CN105556538A - 能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器 - Google Patents

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Abstract

提供了一种指纹识别传感器，所述传感器能够使用光学的和电容的方法感测指纹，所述传感器包括：电容式指纹感测单元，其包括晶体管T2，在所述晶体管T2中流动的电流根据能够感测人类指纹的指纹感测电极的输出电压而变化；以及光学指纹感测单元，由于存在或不存在指纹造成的光和影所产生的光电二极管的反向电流的差异，所述光学指纹感测单元改变所述第二晶体管T2中的电流。

Description

能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器
技术领域
本发明涉及一种指纹识别传感器，并且更具体地讲，涉及一种能够使用光学的和电容的方法感测人类指纹的指纹识别传感器。
背景技术
图1和图2是根据常规技术的使用薄膜晶体管的电容式指纹传感器的电路图。
如图1和图2所示，在根据常规技术的使用薄膜晶体管的电容式指纹传感器中，由于通过使用有源像素结构而在像素内包括源极跟随器，模数转换器(ADC)通过数据读出将根据指纹的电容变化识别为电压变化，从而使传感器能在没有前置放大器的情况下驱动。通过使用像素中的VDD电压可以执行复位。
常规的电容性指纹传感器使用扫描信号或这样一种方法：互不相同的电压通过施加允许执行单独的电容性耦合的脉冲电压Vpulse根据指纹在某一时间的一帧期间而施加在T2的栅电极上，从而允许互不相同的电流流动。此时，当指纹的电容为Cfp，并且脉冲电压是ΔVPulse时，施加在栅电极上的电压可以由以下数学式1表示。
[数学式1]
ΔV g - T 2 = C s + C p a r a - T 1 C s + C p a r a - T 1 + C p a r a - T 2 + C f p × ΔV p u l s e
这里，ΔVg-T2是施加在T2的栅极上的电压，其值根据指纹产生的电容Cfp的变化而变化。
如上所述，在根据常规技术的指纹传感器中，主要使用仅通过使用指纹产生的电容的电容式方法，但是没有提供能够使用各种方法感测指纹的指纹传感器的配置。
发明内容
技术问题
因此，本发明是为了解决现有技术中发生的上述问题。本发明的一方面提供了一种能够使用光学的和电容的方法感测人类指纹的指纹识别传感器，所述传感器旨在提供根据指纹识别条件的适当的多种指纹识别环境。
技术方案
根据本发明的一个示例性实施例的方面，提供了一种能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器，所述指纹识别传感器包括：电容式指纹感测单元，其包括晶体管T2，在所述晶体管中，流动的电流根据感测人类指纹的指纹感测电极的输出电压而变化；以及光学指纹感测单元，由于存在或不存在指纹造成的光和影所产生的光电二极管的反向电流的差异，所述光学指纹感测单元改变所述晶体管T2中的电流。
根据本发明的另一个示例性实施例的方面，所述电容式指纹感测单元可以包括：指纹感测电极，检测所述人类指纹；第一晶体管T1，被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，并且源电极连接至数据线；以及二极管晶体管，被配置成使得栅电极和漏电极连接至所述指纹感测电极，并且在源电极上施加输出信号，其中所述晶体管T2被配置成使得栅电极连接至所述指纹感测电极，以及所述二极管晶体管的栅电极和漏电极，源电极连接至所述第一晶体管T1的漏电极，并且漏电极连接至像素中的电源电压或偏压线，并且其中所述二极管晶体管被配置成包括二极管和耦合电容器C1，所述耦合电容器C1连接至所述二极管的阳极和阴极。
根据本发明的又另一个示例性实施例的方面，所述光学指纹感测单元可以包括：光电二极管，被配置成使得阳极连接至像素中的电源电压或偏压线；第五晶体管T5，被配置成使得在栅电极上施加所述光电二极管的控制信号，源电极连接至所述晶体管的栅电极，并且漏电极连接至所述光电二极管的阴极；以及光电二极管电容器C2，连接至所述光电二极管的阳极和阴极。
根据本发明的又另一个示例性实施例的方面，所述电容式指纹感测单元可以包括：指纹感测电极，检测所述人类指纹；第一晶体管T1，被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，并且源电极连接至数据线；以及二极管晶体管，被配置成使得栅电极和漏电极连接至所述指纹感测电极，并且在源电极上施加输出信号。其中所述晶体管T2被配置成使得栅电极连接至所述指纹感测电极，以及所述二极管晶体管的栅电极和漏电极，并且漏电极连接至像素中的电源电压，其中所述二极管晶体管被配置成包括二极管和耦合电容器C1，所述耦合电容器C1连接至所述二极管的阳极和阴极，并且其中所述电容式指纹感测单元可以进一步包括：第三晶体管T3，被配置成使得栅电极连接至所述第二晶体管T2的源电极，源电极连接至所述第一晶体管T1的漏电极，并且源电极连接至所述像素中的电源电压；以及第四晶体管T4，被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，在源电极上施加输入信号，并且第二晶体管T2的源电极和第三晶体管T3的栅电极连接至漏电极。
