CN105575407A - 具有与偏置材料分离的侧面屏蔽的剪式读头 - Google Patents

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Abstract

本文公开的实施例总体而言涉及一磁头，该磁头具有在垂直于面对介质的表面的方向上对准的传感器叠层和偏置材料。偏置材料的第一部分和传感器叠层被合成反铁磁(SAF)结构侧向夹抵，偏置材料的第二部分被介电材料侧向夹抵。在该构造中，SAF结构与偏置材料分离，这使得对偏置材料的干扰最小化。

Description

具有与偏置材料分离的侧面屏蔽的剪式读头
技术领域
本文公开的实施例总体而言涉及硬盘驱动器中使用的磁读头。
背景技术
计算机的心脏是磁盘驱动器，磁盘驱动器通常包括旋转的磁盘、具有读和写头的滑块、在旋转盘上方的悬臂、以及致动器臂，所述致动器臂转动悬臂以将读和/或写头放置在旋转盘上所选择的磁道上方。当磁盘不旋转时悬臂使滑块向磁盘表面偏移，但是当磁盘旋转时，空气被邻近面对介质的表面(mediafacingsurface，MFS)例如滑块的空气轴承表面(airbearingsurface，ABS)的旋转盘所搅动，导致滑块骑在稍微远离旋转盘表面的空气轴承上。当滑块骑在空气轴承上时，写和读头用于向旋转盘写入磁印记(magneticimpression)和从旋转盘读取磁信号区域。读和写头连接到处理电路，处理电路根据计算机程序进行操作以实现写和读功能。
读头中使用的一种常规传感器是剪式传感器。剪式传感器叠层通常具有两个自由磁性层，该两个自由磁性层具有相对于彼此以剪刀形式移动的磁化。剪式传感器叠层具有位于MFS的第一表面和与第一表面相反的第二表面，并且偏置材料通常邻近于传感器叠层的第二表面设置。侧面屏蔽，例如合成反铁磁(syntheticantiferromagnetic，SAF)结构，通常侧向夹抵(bookend)传感器叠层和偏置材料。侧面屏蔽使得双自由层的退磁能最小化。然而，在这种配置中，SAF结构和偏置材料之间可能发生强交互作用，从而导致来自SAF结构的杂散场干扰偏置材料的稳定性。
因此，需要一种改进的读头。
发明内容
本文公开的实施例总体而言涉及一磁头，该磁头具有在垂直于MFS的方向上对准的传感器叠层和偏置材料。偏置材料的第一部分和传感器叠层被SAF结构侧向夹抵，偏置材料的第二部分被介电材料侧向夹抵。在此构造中，SAF结构与偏置材料分离，这使得对偏置材料的干扰最小化。
在一个实施例中，公开了一种磁头。该磁头包括传感器叠层和偏置材料。偏置材料在基本垂直于面对介质的表面的方向与传感器叠层对准。磁头进一步包括侧向夹抵偏置材料的第一部分和传感器叠层的侧面屏蔽。侧面屏蔽延伸至面对介质的表面。磁头进一步包括侧向夹抵偏置材料的第二部分的介电材料，并且介电材料从面对介质的表面凹进。
在另一实施例中，公开了一种磁头。该磁头包括传感器叠层和侧向夹抵传感器叠层的侧面屏蔽。侧面屏蔽延伸至面对介质的表面。磁头进一步包括设置在传感器叠层和侧面屏蔽下方的第一多层屏蔽、设置在第一多层屏蔽下方的传感器屏蔽、以及设置在传感器叠层和侧面屏蔽上方的第二多层屏蔽。
在另一实施例中，公开了一种磁头。该磁头包括传感器叠层和侧向夹抵传感器叠层的介电材料。介电材料延伸至面对介质的表面。磁头进一步包括设置在传感器叠层和介电材料下方的第一多层屏蔽、设置在第一多层屏蔽下方的传感器屏蔽、以及设置在传感器叠层和介电材料上方的第二多层屏蔽。
附图说明
为了能够详细地理解本公开的上述特征，可通过参考实施例对上面简要概述的本公开进行更具体的描述，其中某些实施例在附图中示出。然而应当注意，附图仅仅示出了本公开的典型实施例，因此不应被认为限制其范围，因为本公开可允许涉及磁传感器的任何领域的其他等效实施例。
图1示出根据本文描述的实施例的磁盘驱动器系统。
图2是根据本文描述的实施例的图1中的磁盘驱动器的读/写磁头和磁盘的侧视截面图。
图3A是根据本文描述的实施例的磁读头的一部分的透视图。
图3B是根据本文描述的实施例的磁写头的俯视截面图。
