CN105551993A - 一种晶圆参数的修调方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶圆参数的修调方法及装置，所述方法包括：根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式；测量第N个实际晶圆参数值；根据线性公式、第N个实际晶圆参数值、第N个晶圆参数档位值及目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值；测量第N+1个实际晶圆参数值；根据线性公式、第N+1个实际晶圆参数值、第N+1个晶圆参数档位值及目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值；测量第N+2个实际晶圆参数值；确定第N+2个实际晶圆参数值与目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值；在小于第一预设值时，将第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。本发明的修调时间端，提高了修调效率。

Description

一种晶圆参数的修调方法及装置
技术领域
本发明涉及晶圆制造技术领域，特别涉及一种晶圆参数的修调方法及装置。
背景技术
晶圆在制造过程中，由于其制作工艺存在一定的离散性，因此不能保证晶圆的关键参数的一致性，鉴于此，在制造晶圆时，通常将每一个关键参数均做出多档，然后在后期晶圆测试时，在每一个关键参数的多档中确定出与目标参数最接近的一档，即为晶圆参数的修调。
现有技术中，通常采用扫描法来实现晶圆参数的修调，若需要修调的参数为内部RC振荡器的输出频率，且做出256档内部RC振荡器的输出频率，在修调时，需要从第1档扫描至第256档，共需要256步，然后将扫描结果进行比对，确定出与目标参数最接近的一档，完成晶圆内部RC振荡器的输出频率的修调，其他参数的修调方法与上述相同，在此不再赘述。
但上述晶圆参数的修调方法需要对每一档进行扫描，修调步骤较多，修调时间长，从而降低了修调效率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种晶圆参数的修调方法，其修调时间短，提高了修调效率。
本发明通过以下技术手段解决上述问题：
本发明的一种晶圆参数的修调方法，包括：根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式；其中，所述晶圆参数档位的数量大于等于2；测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值；其中，所述N为正整数；根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值；测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值；根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值；测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值；确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值；在确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时，将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。
进一步，在所述将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值之后，还包括：根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值，并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。
进一步，晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。
进一步，所述线性公式包括：y＝bx+a；其中，b为线性系数，a为常数，x为晶圆参数档位值，y为晶圆参数值；所述根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值包括：根据公式xN+1＝xN-(yN-yT)/b确定第N+1个晶圆参数档位值；其中，xN为第N个晶圆参数档位值，yN为第N个实际晶圆参数值，yT为目标晶圆参数值，xN+1为第N+1个晶圆参数档位值；所述根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值包括：根据公式xN+2＝xN+1-(yN+1-yT)/b确定第N+2个晶圆参数档位值；其中，yN+1为第N+1个实际晶圆参数值，xN+2为第N+2个晶圆参数档位值。
本发明的一种晶圆参数的修调装置，包括：处理单元，用于根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式；其中，所述晶圆参数档位的数量大于等于2；测量单元，用于测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值；其中，所述N为正整数；确定单元，用于根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值；所述测量单元，还用于测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值；所述确定单元，还用于根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值；所述测量单元，还用于测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值；所述确定单元，还用于确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值；所述处理单元，还用于在所述确定单元确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时，将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。
进一步，所述确定单元，还用于根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值，并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。
进一步，晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。
进一步，所述线性公式包括：y＝bx+a；其中，b为线性系数，a为常数，x为晶圆参数档位值，y为晶圆参数值；所述确定单元，具体用于根据公式xN+1＝xN-(yN-yT)/b确定第N+1个晶圆参数档位值；其中，xN为第N个晶圆参数档位值，yN为第N个实际晶圆参数值，yT为目标晶圆参数值，xN+1为第N+1个晶圆参数档位值；所述确定单元，具体用于根据公式xN+2＝xN+1-(yN+1-yT)/b确定第N+2个晶圆参数档位值；其中，yN+1为第N+1个实际晶圆参数值，xN+2为第N+2个晶圆参数档位值。
本发明的一种晶圆参数的修调方法具有以下有益效果：
本发明提供了一种晶圆参数的修调方法及装置，根据线性公式、测量得到的实际晶圆参数值、与实际晶圆参数值对应的晶圆参数档位值、以及目标晶圆参数值逐步迭代，直至确定出与目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值的晶圆参数档位值，并将与目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值的晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值，而不需要对每个晶圆参数档位值对应的晶圆参数值进行修调，则修调时间短，从而提高了修调效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
图1为本发明的一种晶圆参数的修调方法的流程示意图；
图2为本发明的一种晶圆参数的修调装置的功能示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明进行详细说明，如图1所示：本实施例提供一种晶圆参数的修调方法包括如下步骤：
101、根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式。
其中，所述晶圆参数档位的数量大于等于2；晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。
具体的，所述线性公式包括：y＝bx+a。
其中，b为线性系数，a为常数，x为晶圆参数档位值，y为晶圆参数值。