根据本发明的再又另一个示例性实施例的方面，所述光学指纹感测单元可以包括：光电二极管，被配置成使得阳极连接至像素中的电源电压或偏压线；第五晶体管T5，被配置成使得在栅电极上施加所述光电二极管的控制信号，源电极连接至所述第三晶体管T3的栅电极，并且漏电极连接至所述光电二极管的阴极；以及光电二极管电容器C2，连接至所述光电二极管的阳极和阴极。
根据本发明的再又另一个示例性实施例的方面，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述二极管晶体管和所述第五晶体管T5的每个的有源层可以由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体的至少一种制成。
根据本发明的再又另一个示例性实施例的方面，所述光电二极管可以是由非晶硅光电二极管、有机光传感器和有机量子点的任一种构成。
有益效果
根据本发明的实施例，提供了一种能够使用光学的和电容的方法感测人类指纹的指纹识别传感器，使得可以提供适用于指纹识别条件的多种指纹识别环境。
附图说明
附图用于进一步理解本发明，并入且构成本说明书的一部分。附图与本说明书一起示出了本发明的示例性实施例，并且起到解释本发明的原理的作用。图中：
图1和图2是根据常规技术的使用薄膜晶体管的电容式指纹传感器的电路图；
图3是根据本发明的第一示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图；
图4是根据本发明的第二示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图；
图5是图示了根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的用于驱动电容式方法的时序图的视图；
图6和图7是用于说明本发明的指纹识别传感器的电容式方法的视图；
图8是图示了根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的用于驱动光学的方法的时序图的视图；
图9和图10是用于解释根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的指纹识别传感器的光学操作方法的视图；
图11是根据本发明的第三示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图；
图12是根据本发明的第四示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图；
图13是图示了根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的用于驱动电容式方法的时序图的视图；
图14和图15是用于说明根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的指纹识别传感器的电容式方法的视图；
图16是图示了根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的用于驱动光学的方法的时序图的视图；
图17和图18是用于解释根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的指纹识别传感器的光学操作方法的视图；
图19是图示了根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的指纹识别传感器设置成阵列的触控面板的视图；并且
图20是图示根据第二示例性实施例和第四示例性实施例的指纹识别传感器设置成阵列的触控面板的视图。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。在以下描述中，要注意，当常规元件的功能以及与本发明有关的元件的详细描述会使本发明的要旨模糊时，将会省略这些元件的详细描述。另外，应当理解，附图所示的元件的形状和大小可以被夸张地图示以便容易理解对本发明的结构的描述，而并不反映对应元件的实际大小。
图3是根据本发明的第一示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图，并且图4是根据本发明的第二示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图。