图4A-4I示出根据本文描述的实施例形成磁读头的工艺步骤。
图5是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图6是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图7是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图8是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图9A-9B是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
为了方便理解，在可能的地方使用相同的参考标记来指代图中的相同元件。可预期地，无需特别叙述，一个实施例中所公开的元件可有益地应用于另一实施例中。
具体实施方式
在下文参考实施例。然而，应当理解的是本公开并不限于具体描述的实施例。相反，以下特征和元素的任意组合，无论是否与不同的实施例相关，都可被预期为实现和实施请求保护的主题。并且，尽管实施例可获得相对于其他可能的方案和/或现有技术的优点，特定优点是否由给定的实施例获得并不对本公开进行限制。因此，除非在权利要求中明确说明，以下方面、特征、实施例和优点仅仅是说明性的，并不被视为所附权利要求的要素或限制。
本文公开的实施例总体而言涉及磁头，该磁头具有在垂直于MFS的方向上对准的传感器叠层和偏置材料。偏置材料的第一部分和传感器叠层被SAF结构侧向夹抵，偏置材料的第二部分被介电材料侧向夹抵。在此构造中，SAF结构与偏置材料分离，这使得对偏置材料的干扰最小化。
图1示出根据本文公开的一个实施例的磁盘驱动器100。如图所示，至少一个可旋转磁介质112被支撑在芯轴(spindle)114上并由磁盘驱动电机118转动。每个盘上的磁记录是数据轨道的任何适当图案的形式，例如磁介质112上同心的数据轨道(未示出)的环形图案。
至少一个滑块113位于磁介质112附近，每个滑块113支撑一个或多个磁头组件121。随着磁盘转动，滑块113在盘表面122上沿径向向内或向外移动从而使得磁头组件121可访问磁介质112的写有所需数据的不同轨道。每个滑块113通过悬臂115连接到致动器臂119。悬臂115提供使滑块113朝盘表面122偏移的轻微的弹力。每个致动器臂119连接到致动器装置127。如图1所示的致动器装置127可以是音圈电机(voicecoilmotor，VCM)。VCM包括在固定磁场内可移动的线圈，线圈移动的方向和速度由控制单元129所提供的电机电流信号控制。
在磁盘驱动器100操作期间，磁介质112的旋转在滑块113和磁盘表面122之间产生空气轴承，该空气轴承在滑块113上施加向上力或提升力。从而空气轴承抵消了悬臂115的轻微弹力并在正常操作期间113以小的、基本恒定的间距支撑滑块使其脱离并稍微高于介质112表面。
磁盘驱动器100的各种组件在操作中由控制单元129所产生的控制信号控制，所述控制信号例如为访问控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元129产生用来控制各种系统操作的控制信号，例如线123上的驱动电机控制信号和线128上的磁头定位和寻找控制信号。线128上的控制信号提供所需的电流分布以最佳地将滑块113移动和定位到介质112上所需的数据轨道。通过记录通道125将写和读信号发送到组件121上的写和读磁头以及从写和读磁头取出写和读信号。
以上对典型的磁盘存储系统的描述和图1的附加说明仅仅是为了展示的目的。显然磁盘存储系统可包含大量的磁盘和致动器，并且每个致动器可支撑多个滑块。
