技术
在由现有技术公知的功率半导体装置中，通常在基底上布置有功率半导体结构元件，例如功率半导体开关和二极管，并且这些功率半导体结构元件借助基底的导体层、焊线和/或复合薄膜彼此导电地连接。
功率半导体结构元件在此经常互连成一个或多个所谓的半桥电路，其例如用于对电压和电流进行整流和逆变。功率半导体装置在此通常具有作为能量存储器的电并联和/或电串联的电容器，它们通常缓冲在功率半导体装置上出现的直流电压。这种电容器在本领域中通常也被称为中间电路电容器。
电容器经由其电联接元件与功率半导体装置的一个或多个部件机械连接和电连接。因为功率半导体装置经常要承受机械撞击负荷和/或振动负荷，所以会导致电容器的电联接元件的机械故障，这导致功率半导体装置受损以及失灵。
由DE 10 2009 046 403 A1公知了一种功率半导体装置，其中，功率半导体装置的电容器借助一体式构造的电容器紧固器件来紧固。
发明内容
本发明的任务是提供一种功率半导体装置，其中，功率半导体装置的电容器被安全且可靠地紧固。
该任务通过带有功率半导体结构元件、基体和沿第一方向依次布置的电容器的功率半导体装置来解决，这些电容器与功率半导体结构元件导电地连接，其中，功率半导体装置具有电容器紧固器件，其具有一体式构造的第一紧固体和一体式构造的第二紧固体，其中，第一紧固体具有沿第一方向依次布置的第一框架元件，并且第二紧固体具有沿第一方向依次布置的第二框架元件，其中，第一和第二框架元件相对置地布置并且在侧面框住电容器，并且具有与电容器的机械接触，其中，第一紧固体借助第一和第二扣合连接与第二紧固体连接，其中，第一和第二紧固体直接或间接地与基体连接。
在下文中，对本发明的有利的构造方案进行描述。
被证实为有利的是，第一紧固体具有第一扣合元件和第一扣合配对元件，并且第二紧固体具有第二扣合元件和第二扣合配对元件，其中，通过优选将第一扣合元件与第二扣合配对元件形状锁合地连接，使第一紧固体借助第一扣合连接与第二紧固体连接，并且通过将第二扣合元件与第一扣合配对元件形状锁合地连接，使第一紧固体借助第二扣合连接与第二紧固体连接。由此，实现了第一紧固体与第二紧固体的非常可靠的连接。
被证实为有利的是，关于第一方向，第一扣合元件布置在依次布置的第一框架元件的最前面，而第一扣合配对元件布置在其最后面，并且关于第一方向，第二扣合配对元件布置在依次布置的第二框架元件的最前面，而第二扣合元件布置在其最后面，这是因为于是实现了第一紧固体与第二紧固体的非常可靠的连接。
此外，还被证实为有利的是，第一和第二扣合元件分别构造为扣合钩，其中，通过使各自的扣合钩钩住各自附属的扣合配对元件，使各自的扣合元件与各自附属的扣合配对元件形状锁合地连接。由此，实现了第一和第二扣合连接的特别可靠的构造。
此外，还被证实为有利的是，第一和第二紧固体具有相同的几何形状，其中，第二紧固体相对第一紧固体关于电容器的轴向方向转动了180°地布置。因此，电容器紧固器件可以仅以一种类型的紧固体来构造，从而特别简单地构造出电容器紧固器件。
在此，被证实为有利的是，第一和第二框架元件的数量是偶数，其中，沿第一方向，前一半的第一框架元件与布置在相应的电容器的背离基体的表面之上的遮盖元件连接，并且沿第一方向，后一半的第二框架元件与布置在相应的电容器的背离基体的表面之上的遮盖元件连接，或者其中，沿第一方向，后一半的第一框架元件与布置在相应的电容器的背离基体的表面之上的遮盖元件连接，并且沿第一方向，前一半的第二框架元件与布置在相应的电容器的背离基体的表面之上的遮盖元件连接，其中，各自的遮盖元件与各自的框架元件一体式构造。遮盖元件阻止相应的电容器在电容器的轴向方向上沿从基体离开的方向运动，从而实现了电容器的特别可靠的紧固。
此外，还被证实为有利的是，功率半导体结构元件布置在导电的导体迹线上。由此，实现了功率半导体装置的紧凑的结构。
在此，被证实为有利的是，在导电的导体迹线与基体之间布置有不导电的绝缘层，这是因为基体于是零电势地布置。
附图说明
在附图中示出本发明的实施例并且随后对其进行详细阐述。在附图中：
图1示出根据本发明的功率半导体装置在未组装好的状态下的透视图；
图2示出根据本发明的功率半导体装置在已组装好的状态下的透视图；并且
图3示出根据本发明的功率半导体装置的俯视图。
具体实施方式
图1至图3示出根据本发明的功率半导体装置1的不同的视图。
根据本发明的功率半导体装置1具有功率半导体结构元件2、基体3和沿第一方向X依次布置的电容器6，它们与功率半导体结构元件2导电地连接。各个功率半导体结构元件2优选以功率半导体开关或二极管的形式存在。功率半导体开关在此通常以晶体管，例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)或MOSFET(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的形式或以闸流管的形式存在。在本实施例的范围内，功率半导体结构元件2构造为MOSFET。要注意的是，在图1和图2中，为了清晰起见，仅其中两个功率半导体结构元件2配有附图标记。
