CN111697840A - 一种使用mosfet控制外部输出的控制电路及开关电源 - Google Patents

一种使用mosfet控制外部输出的控制电路及开关电源 Download PDF

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CN111697840A
CN111697840A CN202010554882.1A CN202010554882A CN111697840A CN 111697840 A CN111697840 A CN 111697840A CN 202010554882 A CN202010554882 A CN 202010554882A CN 111697840 A CN111697840 A CN 111697840A
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陈月华
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李秀楼
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Abstract

本发明涉及一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路及开关电源，包括：输入电路、开关隔离电路、输出采样电路、控制电路以及控制单元；输入电路、开关隔离电路、输出采样电路依次设置在输入信号与负载之间，控制单元分别与控制电路和输出采样电路连接，控制电路与开关隔离电路连接；输出采样电路对输出信号进行采样并输出采样信号至控制单元，控制单元接收采样信号并在采样信号达到阈值时输出控制信号至控制电路，以控制控制电路控制开关隔离电路的工作状态，以关闭开关电源的辅助输出。本发明可在输出端出现过流、过压、短路时，关闭输出，同时保证在隔离之前的内部保持有输出电压，保证控制单元的供电电压维持在正常范围，使其稳定工作。

Description

一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路及开关电源
技术领域
本发明涉及开关电源的技术领域，更具体地说，涉及一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路及开关电源。
背景技术
随着电子技术的高速发展与应用，促进了各种服务器系统导入各行各业使用，但给其供电的服务器开关电源也飞速增长。
服务器的供电电源一般都有一路待机辅助输出给系统用于控制及启动使用，但由于此输出会送至末端，如果末端发生过流、过压、短路等保护时会导致此输出不断地弹跳，且电源内部用此输出电压转换成低压给MCU(Micro Control Unit-微控制单元)供电的供电电压也会不断地跌落与重启，最终导致内部MCU跟随发生不断地复位，无法准确稳定读取其工作状态。另外，此路输出假如处于不断地重启，且时序不可控将会导致电源内部部分零部件应力超标而损坏。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路及开关电源。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路，包括：输入电路、开关隔离电路、输出采样电路、控制电路以及控制单元；
所述输入电路、所述开关隔离电路、所述输出采样电路依次设置在输入信号与负载之间，所述控制单元分别与所述控制电路和所述输出采样电路连接，所述控制电路与所述开关隔离电路连接；
所述输出采样电路对输出信号进行采样并输出采样信号至所述控制单元，所述控制单元接收所述采样信号并在所述采样信号达到阈值时输出控制信号至所述控制电路，以控制所述控制电路控制所述开关隔离电路的工作状态，以关闭开关电源的辅助输出。
在一个实施例中，所述开关隔离电路包括开关电路和隔离电路；
所述开关电路的输入端与所述输入电路连接，所述开关电路的输出端与所述隔离电路的输入端连接，所述隔离电路的输出端与所述输出采样电路连接，所述开关电路的控制端和所述隔离电路的控制端分别连接所述控制电路。
在一个实施例中，所述控制电路包括：开关控制电路和隔离控制电路；
所述开关控制电路一端与所述控制单元连接，另一端与所述开关电路的控制端连接；
所述隔离控制电路与所述隔离电路的控制端连接。
在一个实施例中，所述开关电路包括：第一MOS管；
所述第一MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接，所述第一MOS管源极与所述隔离电路的输入端连接，所述第一MOS管的栅极与所述开关控制电路连接；
所述第一MOS管的漏极为所述开关电路的输入端，所述第一MOS管的源极为所述开关电路的输出端，所述第一MOS管的栅极为所述开关电路的控制端。
在一个实施例中，所述开关控制电路包括：第三MOS管、第九电阻、第六电阻、第八电容和第十二电阻；
