CN105552137B - 一种背接触式太阳能电池的小芯片电极引出方法 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 76
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 21
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 21
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 101100008048 Caenorhabditis elegans cut-4 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，属太阳能电池技术领域。本发明目的是利用高效背接触电池被精加工成各种尺寸小型芯片，解决电极引出的制造方法，防止相邻近的栅线的错位所造成的短路。本发明的主要技术特征是在背接触式电池的背光面上，切割成每个芯片的正负电极引出端的相异极性栅线上分别覆盖绝缘层和汇集电流导通的栅线汇流导电层，采用掩膜丝网印刷工艺制成。实施本发明高电压输出的芯片合格率达99％以上，消除了电极栅线汇流套位误差导致的相邻近栅线之间的短路，使生产成本显著降低。
Description
技术领域
本发明公开了一种用高效能背接触式太阳能电池加工成各种高效能小型化电池芯片的电极引出方法，属太阳能电池技术领域。
背景技术
目前，背接触式太阳能电池由于发电效率高被广泛应用，研究人员不断研究开发出许多结构不同的背接触式太阳能电池(以下简称背接触电池或电池)。背接触式电池是指发射区n+的电极和基区p+的电极均位于硅太阳能电池背面的一种硅基片太阳电池，背接触电池消除了电池正面栅线电极的遮光损失，有效提高了电池利用率和转化效率；易组装，正负极均在背面，组件封装共面连接，电池片间隔减小，使封装密度提高，难度降低。电池的正面没有凃锡带，受光面均一、美观。美国公司SUNPOWER的专利技术US7339110B1给出了一种典型的背接触式电池，电池的正负极均位于电池的背面，正负极栅线呈交错布置，正负极呈间隔排列。背接触式电池不仅是用于大型电站的光伏组件，同时背接触式电池被切割成尺寸较小的背接触式的电池芯片(以下简称芯片)，被广泛应用于消费类电子产品及小型电子产品中。现有技术，用背接触式电池制成芯片，是采用高精度PCB板对位的电极引出工艺，如中国专利申请号为201410283104.8和申请号为201380017058.1，用高精度PCB版为基底，完成背接触式电池切割及电极栅线与PCB板的电路串接引出，此材料成本和机械设备成本高昂。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在问题，特别是背接触式电池被精细加工成各 种尺寸芯片，其电极引出方法，已成为本领域技术人员亟待解决的关键技术。
鉴于此，本发明的首要目的是降低芯片加工成本，避免背接触电池二次加工切割过程中电极引出栅线偏差。
本发明的再一个目的是背接触电池被加工成芯片的电极引出端方法问题。
本发明的技术解决方案是：一种背接触式太阳能电池的小芯片电极引出方法，包括位于晶圆基片的背光面上n+区和p+区的正负电极，及间隔排列的相异极栅，其技术特征在于在背接触电池的背电极面，采用栅线绝缘涂层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料丝印到基片的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层；
优选的，采用栅线汇流导电层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把导电层浆料丝印到背电极面绝缘层区域的绝缘层，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端栅线汇流的导电层。
优选的，拟切割出的每个电池芯片的绝缘层，所使用的绝缘层浆料是UV紫外光固型或热固型环氧树脂绝缘油墨。
采用栅线绝缘涂层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料丝印到基片的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层；
采用栅线汇流导电层网版，用掩膜丝网印刷工艺，把导电层浆料丝印到背电极面绝缘层区域的绝缘层，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端栅线汇流的导电层。
优选的，相异极性栅线的绝缘层上分别覆盖导电层是覆盖在未覆盖绝缘层的相异极性栅线上实现汇集电流导通。
优选的，所述芯片的正负电极引出端的导电层是覆盖在相异极性栅线汇流层的绝缘膜上，包括一种可焊电极引出线的导电层，或采用导电型材包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材形成导电层。
包括制备绝缘层的基片，在背接触电池的背电极面上，采用栅线绝缘涂层网版，掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料包括UV紫外光固型或热固型环氧树脂绝缘油墨丝印到基片的相应位置，形成拟切割出的每个芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层；UV紫外光固型的光固化温度设置为45～80℃，使用热固型环氧树脂绝缘油墨，固化温度设置为100～160℃。