根据本发明的第一示例性实施例和第二示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器中的每一个被配置成包括电容式指纹感测单元和光学指纹感测单元。
电容式指纹感测单元被配置成包括第二晶体管T2，其中流动的电流根据检测人类指纹的指纹感测电极的输出电压而变化，并且由于存在或不存在指纹造成的光和影所产生的光电二极管的反向电流的差异，光学指纹感测单元改变第二晶体管T2中的电流。
更具体地讲，电容式指纹感测单元包括：第一晶体管T1、二极管晶体管130和第二晶体管T2，并且光学指纹感测单元包括第五晶体管T5和光电二极管180。指纹感测电极110检测人类指纹。
第一晶体管T1被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，并且源电极连接至数据线。
二极管晶体管130被配置成使得栅电极和漏电极连接至指纹感测电极110，并且输入信号施加在源电极上。此时，二极管晶体管130包括二极管131和耦合电容器C1，并且耦合电容C1连接至二极管131的阳极和阴极。
第二晶体管T2被配置成使得栅电极连接至指纹感测电极110以及二极管晶体管130的栅电极和漏电极。
另外，第二晶体管T2被配置成使得源电极连接至第一晶体管T1的漏电极。
此时，第二晶体管T2被配置成使得漏电极连接至像素中的电源电压。
光电二极管180被配置成使得阳极连接至偏压线(biasline)，并且阴极连接至第五晶体管T5的漏电极。
此时，在图3的第一示例性实施例中，光电二极管180被配置成使得阳极连接至偏压线，并且在图4的第二示例性实施例中，光电二极管180被配置成使得阳极连接至像素中的电源电压。
在第五晶体管T5中，在栅电极上施加用于控制光电二极管180的信号。
第五晶体管T5被配置成使得源电极连接至第二晶体管T2的栅电极，并且漏电极连接至光电二极管180的阴极，C2连接至光电二极管180的阳极和阴极。同时，第一晶体管T1、二极管晶体管130、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5的每个的有源层由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体的至少一种制成。
另外，光电二极管180由非晶硅光电二极管、有机光传感器或有机量子点构成。
图5是图示了根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的用于驱动电容式方法的时序图的视图，并且图6和图7是用于说明本发明的指纹识别传感器的电容式方法的视图。
此时，图5是当晶体管为P型时的时序图的视图。
以下将参照图5至图7描述根据本发明的第一示例性实施例和第二示例性实施例的电容式方法的驱动方法。
当在第一晶体管T1的第n栅极线上施加电压时，第一晶体管T1开启。
如图7所示，当在耦合脉冲线上施加高压和低压以一定的周期重复的时钟信号时，施加的耦合脉冲电压是高压，二极管晶体管130开启，从而允许电流流动。
因此，第二晶体管T2的栅极电压被设置成高压。
当耦合脉冲电压为低压时，二极管晶体管130关闭，使得第二晶体管T2的悬置的(floating)栅电极端子具有电容耦合现象减小的低电压。
此时，通过以下数学式2确定电容性耦合。
[数学式2]
这里，△Vg-T2表示由于电容耦合引起的第二晶体管T2的栅电极的电压变化，并且△Vpulse表示施加的耦合脉冲电压。
如图6所示，光电二极管180和指纹感测电极110均形成在保护层101的一个表面上，并且由于指纹102根据指纹的峰和谷而具有不同的高度，这引起电容差异，该电容差异允许形成电极。此时，电容被称为指纹电容。
如图7(b)所示，根据指纹102的峰和谷，第二晶体管T2的栅极产生电压差，并且从数据线流到第二晶体管T2的电流的变化量达到该电压差，使得可以检测到指纹。
此时，当通过电容式方法执行指纹识别时，尽管施加了像素中的偏压或电源电压，但是这对使用电容式方法的指纹识别没有影响，因为关闭了第五晶体管T5。
图8是图示了根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的用于驱动光学方法的时序图的视图，并且图9和图10是用于说明根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的指纹识别传感器的光学操作方法的视图。
此时，图8是当晶体管为P型时的时序图的视图。以下将参照图8至图10描述根据本发明的第一示例性实施例和第二示例性实施例的光学驱动方法。
