CN105552201B - 一种led封装用固晶材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LED封装用固晶材料及其制备方法，该固晶材料包括锡基焊粉、高导热率颗粒和固晶助焊膏，其中高导热率颗粒选自金刚石颗粒、纳米碳管和SiC中的一种或两种以上；高导热率颗粒的体积分数占锡基焊粉和高导热率颗粒总体积的0.1%‑70%。本发明的固晶材料含有高导热率颗粒，能够在满足LED芯片与热沉的粘结强度以及不影响电性能的前提下，获得高导热率，其导热率是现有LED固晶焊料导热率的几倍甚至几十倍。采用本发明的固晶材料，可以有效降低功率LED器件热阻，提高LED芯片散热能力，降低LED芯片结温，提高LED器件及应用产品的寿命。

Description

一种LED封装用固晶材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，尤其涉及一种LED封装用固晶材料及其制备方法。
背景技术
功率LED器件的散热能力差，导致LED芯片的结温高，已经严重地阻碍了功率LED的进一步推广应用。选择散热性能好的键合材料，提高固晶界面的质量，将会大大提高LED的散热能力以及可靠性。传统的导热胶和导电银浆已经不能满足功率LED的散热要求，现在业界开始采用锡金合金和SnAgCu焊料作为固晶材料，但是在钎焊过程中由于钎剂挥发等因素界面处会产生空洞和间隙，而且钎料与金属焊盘之间往往存在着较大的界面热阻，使得焊料合金作为热界面材料，它的导热性能并不能满足目前大功率LED芯片封装以及多芯片集成封装的散热要求。而且，在我们的研究中发现，在器件服役过程中，固晶界面会快速退化，导致固晶热阻快速升高。
因此，LED封装技术领域亟需一种高导热率的固晶材料，以满足目前大功率LED芯片封装以及多芯片集成封装的散热要求。
发明内容
本发明提供一种LED封装用固晶材料及其制备方法，该固晶材料能够在满足LED芯片与热沉的粘结强度以及不影响电性能的前提下，获得高导热率。
根据本发明的第一方面，本发明提供一种LED封装用固晶材料，包括锡基焊粉、高导热率颗粒和固晶助焊膏，其中上述高导热率颗粒选自金刚石颗粒、纳米碳管和SiC中的一种或两种以上；上述高导热率颗粒的体积分数占上述锡基焊粉和高导热率颗粒总体积的0.1％-70％。
作为本发明的进一步改进的方案，上述固晶助焊膏占上述固晶材料总重量的10％-30％。
作为本发明的优选的方案，上述锡基焊粉选自AuSn、SnAgCu、SnSb、SnBi、SnSbCu、SnSbAg、SnSbNi和SnCu合金粉末中的一种。
作为本发明的进一步改进的方案，上述锡基焊粉的粒径为30微米以下，优选10微米以下。
作为本发明的进一步改进的方案，上述高导热率颗粒的粒径为30微米以下。
作为本发明的进一步改进的方案，上述固晶助焊膏包括溶剂、树脂、有机酸、触变剂、抗氧剂和合成活性剂。
作为本发明的更进一步改进的方案，按重量百分比计，上述固晶助焊膏包括溶剂40％～60％，树脂20％～40％，有机酸5％～8％，触变剂2％～4％，抗氧剂1％～3％，合成活性剂6％～9％。
作为本发明的更进一步改进的方案，上述溶剂选自二乙二醇己醚、乙二醇苯醚、二乙二醇丁醚、丙二醇苯醚和三乙二醇丙醚中的一种或几种的组合。
作为本发明的更进一步改进的方案，上述树脂选自原位氢化松香树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂和聚合松香中的一种或几种的组合。
作为本发明的更进一步改进的方案，上述有机酸选自植酸、酒石酸、苹果酸、甲酸、水杨酸和丁二酸中的一种或几种的组合。