图2是穿过读/写头200的中心的部分侧视截面图，其中读/写头200安装于滑块201上且面向磁介质112。滑块201可以是滑块113。在一些实施例中，磁介质112可以是“双层”介质，所述“双层”介质包括在磁盘衬底208上形成的“软的”或相对低矫顽力的透磁底层(magneticallypermeableunderlayer，PL)206上的垂直磁数据记录层(RL)204。读/写头200包括MFS202、磁写头210和磁读头211，并被安装为使得MFS202面向磁介质112。图2中，介质112在箭头232指示的方向移动通过写头210，因此读/写头200的与滑块201相对的部分通常称为“尾”端203。
在一些实施例中，磁读头211可包括位于传感器屏蔽S1和S2之间的感测元件230。RL204示出为具有垂直记录或磁化的区域，其相邻的区域具有由位于RL204中的箭头所表示的磁化方向。相邻磁化区域的磁场可被感测元件230检测为所记录的位。
写头210包括由主磁极212和磁轭216组成的磁路。写头210还包括薄膜线圈218，该薄膜线圈218示出为在嵌入非磁性材料219中并围绕在磁轭216周围的区域中。在替代的实施例中，磁轭216可省略，且线圈218可围绕在主磁极212周围。写磁极220磁性地连接到主磁极212并具有一端部226，端部226限定磁写头210的MFS202的面对介质112外表面的部分。
写磁极220可以是展开形的写磁极并可包括展开点222和包括端部226的磁极尖部224。展开部可延伸写磁极220的整个高度(即，从写磁极220的端部226到写磁极220的顶部)，或者可以仅仅从展开点222延伸，如图2所示。在一个实施例中，展开点222和ABS之间的距离在约30nm与约150nm之间。
写磁极220包括锥形表面271，锥形表面271将写磁极220的宽度从MFS202处的第一宽度W1增加至远离MFS202处的第二宽度W2。在一个实施例中，宽度W1可在大约60nm与200nm之间，宽度W2可在大约120nm与350nm之间。尽管在图2中锥形区域271被示为具有单个平直表面(straightsurface)，但在替代实施例中，锥形区域271可含有相对于MFS202具有不同锥角的多个锥形表面。
锥形提高了磁性能。例如，减小MFS202处的宽度W1可将写磁极220产生的磁场集中在磁介质112上。换言之，减小写磁极220在MFS202处的宽度W1降低了写操作期间与指定轨道相邻的轨道被错误地更改的几率。
在操作中，写电流通过线圈218并从写磁极220感应出磁场(由虚线228示出)，该磁场穿过RL204(以使RL204的在写磁极220下方的区域磁化)，穿过PL206提供的磁通量返回路径，并返回到上返回磁极250。在一个实施例中，写磁极220的磁通量越大，向RL204的指定区域正确写入的概率就越大。
图2还示出了上返回磁极或磁屏蔽250的一个实施例，所述上返回磁极或磁屏蔽250通过非磁性间隙层256而与写磁极220分离。在一些实施例中，磁屏蔽250可以是其中基本所有的屏蔽材料都在尾端203上的拖尾(trailing)屏蔽。可替代地，在一些实施例中，磁屏蔽250可以是其中屏蔽覆盖尾端203并且也围绕在写磁极220侧面周围的围绕屏蔽。由于图2是通过读/写头200的中心的截面，它表示出拖尾和围绕两个实施例。
在MFS202附近，非磁性间隙层256具有减小的厚度并形成屏蔽间隙颈部258。颈部间隙宽度一般定义为在MFS202处写磁极220和磁屏蔽250之间的距离。屏蔽250由磁可穿透材料(例如Ni，Co和Fe合金)形成且间隙层256由非磁性材料(例如Ta，TaO，Ru，Rh，NiCr，SiC或Al2O3)形成。间隙材料中的锥形260提供从MFS202处的颈部间隙宽度到锥形260上方的最大间隙宽度的逐渐过渡。宽度的逐渐过渡在非磁性间隙层256中形成锥形凸块，该锥形凸块允许来自写磁极220的更大的磁通量密度，同时避免屏蔽250的饱和。
图3A是根据本文描述的实施例的磁读头211的一部分的透视图。磁读头211可包括设置在传感器屏蔽S1上方的传感器叠层302。传感器叠层302可包括第一磁性自由层304，第二磁性自由层306以及夹在第一磁性自由层304和第二磁性自由层306之间的非磁性层308。第一磁性层304和第二磁性层306可各自包括铁磁材料如CoFe或NiFe，且非磁性层308可包括用于隧穿结传感器的电绝缘材料如MgO，或者用于巨磁阻传感器的导电材料如Cu、Ag或AgSn。可选的籽层(未示出)可设置在传感器叠层302和传感器屏蔽S1之间。传感器叠层302可具有作为MFS202的一部分的第一表面310，与第一表面310相对的第二表面312，以及侧表面314(为了清楚，去掉了一个侧表面314，因此示出了截面316)。