当在第一帧(firstframe)施加具有一定周期的耦合电压脉冲，并且耦合电压脉冲采用正电压时，电流流动，因为二极管晶体管130开启，因此，第二晶体管T2的栅极电压被设置成正恒电压。此后，在第一晶体管T1的第n栅极线上施加电压，使得第一晶体管T1开启。
此后，第五晶体管T5开启，使得设置在第二晶体管T2的栅电极上的正恒电压施加在光电二极管180的阴极上。
此后，在图3的示例性实施例中，由于偏压，在光电二极管180的阳极上施加负恒电压，并且在图4的第二示例性实施例中，由于像素中的电源电压，在光电二极管180的阳极上施加负恒电压。因此，如图10(c)所示，光电二极管180的两端产生电压变化，从而允许反向电流流入光电二极管180。由于在这种条件下的指纹，根据光电二极管上存在和不存在光产生光电二极管的反向电流的差异，并且第二晶体管T2的栅极电压根据该差异而变化，使得可以根据存在和不存在光检测指纹。此时，光在一帧期间照射到传感器，并且在该一帧期间照射的光存储在光电二极管电容器C2中，然后被转换成电荷量。也就是说，根据存储的由于光而导致的电荷量的差异，在光电二极管中流动的反向电流发生变化，使得第二晶体管T2的栅极电压可以根据存在或不存在光而发生变化。
也就是说，如图10(b)所示，根据如前述条件的存在或不存在光，第二晶体管的栅电极产生电压差，并且由于第二晶体管T2的栅极电压差，产生了流入第二晶体管T2中的电流差，并且因为在第一晶体管T1的第n栅极线上施加电压，变化的电流允许数据线读出数据，并且因此第一晶体管T1开启。
图11是根据本发明的第三示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图，并且图12是根据本发明的第四示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的电路图。
根据本发明的第三示例性实施例和第四示例性实施例的能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器的每个被配置成包括电容式指纹感测单元和光学指纹感测单元。
电容式指纹感测单元包括第二晶体管T2和第三晶体管T3，第二晶体管T2和第三晶体管T3均被配置成使得流动的电流根据检测人类指纹的指纹感测电极的输出电压而变化，并且由于存在或不存在指纹造成的光和影所产生的光电二极管的反向电流的差异，光学指纹感测单元改变第三晶体管T3中流动的电流。
更具体地讲，电容式指纹感测单元包括：指纹感测电极110；第一晶体管T1；二极管晶体管130；第二晶体管T2；第三晶体管T3；第四晶体管T4；和存储电容145。光学指纹检测单元包括：第五晶体管T5；光电二极管180；以及与光电二极管180的阳极和阴极连接上的光电二极管电容器C2。
指纹感测电极110检测人类指纹。
第一晶体管T1被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，并且源电极连接至数据线。
二极管晶体管130被配置成使得栅电极和漏电极连接至指纹感测电极110，并且输入信号施加在源电极上。也就是说，二极管晶体管130包括二极管131和耦合电容器C1，并且耦合电容器C1连接至二极管131的阳极和阴极。
第二晶体管T2被配置成使得栅电极连接至指纹感测电极110以及二极管晶体管130的栅电极和漏电极。
另外，第二晶体管T2被配置成使得漏电极连接至像素中的电源电压。
第三晶体管T3被配置成使得栅电极连接至第二晶体管T2的源电极，源电极连接至第一晶体管T1的漏电极，并且漏电极连接至像素中的电源电压。
第四晶体管T4被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，在源电极上施加输入信号，并且第二晶体管T2的源电极和第三晶体管T3的栅电极连接至漏电极。
此时，在图11的第三示例性实施例中，光电二极管180的阳极连接至偏压线，并且在图12的第四示例性实施例中，光电二极管180的阳极连接至像素的中的电源电压。
第五晶体管T5被配置成使得在栅电极上施加光电二极管180的控制信号，源电极连接至第三晶体管T3的栅电极，并且漏电极连接至光电二极管180的阴极。
同时，第一晶体管T1、二极管晶体管130、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5的每个的有源层由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体的至少一种制成。
另外，光电二极管180由非晶硅光电二极管、有机光传感器或有机量子点组成。
图13是图示了根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的用于驱动电容式方法的时序图的视图，并且图14和图15是用于说明根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的指纹识别传感器的电容式方法的视图。