作为本发明的更进一步改进的方案，上述触变剂选自聚酞胺树脂、脂肪酸酞胺蜡、氢化蓖麻油和聚酰胺蜡中的一种或几种的组合。
作为本发明的更进一步改进的方案，上述抗氧剂选自抗氧剂1010、抗氧剂TBHQ、抗氧剂BHT、抗氧剂T501、抗氧剂BHA、抗氧剂DLTP、抗氧剂1076中的一种或几种组合。
作为本发明的更进一步改进的方案，上述合成活性剂选自三甲胺、二乙丙胺、二乙醇胺、三乙醇胺、苯胺、甲胺、芳香胺中的一种或几种组合。
根据本发明的第二方面，本发明提供一种制备如第一方面的固晶材料的方法，包括：首先将上述锡基焊粉和高导热率颗粒充分混合，然后与上述固晶助焊膏充分混合，形成上述固晶材料。
本发明的有益效果是：本发明的固晶材料含有高导热率颗粒如金刚石颗粒、纳米碳管或SiC，能够在满足LED芯片与热沉的粘结强度以及不影响电性能的前提下，获得高导热率，其导热率是现有LED固晶焊料导热率的几倍甚至几十倍。采用本发明的固晶材料，可以有效降低功率LED器件热阻，提高LED芯片散热能力，降低LED芯片结温，提高LED器件及应用产品的寿命。
具体实施方式
下面通过具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
传统的固晶材料银胶的导热系数是2-25，已经不能满足功率LED的散热需要。空气的导热率是0.024，功率LED芯片与热沉之间的界面需要高导热率的热界面材料，钎料合金的导热系数是27-73，而且在固晶过程以及器件服役过程中不可避免地会出现空洞。
本发明的固晶材料的关键在于，加入了高导热率颗粒如金刚石颗粒、纳米碳管或SiC，从而大大提高了固晶材料用于LED芯片封装时的导热率。
作为高导热率颗粒，金刚石颗粒的导热系数达到约2300，纳米碳管的导热系数达到1100，SiC的导热系数达到490，均远高于传统的钎料合金的导热系数，因此这些高导热率颗粒的加入能够极大提高固晶界面的热导率。研究表明，本发明的固晶材料的导热率是现有LED固晶焊料导热率的几倍甚至几十倍。
本发明中，固晶材料的基本组成是锡基焊粉、高导热率颗粒和固晶助焊膏，其中高导热率颗粒选自金刚石颗粒、纳米碳管和SiC中的一种或两种以上。高导热率颗粒的含量，尤其是高导热率颗粒与锡基焊粉的比例关系，对于固晶材料的热导率性能有重要影响。发明人经深入研究，发现根据不同的性能要求，高导热率颗粒的体积分数占锡基焊粉和高导热率颗粒总体积比例可以是0.1％-70％，高导热率颗粒的含量高于70％，虽然也能够取得良好的效果，然而导热率相比含量为70％时没有显著提升，并且高导热率颗粒的含量过高还可能造成其他性能受影响，比如LED芯片与热沉的粘结强度以及电性能可能受影响。
在本发明中，固晶助焊膏占固晶材料总重量的10％-30％，对于其性能的发挥具有更加有优势的效果。相应地，锡基焊粉和高导热率颗粒二者加在一起的重量占固晶材料总重量的70％-90％。
本发明中，锡基焊粉可以是本领域通常使用的锡基材料的粉末，如AuSn、SnAgCu、SnSb、SnBi、SnSbCu、SnSbAg、SnSbNi和SnCu等合金粉末等中的一种。
焊粉的粒径对固晶材料的性能有一定的影响，在不被氧化的前提下，粒径越小越好，一般粒径可以控制在微米至纳米量级，最好是控制在30微米以下，优选10微米以下。可以使用抗氧剂来保护焊粉免受氧化影响。
高导热率颗粒的粒径对固晶材料的性能也有一定的影响，在不影响散热性能的前提下，粒径最好是控制在30微米以下。
虽然在本发明中固晶助焊膏可以采用现有的这一类用途的助焊膏。然而发明人还是提供一种性能优越的固晶助焊膏，它包括溶剂、树脂、有机酸、触变剂、抗氧剂和合成活性剂。其中，抗氧剂起到保护焊粉免受氧化影响的作用。合成活性剂赋予了固晶材料足够的活性，保证各种颗粒材料的均匀混合。