在制备好绝缘层的基片上，采用栅线汇流导电层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把导电层用包括铜浆、银浆、锡膏浆料在内的任选其中一种导电浆料丝印到背电极面绝缘层区域的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极汇流导电层；或采用导电型材包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材，任选其中一种导电型材汇流形成引出电极的导电层，则采用热压或静压设备，把导电材料贴合到已制备好绝缘层的基片上拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出区域相应位置，以形成每个电池芯片的正负电极汇流及引出电极端。如使用铜浆作为导电层浆料，采用0.06～0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为130～170℃；如使用银浆作为导电层浆料，采用0.06～0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为120～150℃；如使用低温锡膏作为导电层浆料，采用0.1～0.2mm厚的钢板网丝印，用回流炉固化，固化温度设置为130～170℃，传送带速度设置为0.6～1.2m/min。
所说电极汇流导电层为不可焊材料，则需在其表面按每个电池芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸需求，再丝印可焊电极层(如可焊铜浆、银浆、锡膏等)，以作电极引出线的焊接电极。如使用可焊铜浆作为焊盘浆料，采用 0.04～0.08mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为130～170℃；如使用可焊银浆作为焊盘浆料，采用0.04～0.08mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为120～150℃；如使用低温锡膏作为焊盘浆料，采用0.1～0.2mm厚的钢板网丝印，采用回流炉固化，中心固化温度设置为130～170℃。
采用高精度激光硅片切割机或砂轮硅片切割机，按背电极硅太阳能电池芯片拟切割出的每个小电池芯片的切割位置设计图，把背电极硅太阳能电池芯片切割成带独立正负极输出电极的小电池芯片。
本发明产生的积极效果：
可按功率需求将背电极硅太阳能电池裁切成任形状尺寸的小电池芯片，形成太阳能电池组件的小型化和高电压输出的芯片。
芯片合格率达99％以上，通过芯片掩膜丝印网版图形和套位标志的特殊设计，及制作过程的高精度控制，消除了电池芯片的电极栅线汇流时因套位误差导致的相邻近正负极栅线之间的短路问题。
无需预定位，与现行SMT技术加工背电极硅太阳能电池芯片工艺相比小电池芯片切割后，用焊接方法串接成组件，无需对每一个小电池做精确的预定位来实现组件的串接，极大的提高了生产效率。
节省了加工成本，采用本芯片串接技术，材料只需普通导线或通用涂锡带，用普通烙铁便可完成组件串接，节省了太阳能电池组件的加工成本。现行SMT加工背电极硅太阳能电池芯片工艺，采用高精度PCB板为基底，用SMT机及回流焊机完成太阳能电池组件串接，材料成本和机械设备成本非常高昂。
特别是绝缘层制作的制作，为制作汇流导电层作了很好的铺垫，有效防止电池背面用于制作汇流导电层时正负栅状电极短路。绝缘浆料固化后不存在因偏移造成的短路。
附图说明
图1.是美国专利US7339110B1的背接触电池的剖面结构示意图，图中，背接触电池10的正极栅线50和负极栅线52间隔排列。
图2.是美国专利US7339110B1的背接触电池的背光面结构示意图。
图3.是本发明的背接触电池10切割后的电池芯片的背光面电极引出结构示意图，图中的绝缘层1在两端分别覆盖正极栅线50和负极栅线52，在绝缘层1上覆盖导电层2，导电层2在两端分别将未覆盖绝缘层1的负极栅线52和正极栅线50汇流导通。
图4.是图3中A-A剖面结构示意图，绝缘层1覆盖负极栅线52，导电层2将正极栅线50汇流导通。
图5.是图3中B-B剖面结构示意图，绝缘层1覆盖正极栅线50，导电层2将负极栅线52汇流导通。
图6.是本发明实施例1的背接触电池切割前的背光面电极引出结构示意图，在背接触电池10的背光面切割前对应电池芯片的位置上丝印绝缘层1和导电层2。
图7.是图6中的背接触电池10切割后上边位置的电池芯片的电极引出结构示意图，正极引出端是背接触电池10本身的正极端5，负极引出端是将背接触电池10的正极栅线50先用绝缘层1覆盖，再用导电层2将负极栅线52汇流导通。
图8.是图6中的背接触电池10切割后中间位置的电池芯片的电极引出结构示意图，正极引出端是将背接触电池10的负极栅线52先用绝缘层1覆盖，再用导电层2将正极栅线50汇流导通，负极引出端是将背接触电池10的正极栅 线50先用绝缘层1覆盖，再用导电层2将负极栅线52汇流导通。
图9.是图6中的背接触电池10切割后下边位置的电池芯片的电极引出结构示意图，正极引出端是将背接触电池10的负极栅线52先用绝缘层1覆盖，再用导电层2将正极栅线50汇流导通，负极引出端是背接触电池10的本身的负极端6。
图10.是本发明实施例2的正面结构示意图，当导电层2为不可焊材料时，在导电层2上丝印可焊层3。
图11.是图10中的C-C剖面结构示意图。
图12.是本发明实施例3的剖面结构示意图，导电层2采用带导电胶层7的铜带8，导电胶层7与粘结在负极栅线52(或正极栅线50)和绝缘层1上。
图13.是图12中的带导电胶层7的铜带8，在铜带8的下面有一层导电胶层7。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
如图6所示，本实施的背接触太阳能电池10为美国SUNPOWER公司生产的125X125mm的规格，需要如切割线4所示的位置切割出18块规格是32.4X20.9mm的电池芯片，左右排布为横向3块，上下纵向6块，左右边缘留出硅片可用在其它尺寸上使用，在上边缘的3块的正极引出，如图7所示可利用背接触电池10本身的正极引出端5，负极引出端是将正极栅线50由绝缘层1覆盖后，在绝缘层1上由导电层2将未被绝缘层1覆盖的负极栅线52汇流导通，在下边的3块的负极引出，如图9所示可利用背接触电池10本身的负极引出端6，正电极 引出端由负极栅线52用绝缘层1覆盖后，再在绝缘层1上用导电层2将未被绝缘层1覆盖的正极栅线50汇集导通，在中间位置的12块电池芯片，如图8所示上边为正极引出端，下边为负极引出端，在上边的正极引出端先将负极栅线52用绝缘层1覆盖，再在绝缘层1上覆盖导电层2，导电层2将未被绝缘层1覆盖的正极栅线50汇集电流导通，形成正极引出端，在下边的负极引出端先将正极栅线50由绝缘层1覆盖，再在绝缘层1上覆盖导电层2，导电层2将未被绝缘层1覆盖的负极栅线52汇流导通，形成负极引出端。
