CN105551933A - 一种制备cigs电池用的硒源裂解整流装置 - Google Patents
一种制备cigs电池用的硒源裂解整流装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105551933A CN105551933A CN201510897638.4A CN201510897638A CN105551933A CN 105551933 A CN105551933 A CN 105551933A CN 201510897638 A CN201510897638 A CN 201510897638A CN 105551933 A CN105551933 A CN 105551933A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cracking
- selenium
- selenium source
- cracking chamber
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims abstract description 92
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 89
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 title abstract 8
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 title abstract 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 95
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000004230 steam cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Abstract
本发明公开了一种制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,其特征在于:至少包括:用于置放原料的硒源加热炉,在所述硒源加热炉的下方设置有硒源加热器,硒源加热炉的上方设置有裂解腔室,在所述硒源加热炉和裂解腔室之间设置有密封腔,密封腔的下表面与硒源加热炉的出口导通,密封腔的上表面通过硒蒸汽出口与裂解腔室导通;在所述裂解腔室内设置有裂解加热丝;所述密封腔的上表面设有加料口;在所述裂解腔室的上表面开设有出气口。通过采用上述技术方案,本发明提升了物料分子的活性,提高了物料的反应活性;在卷对卷工艺中,能够使膜成分物料的分布更加均匀;同时该硒源裂解整流装置简单易操作,且更换维修时也简单容易。
Description
技术领域
本发明属于CIGS太阳能电池制备设备领域,特别是涉及一种制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置。
背景技术
目前在CIGS太阳能电池制备领域,蒸发镀膜制备方式中所用到的蒸发源多为点源或者线性源。在薄膜沉积制备过程中,我们要求材料蒸汽流稳定,薄膜各处的沉积量均匀,可控性强。
多元共蒸发法是制备CIGS层最广泛和最成功的方法。多元共蒸发法制备CIGS层,是由铜、铟、镓、硒各元素以气态形式在衬底处反应化合形成Cu(InxGa1-x)Se2的多晶材料,其中硒元素在CIGS层的形成过程中非常关键。在CIGS层制备过程中,固态硒材料被放入硒源罐中,通过加热蒸发方法产生硒蒸气,以气态形式弥散于真空腔室,这种方式的优点是无毒、廉价。但硒蒸气压难以控制,而且气态硒常以Sen(n≥5)大原子团形式存在,反应活性较差,易造成硒元素化合反应不充分,引起铟和镓元素的损失,降低材料利用率的同时导致CIGS薄膜成份偏离理想的化学计量比,降低CIGS层成膜质量。而且在卷对卷制作工艺中,为制作出幅宽方向和走带方向都均匀的电池,必须保证在工艺过程中各个源蒸出的气流均与且稳定。
所以在制备CIGS薄膜太阳能电池过程中,要解决此问题。这里,我们采用如下裂解室的结构来对Se蒸汽进行处理,实现在工艺过程中Se蒸汽的均与稳定。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:针对背景技术中指出的提高Se蒸汽的活性,使反应更加充分,薄膜各处更均匀而提出的一个能够获得稳定且流速可控的制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置。
本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:
一种制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,至少包括:
用于置放原料的硒源加热炉(4),在所述硒源加热炉(4)的下方设置有硒源加热器(5),所述硒源加热炉(4)的上方设置有裂解腔室,在所述硒源加热炉(4)和裂解腔室之间设置有密封腔,密封腔的下表面与硒源加热炉(4)的出口导通,密封腔的上表面通过硒蒸汽出口与裂解腔室导通;在所述裂解腔室内设置有裂解加热丝(6);所述密封腔的上表面设有加料口(3);在所述裂解腔室的上表面开设有出气口(10)。
进一步:所述裂解腔室和硒蒸汽出口分别有两个,两个裂解腔室为第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2);两个硒蒸汽出口为第一硒蒸汽出口(2-1)和第二硒蒸汽出口(2-2);所述第一裂解腔室(1-1)通过第一硒蒸汽出口(2-1)与密封腔导通;所述第二裂解腔室(1-2)通过第二硒蒸汽出口(2-2)与密封腔导通。
更进一步:所述第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2)均为空心圆柱体结构,所述空心圆柱体的中心轴与密封腔的上表面相互平行;第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2)的中心轴相互平行。
更进一步:所述裂解加热丝(6)为石墨丝或者不锈钢丝中的一种。
更进一步:在所述第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2)的侧壁设置有与密封腔连接的连接管(9)。
本发明具有的优点和积极效果是:
本发明采用对石墨线(或其他耐高温,耐腐蚀等合适材料)通以较大电流,对从硒蒸汽出口的蒸汽流高温处理。在此小裂解室里,一是可以对从出口喷出的硒蒸汽进行缓冲,降低其流动速度,使其尽可能的分布弥漫整个裂解室,进而在工艺过程中使幅宽方向的硒蒸汽均匀;二是,裂解丝通过的电流会使裂解丝发热,营造高温环境,尤其是从硒源罐出气口附近,高温促进大原子团的硒蒸汽裂解成较小原子团的蒸汽,进而促进硒在蒸出后能充分与其他物料原子接触,充分反应。因此具有如下技术效果:1.提升了物料分子的活性,提高了物料的反应活性。2.在卷对卷工艺中,能够使膜成分物料的分布更加均匀。3.装置简洁易操作,且更换维修时也简单容易。
附图说明:
图1是本发明优选实施例的主视图;
图2是本发明优选实施例的侧视图;