上述固晶助焊膏中各种组分的含量可以在较宽的范围内变动。在本发明的一个优选实施方案中，按重量百分比计，固晶助焊膏包括溶剂40％～60％，树脂20％～40％，有机酸5％～8％，触变剂2％～4％，抗氧剂1％～3％，合成活性剂6％～9％。
上述溶剂可以选自二乙二醇己醚、乙二醇苯醚、二乙二醇丁醚、丙二醇苯醚和三乙二醇丙醚中的一种或几种的组合。所述组合的典型但非限定性的例子比如：二乙二醇己醚和乙二醇苯醚的组合，乙二醇苯醚和二乙二醇丁醚的组合，二乙二醇丁醚和丙二醇苯醚的组合，丙二醇苯醚和三乙二醇丙醚的组合等。
上述树脂可以选自原位氢化松香树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂和聚合松香中的一种或几种的组合。所述组合的典型但非限定性的例子比如：原位氢化松香树脂和丙烯酸树脂的组合，丙烯酸树脂和酚醛树脂的组合，酚醛树脂和聚合松香的组合，丙烯酸树脂、酚醛树脂和聚合松香的组合等。
上述有机酸选自植酸、酒石酸、苹果酸、甲酸、水杨酸和丁二酸中的一种或几种的组合。所述组合的典型但非限定性的例子比如：植酸和酒石酸的组合，酒石酸和苹果酸的组合，苹果酸和甲酸的组合，甲酸和水杨酸的组合，水杨酸和丁二酸的组合等。
上述触变剂选自聚酞胺树脂、脂肪酸酞胺蜡、氢化蓖麻油、聚酞胺蜡中的一种或几种的组合。所述组合的典型但非限定性的例子比如：聚酞胺树脂和脂肪酸酞胺蜡的组合，脂肪酸酞胺蜡和氢化蓖麻油的组合，氢化蓖麻油和聚酞胺蜡的组合，聚酞胺树脂、脂肪酸酞胺蜡和氢化蓖麻油的组合等。
上述抗氧剂选自抗氧剂1010、抗氧剂TBHQ、抗氧剂BHT、抗氧剂T501、抗氧剂BHA、抗氧剂DLTP、抗氧剂1076中的一种或几种组合。所述组合的典型但非限定性的例子比如：抗氧剂1010和抗氧剂TBHQ的组合，抗氧剂TBHQ和抗氧剂BHT的组合，抗氧剂BHT和抗氧剂T501的组合，抗氧剂BHA和抗氧剂DLTP的组合等。
上述合成活性剂选自三甲胺、二乙丙胺、二乙醇胺、三乙醇胺、苯胺、甲胺、芳香胺中的一种或几种组合。所述组合的典型但非限定性的例子比如：三甲胺和二乙丙胺的组合，二乙丙胺和二乙醇胺的组合，二乙醇胺和三乙醇胺的组合，三乙醇胺和苯胺的组合，苯胺和甲胺的组合等。
本发明的固晶材料的制备过程如下：先严格按照各组分比例，制备固晶助助焊膏待用。再将锡基焊粉和高导热率颗粒按体积百分比充分混合。再按重量百分比称取固晶助焊膏和混合粉末，再把混合粉末分成3份，依次加入到固晶助焊膏搅拌均匀。
以下通过具体实施例对本发明进行详细描述。应当理解，这些实施例仅是示例性的，并不构成对本发明保护范围的限制。
实施例1
本实施例的固晶材料通过如下方法制备：将20％体积分数的粒径在5-20微米的金刚石颗粒与80％体积分数的粒径在20微米以下的Au80Sn20混合得到混合粉末。按重量百分比，将二乙二醇己醚50％，原位氢化松香树脂30％，植酸5％，聚酞胺树脂3％，抗氧剂10103％，三甲胺9％混合，得到固晶助焊膏。将上述混合粉末与固晶助焊膏按照重量比为85:15混合，得到固晶材料。
实施例2
本实施例的固晶材料通过如下方法制备：将10％体积分数的粒径在<5微米的纳米碳管与90％体积分数的粒径在20微米以下的Au80Sn20混合得到混合粉末。按重量百分比，将乙二醇苯醚40％，丙烯酸树脂40％，酒石酸6％，脂肪酸酞胺蜡4％，抗氧剂TBHQ 2％，二乙丙胺8％混合，得到固晶助焊膏。将上述混合粉末与固晶助焊膏按照重量比为85:15混合，得到固晶材料。
实施例3