需要说明的是，b的具体值可根据实际需求及经验确定。
需要说明的是，上述线性公式适用于任一晶圆参数对应的晶圆参数档位值和晶圆参数值。
需要说明的是，晶圆参数还可以为其他需要修调的晶圆内芯片的参数，本发明对此不做限制。
102、测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值。
其中，所述N为正整数。
103、根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值。
具体的，根据公式xN+1＝xN-(yN-yT)/b确定第N+1个晶圆参数档位值；
其中，xN为第N个晶圆参数档位值，yN为第N个实际晶圆参数值，yT为目标晶圆参数值，xN+1为第N+1个晶圆参数档位值。
示例性的，N＝1时，x1为第1个晶圆参数档位值，y1为第1个实际晶圆参数值，x2为第2个晶圆参数档位值，则y1＝bx1+a，yT＝bx2+a，将两式相减得到x2＝x1-(y1-yT)/b。
104、测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值。
105、根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值。
具体的，根据公式xN+2＝xN+1-(yN+1-yT)/b确定第N+2个晶圆参数档位值；
其中，yN+1为第N+1个实际晶圆参数值，xN+2为第N+2个晶圆参数档位值。
示例性的，N＝1时，x3为第3个晶圆参数档位值，y2为第1个实际晶圆参数值，则此时，y2＝bx2+a，yT＝bx3+a将两式相减得到x3＝x2-(y2-yT)/b。
106、测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值。
107、确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值。
需要说明的是，第一预设值为预先设置的值，具体值可根据实际需求来确定。
108、在确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时，将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。
作为上述技术方案的进一步改进，如图1所示，在步骤108执行完后还包括：
109、根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值，并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。
具体的，根据晶圆参数的不同，拟合公式也不同，拟合公式可以为将目标晶圆参数档位值的最高位取反，也可以为将目标晶圆参数档位值的最高位和次高位数值交换等。
本发明提供了一种晶圆参数的修调方法，根据线性公式、测量得到的实际晶圆参数值、与实际晶圆参数值对应的晶圆参数档位值、以及目标晶圆参数值逐步迭代，直至确定出与目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值的晶圆参数档位值，并将与目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值的晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值，而不需要对每个晶圆参数档位值对应的晶圆参数值进行修调，则修调时间短，从而提高了修调效率。
本实施例提供一种晶圆参数的修调装置，如图2所示，包括：处理单元201、测量单元202和确定单元203。
所述处理单元201，用于根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式。
其中，所述晶圆参数档位的数量大于等于2；晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。
具体的，所述线性公式包括：y＝bx+a。
其中，b为线性系数，a为常数，x为晶圆参数档位值，y为晶圆参数值。
所述测量单元202，用于测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值。
其中，所述N为正整数。
所述确定单元203，用于根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值。
所述确定单元203，具体用于根据公式xN+1＝xN-(yN-yT)/b确定第N+1个晶圆参数档位值。
其中，xN为第N个晶圆参数档位值，yN为第N个实际晶圆参数值，yT为目标晶圆参数值，xN+1为第N+1个晶圆参数档位值。
所述测量单元202，还用于测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值。
所述确定单元203，还用于根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值。
所述确定单元203，具体用于根据公式xN+2＝xN+1-(yN+1-yT)/b确定第N+2个晶圆参数档位值。
其中，yN+1为第N+1个实际晶圆参数值，xN+2为第N+2个晶圆参数档位值。
所述测量单元202，还用于测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值。
所述确定单元203，还用于确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值。
所述处理单元201，还用于在所述确定单元203确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时，将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。
进一步的，所述确定单元203，还用于根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值，并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。
本发明提供了一种晶圆参数的修调装置，根据线性公式、测量得到的实际晶圆参数值、与实际晶圆参数值对应的晶圆参数档位值、以及目标晶圆参数值逐步迭代，直至确定出与目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值的晶圆参数档位值，并将与目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值的晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值，而不需要对每个晶圆参数档位值对应的晶圆参数值进行修调，则修调时间短，从而提高了修调效率。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (8)

1.一种晶圆参数的修调方法，其特征在于：包括：
根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式；其中，所述晶圆参数档位的数量大于等于2；
测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值；其中，所述N为正整数；
根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值；
测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值；
根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值；
测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值；
确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值；
在确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时，将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。
2.根据权利要求1所述的晶圆参数的修调方法，其特征在于：在所述将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值之后，还包括：
根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值，并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。
3.根据权利要求2所述的晶圆参数的修调方法，其特征在于：晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。
4.根据权利要求3所述的晶圆参数的修调方法，其特征在于：所述线性公式包括：y＝bx+a；