图3是本发明优选实施例的俯视图;
图4是本发明优选实施例中裂解腔室的主视图;
图5是本发明优选实施例中裂解腔室的侧视图;
图6是本发明优选实施例中裂解腔室的俯视图。
其中:1-1、第一裂解腔室;1-2、第二裂解腔室;2-1、第一硒蒸汽出口;2-2、第二硒蒸汽出口;3、加料口;4、硒源加热炉;5、硒源加热器;6、裂解加热丝;7、裂解电极端子;8、裂解腔体;9、连接管;10、出气口。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:
请参阅图1至图6,一种制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,包括:
用于置放原料的硒源加热炉),在所述硒源加热炉4的下方设置有硒源加热器5,所述硒源加热炉4的上方设置有裂解腔室,在所述硒源加热炉4和裂解腔室之间设置有密封腔,密封腔的下表面与硒源加热炉4的出口导通,密封腔的上表面通过硒蒸汽出口与裂解腔室导通;在所述裂解腔室内设置有裂解加热丝6;所述密封腔的上表面设有加料口3。在本优选实施例中,为了提高反应的充分性:所述裂解腔室和硒蒸汽出口分别有两个,两个裂解腔室为第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2;两个硒蒸汽出口为第一硒蒸汽出口2-1和第二硒蒸汽出口2-2;所述第一裂解腔室1-1通过第一硒蒸汽出口2-1与密封腔导通;所述第二裂解腔室1-2通过第二硒蒸汽出口2-2与密封腔导通。所述第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2均为空心圆柱体结构,所述空心圆柱体的中心轴与密封腔的上表面相互平行;第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2的中心轴相互平行。所述裂解加热丝6为石墨丝或者不锈钢丝中的一种。在所述第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2包括圆柱体结构的裂解腔体8和安装于侧壁的连接管9;连接管9实现第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2与密封腔导通。在所述裂解腔室的上表面开设有出气口10。
上述优选实施例的工作原理如下;向硒源加热炉4添加硒料,开启硒源加热器5,此时,硒源加热炉4内的硒料开始预热,加热到一定程度后,硒料开始蒸出,此时接通裂解电极端子7,电流进入裂解加热丝6,裂解加热丝6开始工作,硒蒸汽通过第一硒蒸汽出口2-1和第二硒蒸汽出口2-2分别进入第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2,进入第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2的硒蒸汽多是很大的原子团聚集的,提前加热的第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2空间比较小,因此不但能够缓冲蒸汽流,使硒蒸汽弥漫整个裂解室,而且高温能够使大的硒源子团分裂成较小的原子。蒸汽继续往上,会通过第一裂解腔室1-1和第二裂解腔室1-2上方的出气口10离开硒源,进入工艺腔室空间,这样能够使反应更充分进行,同时在卷对卷制备工艺中能够促进幅宽方向成分的均匀性。
以上对本发明的实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (5)
1.一种制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,其特征在于:至少包括:
用于置放原料的硒源加热炉(4),在所述硒源加热炉(4)的下方设置有硒源加热器(5),所述硒源加热炉(4)的上方设置有裂解腔室,在所述硒源加热炉(4)和裂解腔室之间设置有密封腔,密封腔的下表面与硒源加热炉(4)的出口导通,密封腔的上表面通过硒蒸汽出口与裂解腔室导通;在所述裂解腔室内设置有裂解加热丝(6);所述密封腔的上表面设有加料口(3);在所述裂解腔室的上表面开设有出气口(10)。
2.根据权利要求1所述制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,其特征在于:所述裂解腔室和硒蒸汽出口分别有两个,两个裂解腔室为第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2);两个硒蒸汽出口为第一硒蒸汽出口(2-1)和第二硒蒸汽出口(2-2);所述第一裂解腔室(1-1)通过第一硒蒸汽出口(2-1)与密封腔导通;所述第二裂解腔室(1-2)通过第二硒蒸汽出口(2-2)与密封腔导通。
3.根据权利要求2所述制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,其特征在于:所述第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2)均为空心圆柱体结构,所述空心圆柱体的中心轴与密封腔的上表面相互平行;第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2)的中心轴相互平行。
4.根据权利要求2所述制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,其特征在于:所述裂解加热丝(6)为石墨丝或者不锈钢丝中的一种。
5.根据权利要求3或4所述制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置,其特征在于:在所述第一裂解腔室(1-1)和第二裂解腔室(1-2)的侧壁设置有与密封腔连接的连接管(9)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510897638.4A CN105551933A (zh) | 2015-12-08 | 2015-12-08 | 一种制备cigs电池用的硒源裂解整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510897638.4A CN105551933A (zh) | 2015-12-08 | 2015-12-08 | 一种制备cigs电池用的硒源裂解整流装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105551933A true CN105551933A (zh) | 2016-05-04 |
Family
ID=55831048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510897638.4A Pending CN105551933A (zh) | 2015-12-08 | 2015-12-08 | 一种制备cigs电池用的硒源裂解整流装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105551933A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108425091A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-08-21 | 南开大学 | 一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源 |