功率半导体结构元件2优选布置在导电的导体迹线23上，并且例如借助钎焊连接或烧结连接与导体迹线23连接。在导体迹线23与基体3之间布置有不导电的绝缘层56，其在本实施例的范围内以薄膜的形式构造。导体迹线23和绝缘层56一起构造出基底。导体迹线23在此可以分别例如通过引线框架形成。基底例如也可以以直接铜键合基底(DCB-Substrat)的形式存在。要注意的是，在图中为了清晰起见，功率半导体装置1的仅两个导体迹线配有附图标记。
功率半导体结构元件2优选与基体3导热地连接，其中，在本实施例中，功率半导体结构元件2经由导体迹线23并且经由绝缘层56与基体3导热地连接。例如，基体3可以构造为例如能与冷却体导热地连接的基板，或者像在实施例中那样构造为冷却体。冷却体3在此可以具有冷却片，或者像在图2和图3中示出的那样具有冷却销34。
但是，在此要注意的是，基体3也可以以功率半导体装置1的其他能以优选方式机械加载的构件的形式存在。
在本实施例的范围内，功率半导体结构元件2电互连成半桥电路，它们例如可以用于对电压和电流进行整流和逆变。功率半导体装置1具有作为能量存储器的电并联和/或电串联的电容器6，它们缓冲在功率半导体装置1上出现的直流电压。电容器6在本实施例中相应地充当中间电路电容器，但它们也可以用于其他目的。
功率半导体装置1在本实施例的范围内具有导电的第一直流电压负载联接元件DC1和导电的第二直流电压负载联接元件DC2，其中，第一直流电压负载联接元件与功率半导体装置1的其中一个导体迹线连接，而第二直流电压负载联接元件与功率半导体装置1的其中另一个导体迹线连接(例如借助相应的钎焊连接或烧结连接)。在功率半导体装置1上出现的直流电压施加在第一与第二直流电压负载联接元件DC1与DC2之间。在本实施例的范围内，功率半导体装置1具有交流电压负载联接元件，其例如借助钎焊连接或烧结连接与功率半导体装置1的处于交流电压电势的导体迹线连接，其中，为了清晰起见，在图中没有示出交流电压负载联接元件。此外，功率半导体装置1具有为了清晰起见而在图中没有示出的控制联接元件，它们用于操控功率半导体结构元件2。
电容器6具有电联接元件31。电联接元件31在本实施例的范围内例如借助钎焊连接或烧结连接与导电的汇流排24连接，并且导电的汇流排24例如借助钎焊连接或烧结连接与功率半导体装置1的导体迹线连接。电容器6相应地与功率半导体结构元件2导电连接。
根据本发明，为了机械紧固电容器2，功率半导体装置1具有电容器保持器件7，其具有一体式构造的第一紧固体4和一体式构造的第二紧固体5。第一和第二紧固体4和5优选由塑料制成。第一紧固体4具有沿第一方向X依次布置的第一框架元件8，并且第二紧固体5具有沿第一方向X依次布置的第二框架元件9，其中，第一和第二框架元件8和9相对置地布置，并且在侧面框住电容器6，其中，第一和第二框架元件8和9不必完全地包围电容器6的周面50。第一和第二框架元件8和9在此也可以按如下方式构造，即，框架元件8和9完全包围电容器6的周面50。第一和第二框架元件8和9具有与电容器6的机械接触部。第一和第二框架元件8和9优选相对电容器6挤压。
第一和第二框架元件8和9的相应的几何形状优选与电容器6的周面50的相应面向框架元件布置的区段的几何形状相对应地构造。在本实施例中，电容器6的周面50具有柱体形的几何形状，从而使得第一和第二框架元件8和9具有与电容器6的周面50的柱体形的几何形状相匹配的圆弧形的几何形状。
第一紧固体4优选具有第一扣合元件10和第一扣合配对元件11。第二紧固体5优选具有第二扣合元件12和第二扣合配对元件13。通过优选将第一扣合元件10与第二扣合配对元件13形状锁合地连接，使第一紧固体4与第二紧固体5借助第一扣合连接32连接。此外，通过优选将第二扣合元件12与第一扣合配对元件11形状锁合地连接，使第一紧固体4与第二紧固体5借助第二扣合连接33连接。
在本实施例的范围内，关于第一方向X，第一扣合元件10布置在依次布置的第一框架元件8的最前面，而第一扣合配对元件11布置在其最后面，并且第二扣合配对元件13布置在依次布置的第二框架元件9的最前面，而第二扣合元件12布置在其最后面。
第一和第二扣合元件10和12优选构造为扣合钩，其中，通过使各自的扣合钩10或12钩住各自附属的扣合配对元件13或11，使各自的扣合元件10或12与各自附属的扣合配对元件13或11形状锁合地连接。
因此，电容器紧固器件7优选仅由第一和第二紧固体4和5构成。
在本实施例的范围内，第一和第二紧固体4和5具有相同的几何形状，其中，第二紧固体5相对第一紧固体4关于电容器6的轴向方向Z转动了180°地布置。电容器紧固器件7因此优选仅由相同构造的第一和第二紧固体4和5构成。当第一和第二紧固体4和5例如由塑料制成时，第一和第二紧固体4和5因此可以借助同一注塑模具来制造。电容器6的轴向方向Z优选垂直于第一方向X延伸。当电容器6像在本实施例中那样具有柱体形的几何形状时，轴向方向Z沿电容器6的几何轴线的方向延伸。
