CN105553247A - 开关电源的输出过压打嗝保护装置 - Google Patents

开关电源的输出过压打嗝保护装置 Download PDF

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CN105553247A CN201511022894.5A CN201511022894A CN105553247A CN 105553247 A CN105553247 A CN 105553247A CN 201511022894 A CN201511022894 A CN 201511022894A CN 105553247 A CN105553247 A CN 105553247A
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Abstract

本申请提出开关电源的输出过压打嗝保护装置。该装置包括：可控硅、隔离反馈模块和电压采样模块，其中，可控硅的A极与开关电源的主控芯片的基准电压管脚连接，可控硅的K极与开关电源的主控芯片的反馈管脚连接；可控硅的门G极与隔离反馈模块连接，且可控硅的门极与主控芯片的供电管脚上的电压VCC的分压点连接；隔离反馈模块的一端与可控硅的门极连接，另一端与电压采样模块连接，电压采样模块的输入电压为开关电源的输出电压Vout，电压采样模块向隔离反馈模块提供隔离反馈模块导通所需的电流。本申请实现了开关电源的输出过压打嗝保护。

Description

开关电源的输出过压打嗝保护装置
技术领域
本申请涉及电源控制领域，尤其涉及开关电源的输出过压打嗝保护装置。
背景技术
电源行业是一个涉及广泛的行业，在如今的电子设备中大多数都需要电源来转换电压。随着科技的发展，开关电源已经占据电源行业绝大多数的应用场合。UC2842及其同系列的芯片是中小功率开关电源最常用的芯片之一，此芯片既可应用于反激式开关电源的设计，也可以用于正激式开关电源的设计。应用此芯片时，对于输出过压保护的设计大多数为恒压式或锁死式，而在一些特殊应用场景下，需要电源在输出过压保护时输出为打嗝式自恢复。
发明内容
本申请实施例提供开关电源的输出过压打嗝保护装置。
本申请的技术方案是这样实现的：
一种开关电源的输出过压打嗝保护装置，该装置包括：可控硅、隔离反馈模块和电压采样模块，其中，
可控硅的阳A极与开关电源的主控芯片的基准电压管脚连接，可控硅的阴K极与开关电源的主控芯片的反馈管脚连接；可控硅的门G极与隔离反馈模块连接，且可控硅的门极与主控芯片的供电管脚上的电压VCC的分压点连接；
隔离反馈模块的一端与可控硅的门极连接，另一端与电压采样模块连接，电压采样模块的输入电压为开关电源的输出电压Vout，电压采样模块向隔离反馈模块提供隔离反馈模块导通所需的电流；
当开关电源的输出电压Vout超过预设过压保护点的阈值时，电压采样模块向隔离反馈模块输出的电流触发隔离反馈模块导通；隔离反馈模块导通后，VCC的分压点的电压达到可控硅的门极驱动电压，可控硅导通；可控硅导通后，主控芯片的基准电压管脚的参考基准电压通过可控硅到达主控芯片的反馈管脚，从而反馈管脚的电压超过阈值电压，则主控芯片关断输出管脚。
主控芯片的输入电压Vin与主控芯片的供电管脚之间连接有第一电阻，主控芯片的供电管脚与接地管脚之间连接有第一电容，主控芯片的供电管脚还通过第十二电阻、整流二极管与T1连接，T1为变压器的辅助绕组或者为输出储能电感的辅助绕组；
开关电源初始上电时，Vin通过第一电阻对第一电容充电，当第一电容上的电压达到主控芯片的启动电压时，主控芯片启动，输出电压Vout开始建立，当输出电压Vout建立起来后，T1的辅助绕组经过整流二极管的整流开始为主控芯片供电；
且，主控芯片关断输出管脚后，Vout降低至0V，电压采样模块复位，隔离反馈模块关断，可控硅的门极驱动消失；同时，T1的辅助绕组停止供电；由于第一电容的储能作用与主控芯片的供电回差，主控芯片的基准电压管脚继续通过可控硅对反馈管脚供电；
当主控芯片的供电管脚上的电压降到主控芯片的关断电压时，主控芯片关断，基准电压管脚不再提供可控硅导通的电流，可控硅关断。
主控芯片的基准电压管脚上的电压VCC通过由第三电阻、隔离反馈模块、第四电阻构成的分压电路进行分压，VCC的分压点在隔离反馈模块与第四电阻之间，且，