所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的源极接地，所述第三MOS管的栅极通过所述第九电阻与所述控制单元连接；
所述第十二电阻的第一端与所述第三MOS管的栅极连接，第十二电阻的第二端接地；
所述第八电容的第一端与所述第十二电阻的第一端连接，所述第八电容的第二端接地；所述第六电阻的第一端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第六电阻的第二端与所述隔离控制电路连接。
在一个实施例中，所述隔离电路包括：第二MOS管；
所述第二MOS管的源极与所述开关电路的输出端连接，所述第二MOS管的漏极与所述输出采样电路的输入端连接，所述第二MOS管的栅极与所述隔离控制电路连接；
所述第二MOS管的源极为所述隔离电路的输入端，所述第二MOS管的漏极为所述隔离电路的输出端，所述第二MOS管的栅极为所述隔离电路的控制端。
在一个实施例中，所述隔离控制电路包括：第五三极管、第八电阻、第十电阻、第四二极管；
所述第八电阻的第一端连接所述开关控制电路，所述第八电阻的第二端连接所述第五三极管的第四端，所述第十电阻的第一端连接所述第八电阻的第一端和所述第四二极管的阴极，所述第十电阻的第二端连接所述第二MOS管的栅极和所述第四二极管的阳极，所述第四二极管的阴极还连接供电电压；
所述第五三极管的第一端连接所述第二MOS管的源极，所述第五三极管的第六端连接所述第四二极管的阳极，所述第五三极管的第三端连接所述输出采样电路。
在一个实施例中，还包括：
与所述输入电路和所述控制单元连接的DC-DC转换电路。
在一个实施例中，所述输入电路包括：初级变换电路、次级整流电路和滤波电路；
所述初级变换电路的输入端连接输入信号并对输入信号进行转换后由次级输出；
所述次级整流电路与所述初级变换电路连接，用于对所述初级变换电路的次级输出的次级信号进行整流；
所述滤波电路与所述次级整流电路连接，用于对所述次级整流电路输出的整流信号进行滤波。
本发明还提供一种开关电源，包括如上所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路。
实施本发明的使用MOSFET控制外部输出的控制电路及开关电源，具有以下有益效果：包括：输入电路、开关隔离电路、输出采样电路、控制电路以及控制单元；输入电路、开关隔离电路、输出采样电路依次设置在输入信号与负载之间，控制单元分别与控制电路和输出采样电路连接，控制电路与开关隔离电路连接；输出采样电路对输出信号进行采样并输出采样信号至控制单元，控制单元接收采样信号并在采样信号达到阈值时输出控制信号至控制电路，以控制控制电路控制开关隔离电路的工作状态，以关闭开关电源的辅助输出。本发明可在输出端出现过流、过压、短路时，关闭输出，同时保证在隔离之前的内部保持有输出电压，保证控制单元的供电电压维持在正常范围，使其稳定工作。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明提供的一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路实施例一的结构示意图；
图2是本发明的一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路实施例二的结构示意图；
图3-图4是本发明的一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路的电路原理图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
参考图1，图1为本发明提供的各实施例一可选实施例一的结构示意图。
如图1所示，使用MOSFET控制外部输出的控制电路包括：输入电路10、开关隔离电路20、输出采样电路30、控制电路50以及控制单元40。输入电路10、开关隔离电路20、输出采样电路30依次设置在输入信号与负载之间，控制单元40分别与控制电路50和输出采样电路30连接，控制电路50与开关隔离电路20连接；输出采样电路30对输出信号进行采样并输出采样信号至控制单元40，控制单元40接收采样信号并在采样信号达到阈值时输出控制信号至控制电路50，以控制控制电路50控制开关隔离电路20的工作状态，以关闭开关电源的辅助输出。
进一步地，本发明实施例中，输出采样电路30为输出电流采样电路，用于对输出端的电流进行采样，并产生对应的采样信号，其中，所生成的采样信号为电流采样信号。该电流采样信号直接传送至控制单元40，由控制单元40实时对该电流采样信号进行监测，并在该电流采样信号达到阈值时即时输出控制信号至控制电路50，以控制控制电路50关闭开关电源的辅助输出，以避免因输出端出现过流、过压、短路等保护时导致输出不断地弹跳，且电源内部转换给控制单元40的供电电压不断地跌落与重启，以导致控制单元40不断地复位，无法准确稳定读取工作状态以及导致电源内部零部件应力超标而损坏的问题。即本发明通过控制单元40根据输出采样电路30采集的采样信号进行监测，当输出端出现过流、过压、短路时，控制单元40输出控制信号至控制电路50，控制电路50根据控制单元40的控制信号控制开关隔离电路20关闭输出，且通过开关隔离电路20的作用，保证了在隔离之前的内部保持有输出电压，该输出电压给控制单元40稳定供电，使控制单元40可稳定工作，并保证了控制单元40准确的时序控制和通讯功能。