非磁性介电层320，如氧化铝、MgO、SixNy或SiOxNy层，可设置在第二表面312上。偏置材料318可邻近该非磁性介电层320设置。偏置材料318可以是硬偏置材料或软偏置材料，提供偏置磁场以克服磁性自由层304、306的磁各向异性从而保持磁化基本上彼此垂直。偏置材料318可具有邻近非磁性介电层320的第一表面331和与第一表面331相对的第二表面333。偏置材料318可在与MFS202基本垂直的方向上与传感器叠层302对准。第二表面333可位于离MFS202距离为“L1”的位置处。覆盖层322可设置在传感器叠层302、非磁性介电层320和偏置材料318的上方。覆盖层322可以是包括Ru和Ta层、Ir或Cr/Ir层、或Ru层的多层结构。绝缘层324(仅示出了一个)，如SiN、氧化铝或MgO，可设置在侧表面314和传感器屏蔽S1上，且侧面屏蔽326可邻近每个绝缘层324设置。侧面屏蔽326可延伸到MFS202。侧面屏蔽326可以是具有第一磁性层328、第二磁性层330和设置在第一磁性层328和第二磁性层330之间的非磁性层332的SAF结构。第一磁性层328和第二磁性层330各自可包括NiFe、CoFe或其合金，并且非磁性层332可包括Ru。通常，侧面屏蔽从MFS202延伸到离MFS202距离为“L1”的位置，因此侧面屏蔽基本平行于整个偏置材料318，导致对偏置材料318的干扰。换言之，传感器叠层302和整个偏置材料318被传统的侧面屏蔽侧向夹抵。
为了使对偏置材料318的干扰最小化，侧面屏蔽326的高度被减小从而使得侧面屏蔽326从MFS202延伸到离MFS202距离为“L2”的位置。距离“L2”的范围可从大约15nm到大约100nm。通过该构造，传感器叠层302和偏置材料318的一部分334被侧面屏蔽326侧向夹抵。偏置材料318的剩余部分336可被介电材料338如TaOx或氧化铝侧向夹抵。介电材料338可从MFS202凹进。侧面屏蔽326可在与MFS202基本垂直的方向上与介电材料338对准。偏置材料318的部分334可具有在大约1nm到大约40nm范围内的高度“L3”。
图3B是根据本文描述的实施例的磁读头211的俯视截面图。如图3B中所示，绝缘层324邻近传感器叠层302的侧表面314设置并且侧面屏蔽326邻近绝缘层324设置。侧面屏蔽326侧向夹抵传感器叠层302和偏置材料318的第一部分334并且介电材料338侧向夹抵偏置材料318的第二部分336。
图4A-4I示出了根据本文描述的实施例形成磁读头211的工艺步骤。如图4A中所示，在屏蔽402上沉积一系列传感器层404。屏蔽402可以是图3A中所示的屏蔽S1。该系列传感器层404可包括上面参考图3A所描述的传感器叠层302的层。在该系列传感器层404上可以设置抗化学机械抛光(CMP)的层406如类金刚石碳(DLC)或无定形碳层。接下来，如图4B中所示，在层406的第一部分上设置掩模结构408，并且去除未被掩模408覆盖的层406的第二部分和层406的第二部分下方的一系列传感器层404的部分，暴露出屏蔽402的一部分。去除一系列传感器层的该部分也被称为定义条高度，并且可通过离子研磨(ionmilling)执行。掩模结构408可包括各种层如抗CMP的硬掩模层、由制成的图像传输层，抗反射涂层和光致抗蚀剂层。
如图4C中所示，在掩模结构408、层406和一系列传感器层404的剩余部分的侧壁、以及屏蔽402的暴露部分上沉积非磁性绝缘层410。非磁性绝缘层410可包括与非磁性绝缘层320相同的材料。在设置在屏蔽402上的非磁性绝缘层410的一部分上沉积偏置材料412。偏置材料412可包括与偏置材料318相同的材料。可在偏置材料412上设置CMP停止层414。