根据如下条件：当基准电压管脚正常供电时，VCC的分压点的电压要大于可控硅的门极驱动电压来设置第三电阻、第四电阻的阻值。
所述隔离反馈模块为光耦器件，
且，可控硅的门极与光耦器件的发射e极连接；
且，光耦器件内部的光敏NPN三极管的e极与第四电阻连接，光耦器件内部的光敏NPN三极管的集电c极与第三电阻连接；
光耦器件内部的发光二极管的正极与电压采样模块连接；
所述隔离反馈模块导通后，VCC的分压点的电压达到可控硅的门极驱动电压，可控硅导通具体为：
光耦器件内部的发光二级管导通，进而光耦器件内部的光敏NPN三极管导通，VCC经过第三电阻、光耦器件和第四电阻进行分压，当VCC的分压点的电压超过可控硅的门极驱动电压时，可控硅导通。
所述光耦器件内部的发光二极管的正极与电压采样模块连接具体为：
光耦器件内部的发光二极管的正极通过第六电阻连接到Vout，光耦器件内部的发光二极管的负极通过可控精密稳压源U1接到Vout的接地端；Vout通过第九电阻与第十电阻构成的分压电路进行分压，可控精密稳压源U1的取样R端连接在第九电阻与第十电阻之间；
其中，根据如下条件：当Vout超过过压保护点的阈值时，U1的R端电压超过U1的R端的基准电压来设置第九电阻和第十电阻的阻值；
根据如下条件：当Vout超过过压保护点的阈值时，Vout通过第六电阻向光耦器件提供光耦器件导通所需的电流来设置第六电阻的阻值；
所述电压采样模块向隔离反馈模块输出的电流触发隔离反馈模块导通具体为：
当Vout超过预设过压保护点的阈值时，U1的R端电压超过R端基准电压，U1导通；U1导通后，Vout经过第六电阻向光耦器件供电，光耦器件内部的发光二极管导通，进而光耦器件内部的光敏NPN三极管导通。
Vout经过第十三电阻、稳压二极管与光耦器件内部的发光二极管的正极连接，光耦器件内部的发光二极管的负极接到Vout的接地端；
所述电压采样模块向隔离反馈模块输出的电流触发隔离反馈模块导通具体为：
当Vout达到预设输出过压保护点的阈值时，稳压二极管的稳压管被击穿，则Vout经过第十三电阻、稳压二极管向光耦器件供电，光耦器件内部的发光二极管导通，进而光耦器件内部的光敏NPN三极管导通。
所述第四电阻的两端并联有第二电容。
所述光耦器件内部的发光二极管的正极和负极之间连接有第七电阻。
所述可控硅的K极和接地端之间连接有第五电阻，第五电阻的阻值满足：当可控硅导通后，在主控芯片的基准电压管脚正常时，通过主控芯片的反馈管脚的电流和通过第五电阻的电流之和始终大于可控硅的维持电流。
所述主控芯片的型号为UC2842、UC2843、UC2844、UC2845、UC3842、UC3843、UC3844或者UC3845。
可见，本申请实施例中，通过在开关电源的主控芯片的基准电压管脚与反馈管脚之间连接可控硅，且可控硅通过隔离反馈模块连接输入电压为开关电源的输出电压Vout的电压采样模块，使得在Vout超过预设过压保护点的阈值时，电压采样模块触发隔离反馈模块导通后，继而触发可控硅导通，从而主控芯片的基准电压管脚的参考基准电压通过可控硅到达主控芯片的反馈管脚，从而使得主控芯片关断输出管脚，实现了开关电源的输出过压打嗝保护。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的开关电源的输出过压打嗝保护装置的示意图；
图2为本申请实施例提供的包含输出过压打嗝保护装置的开关电源的结构示例图；
图3为基于图1进行开关电源的输出过压打嗝保护的流程的示意图；
图4为本申请另一实施例提供的开关电源的输出过压打嗝保护装置的示意图；
图5为基于图4进行开关电源的输出过压打嗝保护流程的示意图；
图6为本申请另一实施例提供的电压采样模块的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
图1为本申请一实施例提供的开关电源的输出过压打嗝保护装置的示意图，该装置主要包括：
1)可控硅11；
2)隔离反馈模块12；
隔离反馈模块12可为光耦器件，光耦器件由发光二极管和光敏NPN三极管组成。
3)电压采样模块13。
其中，
1)可控硅11连接在开关电源的主控芯片的基准电压(Vref)管脚和反馈(FB)管脚之间，具体地，可控硅11的A(阳)极与开关电源的主控芯片的基准电压管脚连接，可控硅11的K(阴)极与开关电源的主控芯片的反馈管脚连接。