第一和第二紧固体4和5尤其借助螺栓连接件直接或间接地与基体3连接。第一紧固体4优选具有带第一凹部29的第一紧固板15，第二紧固体5具有带第二凹部30的紧固板16。在本实施例中，第一和第二紧固体4和5，更准确地说是第一和第二紧固板15和16直接经由螺栓26与基体3连接，这些螺栓拧入基体3的设有内螺纹的盲孔中。螺栓26延伸穿过第一和第二凹部29和30。第一和第二紧固体4和5在本实施例的范围内借助间距保持器27与基板3间隔开地布置。间距保持器27可以具有任意的几何形状，其中，间距保持器在本实施例中构造为套筒，并且螺栓26延伸穿过这些套筒。
此外，第一和第二紧固体4和5也可以间接与基体3连接(在图中未示出)，其方式是：例如将第一和第二紧固体4和5或者说第一和第二紧固板15和16例如经由第一螺栓与至少一个元件连接，并且至少一个元件分别通过至少一个第二螺栓与基体3连接。第一和第二紧固体4和5也可以按这种方式经由一个或多个以机械方式接在中间的元件与基体3连接。
第一和第二凹部29和30例如可以分别构造为长孔(在图中未示出)，从而借助第一和第二凹部29和30可以实现公差补偿。
第一和第二框架元件8和9的数量优选是偶数，其中，沿第一方向X，前一半的第一框架元件8与布置在相应的电容器6的背离基体3的表面51之上的遮盖元件17连接，并且沿第一方向X，后一半的第二框架元件9与布置在相应的电容器6的背离基体3的表面51之上的遮盖元件18连接(参见附图)，或者其中，沿第一方向X，后一半的第一框架元件8与布置在相应的电容器6的背离基体3的表面51之上的遮盖元件连接，并且沿第一方向X，前一半的第二框架元件9与布置在相应的电容器6的背离基体3的表面51之上的遮盖元件连接(在图中未示出)。各自的遮盖元件17或18与各自的框架元件8或9一体式构造。遮盖元件17或18阻止相应的电容器6在电容器6的轴向方向Z上沿从基体3离开的方向运动。
功率半导体装置1的电容器6借助电容器紧固器件7以这种方式安全且可靠地紧固。电容器6的紧固可以高效地以很少的耗费借助少量的工作步骤和元件来实现。
为了借助电容器紧固器件7紧固功率半导体装置1的电容器6，电容器紧固器件7的第一和第二紧固体4和5以如下方式彼此对置地布置，即，使第一扣合元件10和第二扣合配对元件13彼此相对置地布置，并且第二扣合元件12和第一扣合配对元件11彼此相对置地布置，其中，电容器6布置在第一与第二紧固体4与5之间。
紧接着，将第一和第二紧固体4和5朝向彼此运动，从而使第一扣合元件10与第二扣合配对元件13建立起形状锁合连接，并且使第二扣合元件12与第一扣合配对元件11建立起形状锁合连接。
紧接着，将第一和第二紧固体4和5优选借助螺栓连接件直接或间接地与基体3连接。

Claims (8)

1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置带有功率半导体结构元件(2)、基体(3)和沿第一方向(X)依次布置的电容器(6)，所述电容器与所述功率半导体结构元件(2)导电地连接，其中，所述功率半导体装置(1)具有电容器紧固器件(7)，所述电容器紧固器件具有一体式构造的第一紧固体和一体式构造的第二紧固体(4、5)，其中，所述第一紧固体(4)具有沿所述第一方向(X)依次布置的第一框架元件(8)，并且所述第二紧固体(5)具有沿所述第一方向(X)依次布置的第二框架元件(9)，其中，所述第一框架元件和所述第二框架元件(8、9)相对置地布置并且在侧面框住所述电容器(6)，并且具有与所述电容器(6)的机械接触，其中，所述第一紧固体(4)借助第一扣合连接和第二扣合连接(32)与所述第二紧固体(5)连接，其中，所述第一紧固体和所述第二紧固体(4、5)直接或间接地与所述基体(3)连接。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一紧固体(4)具有第一扣合元件(10)和第一扣合配对元件(11)，并且所述第二紧固体(5)具有第二扣合元件(12)和第二扣合配对元件(13)，其中，通过将所述第一扣合元件(10)与所述第二扣合配对元件(13)形状锁合地连接，使所述第一紧固体(4)借助第一扣合连接(32)与所述第二紧固体(5)连接，并且通过将所述第二扣合元件(12)与所述第一扣合配对元件(11)形状锁合地连接，使所述第一紧固体(4)借助第二扣合连接(33)与所述第二紧固体(5)连接。
3.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其特征在于，关于所述第一方向(X)，所述第一扣合元件(10)布置在所述依次布置的第一框架元件(8)的最前面，而所述第一扣合配对元件(11)布置在所述依次布置的第一框架元件(8)的最后面，并且关于所述第一方向(X)，所述第二扣合配对元件(13)布置在所述依次布置的第二框架元件(9)的最前面，而所述第二扣合元件(12)布置在所述依次布置的第二框架元件(9)的最后面。
4.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一扣合元件和所述第二扣合元件(10、12)分别构造为扣合钩(10、12)，其中，通过使各自的扣合钩(10、12)钩住各自附属的扣合配对元件(11、13)，使各自的扣合元件(10、12)与各自附属的扣合配对元件(11、13)形状锁合地连接。