本实施例的固晶材料通过如下方法制备：将15％体积分数的粒径在5-20微米以下的金刚石颗粒与85％体积分数的粒径在20微米以下的SnAg3Cu0.5混合得到混合粉末。按重量百分比，将二乙二醇丁醚60％，酚醛树脂20％，苹果酸8％，氢化蓖麻油2％，抗氧剂BHT3％，二乙醇胺7％混合，得到固晶助焊膏。将上述混合粉末与固晶助焊膏按照重量比为80:20混合，得到固晶材料。
实施例4
本实施例的固晶材料通过如下方法制备：将20％体积分数的粒径在<10微米的纳米碳管颗粒与80％体积分数的粒径在10微米以下的SnAg3Cu0.5混合得到混合粉末。按重量百分比，将丙二醇苯醚48％，聚合松香32％，甲酸8％，聚酞胺蜡4％，抗氧剂T501 1％，三乙醇胺7％混合，得到固晶助焊膏。将上述混合粉末与固晶助焊膏按照重量比为75:25混合，得到固晶材料。
实施例5
本实施例的固晶材料通过如下方法制备：将18％体积分数的粒径在5-25微米以下的金刚石颗粒与82％体积分数的粒径在10微米以下的SnAg3.5混合得到混合粉末。按重量百分比，将三乙二醇丙醚45％，原位氢化松香树脂40％，水杨酸5％，聚酞胺树脂2％，抗氧剂BHA 1％，芳香胺7％混合，得到固晶助焊膏。将上述混合粉末与固晶助焊膏按照重量比为70:30混合，得到固晶材料。
实施例6
本实施例的固晶材料通过如下方法制备：将10％体积分数的粒径在10微米以下的纳米碳管与90％体积分数的粒径在10微米以下的SnAg3.5混合得到混合粉末。按重量百分比，将二乙二醇己醚45％，酚醛树脂31％，甲酸8％，脂肪酸酞胺蜡4％，抗氧剂DLTP 3％，三乙醇胺9％混合，得到固晶助焊膏。将上述混合粉末与固晶助焊膏按照重量比为70:30混合，得到固晶材料。
上述实施例制备的掺杂高导热率颗粒的无铅锡膏的导热系数如表1所示。
表1
Au80Sn20的导热系数是57W/m.K，SnAg3Cu0.5的导热系数是35W/m.K，SnAg3.5的导热系数是33W/m.K，然而表1所示的结果显示：经过简单的添加高导热率的金刚石颗粒和纳米碳管后，其导热系数都有了显著提升。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种LED封装用固晶材料，其特征在于，所述固晶材料包括锡基焊粉、高导热率颗粒和固晶助焊膏，其中所述高导热率颗粒为纳米碳管，所述纳米碳管的粒径为30微米以下；所述高导热率颗粒的体积分数占所述锡基焊粉和高导热率颗粒总体积的0.1％-70％；所述锡基焊粉的粒径为30微米以下；所述固晶助焊膏占所述固晶材料总重量的25％-30％；按重量百分比计，所述固晶助焊膏包括溶剂40％～60％，树脂20％～40％，有机酸5％～8％，触变剂2％～4％，抗氧剂1％～3％，合成活性剂6％～9％。
2.根据权利要求1所述的固晶材料，其特征在于，所述锡基焊粉选自AuSn、SnAgCu、SnSb、SnBi、SnSbCu、SnSbAg、SnSbNi和SnCu合金粉末中的一种。
3.根据权利要求1-2任一项所述的固晶材料，其特征在于，所述锡基焊粉的粒径为10微米以下。
4.根据权利要求1所述的固晶材料，其特征在于，所述溶剂选自二乙二醇己醚、乙二醇苯醚、二乙二醇丁醚、丙二醇苯醚和三乙二醇丙醚中的一种或几种的组合。
5.根据权利要求1所述的固晶材料，其特征在于，所述树脂选自原位氢化松香树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂和聚合松香中的一种或几种的组合。
6.根据权利要求1所述的固晶材料，其特征在于，所述有机酸选自植酸、酒石酸、苹果酸、甲酸、水杨酸和丁二酸中的一种或几种的组合。