2)可控硅11的门(G)极与隔离反馈模块12连接，且可控硅11的门极与主控芯片的供电(VCC)管脚上的电压VCC的分压点连接，其中，根据如下条件：当VCC管脚正常供电时，VCC的分压点的电压要大于可控硅11的门极驱动电压来设计VCC的分压电路。
其中，VCC通过由电阻R3、隔离反馈模块12、电阻R4构成的分压电路进行分压，VCC的分压点在隔离反馈模块12与电阻R4之间。
3)隔离反馈模块12的一端与可控硅11的门极连接，另一端与电压采样模块13连接，电压采样模块13向隔离反馈模块12提供隔离反馈模块12导通所需的电流。
图2为本申请实施例提供的包含输出过压打嗝保护装置的开关电源的结构示例图，其中，主控芯片的输入电压为输入整流滤波模块的输出电压Vin，电压采样模块13的输入电压为开关电源的输出电压Vout。
另外，如图1所示，Vin与主控芯片的VCC管脚之间连接有电阻R1、R2，主控芯片的VCC管脚与接地(GND)管脚之间连接有电容C1，主控芯片的VCC管脚还通过电阻R12、整流二极管D1与T1连接，T1为变压器的辅助绕组(反激式拓扑)或者为输出储能电感的辅助绕组(正激式拓扑)。
另外，可控硅11的K极与Vin的接地端GND-Vin之间还连接了电阻R5，增加电阻R5的原因是：由于通过FB管脚的电流较小，而在Vref管脚正常时，若要维持可控硅11导通，必须使得通过可控硅11的电流始终大于可控硅11的维持电流，因此增加了电阻R5，以使得通过FB管脚的电流加上通过R5的电流能够大于可控硅11的维持电流。因此，电阻R5的阻值需要满足：在可控硅导通后，在Vref管脚正常时，通过FB管脚的电流加上通过R5的电流能够始终大于可控硅11的维持电流。
基于图1进行开关电源的输出过压打嗝保护的流程如图3所示，其主要过程如下：
步骤301：开关电源初始上电时，输入电压Vin通过电阻R1与R2对电容C1充电，当电容C1上的电压(即主控芯片的VCC管脚上的电压VCC)达到主控芯片的启动电压(如：16V)时，主控芯片启动，输出电压Vout开始建立，当输出电压Vout建立起来后，T1的辅助绕组经过D1的整流开始为主控芯片供电。
步骤302：Vout通过电压采样模块13构成的分压电路进行分压，当Vout超过预设过压保护点的阈值时，电压采样模块13向隔离反馈模块12输出的电流触发隔离反馈模块12导通。
步骤303：隔离反馈模块12导通后，VCC的分压点的电压达到可控硅11的门极驱动电压，可控硅11导通。
步骤304：可控硅11导通后，主控芯片11的Vref管脚的参考基准电压通过可控硅11到达主控芯片的FB管脚，从而FB管脚的电压超过阈值电压，则主控芯片关断输出(OUT)管脚。
Vref管脚的参考基准电压为固定值，FB管脚的阈值电压小于Vref管脚的参考基准电压。FB管脚的特点是：当主控芯片的其它管脚都正常时，若FB管脚的电压小于阈值电压，则主控芯片的OUT管脚正常工作；无论主控芯片的其它管脚是否正常，若FB管脚的电压超过阈值电压，则主控芯片关断OUT管脚。
步骤305：主控芯片关断OUT管脚后，开关电源的输出电压Vout降低到0V，电压采样模块13复位，隔离反馈模块12关断，可控硅11的门极驱动消失；同时，T1的辅助绕组停止供电；但是，由于电容C1的储能作用与主控芯片的供电回差，主控芯片的Vref管脚继续通过可控硅11对FB管脚供电。
主控芯片的供电回差指的是，主控芯片的启动电压大于主控芯片的关断电压。例如：主控芯片的启动电压为16V，关断电压为10V，即当主控芯片的VCC管脚上的电压达到16V时，主控芯片启动，当VCC管脚上的电压降至10V时，主控芯片关断。
步骤306：当主控芯片的VCC管脚上的电压降到主控芯片的关断电压时，主控芯片关断，则Vref管脚不再提供可控硅11导通的电流，可控硅11关断。
之后Vin继续通过电阻R1、R2对电容C1充电，返回步骤301，即，若输出电压Vout建立后若还存在输出过压，则通过上述过程再次关断主控芯片的OUT管脚，主控芯片的OUT管脚关断后，Vout降为0V，待主控芯片关断且可控硅关断后，主控芯片又尝试重新启动，形成开关电源的输出过压。若输出过压消失，则开关电源正常启动，即可自恢复。