其中，b为线性系数，a为常数，x为晶圆参数档位值，y为晶圆参数值；
所述根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值包括：
根据公式xN+1＝xN-(yN-yT)/b确定第N+1个晶圆参数档位值；
其中，xN为第N个晶圆参数档位值，yN为第N个实际晶圆参数值，yT为目标晶圆参数值，xN+1为第N+1个晶圆参数档位值；
所述根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值包括：
根据公式xN+2＝xN+1-(yN+1-yT)/b确定第N+2个晶圆参数档位值；
其中，yN+1为第N+1个实际晶圆参数值，xN+2为第N+2个晶圆参数档位值。
5.一种晶圆参数的修调装置，其特征在于：包括：
处理单元，用于根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式；其中，所述晶圆参数档位的数量大于等于2；
测量单元，用于测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值；其中，所述N为正整数；
确定单元，用于根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值；
所述测量单元，还用于测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值；
所述确定单元，还用于根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值；
所述测量单元，还用于测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值；
所述确定单元，还用于确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值；
所述处理单元，还用于在所述确定单元确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时，将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。
6.根据权利要求5所述的晶圆参数的修调装置，其特征在于：
所述确定单元，还用于根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值，并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。
7.根据权利要求6所述的晶圆参数的修调装置，其特征在于，晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。
8.根据权利要求7所述的晶圆参数的修调装置，其特征在于，所述线性公式包括：y＝bx+a；
其中，b为线性系数，a为常数，x为晶圆参数档位值，y为晶圆参数值；
所述确定单元，具体用于根据公式xN+1＝xN-(yN-yT)/b确定第N+1个晶圆参数档位值；
其中，xN为第N个晶圆参数档位值，yN为第N个实际晶圆参数值，yT为目标晶圆参数值，xN+1为第N+1个晶圆参数档位值；
所述确定单元，具体用于根据公式xN+2＝xN+1-(yN+1-yT)/b确定第N+2个晶圆参数档位值；
其中，yN+1为第N+1个实际晶圆参数值，xN+2为第N+2个晶圆参数档位值。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107579012A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 格罗方德半导体公司 用于工艺感知维度目标的先进工艺控制
CN110286312A (zh) * 2019-03-29 2019-09-27 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电压修调方法
CN111312608A (zh) * 2020-02-25 2020-06-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆参数的修调方法
CN113075531A (zh) * 2021-03-24 2021-07-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法
US20220139830A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Changxin Memory Technologies, Inc. Adjustment method and device for chip output characteristics
CN114839906A (zh) * 2022-04-20 2022-08-02 大唐微电子技术有限公司 一种集成电路芯片模拟量修调方法和装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109085491A (zh) * 2018-08-08 2018-12-25 上海华力微电子有限公司 一种提高模拟量Trimming程序测试效率的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102158203A (zh) * 2011-04-26 2011-08-17 杭州芯赛微电子有限公司 一种高精度rc振荡器
CN103855045A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆上芯片参数的修调方法
US20140256066A1 (en) * 2011-07-07 2014-09-11 Lam Research Corporation Radiofrequency Adjustment for Instability Management in Semiconductor Processing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102158203A (zh) * 2011-04-26 2011-08-17 杭州芯赛微电子有限公司 一种高精度rc振荡器
US20140256066A1 (en) * 2011-07-07 2014-09-11 Lam Research Corporation Radiofrequency Adjustment for Instability Management in Semiconductor Processing
CN103855045A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆上芯片参数的修调方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107579012A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 格罗方德半导体公司 用于工艺感知维度目标的先进工艺控制
CN110286312A (zh) * 2019-03-29 2019-09-27 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电压修调方法
CN110286312B (zh) * 2019-03-29 2022-01-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电压修调方法
CN111312608A (zh) * 2020-02-25 2020-06-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆参数的修调方法
US20220139830A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Changxin Memory Technologies, Inc. Adjustment method and device for chip output characteristics
US12002751B2 (en) * 2020-10-29 2024-06-04 Changxin Memory Technologies, Inc. Adjustment method and device for chip output characteristics
CN113075531A (zh) * 2021-03-24 2021-07-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法
CN114839906A (zh) * 2022-04-20 2022-08-02 大唐微电子技术有限公司 一种集成电路芯片模拟量修调方法和装置

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