7.根据权利要求1所述的固晶材料，其特征在于，所述触变剂选自聚酞胺树脂、脂肪酸酞胺蜡、氢化蓖麻油和聚酰胺蜡中的一种或几种的组合。
8.根据权利要求1所述的固晶材料，其特征在于，所述抗氧剂选自抗氧剂1010、抗氧剂TBHQ、抗氧剂BHT、抗氧剂T501、抗氧剂BHA、抗氧剂DLTP、抗氧剂1076中的一种或几种组合。
9.根据权利要求1所述的固晶材料，其特征在于，所述合成活性剂选自三甲胺、二乙丙胺、二乙醇胺、三乙醇胺、苯胺、甲胺、芳香胺中的一种或几种组合。
10.一种制备如权利要求1-9任一项所述的固晶材料的方法，其特征在于，所述方法包括：首先将所述锡基焊粉和高导热率颗粒充分混合，然后与所述固晶助焊膏充分混合，形成所述固晶材料。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107591475B (zh) * 2017-09-29 2018-11-30 旭宇光电（深圳）股份有限公司 大功率led器件及led芯片固晶方法
CN110052735A (zh) * 2018-11-22 2019-07-26 哈尔滨理工大学 一种用于二级和三级封装的高导热低成本复合焊膏及其制备方法
CN115863526A (zh) * 2019-05-09 2023-03-28 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110248494B (zh) * 2019-05-31 2020-07-31 深圳市英创立电子有限公司 一种pcb板贴装工艺
CN111477601B (zh) * 2020-05-12 2023-05-09 江苏满江红金属新材料科技有限公司 高散热半导体浆料及其制备方法
CN114932335B (zh) * 2022-05-13 2024-03-26 深圳市荣昌科技有限公司 一种大功率led封装用水溶性固晶锡膏及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101480763A (zh) * 2008-01-07 2009-07-15 三星电子株式会社 复合材料焊料及其制备方法
CN103358046A (zh) * 2012-04-11 2013-10-23 上海嘉浩新材料科技有限公司 用于大功率led的固晶锡膏

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102554488B (zh) * 2010-12-16 2015-11-25 北京有色金属研究总院 Led封装用高导热焊锡浆
EP2734484A1 (en) * 2011-07-20 2014-05-28 Diamond Innovations, Inc. Brazed coated diamond-containing materials
MX2014001204A (es) * 2011-08-02 2014-08-22 Alpha Metals Composiciones de soldadura.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101480763A (zh) * 2008-01-07 2009-07-15 三星电子株式会社 复合材料焊料及其制备方法
CN103358046A (zh) * 2012-04-11 2013-10-23 上海嘉浩新材料科技有限公司 用于大功率led的固晶锡膏

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