CN108493262A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-09-04 | 南开大学 | 一种实现柔性衬底高效铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020029746A1 (en) * | 2000-05-10 | 2002-03-14 | Nissin Electric Co., Ltd. | Operation method of ion source and ion beam irradiation apparatus |
CN101475315A (zh) * | 2009-02-03 | 2009-07-08 | 泉州创辉光伏太阳能有限公司 | 黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法 |
CN102433550A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-05-02 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种衬底表面喷射裂解硒源的方法 |
CN103088301A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-05-08 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种铜铟镓硒薄膜的硒化处理装置、方法及铜铟镓硒薄膜器件 |
-
2015
- 2015-12-08 CN CN201510897638.4A patent/CN105551933A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020029746A1 (en) * | 2000-05-10 | 2002-03-14 | Nissin Electric Co., Ltd. | Operation method of ion source and ion beam irradiation apparatus |
CN101475315A (zh) * | 2009-02-03 | 2009-07-08 | 泉州创辉光伏太阳能有限公司 | 黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法 |
CN102433550A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-05-02 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种衬底表面喷射裂解硒源的方法 |
CN103088301A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-05-08 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种铜铟镓硒薄膜的硒化处理装置、方法及铜铟镓硒薄膜器件 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108425091A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-08-21 | 南开大学 | 一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源 |
CN108493262A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-09-04 | 南开大学 | 一种实现柔性衬底高效铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104882516A (zh) | 一种高温低压的硅片扩散方法 | |
CN103121670A (zh) | 远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法 | |
CN105551933A (zh) | 一种制备cigs电池用的硒源裂解整流装置 | |
CN112626465A (zh) | 一种cigs共蒸法的硒源外置式结构 | |
CN111495399B (zh) | 一种s掺杂wp2纳米片阵列电催化剂及其制备方法 | |
CN111509238B (zh) | 一种宏量石墨烯改性电极材料的制备方法 | |
CN105734524B (zh) | 金属有机化学气相沉积装置及使用该装置的方法 | |
CN206109525U (zh) | 一种太阳能电池吸收层镀膜用加热坩埚 | |
CN204668282U (zh) | 一种高温低压扩散装置 | |
CN104835881B (zh) | 一种太阳能电池减反射膜的制作方法以及太阳能电池 | |
CN102506509B (zh) | 中高温太阳能集热管排气方法及装置 | |
CN108103447A (zh) | 一种自封防漏低沸点材料热蒸发镀膜装置 | |
CN107623052A (zh) | 一种太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜系统和方法 | |
CN102443779B (zh) | 一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺及装置 | |
CN102719804B (zh) | 气体内循环型热丝cvd金刚石膜生长装置 | |
CN102369307B (zh) | 用于制造太阳能电池的设备 | |
CN202373561U (zh) | 大面积卷对卷柔性衬底表面喷射裂解硒源用装置 | |
CN105274499A (zh) | 一种单室多极型pecvd反应室 | |
CN202322985U (zh) | 在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备 | |
CN112095146A (zh) | 一种用于黑磷晶体放大制备的反应器及其应用 | |
CN206477037U (zh) | 一种镓电解用冷却电极 | |
CN110318035A (zh) | 合金化合物薄膜的分立式多热丝沉积方法及装置 | |
CN202190428U (zh) | 一种用于制备薄膜太阳能电池吸收层的中频感应加热装置 | |
CN104451601A (zh) | 一种常压化学气相沉积镀膜反应器 | |
CN204825033U (zh) | 一种真空溅射机 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160504 |