接下来，如图4D中所示，使用CMP工艺去除掩模结构408和设置在掩模结构408上方的非磁性绝缘层410的部分。然后使用反应离子刻蚀(RIE)工艺去除CMP停止层406、414，并可在一系列传感器层404的剩余部分和偏置材料412的上方沉积非磁性金属层416，如Ru层。
在非磁性金属层416的一部分上设置掩模结构418，如图4E中所示。掩模结构418可包括与掩模结构408相同的材料。接下来，移除未被掩模结构418覆盖的非磁性金属层416、一系列传感器层404、非磁性绝缘层410和偏置材料412的部分，暴露屏蔽402的一些部分。该步骤也被称为轨道宽度定义步骤，并且该系列传感器层404的所得部分可以是传感器叠层302。
接下来，如图4F中所示，在掩模结构418、一系列传感器层404的所述部分的侧壁以及屏蔽402的暴露部分上方沉积绝缘层420。绝缘层420可包括与图3A中所示的绝缘层324相同的材料。光致抗蚀剂422可沉积在绝缘层420的设置于屏蔽402的暴露部分上方的部分上方。光致抗蚀剂422的一些部分可通过光刻去除，并且一结构424可沉积在绝缘层420上，夹抵一系列传感器层404的所述部分，如图4G中所示。结构424可包括侧面屏蔽326中的层。去除光致抗蚀剂422的所述部分是为了定义结构424的后边缘。
接下来，如图4H中所示，光致抗蚀剂422的剩余部分被去除并被介电材料426取代。介电材料426可夹抵偏置材料412。介电材料可包括与介电材料338相同的材料。通过CMP工艺去除掩模结构418和设置在掩模418上的绝缘层420的部分。CMP工艺还去除结构424和介电材料426的部分，因此如图4I中所示，结构424、非磁性金属层416和介电材料426的顶表面可共面。一系列传感器层404和偏置材料412设置在非磁性金属层416下方，从而一系列传感器层404和偏置材料412与形成在该结构上的任何层都分离。结构424即现在的侧面屏蔽可耦合到形成在该结构上的任何层，例如下面详细描述的顶部层叠屏蔽。
为了进一步提高磁读头的稳定性，层叠屏蔽可设置在传感器叠层和侧面屏蔽的上方和下方。当一个层叠屏蔽耦合或直接接触侧面屏蔽时，侧面屏蔽的性能提高。图5-9示出了在传感器叠层上方和下方具有层叠屏蔽的磁读头。图5是根据本文描述的实施例的磁读头500的仰视截面图。如图5中所示，传感器叠层302和侧面屏蔽326可设置在位于传感器屏蔽S1上方的第一层叠或多层屏蔽502的上方。第二层叠屏蔽504可设置在传感器叠层302和侧面屏蔽326的上方。第一层叠屏蔽502可通过绝缘层324与侧面屏蔽326分离并且可通过绝缘金属籽晶层506与传感器叠层302分离。金属籽晶层506可包括Ta/Ru。第二层叠屏蔽504可通过覆盖层322与传感器叠层302分离，但第二层叠屏蔽504可耦合到侧面屏蔽326。
第一层叠屏蔽502可包括具有Ta、Ru、Ta/Ru或金属籽晶用以阻断交换的反铁磁层508、第一磁性层510、非磁性层512和第二磁性层514。在一个实施例中，反铁磁层508包括具有金属籽晶的IrMn，第一磁性层510包括NiFe，非磁性层512包括Ru并且第二磁性层514包括NiFe。在一个实施例中，具有金属籽晶的反铁磁层508设置在传感器屏蔽S1上，第一磁性层510设置在反铁磁层508上，非磁性层512设置在第一磁性层510上，第二磁性层514设置在非磁性层512上，并且绝缘层324和金属籽晶层506设置在第二磁性层514上。
第二层叠屏蔽504可包括反铁磁层522、第一磁性层520、非磁性层518和第二磁性层516。在一个实施例中，反铁磁层522包括IrMn，第一磁性层520包括NiFe，非磁性层518包括Ru并且第二磁性层516包括NiFe。在一个实施例中，反铁磁层522设置在第一磁性层520上，第一磁性层520设置在非磁性层518上，非磁性层518设置在第二磁性层516上，并且第二磁性层516设置在侧面屏蔽326和覆盖层322上。