参考图2，图2为本发明提供的各实施例一可选实施例二的结构示意图。
如图2所示，本实施例在实施例一的基础上，进一步地，开关隔离电路20包括开关电路201和隔离电路203。
开关电路201的输入端与输入电路10连接，开关电路201的输出端与隔离电路203的输入端连接，隔离电路203的输出端与输出采样电路30连接，开关电路201的控制端和隔离电路203的控制端分别连接控制电路50。
进一步地，控制电路50包括：开关控制电路202和隔离控制电路204。
开关控制电路202一端与控制单元40连接，另一端与开关电路201的控制端连接；隔离控制电路204与隔离电路203的控制端连接。
本实施例中，开关控制电路202用于控制开关电路201，隔离控制电路204用于控制隔离电路203。其中，当采样信号达到阈值时，控制单元40即根据输出采样电路30采集的采样信号迅速判断输出端出现过流、过压、短路，控制单元40即输出控制信号至开关控制电路202，开关控制电路202根据控制信号控制开关电路201断开(开路状态)，从而达到关闭辅助输出的目的，同时，由于隔离控制电路204的同步作用，控制隔离电路203使得在隔离电路203之前的电压保持稳定地向控制单元40提供工作电压，保证了控制单元40的稳定工作。
本实施例中，开关电路201和隔离电路203均可通过功率管(如场效应管)实现，其中，开关电路201的功率管起到开关的作用，隔离电路203的功率管起到隔离的作用。
进一步地，本实施例中，还包括：与输入电路10和控制单元40连接的DC-DC转换电路60。DC-DC转换电路60用于将输入电路10输出的电压进行转换变换得到可满足控制单元40工作需求的工作电压。
进一步地，如图2所示，输入电路10包括：初级变换电路101、次级整流电路102和滤波电路103。
初级变换电路101的输入端连接输入信号并对输入信号进行转换后由次级输出。
本实施例中，初级变换电路101为反激拓扑结构，可实现将初级侧的输入信号转换到次级侧。
次级整流电路102与初级变换电路101连接，用于对初级变换电路101的次级输出的次级信号进行整流。
滤波电路103与次级整流电路102连接，用于对次级整流电路102输出的整流信号进行滤波。
进一步地，如图2所示，还包括：与次级整流电路102的输出端连接的反馈电路70。其中，反馈电路70用于将信号反馈至初级侧进行调整控制，以达到向后级提供稳定的电压的作用。
本发明通过设置开关电路201和隔离电路203，当辅助输出端过流、过压、短路时，及时由开关电路201关闭辅助输出，同时，隔离电路203保证了在隔离之间内部可向控制单元40提供稳定的工作电压，有效解决辅助输出保护时，电源内部控制单元40的复位重启问题，防止辅助输出长期过流、过压或者短路重启时时序可控的问题、以及内部零部件应力超标损坏的问题，保证了电源的稳定性和可靠性。
参考图3-图4，为本发明一具体实施例的电路原理图。
如图3所示，初级变换电路101包括：第二电容C2、第五电阻R5、第三二极管D3、第四MOS管Q4以及变压器T1。
第二电容C2的第一端与第五电阻的第一端和变压器T1原边绕组的异名端连接并作为输入电路10的输入端连接输入信号(V_Bulk)，第二电容C2的第二端连接第五电阻R5的第二端，第五电阻R5的第二端连接第三二极管D3的阴极，第三二极管D3的阳极连接变压器T1的原边绕组的同名端和第四MOS管Q4的漏极，第四MOS管Q4的源极接地，第四MOS管Q4的栅极连接接收PWM信号(其中，该PWM信号由电源的主控制器提供(主控制器未图示)，主控制器根据反馈电路70提供的反馈信号输出PWM信号至第四MOS管Q4，以控制第四MOS管Q4)。
次级整流电路102包括：第二二极管D2。滤波电路103包括：第一电感L1、第四电容C4和第五电容C5。
第二二极管D2的阳极连接变压器T1的副边绕组的同名端，第二二极管D2的阴极连接第一电感L1的第一端和第四电容C4的第一端(第一电感L1的第一端和第四电容C4的第一端的连接端为滤波电路103的输入端)，第一电感L1的第二端连接第五电容C5的第一端，第四电容C4的第二端和变压器T1的副边绕组的第二端以及第五电容C5的第二端接地，第一电感L1的第二端连接第五电容C5的第一端为滤波电容的输出端，第二二极管D2的阴极为次级整流电路102的输出端。
开关电路201包括：第一MOS管Q1。
第一MOS管的漏极与输入电路10的输出端连接，第一MOS管Q1源极与隔离电路203的输入端(第二MOS管Q2的源极)连接，第一MOS管Q1的栅极与开关控制电路202连接.