输出打嗝的周期＝C1上正常工作时的电压降低到主控芯片的关断电压(如：10V)所用的时间+R1与R2对C1从主控芯片的关断电压(如：10V)充电至主控芯片的启动电压(如：16V)所花费的时间，通过调节R1、R2的阻值或者C1的容值可改变打嗝的周期。
图4为本申请另一实施例提供的开关电源的输出过压打嗝保护装置的示意图，该装置主要包括：
1)可控硅21；
2)光耦器件22；
3)电压采样模块23。
其中，
1)可控硅21连接在开关电源的主控芯片的基准电压(Vref)管脚和反馈(FB)管脚之间，具体地，可控硅21的A极与开关电源的主控芯片的Vref管脚连接，可控硅21的K极与开关电源的主控芯片的FB管脚连接；
2)可控硅21的G极(门极)与光耦器件22的e极(发射极)连接，且可控硅21的G极与主控芯片的VCC管脚上的电压VCC的分压点连接；
其中，主控芯片的VCC管脚上的电压VCC通过电阻R3、光耦器件22和R4构成的分压电路进行分压，其中，光耦器件22连接在R3、R4之间，具体地，光耦器件22内部的光敏NPN三极管的e极与电阻R4连接，光耦器22内部的光敏NPN三极管的c极(集电极)与电阻R3连接。另外，电阻R4两端还可以并联电容C2，以有效降低干扰信号引起可控硅21误动作的几率。
3)光耦器件22内部的发光二极管的正极通过电阻R6连接到Vout，光耦器件22内部的发光二极管的负极通过可控精密稳压源U1接到Vout的接地端；Vout通过R9与R10、R11构成的分压电路进行分压，可控精密稳压源U1的R(取样)端连接Vout的分压点，即连接在R9与R10、R11之间；另外，光耦器件22内部的发光二极管的两端还可以并联电阻R7，电阻R7和电阻R10之间还可以串联电容C4和电阻R8。
另外，Vin与主控芯片的VCC管脚之间连接有电阻R1、R2，主控芯片的VCC管脚与GND管脚之间连接有电容C1，主控芯片的VCC管脚还通过电阻R12、整流二极管D1与T1连接，T1为变压器的辅助绕组(反激式拓扑)或者为输出储能电感的辅助绕组(正激式拓扑)；可控硅21的K极与Vin的接地端GND-Vin之间还连接了电阻R5，R5同时与电容C3并联，以保证可控硅21导通后，在Vref管脚正常时，通过可控硅21的电流始终大于可控硅21的维持电流。
其中，预先根据需要设置输出电压Vout的过压保护点的阈值，根据如下条件：当Vout超过过压保护点的阈值时，U1的R端电压(即Vout的分压点的电压)超过U1的R端的基准电压来设置R9和R10、R11的阻值；
根据如下条件：当Vout超过过压保护点的阈值时，Vout通过电阻R6向光耦器件22提供光耦器件22导通所需的电流来设置R6的阻值。
如图4所示，Vout的过压保护点的阈值为5.62V，U1的R端
基准电压为2.5V，则设置R9＝2.49kΩ，R10＝2.49KΩ，R11＝10kΩ。
根据如下条件：Vout的分压点的电压大于可控硅21的门极驱动电压来设置R3、R4的阻值。
需要说明的是，图4中给出的各组件的型号和取值只是本申请的一个具体举例，并不用以限制本申请。
基于图4进行开关电源的输出过压打嗝保护流程如图5所示，其主要过程如下：
步骤501：开关电源初始上电时，输入电压Vin通过电阻R1与R2对电容C1充电，当电容C1上的电压(即主控芯片的VCC管脚上的电压Vcc)达到主控芯片的启动电压(如：16V)时，主控芯片启动，输出电压Vout开始建立，当输出电压Vout建立起来后，T1的辅助绕组经过D1的整流开始为主控芯片供电。
步骤502：Vout通过电压采样模块23构成的分压电路进行分压，当Vout超过预设过压保护点的阈值(如：5.62V)时，U1的R端电压超过R端基准电压(如：2.5V)，U1导通。
步骤503：U1导通后，Vout经过电阻R6向光耦器件22供电，光耦器件22内部的发光二极管导通，进而光耦器件22内部的光敏NPN三极管导通。
步骤504：光耦器件22内部的光敏NPN三极管导通后，VCC经过R3、光耦器件22和R4进行分压，当VCC的分压点的电压超过可控硅22的门极驱动电压时，可控硅22导通。
步骤505：可控硅22导通后，主控芯片的Vref管脚的参考基准电压(如：5V)通过可控硅22加到FB管脚上，则FB管脚的电压大于其阈值电压(如：2.5V)，则主控芯片关断OUT管脚。