制作过程如下：
先将背接触电池10的背光面朝上放置在丝印平台上，将栅线绝缘涂层网版和背接触电池10的对位点进行精确套位，然后采用掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层1油墨浆料丝印到背接触电池10的背光面的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层1，即在电池芯片的正极引出端将负极栅线52覆盖绝缘层1，在负极引出端将正极栅线50覆盖绝缘层1。所使用的绝缘层1浆料可以是UV紫外光固型或热固型环氧树脂绝缘油墨，采用0.06mm厚的钢板网丝印；如使用UV紫外光固型绝缘油墨，UV紫外光固机固化，固化温度设置为65℃；如使用热固型环氧树脂绝缘油墨，采用电热烘箱固化，固化温度设置为120℃。
在制备好绝缘层1的背接触电池10的背光面上，采用栅线汇流导电层2网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把导电层2的导电浆料(如铜浆、银浆、锡膏等)丝印到相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极汇流导电层2，即在正极引出端导电层2将未被绝缘层1覆盖的正极栅线50汇流导通，在负极引出端导电层2将未被绝缘层1覆盖的负极栅线52汇流导通。如用铜浆作为导电层浆料，采用0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为150℃；如用银浆作为 导电层浆料，采用0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为130℃；如使用低温锡膏作为导电层浆料，采用0.2mm厚的钢板网丝印，采用回流炉固化，中心固化温度设置为160℃。
按尺寸切割线4将背接触电池10切割成电池芯片，先将左右两边缘部分切割，然后再将其它切割，切割后即可使用。
实施例2
在实施例1中，如果导电层2为不可焊材料，则可以如图10和图11所示，在导电层2上的焊接点丝印导电可焊层3，在可焊层3上焊接电极引出线。如使用可焊铜浆作为可焊层3焊盘浆料，采用0.06mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为140℃；如使用可焊银浆作为可焊层3焊盘浆料，采用0.06mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为120℃；如使用低温锡膏作为可焊层焊盘浆料，采用0.1mm厚的钢板网丝印，采用回流炉固化，中心固化温度设置为160℃。
实施例3
如图12和图13所示，在实施例1中采用2mm宽的带导电胶层7的铜带8的导电型材取代导电层2，采用热压工艺，把带导电胶层7的铜带8贴合到已制备好绝缘层1的背接触电池10上拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出区域相应位置，以形成每个电池芯片的正负电极汇流及引出电极端。
制作过程如下：
先将背接触电池10的背光面朝上放置在丝印平台上，将栅线绝缘涂层网版和背接触电池10的对位点进行精确套位，然后采用掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层1油墨浆料丝印到背接触电池10的背光面的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层1，即在电池芯片的正极引出 端将负极栅线52覆盖绝缘层1，在负极引出端将正极栅线50覆盖绝缘层1。
将制备好绝缘层1的背接触电池10的背光面上，按热压机定位装置放置到热压机工作台面上，启动热压机开关，热压机把按设计尺寸要求裁切好的带导电胶层7的铜带8贴合到已制备好绝缘层1的背接触电池10上拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出区域相应位置，形成每个电池芯片的正负电极汇流及引出电极端。
按切割线4将背接触电池10切割成电池芯片，即可使用。
Claims (12)
1.一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，包括位于晶圆基片的背光面上n+区和p+区的正负电极，及间隔排列的相异极栅，其技术特征是在背接触电池的背光面上，采用栅线绝缘涂层网版和掩膜丝网印刷工艺，对背接触电池的对位点精确套位，把绝缘层浆料丝印到基片的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层；
采用栅线汇流导电层网版和掩膜丝网印刷工艺，把导电层浆料丝印到背电极面绝缘层区域的绝缘层，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端栅线汇流的导电层；
所说的导电层包括可焊接和免焊接在内的导电材料制成的带电层；
以上所说的小芯片的正负电极引出端，在其正电极引出端，将其负极栅线覆盖绝缘层，在负极引出端，将其正极栅线覆盖绝缘层。
2.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于在以上所说的拟切割出的每个电池芯片的绝缘层，所使用的绝缘层浆料是UV紫外光固型或热固型环氧树脂绝缘油墨。
3.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于在以上所说的绝缘层是采用0.04～0.10mm厚度的钢板网丝印UV紫外光固型绝缘油墨，固化温度设置为45～80℃。
4.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于在以上所说的拟切割出的每个电池芯片的绝缘层，用0.04～0.10mm厚度的钢板网丝印热固型环氧树脂绝丝印，固化温度设置为100～160℃。