第一MOS管Q1的漏极为开关电路201的输入端，第一MOS管Q1的源极为开关电路201的输出端，第一MOS管Q1的栅极为开关电路201的控制端。
进一步地，还包括第三电容C3。第三电容C3的第一端连接第五电容C5的第一端，第三电容C3的第二端连接第一MOS管Q1的栅极，且第三电容C3的第一端输出+12V。
开关控制电路202包括：第三MOS管Q3、第九电阻R9、第六电阻R6、第八电容C8和第十二电阻R12。
第三MOS管Q3的漏极与第一MOS管Q1的栅极连接，第三MOS管Q3的源极接地，第三MOS管Q3的栅极通过第九电阻R9与控制单元40连接；第十二电阻R12的第一端与第三MOS管Q3的栅极连接，第十二电阻R12的第二端接地；第八电容C8的第一端与第十二电阻R12的第一端连接，第八电容C3的第二端接地；第六电阻R6的第一端与第一MOS管Q1的栅极连接，第六电阻R6的第二端与隔离控制电路204连接。
隔离电路203包括：第二MOS管Q2。
第二MOS管Q2的源极与开关电路201的输出端连接，第二MOS管Q2的漏极与输出采样电路30的输入端(第二电阻R2的第一端)连接，第二MOS管Q2的栅极与隔离控制电路204连接。
第二MOS管Q2的源极为隔离电路203的输入端，第二MOS管Q2的漏极为隔离电路203的输出端，第二MOS管Q2的栅极为隔离电路203的控制端。
隔离控制电路204包括：第五三极管Q5、第八电阻R8、第十电阻R10、第四二极管D4。
第八电阻R8的第一端连接开关控制电路202，第八电阻R8的第二端连接第五三极管Q5的第四端，第十电阻R10的第一端连接第八电阻R8的第一端和第四二极管D4的阴极，第十电阻R10的第二端连接第二MOS管Q2的栅极和第四二极管D4的阳极，第四二极管D4的阴极还连接供电电压(18Vcc)。
第五三极管Q5的第一端连接第二MOS管Q2的源极，第五三极管Q5的第六端连接第四二极管D4的阳极，第五三极管Q5的第三端连接输出采样电路30。
本实施例中，第五三极管Q5由两个NPN三极管对称集成，通过采用两个对应的三极管集成一个三极管，可以达到较好的一致性。进一步地，第五三极管Q5可以用于检测第二MOS管Q2的源极与漏极的电压方向，而第八电阻R8和第十电阻R10为18Vcc的上拉电阻，第四二极管D4则用于箝位至18Vcc使用。
反馈电路70包括：第一电阻R1和第一二极管D1。
第一电阻R1的第一端连接第二二极管D2的阴极，第一电阻R1的第二端连接第一二极管D1的阳极，第一二极管D1的阴极连接第一MOS管Q1的源极；第一电阻R1的第二端还连接到主控器，以向主控制器提供反馈信号(+12Vsb_FB)。
输出采样电路30包括：第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C2、第四电阻R4、第七电阻R7、第十一电阻R11、第六电容C6、第七电容C7和比较器U1。
第二电阻R2的第一端连接第二MOS管Q2的漏极，第二电阻R2的第二端连接第三电阻R3的第一端，第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4连接比较器U1的输出端，第一电容C1与第四电阻R4并联。比较器U1的正输入端通过第七电阻连接第二电阻R2的第一端，比较器U1的负输入端连接第二电阻R2的第二端，比较器U1的接地端接地，比较器U1的正输入端还分别通过第十一电阻R11和第六电容C6接地，比较器U1供电端通过第七电容C7接地，比较器U1的输出端输出采样信号(12Vsb_I)。
如图4所示，控制单元40包括：控制芯片(MCU)U3。控制芯片U3的第六引脚连接比较器U1的输出端，控制芯片U3的第四引脚连接DC-DC转换电路60的电压输出端，控制芯片U3的第一引脚连接第九电阻R9，以输出控制信号(SB_Off)。
如图4所示，DC-DC转换电路60包括：第五二极管D5、第二电感L2、第九电容C9、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十一电容C11、第十二电容C12和芯片U2。
芯片U2的第五引脚接入输入电压(+12V)，芯片U2的第二引脚接地和第五二极管D5的阳极，第五二极管D5的阴极通过第二电感L2的连接控制芯片U3的第一引脚。第九电容C9设置在芯片U2的第一引脚和第六引脚之间，芯片U2的第六引脚连接第五二极管D5的阴极。芯片U2的第四引脚与第五引脚短接并通过第十一电容C11接地。第十三电阻R13和第十四电阻R14依次串联在第二电感L2的第一端与地之间，且两者的连接端还连接到芯片U2的第三引脚，第十二电容C12第一端连接第二电感L2的第一端，第十二电容C12的第二端接地。