图6是根据本文描述的实施例的磁读头600的仰视截面图。磁读头600可包括第一层叠屏蔽502和第二层叠屏蔽504。不同于图5中所示的将第二层叠屏蔽504耦合到侧面屏蔽326，第一层叠屏蔽502耦合到侧面屏蔽326，并且第二层叠屏蔽504通过非磁性层604与侧面屏蔽326分离。非磁性层604可以设置在第二层叠屏蔽504和侧面屏蔽326之间并可包括与绝缘层324相同的材料或非磁性金属材料。侧面屏蔽326通过绝缘层602与传感器叠层302分离，并且绝缘层602可包括与绝缘层324相同的材料。在一个实施例中，侧面屏蔽326和金属籽晶层506可设置在第一层叠屏蔽502的第二磁性层514上，且第二层叠屏蔽504的第二磁性层516可设置在非磁性层604和覆盖层322上。图5-6显示两个层叠屏蔽中仅一个耦合到侧面屏蔽，这提高了屏蔽性能。
图7-8示出了第一和第二层叠屏蔽都与侧面屏蔽分离并且每个侧面屏蔽中都包括附加的反铁磁层的磁头。侧面屏蔽中的反铁磁层向侧面屏蔽引入单向各向异性(unidirectionalanisotropy)，这有助于提高侧面屏蔽的性能。图7是根据本文描述的实施例的磁读头700的仰视截面图。如图7中所示，第一和第二层叠屏蔽502、504通过绝缘层324和非磁性层604均与侧面屏蔽704分离。侧面屏蔽704可包括第一磁性层328、第二磁性层330、非磁性层332和反铁磁层702。反铁磁层702可设置在第一磁性层328和绝缘层324之间，如图7中所示，或者设置在磁读头800中的非磁性层604和第二磁性层330之间，如图8所示。
图5-8示出了包括SAF结构作为侧面屏蔽的磁读头。图9A-9B示出了不包括侧面屏蔽的磁读头。替代的是，介电材料一直延伸到MFS。图9A是根据本文描述的实施例的磁读头900的仰视截面图。磁读头900可包括具有反铁磁层903和磁性层905的底部屏蔽901，其中反铁磁层903具有Ta、Ru、Ta/Ru或金属籽晶层(未示出)以阻断交换。在一个实施例中，反铁磁层903包括具有金属籽晶层的IrMn，磁性层905包括NiFe。磁读头900可包括设置在磁性层905的一部分上方的第二磁性层908。在一个实施例中，第二磁性层908包括NiFe。非磁性层910可设置在第二磁性层908上。非磁性层910可以是厚度大约为第三反平行(AP)耦合峰(大约20埃)的薄Ru层，从而使得第二磁性层908弱耦合到第一磁性自由层304，为传感器叠层302提供纵向稳定性。替代地，非磁性间隔层912设置在非磁性层910上并且层910、912的总厚度超过30埃，因此仅有静磁偏置提供到第一磁性自由层304。
磁读头900还可包括设置在传感器叠层302上的非磁性层904，设置在非磁性层904上的磁性层906。与非磁性层910类似，非磁性层904可以是仅用于直接AP耦合的薄Ru层。替代地，非磁性间隔层(未示出)可设置在非磁性层904下方以向第二磁性自由层306提供静磁偏置。非磁性层904、磁性层906、传感器叠层302、磁性层908、非磁性层910以及非磁性间隔层912可被介电材料902侧向夹抵。介电材料902可包括与介电材料338相同的材料。在该构造中，向自由层304、306提供静磁偏置或AP偏置以获得改善的信噪比和改善的稳定性。第二层叠屏蔽504可设置在传感器叠层302和介电材料902上方。
图9B是根据本文描述的实施例的磁读头920的仰视截面图。磁读头920包括设置在传感器叠层302和介电材料902下方的第一层叠屏蔽502。图9A中所示的第二层叠屏蔽504被反铁磁层916和磁性层918取代。反铁磁层916可包括与反铁磁层903相同的材料且磁性层918可包括与磁性层905相同的材料。金属籽晶(未示出)可设置在反铁磁层916上以阻断交换。
总之，公开了一种侧面屏蔽与偏置材料分离的磁读头。分离的侧面屏蔽和偏置材料有助于减少对偏置材料的干扰。为了进一步提高读头的稳定性，可在传感器叠层和侧面屏蔽的上方和下方设置层叠屏蔽。
尽管前面的描述是关于实施例的，但是可设计本发明的其他的和进一步的实施例而不背离其基本范围，本发明的范围由权利要求确定。

Claims (20)

1.一种磁头，包括：