5.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端的栅线汇流导电层，还包括采用导电浆料，其中铜浆作为导电层，采用0.06～0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为130～170℃。
6.根据权利要求5所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的导电层，还包括用银浆作为导电层，采用0.06～0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为120～150℃。
7.根据权利要求5所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的导电层，还包括用低温锡膏作为导电层浆料，采用0.1～0.2mm厚的钢板网丝印，用回流炉固化，中心固化温度设置为130～170℃。
8.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的导电层，包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属导电型材，则采用热压或静压设备，把导电材料贴合到已制备好绝缘层的基片上。
9.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的导电层为免焊接材料，在其表面按每个电池芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸需求，再丝印可焊电极层，包括可焊铜浆、银浆、锡膏，作电极引出线的焊接电极。
10.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的拟切割出的每个电池芯片，采用高精度激光硅片切割机或砂轮硅片切割机。
11.根据权利要求10所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的拟切割出的每个电池芯片，把背电极硅电池切割成带独立正负极输出电极的小芯片。
12.根据权利要求1所述的一种用背接触式太阳能电池制成小芯片的电极引出方法，其技术特征在于所说的切割出的每个电池芯片在其电极引出端用电烙铁焊接线串联成电池芯片组件或串并联组件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610098146.3A CN105552137B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种背接触式太阳能电池的小芯片电极引出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610098146.3A CN105552137B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种背接触式太阳能电池的小芯片电极引出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105552137A CN105552137A (zh) | 2016-05-04 |
| CN105552137B true CN105552137B (zh) | 2017-08-01 |
Family
ID=55831216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610098146.3A Expired - Fee Related CN105552137B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种背接触式太阳能电池的小芯片电极引出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105552137B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098831B (zh) * | 2016-08-02 | 2018-02-02 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种背接触太阳能电池串及其制备方法和组件、系统 |
| CN114284392B (zh) * | 2022-01-04 | 2022-10-18 | 武汉美格科技股份有限公司 | 一种太阳能电池组件及其制备方法、装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013030615A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
| CN104600132A (zh) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 英稳达科技股份有限公司 | 电极结构与使用电极结构的太阳能电池 |
| CN103594533A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-02-19 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种背结-背接触太阳能电池三维电极及其制备方法 |
| CN105226110B (zh) * | 2014-06-26 | 2017-02-15 | 英稳达科技股份有限公司 | 一种太阳能电池元件 |
-
2016
- 2016-02-23 CN CN201610098146.3A patent/CN105552137B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105552137A (zh) | 2016-05-04 |
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