此时，图13是当晶体管为P型时的时序图的视图。
以下将参照图13至图15描述根据本发明的第三示例性和第四示例性实施例的光学驱动方法。
当在第四晶体管T4的第n栅极线上施加电压时，第一晶体管T4开启。如图15(a)所示，在耦合脉冲线上施加高压和低压以一定的周期重复的时钟信号的情况下，当施加的耦合脉冲电压是高压时，二极管晶体管130开启，从而允许电流流动。
因此，第二晶体管T2的栅级电压被设置成高压。
当耦合脉冲电压为低压时，二极管晶体管130关闭，使得第二晶体管T2的悬置的栅极端子具有电容耦合现象减小的低电压。
此时，通过如上所述的数学式2确定电容性耦合。
如图14所示，光电二极管180和指纹感测电极110均形成在保护层101的一个表面上，并且由于指纹102根据指纹的峰和谷而具有不同的高度，这引起电容差异，该电容差异允许形成电极。此时，电容被称为指纹电容。
如图15(b)所示，根据指纹102的峰和谷，第二晶体管T2的栅电极产生电压差异。
当第二晶体管T2产生栅极电压差异时，流动的电流发生变化，并且因此产生了第三晶体管T3的栅极电压差，因此，流入第三晶体管T3中的电流发生变化，从而能够检测到指纹。
此时，当通过电容式方法执行指纹识别时，尽管施加了像素中的偏压或电源电压，但是这对使用电容式方法的指纹识别没有影响，因为关闭了第五晶体管T5。当在第n+1栅极线上施加电压以实现开启状态时，第四晶体管T4开启。当耦合脉冲电压是通过第四晶体管T4的高压时，可以复位第三晶体管T3的栅极电压。
图16是图示了根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的用于驱动光学方法的时序图的视图，并且图17和图18是用于说明根据第三示例性实施例和第四示例性实施例的指纹识别传感器的光学操作方法的视图。
此时，图16是当晶体管为P型时的时序图的视图。
以下将参照图16至图18描述根据本发明的第一示例性实施例和第二示例性实施例的光学驱动方法。
光在一帧期间照射到传感器上，并且在光在一帧期间照射到传感器上之后，在第n栅极线上施加电压以实现开启状态。在该一帧期间照射的光存储在光电二极管电容中，然后被转换成电荷量。也就是说，流到光电二极管的反向电流根据由于光而产生的存储的电荷量的差异而变化，并且因此，第三晶体管T3的栅极电压根据光而发生变化使得可以检测到指纹。
如图18(a)所示，当在耦合脉冲线上施加一定量的正恒电压时，第三晶体管T3的栅极电压通过第四晶体管T4被复位至正电压，同时，二极管晶体管130开启，因此，如图18(b)所示，第二晶体管T2的栅电极的电压被设置成正恒电压。
由于第二晶体管T2的栅电极的电压被设置成正恒电压，所以第二晶体管T2关闭。
由于在第一晶体管T1的第n栅极线上施加电压，第一晶体管T1开启，此后，由于第五晶体管T5开启，在光电二极管180的阴极上施加在第三晶体管T3的栅电极上设置的正恒电压。
此后，在图11的第三示例性实施例中，由于偏压，在光电二极管180的阳极上施加负恒电压，并且在图12的第四示例性实施例中，由于像素中的电源电压，在光电二极管180的阳极上施加负恒电压。此外，如图18(d)所示，光电二极管180的两端的电压产生了变化，并且反向电流在光电二极管180中流动。
也就是说，由于根据存在或不存在指纹引起的光的第三晶体管T3的栅极电压差，产生了第三晶体管T3的电流差。由于在第n栅极线上施加电压以实现开启状态，变化的电流允许数据线读出数据。
由于在这种条件下的指纹，在光电二极管180中，根据存在或不存在光在第三晶体管T3的栅极上产生了电压差，如图10(c)所示，并且通过穿过数据线而流到第三晶体管T3的电流的变化量达到该电压差，从而允许检测到存在或不存在指纹。
图19是图示根据第一示例性实施例和第三示例性实施例的指纹识别传感器设置成阵列的指纹识别传感器板的视图，并且图20是图示根据第二示例性实施例和第四示例性实施例的指纹识别传感器设置成阵列的指纹识别传感器板的视图。
如图19所示，根据本发明的第一和第三示例性实施例能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器230以阵列形式设置在触控面板上，并且连接至数据线210、栅极线220、像素中的电源电压240、耦合脉冲线250、EMI线260和偏压线270。
另外，如图20所示，根据本发明的第二和第四示例性实施例能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器230以阵列形式设置在触控面板上，并且连接至数据线210、栅极线220、像素中的电源电压240、耦合脉冲线250和EMI线260。