5.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一紧固体和所述第二紧固体(4、5)具有相同的几何形状，其中，所述第二紧固体(5)相对所述第一紧固体(4)关于所述电容器(6)的轴向方向(Z)转动了180°地布置。
6.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其中，所述第一框架元件和所述第二框架元件(8、9)的数量是偶数，
其中，沿所述第一方向(X)，前一半的所述第一框架元件(8)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件(17)连接，并且沿所述第一方向(X)，后一半的所述第二框架元件(9)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件(18)连接，或者
其中，沿所述第一方向(X)，后一半的所述第一框架元件(8)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件连接，并且沿所述第一方向(X)，前一半的所述第二框架元件(9)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件连接，
其中，各自的遮盖元件(17、18)与各自的框架元件(8、9)一体式构造。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体结构元件(2)布置在导电的导体迹线(23)上。
8.根据权利要求7所述的功率半导体装置，其特征在于，在所述导电的导体迹线(23)与所述基体(3)之间布置有不导电的绝缘层(56)。
CN201510740817.7A 2014-11-04 2015-11-04 功率半导体装置 Active CN105575658B (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016105783B4 (de) * 2016-03-30 2019-05-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
DE102022202462A1 (de) 2022-03-11 2023-09-14 Zf Friedrichshafen Ag Zwischenkreiskondensatorvorrichtung für einen Wechselrichter für ein Fahrzeug, Wechselrichter für ein Fahrzeug und Verfahren zum Herstellen einer Zwischenkreiskondensatorvorrichtung
WO2023181291A1 (ja) 2022-03-24 2023-09-28 三菱電機株式会社 電子機器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4108527A (en) * 1977-06-23 1978-08-22 Amp Incorporated Strain relief assembly
CN101527524A (zh) * 2008-03-04 2009-09-09 株式会社丰田自动织机 电力变换器设备
CN102097391A (zh) * 2009-11-04 2011-06-15 赛米控电子股份有限公司 功率半导体模块
CN103093956A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 松下电器产业株式会社 电容器组件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2099119B1 (en) * 2008-03-04 2014-11-19 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Power converter apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4108527A (en) * 1977-06-23 1978-08-22 Amp Incorporated Strain relief assembly
CN101527524A (zh) * 2008-03-04 2009-09-09 株式会社丰田自动织机 电力变换器设备
CN102097391A (zh) * 2009-11-04 2011-06-15 赛米控电子股份有限公司 功率半导体模块
CN103093956A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 松下电器产业株式会社 电容器组件

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