具体的，如图2所示，滤波电路103输出的+12V电压通过DC-DC的Buck变换后，得到3.3Vs给控制芯片U3供电。
+12V电压经过第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第二电阻R2(+12Vsa、+12Vsb)后传送到输出末端，以实现给服务器供电。其中，在正常供电时，控制芯片U3将SB_Off置为低电平，此时第三MOS管Q3关闭，18Vcc经第六电阻R6对第三电容C3充电后，使第一MOS管Q1的栅极达到其开启电压导通；第五三极管Q5检测第二MOS管Q2的源极与漏极电压，此时为正向电压，第五三极管Q5将其左侧的三极管集电极(第五三极管Q5的第六端)；置为高电平，18Vcc经过第十电阻R10驱动第二MOS管Q2的栅极，使第二MOS管Q2导通，从而+12V电压可经过第一MOS管Q1、第二MOS管Q2传送至第二电阻R2。
当输出端出现过流、过压或者短路时，控制芯片U3根据+12Vsb_I识别，并将SB_Off置为高电平，从而驱动第三MOS管Q3导通，第三MOS管Q3导通将第一MOS管Q1的栅极电压被拉低至零电平，从而实现关闭+12Vsb输出，然而由于第二MOS管Q2的隔离作用(第二MOS管Q2保持导通状态)，内部仍保持有+12V电压，因此，控制芯片U3的3.3Vs稳定存在，控制芯片U3可持续正常工作。
另外，控制芯片U3也可以通过时序检测来控制第一MOS管Q1的导通。例如，当保护触发关闭时，控制芯片U3可定时5s再将SB_Off置为低电平，以将第三MOS管Q3关闭，第一MOS管Q1的栅极电压得到恢复，实现再次开通并输出+12Vsb。
本发明实施例中，第三电容C3用于第一MOS管Q1开通瞬间的线性驱动功能，实现输出电压缓慢上升以避免末端容性负载而导致误触发过流或者短路保护。
需要说明的是，本实施例以+12Vsb的电压作为辅助输出电压，在其他实施例中，辅助输出电压还可以包括其它输出电压情况，不限于+12Vsb。
本发明还提供一种开关电源，包括本发明实施例公开的使用MOSFET控制外部输出的控制电路。通过设置该使用MOSFET控制外部输出的控制电路可在输出端出现过流、过压、短路时，关闭输出，同时保证在隔离之前的内部保持有输出电压，保证控制单元40的供电电压维持在正常范围，使其稳定工作。
以上实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据此实施，并不能限制本发明的保护范围。凡跟本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。

Claims (10)

1.一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，包括：输入电路、开关隔离电路、输出采样电路、控制电路以及控制单元；
所述输入电路、所述开关隔离电路、所述输出采样电路依次设置在输入信号与负载之间，所述控制单元分别与所述控制电路和所述输出采样电路连接，所述控制电路与所述开关隔离电路连接；
所述输出采样电路对输出信号进行采样并输出采样信号至所述控制单元，所述控制单元接收所述采样信号并在所述采样信号达到阈值时输出控制信号至所述控制电路，以控制所述控制电路控制所述开关隔离电路的工作状态，以关闭开关电源的辅助输出。
2.根据权利要求1所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述开关隔离电路包括开关电路和隔离电路；
所述开关电路的输入端与所述输入电路连接，所述开关电路的输出端与所述隔离电路的输入端连接，所述隔离电路的输出端与所述输出采样电路连接，所述开关电路的控制端和所述隔离电路的控制端分别连接所述控制电路。
3.根据权利要求2所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：开关控制电路和隔离控制电路；
所述开关控制电路一端与所述控制单元连接，另一端与所述开关电路的控制端连接；
所述隔离控制电路与所述隔离电路的控制端连接。