附图和说明书中公开了示例性实施例。本文中使用的具体术语仅仅用于描述特定实施例的目的，并且并非旨在限制示例的实施例。因此，在本发明的详细描述中，由于已经描述了本发明的详细示例性实施例，所以应当理解的是，本领域的技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况进行多种修改和变化。因此，应当理解，上述是为了说明本发明并且不应当被理解为限制所公开的特定实施例，并且对公开的实施例以及其它实施例的修改旨在包括在所附权利要求书及其等同形式的范围内。

Claims (11)

1.一种指纹识别传感器，所述传感器能够使用光学的和电容的方法感测指纹，所述传感器包括：
电容式指纹感测单元，其包括晶体管T2，在所述晶体管T2中的流动电流根据能够感测人类指纹的指纹感测电极的输出电压而变化；以及
光学指纹感测单元，由于存在或不存在指纹造成的光和影所产生的光电二极管的反向电流的差异，所述光学指纹感测单元改变所述晶体管T2中的流动电流。
2.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其中，所述电容式指纹感测单元包括：
指纹感测电极，所述指纹感测电极检测所述人类手指；
第一晶体管T1，被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，并且源电极连接至数据线；以及
二极管晶体管，被配置成使得栅电极和漏电极连接至所述指纹感测电极，并且在源电极上施加输出信号。
3.根据权利要求2所述的指纹识别传感器，其中，所述晶体管T2被配置成使得栅电极连接至所述指纹感测电极，以及所述二极管晶体管的栅电极和漏电极，源电极连接至所述第一晶体管T1的漏电极，并且漏电极连接至像素中的电源电压或偏压线，并且
其中，所述二极管晶体管被配置成包括二极管和耦合电容器C1，所述耦合电容器C1连接至所述二极管的阳极和阴极。
4.根据权利要求3所述的指纹识别传感器，其中，所述光学指纹感测单元包括：
光电二极管，被配置成使得阳极连接至像素中的电源电压或偏压线；
第五晶体管T5，被配置成使得在栅电极上施加所述光电二极管的控制信号，源电极连接至所述晶体管的栅电极，并且漏电极连接至所述光电二极管的阴极；以及
光电二极管电容器C2，连接至所述光电二极管的阳极和阴极。
5.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其中所述电容式指纹感测单元包括：
指纹感测电极，所述指纹感测电极检测所述人类指纹；
第一晶体管T1，被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，并且源电极连接至数据线；以及
二极管晶体管，被配置成使得栅电极和漏电极连接至所述指纹感测电极，并且在源电极上施加输入信号。
6.根据权利要求5所述的指纹识别传感器，其中所述晶体管T2被配置成使得栅电极连接至所述指纹感测电极，以及所述二极管晶体管的栅电极和漏电极，并且漏电极连接至像素中的电源电压，
其中，所述二极管晶体管被配置成包括二极管和耦合电容器C1，所述耦合电容器C1连接至所述二极管的阳极和阴极，并且
其中，所述电容式指纹感测单元进一步包括：第三晶体管T3，被配置成使得栅电极连接至所述第二晶体管T2的源电极，源电极连接至所述第一晶体管T1的漏电极，并且漏电极连接至所述像素中的电源电压；以及第四晶体管T4，被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压，在源电极上施加输入信号，并且漏电极连接至第二晶体管T2的源电极和第三晶体管T3的栅电极。
7.根据权利要求6所述的指纹识别传感器，其中，所述光学指纹感测单元包括：
光电二极管，被配置成使得阳极连接至像素中的电源电压或偏压线；
第五晶体管T5，被配置成使得在栅电极上施加所述光电二极管的控制信号，源电极连接至所述第三晶体管T3的栅电极，并且漏电极连接至所述光电二极管的阴极；以及
光电二极管电容器C2，连接至所述光电二极管的阳极和阴极。
8.根据权利要求4所述的指纹识别传感器，其中，所述第一晶体管T1、所述晶体管T2、所述二极管晶体管和所述第五晶体管T5的每个的有源层由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种制成。
9.根据权利要求7所述的指纹识别传感器，其中，所述第一晶体管T1、所述晶体管T2、所述二极管晶体管和所述第五晶体管T5的每个的有源层由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种制成。
10.根据权利要求4所述的指纹识别传感器，其中，所述光电二极管由非晶硅光电二极管、有机光传感器和有机量子点的任一种构成。
11.根据权利要求7所述的指纹识别传感器，其中所述光电二极管由非晶硅光电二极管、有机光传感器和有机量子点的任一种构成。
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