步骤506：主控芯片关断OUT管脚后，开关电源的输出电压Vout降低到0V，电压采样模块23复位，光耦器件22关断，可控硅21的门极驱动消失；同时，T1的辅助绕组停止供电；但是，由于电容C1的储能作用与主控芯片的供电回差(如：16V开启，10V关断)，主控芯片的Vref管脚继续通过可控硅21对FB管脚供电。
步骤507：当主控芯片的VCC管脚上的电压降到主控芯片的关断电压(如：10V)时，主控芯片关断，则Vref管脚不再提供可控硅21导通的电流，可控硅21关断。
之后Vin继续通过电阻R1、R2对电容C1充电，返回步骤501，即，若输出电压Vout建立后若还存在输出过压，则通过上述过程再次关断主控芯片的OUT管脚，主控芯片的OUT管脚关断后，Vout降为0V，待主控芯片关断且可控硅关断后，主控芯片又尝试重新启动，形成开关电源的输出过压打嗝保护。若输出过压消失，则开关电源正常启动，即可自恢复。
输出打嗝的周期＝C1上正常工作时的电压降低到主控芯片的关断电压(如：10V)所用的时间+R1与R2对C1从主控芯片的关断电压(如：10V)充电至主控芯片的启动电压(如：16V)所花费的时间，通过调节R1、R2的阻值或者C1的容值可改变打嗝的周期。
在实际应用中，电压采样模块23的结构还可简化为如图6所示，其中：Vout经过电阻R13、稳压二极管Z1与光耦器件22内部的发光二极管的正极连接，光耦器件22内部的发光二极管的负极接到Vout的接地端。工作过程如下：
当Vout达到预设输出过压保护点的阈值时，稳压二极管Z1的稳压管被击穿，则Vout经过电阻R13、Z1到达光耦器件22，使得光耦器件22导通。
需要说明的是，图6中给出的各组件的型号和取值只是本申请的一个具体举例，并不用以限制本申请。
本申请实施例中，主控芯片可以采用UC2842、UC2843、UC2844、UC2845、UC3842、UC3843、UC3844、UC3845等芯片。
需要说明的是，只要主控芯片具备与本申请实施例中的基准电压管脚、反馈管脚、供电管脚、输出管脚的功能相同的管脚，都适用本申请实施例。
本申请实施例的有益技术效果如下：
1)利用开关电源的主控芯片的的供电管脚、反馈管脚与基准电压管脚构成输出过压保护电路，同时不影响这些管脚的其它功能；
2)输出过压保护电路简洁，所用的物料为常用物料，成本较低；
3)输出过压保护电路不影响开关电源的其它性能，安全可靠，在各种应用环境下出现误动作的概率非常低。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种开关电源的输出过压打嗝保护装置，其特征在于，该装置包括：可控硅、隔离反馈模块和电压采样模块，其中，
可控硅的阳A极与开关电源的主控芯片的基准电压管脚连接，可控硅的阴K极与开关电源的主控芯片的反馈管脚连接；可控硅的门G极与隔离反馈模块连接，且可控硅的门极与主控芯片的供电管脚上的电压VCC的分压点连接；
隔离反馈模块的一端与可控硅的门极连接，另一端与电压采样模块连接，电压采样模块的输入电压为开关电源的输出电压Vout，电压采样模块向隔离反馈模块提供隔离反馈模块导通所需的电流；
当开关电源的输出电压Vout超过预设过压保护点的阈值时，电压采样模块向隔离反馈模块输出的电流触发隔离反馈模块导通；隔离反馈模块导通后，VCC的分压点的电压达到可控硅的门极驱动电压，可控硅导通；可控硅导通后，主控芯片的基准电压管脚的参考基准电压通过可控硅到达主控芯片的反馈管脚，从而反馈管脚的电压超过阈值电压，则主控芯片关断输出管脚。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，主控芯片的输入电压Vin与主控芯片的供电管脚之间连接有第一电阻，主控芯片的供电管脚与接地管脚之间连接有第一电容，主控芯片的供电管脚还通过第十二电阻、整流二极管与T1连接，T1为变压器的辅助绕组或者为输出储能电感的辅助绕组；
开关电源初始上电时，Vin通过第一电阻对第一电容充电，当第一电容上的电压达到主控芯片的启动电压时，主控芯片启动，输出电压Vout开始建立，当输出电压Vout建立起来后，T1的辅助绕组经过整流二极管的整流开始为主控芯片供电；