4.根据权利要求3所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述开关电路包括：第一MOS管；
所述第一MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接，所述第一MOS管源极与所述隔离电路的输入端连接，所述第一MOS管的栅极与所述开关控制电路连接；
所述第一MOS管的漏极为所述开关电路的输入端，所述第一MOS管的源极为所述开关电路的输出端，所述第一MOS管的栅极为所述开关电路的控制端。
5.根据权利要求4所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述开关控制电路包括：第三MOS管、第九电阻、第六电阻、第八电容和第十二电阻；
所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的源极接地，所述第三MOS管的栅极通过所述第九电阻与所述控制单元连接；
所述第十二电阻的第一端与所述第三MOS管的栅极连接，第十二电阻的第二端接地；
所述第八电容的第一端与所述第十二电阻的第一端连接，所述第八电容的第二端接地；所述第六电阻的第一端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第六电阻的第二端与所述隔离控制电路连接。
6.根据权利要求3所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述隔离电路包括：第二MOS管；
所述第二MOS管的源极与所述开关电路的输出端连接，所述第二MOS管的漏极与所述输出采样电路的输入端连接，所述第二MOS管的栅极与所述隔离控制电路连接；
所述第二MOS管的源极为所述隔离电路的输入端，所述第二MOS管的漏极为所述隔离电路的输出端，所述第二MOS管的栅极为所述隔离电路的控制端。
7.根据权利要求6所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述隔离控制电路包括：第五三极管、第八电阻、第十电阻、第四二极管；
所述第八电阻的第一端连接所述开关控制电路，所述第八电阻的第二端连接所述第五三极管的第四端，所述第十电阻的第一端连接所述第八电阻的第一端和所述第四二极管的阴极，所述第十电阻的第二端连接所述第二MOS管的栅极和所述第四二极管的阳极，所述第四二极管的阴极还连接供电电压；
所述第五三极管的第一端连接所述第二MOS管的源极，所述第五三极管的第六端连接所述第四二极管的阳极，所述第五三极管的第三端连接所述输出采样电路。
8.根据权利要求1所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，还包括：
与所述输入电路和所述控制单元连接的DC-DC转换电路。
9.根据权利要求1所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述输入电路包括：初级变换电路、次级整流电路和滤波电路；
所述初级变换电路的输入端连接输入信号并对输入信号进行转换后由次级输出；
所述次级整流电路与所述初级变换电路连接，用于对所述初级变换电路的次级输出的次级信号进行整流；
所述滤波电路与所述次级整流电路连接，用于对所述次级整流电路输出的整流信号进行滤波。
10.一种开关电源，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路。
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CN115219770A (zh) * 2022-09-20 2022-10-21 昆山硕通电子有限公司 电压检测装置、电压采样电路及隔离电源

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112089098A (zh) * 2020-10-09 2020-12-18 西安稳先半导体科技有限责任公司 一种电子烟以及用于电子烟的烟弹和安全电路
CN112089098B (zh) * 2020-10-09 2024-03-15 西安稳先半导体科技有限责任公司 一种电子烟以及用于电子烟的烟弹和安全电路
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