传感器叠层；
偏置材料，其中所述偏置材料在基本垂直于面对介质的表面的方向上与所述传感器叠层对准；
侧向夹抵所述偏置材料的第一部分和所述传感器叠层的侧面屏蔽，其中所述侧面屏蔽延伸到所述面对介质的表面；以及
侧向夹抵所述偏置材料的第二部分的介电材料，其中所述介电材料从所述面对介质的表面凹进。
2.如权利要求1所述的磁头，其中所述传感器叠层包括第一磁性自由层、第二磁性自由层以及设置在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层之间的非磁性层。
3.如权利要求1所述的磁头，其中所述偏置材料包括硬偏置材料或软偏置材料。
4.如权利要求1所述的磁头，其中所述侧面屏蔽的每个包括第一磁性层、第二磁性层以及设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层。
5.如权利要求1所述的磁头，其中所述侧面屏蔽在基本垂直于所述面对介质的表面的方向上与所述介电材料对准。
6.如权利要求1所述的磁头，还包括设置在所述传感器叠层和所述偏置材料之间的非磁性介电层以及设置在所述传感器叠层和所述侧面屏蔽之间的绝缘层。
7.如权利要求1所述的磁头，还包括设置在所述传感器叠层和所述偏置材料上方的Ru层。
8.一种磁头，包括：
传感器叠层；
侧向夹抵所述传感器叠层的侧面屏蔽，其中所述侧面屏蔽延伸到面对介质的表面；
设置在所述传感器叠层和所述侧面屏蔽下方的第一多层屏蔽；
设置在所述第一多层屏蔽下方的传感器屏蔽；以及
设置在所述传感器叠层和所述侧面屏蔽上方的第二多层屏蔽。
9.如权利要求8所述的磁头，其中所述第一多层屏蔽和所述第二多层屏蔽的每个包括反铁磁层、第一磁性层、第二磁性层和非磁性层。
10.如权利要求8所述的磁头，其中所述侧面屏蔽的每个包括第一磁性层、第二磁性层和设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层。
11.如权利要求10所述的磁头，还包括设置在所述第一多层屏蔽和所述侧面屏蔽之间的绝缘层，并且其中所述第二多层屏蔽耦合到所述侧面屏蔽。
12.如权利要求10所述的磁头，还包括设置在所述第二多层屏蔽和所述侧面屏蔽之间的绝缘层，并且其中所述第一多层屏蔽耦合到所述侧面屏蔽。
13.如权利要求8所述的磁头，还包括设置在所述第一多层屏蔽和所述侧面屏蔽之间的第一绝缘层以及设置在所述第二多层屏蔽和所述侧面屏蔽之间的第二绝缘层。
14.如权利要求13所述的磁头，其中所述侧面屏蔽包括反铁磁层、第一磁性层、第二磁性层以及设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层。
15.如权利要求14所述的磁头，其中所述反铁磁层邻近所述第一磁性层设置。
16.如权利要求14所述的磁头，其中所述反铁磁层邻近所述第二磁性层设置。
17.一种磁头，包括：
传感器叠层；
侧向夹抵所述传感器叠层的介电材料，其中所述介电材料延伸到面对介质的表面；
设置在所述传感器叠层和所述介电材料下方的第一多层屏蔽；
设置在所述第一多层屏蔽下方的传感器屏蔽；以及
设置在所述传感器叠层和所述介电材料上方的第二多层屏蔽。
18.如权利要求17所述的磁头，其中所述第一多层屏蔽和所述第二多层屏蔽的每个包括反铁磁层、第一磁性层、第二磁性层和非磁性层。
19.如权利要求17所述的磁头，还包括设置在所述传感器叠层上方的第一非磁性层和第一磁性层，其中所述第一非磁性层和所述第一磁性层被介电材料侧向夹抵。
20.如权利要求19所述的磁头，还包括设置在所述传感器叠层下方的第二非磁性层和第二磁性层，其中所述第二非磁性层和所述第二磁性层被所述介电材料侧向夹抵。
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Application publication date: 20160511

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