且，主控芯片关断输出管脚后，Vout降低至0V，电压采样模块复位，隔离反馈模块关断，可控硅的门极驱动消失；同时，T1的辅助绕组停止供电；由于第一电容的储能作用与主控芯片的供电回差，主控芯片的基准电压管脚继续通过可控硅对反馈管脚供电；
当主控芯片的供电管脚上的电压降到主控芯片的关断电压时，主控芯片关断，基准电压管脚不再提供可控硅导通的电流，可控硅关断。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
主控芯片的基准电压管脚上的电压VCC通过由第三电阻、隔离反馈模块、第四电阻构成的分压电路进行分压，VCC的分压点在隔离反馈模块与第四电阻之间，且，
根据如下条件：当基准电压管脚正常供电时，VCC的分压点的电压要大于可控硅的门极驱动电压来设置第三电阻、第四电阻的阻值。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述隔离反馈模块为光耦器件，
且，可控硅的门极与光耦器件的发射e极连接；
且，光耦器件内部的光敏NPN三极管的e极与第四电阻连接，光耦器件内部的光敏NPN三极管的集电c极与第三电阻连接；
光耦器件内部的发光二极管的正极与电压采样模块连接；
所述隔离反馈模块导通后，VCC的分压点的电压达到可控硅的门极驱动电压，可控硅导通具体为：
光耦器件内部的发光二级管导通，进而光耦器件内部的光敏NPN三极管导通，VCC经过第三电阻、光耦器件和第四电阻进行分压，当VCC的分压点的电压超过可控硅的门极驱动电压时，可控硅导通。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述光耦器件内部的发光二极管的正极与电压采样模块连接具体为：
光耦器件内部的发光二极管的正极通过第六电阻连接到Vout，光耦器件内部的发光二极管的负极通过可控精密稳压源U1接到Vout的接地端；Vout通过第九电阻与第十电阻构成的分压电路进行分压，可控精密稳压源U1的取样R端连接在第九电阻与第十电阻之间；
其中，根据如下条件：当Vout超过过压保护点的阈值时，U1的R端电压超过U1的R端的基准电压来设置第九电阻和第十电阻的阻值；
根据如下条件：当Vout超过过压保护点的阈值时，Vout通过第六电阻向光耦器件提供光耦器件导通所需的电流来设置第六电阻的阻值；
所述电压采样模块向隔离反馈模块输出的电流触发隔离反馈模块导通具体为：
当Vout超过预设过压保护点的阈值时，U1的R端电压超过R端基准电压，U1导通；U1导通后，Vout经过第六电阻向光耦器件供电，光耦器件内部的发光二极管导通，进而光耦器件内部的光敏NPN三极管导通。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，Vout经过第十三电阻、稳压二极管与光耦器件内部的发光二极管的正极连接，光耦器件内部的发光二极管的负极接到Vout的接地端；
所述电压采样模块向隔离反馈模块输出的电流触发隔离反馈模块导通具体为：
当Vout达到预设输出过压保护点的阈值时，稳压二极管的稳压管被击穿，则Vout经过第十三电阻、稳压二极管向光耦器件供电，光耦器件内部的发光二极管导通，进而光耦器件内部的光敏NPN三极管导通。
7.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第四电阻的两端并联有第二电容。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述光耦器件内部的发光二极管的正极和负极之间连接有第七电阻。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述可控硅的K极和接地端之间连接有第五电阻，第五电阻的阻值满足：当可控硅导通后，在主控芯片的基准电压管脚正常时，通过主控芯片的反馈管脚的电流和通过第五电阻的电流之和始终大于可控硅的维持电流。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述主控芯片的型号为UC2842、UC2843、UC2844、UC2845、UC3842、UC3843、UC3844或者UC3845。
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